具有電感電容槽電路的集成電路及其操作方法

專利名稱：具有電感電容槽電路的集成電路及其操作方法
技術領域：
本發明涉及一種半導體電路的領域，且特別涉及包括電感電容槽電路的集成電路及其操作方法。
背景技術：
鎖相回路(phase locked loops，PLLs)廣泛地用于電子設計，例如無線電、電視接收器、視頻裝置、衛星廣播以及儀器系統。鎖相回路是具有電壓控制振蕩器(VCO)或電流控制振蕩器(CCO)的一種電子電路，并且被持續地驅動到匹配輸入信號的頻率。對于低相位噪聲性能而言，會使用電感電容(LC)類型的電壓控制振蕩器(LCVCO or LC-tank VCO)。 本質上，電感-電容類型電壓控制振蕩器具有小頻率調整范圍。為了對抗程序變異以及覆蓋大范圍頻率操作，需要一系列的電容存儲處以增加調整范圍及頻率覆蓋范圍。然而，來自連接電容存儲處的互連電線的寄生電容降低調整范圍以及總頻率覆蓋范圍，所以需要被最小化。然而，最小化互連電容造成增加寄生電阻，因而增加電感電容槽電壓控制振蕩器的損失。因此，電容電感電壓控制振蕩器需要選擇理想的互連電線寬度以確保電容-電感電壓控制振蕩器有足夠的頻率覆蓋范圍以及調整范圍，并且同時沒有過度損失導致電感-電容電壓控制振蕩器無法振蕩。一旦寄生電容被設計固定，設計者僅能根據來自spice模型的最壞狀況互連電阻變異規格預算某些量的設計保護頻寬。假如實際的硅互連電阻移位到超過最壞情況變異規格，電感電容電壓控制振蕩器將無法振蕩。同樣地，電感電容電壓控制振蕩器有源裝置，正常來說是一對交錯耦合N溝道金屬氧化物半導體(NMOQ裝置或一對交錯耦合P溝道金屬氧化物半導體(PM0Q裝置，帶有會降低電感電容電壓控制振蕩器頻率覆蓋與調整范圍的寄生電容，因此需要減少寄生電容。控制有源裝置的增益以補償來自寄生電阻的電感電容電壓控制振蕩器的損失。因此，一方面使得有源裝置足夠大到有足夠的增益， 但是另一方面必須使得有源裝置足夠小以最小化寄生電容。再者，需要選擇理想點(有源裝置尺寸)。假如實際硅中的有源裝置的增益遠小于最壞情況Spice模型規格，電感電容電壓控制振蕩器將無法振蕩。傳統上，鎖相回路電路包括環型電壓或電流控制振蕩器或電感-電容電壓控制振蕩器(LCVCO)，其調整電路頻率接近想要的頻率。傳統電感電容電壓控制振蕩器有一個電感電容槽。電感電容槽符合程序變異，例如寄生互連電阻的變異。為了有足夠的電感電容槽品質因素使得電感電槽振蕩，添加一對交錯耦合NMOS或PMOS裝置以提供足夠增益給電感電容電壓控制振蕩器。因此，電感電容電壓控制振蕩器也符合晶體管的增益變異。變異會影響傳統電感電容電壓控制振蕩器的輸出振幅與頻率。可能發生的最遭情況是電感電容電壓控制振蕩器不能振蕩。已經有多種方式被提出來對抗沖擊到電感電容電壓控制振蕩器性能與功能的程序變異。其中一個是通過增加電感電容槽的互連金屬線的寬度降低電感電容槽的寄生互連電阻。然而，增加互連金屬線的寬度也增加不想要的電感電容槽的寄生電容。不想要的寄生電容降低電感電容電壓控制振蕩器頻率覆蓋范圍以及調整范圍。此外，這種方式并不足以擔保電感電容槽振蕩在更寬于特定spice模型程序變異及/或電壓/溫度變異。其他方式僅增加耦接電感電容槽的交錯耦合晶體管的增益。可發現到假如互連電阻以及交錯耦合的晶體管的硅變異劣于程序變異規格的硅變異時，電感電容電壓控制振蕩器可能仍然無法振蕩。也可發現到電感電容電壓控制振蕩器的輸出信號的共模電壓可能移位并且負面影響接收輸出信號的接收器的電路操作以及降低電感電容電壓控制振蕩器自身的操作空間。在另一種方式，手動調整流經交錯耦合的晶體管的尾電流以便于增加交錯耦合的晶體管的增益。然而，尾電流的手動調整是有限且離散的。此外，假如目前總尾電流不夠時，尾電流的手動調整可能無法適當地補償來自過量的互連電阻變異的電感電容電壓控制振蕩器的損失。基于上述，包括具有自動損失補償機制的電感電流槽的集成電路及其操作方法是有需要的。

發明內容
有鑒于此，本發明提供一種集成電路，包括一電感電容槽電路，該電感電容槽電路用于輸出具有一峰值電壓的一輸出信號，該峰值電壓實質上地等于一振幅加上一直流電壓值；以及一回授回路，耦接該電感電容槽電路，其中該回授回路用于決定該輸出信號的該峰值電壓是否落在一第一電壓狀態與一第二電壓狀態之間的一范圍內用以調整該輸出信號的該振幅。本發明還提供一種調整一輸出信號的一振幅的方法，該信號來自于一電感電容槽電路，該方法包括在該電感電容槽電路的一輸出端檢測該輸出信號的一峰值電壓，其中該峰值電壓實質上地等于一振幅加上一直流電壓值；以及判斷該輸出信號的該峰值電壓落入一第一電壓狀態以及一第二電壓狀態之間的一范圍用以調整該輸出信號的該振幅。本公開的實施例指向包括電容電感的集成電路及其操作集成電路的方法。通過決定輸出自電感電容槽電路的輸出信號的峰值電壓，回授電路可自動地調整LCVCO交錯耦合裝置的增益以便于調整輸出信號的振幅。通過調整LCVCO交錯耦合裝置的增益，電感電容槽損失可被適切地補償。以下是描述關于集成電路及其操作方法的范例的實施例，而不是限制公開的范圍。為使本發明的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖，詳細說明如下。


圖1為一概略示意圖說明包含電容-電感槽電路的范例的集成電路；圖2為一概略示意圖說明包含電容-電感槽電路的另一范例的集成電路；以及圖3為一概略示意圖說明配置于基板上包括范例的集成電路的系統。其中，附圖標記說明如下100 集成電路；110 電感電容槽電路；111 輸出信號；120 回授回路；121 回授輸出信號；130 單元；


200 集成電路；210 電感電容槽電路；
210a 輸出端；211 輸出信號；
213a,213b 交錯耦合晶體管； 215 電流控制開關；220 回授回路；
221 回授輸出信號； 230 峰值檢測器； 230a 峰值檢測器輸出端；231 峰值檢測器輸出信號 233 晶體管；2；35 電容器；
237 晶體管；240 充電幫浦電路；
240a 幫浦輸出端； 243a、M;3b 比較器；
247a、247b 電流源； 253 電容器；
245a,245b 晶體管； 250 電流控制開關； 260 電壓控制電阻器 265 晶體管； 300 系統； 302 集成電路；
263 晶體管；
301 基板； 305 凸塊；
具體實施例方式可了解到，以下公開提供許多不同實施例或范例，用于實施不同公開的特征。特定范例的要素與排列描述如下以簡化本公開。當然，僅是范例而不是限制。此外，在各種范例中本公開可能重復參考數字及/或字母。重復是為了簡化及清楚的目的而不是闡述各種實施例之間的關系及/或組態。另外，本公開中特征在另一特征上，特征連接到，及/或耦接到另一特征上的形式緊接著可能包括形成特征直接接觸的實施例，并且可能也包括形成額外特征插入特征的實施例，以至于特征可能不是直接接觸。此外，空間相對的術語，舉例來說，“較低”、“較高”、“水平的”、“垂直的”、“在...之上”、“在...之下”、“上”、“下”、“頂”、 “底”等等以及其衍申字(例如水平地、向下地、向上地等等)用于本公開的案例的一個特征相關另一特征。空間相關的術語是要覆蓋具有特征的裝置的不同方向。圖1為一概略示意圖說明包含電容電感(LC)槽電路的范例的集成電路。在圖1， 集成電路100可包括耦接回授回路120的電感電容(LC)槽電路110。電感電容槽電路110 能輸出具有峰值電壓的輸出信號111。峰值電壓實質上地等于振幅加上直流(DC)電壓值。 回授回路120能決定是否輸出信號111的峰值電壓落在第一電壓狀態與第二電壓狀態之間的范圍。根據此決定回授回路120可能輸出信號121用于調整輸出信號111的振幅。圖2為一概略示意圖說明包含電容電感(LC)槽電路的另一范例的集成電路。圖2 中相同于圖1的項目以同樣的參考數字指示，以100遞增。在圖2集成電路200可包括耦接回授回路200的電感電容(LC)槽電路210。于一些實施例中，集成電路200可稱為電感電容電壓控制振蕩器(LCVCO)電路。在一些實施例中，電感電容槽電路210可具有至少一輸出端，例如輸出端210a。電感電容槽電路210能輸出一個輸出信號211。舉例來說，輸出信號211可以是帶有峰值電壓的正弦波信號，其實質上地等于直流電壓電平加上振幅。在一些實施例中，電感電容槽電路 210可包括至少一電感以及至少一可調整電容(未標示)。電感電容槽電路210可具有至少一個節點(未標示)節點可接收電壓，例如Vstl-Vs4，用于調整電感電容槽電路的容值用以提供想要的諧振頻率。可注意到電感電容槽電路210的節點、電感及或電容數目及/或配置僅僅是范例。本公開的范圍并不限于此。參考圖2，集成電路200可包括耦接電感電容槽電路210的交錯耦合晶體管213a 與213b，例如NMOS晶體管。交錯耦合晶體管213a與21 可耦接到開關215。開關215可能是可控制的，用于調整流經交錯耦合晶體管213a與21 的總尾電流的至少一部分。在一些實施例中，開關215可以是偏壓的晶體管，例如偏壓的NMOS晶體管。在其他的實施例中，開關215可稱為電流源。晶體管的柵極可耦接帶隙參考電壓控制器(未顯示)。帶隙參考電壓控制器能提供偏壓Vnbias用于調整流經交錯耦合晶體管213a與21 的總尾電流的一部分。通過調整總尾電流的至少一部分，交錯耦合晶體管213a與21 可提供想要的增益補償電感電容槽損失以便于在輸出端210a輸出振蕩信號211。可注意到交錯耦合晶體管 213a-213b與開關215的數字及/或類型僅僅是范例。本公開的范圍并不限于此。參考圖2，集成電路200可包括耦接電感電容槽電路210的輸出端210a的回授回路220。回授回路220能決定是否輸出信號211的峰值電壓落到電壓狀態V1與另一電壓狀態V2之間的范圍用以調整輸出信號211的振幅。根據回授回路220的決定，回授回路220 可能輸出一個信號221用以調整總尾電流的至少一部分。通過調整總尾電流的至少一部分，電感電容槽電路210的損失以及在輸出端210a的輸出信號211的振蕩振幅可適切地被調整。舉例來說，回授回路220可包括耦接至少一比較器，例如比較器與對北的峰值檢測器230。比較器對3￡1及對北可與充電幫浦(pump)電路240耦接。于一些實施例中，峰值檢測器230可包括晶體管233，例如耦接電容器235的NMOS晶體管。晶體管233的柵極可耦接電感電容槽電路210的輸出端210a。峰值檢測230的輸出端230a可配置于晶體管與電容器235之間。注意到，峰值檢測器230可檢測輸出信號211的峰值電壓。峰值檢測器230可輸出對應振幅加上輸出信號211的DC電壓電平的一個信號231。振幅加上 DC電壓電平也表示為峰值電壓。于一些實施例中，信號231可能運送實質上等于輸出信號 211的峰值電壓的一個電壓狀態。信號231可輸出到比較器與對北然后到充電幫浦電路M0。在一些實施例中，峰值檢測器230可選擇性地包括其他晶體管237，例如NMOS晶體管。晶體管237的柵極可耦接偏壓Vb。偏壓Vb可能稍微調整晶體管用以提供放電路徑以至于累積在電容器235的電荷因為來自晶體管的晶體管泄漏可適切地釋放。注意到峰值檢測器230的晶體管233、237以及電容器235的類型及/或配置僅僅是范例。公開的范圍并不限制于此。比較器與對北可耦接峰值檢測器230的輸出端230a，接收信號231。峰值檢測器230可檢測輸出信號211的峰值電壓。比較器與對北以及充電幫浦電路240 可決定是否輸出信號211的峰值電壓落入電壓狀態V1與V2之間的范圍。假如輸出信號211 的峰值電壓落入這個范圍，回授回路220可免于輸出用于調整輸出信號211的振幅的信號。 假如輸出信號211的峰值電壓跳出這個范圍，回授回路220可輸出用于調整輸出信號211 的振幅的信號。參考圖2，充電幫浦電路240可包括晶體管Mfe_245b、電流源M7a_247b，以及電容253。晶體管Mfe與對恥，例如PMOS晶體管與NMOS晶體管分別耦接比較器與對北。電流源可配置于晶體管Mfe與電壓源，例如VDD之間。電流源M7b可配置于晶體管Mfe與另一電壓源，例如VSS之間。充電幫浦電路MO的輸出端MOa可配置于晶體管24^1與對釙之間。在一些實施例中，集成電路200包括另一開關250，例如耦接交錯耦合晶體管 213a-213b的偏壓NMOS晶體管。于一些實施例中，開關250可稱為電流源。開關250可耦接充電幫浦電路MO的輸出端MOa。開關250可耦接交錯耦合晶體管213a-213b，以及與開關253平行。開關250可耦接充電幫浦電容器253。在一些實施例中，使用晶體管，電容器253可耦接到開關250的柵極。如所提，信號231可載送實質上等于輸出信號211的峰值電壓的電壓狀態。比較器可比較輸出信號211的峰值電壓與電壓狀態\。比較器對北可比較輸出信號211 的峰值電壓與電壓狀態V2。在一些實施例中，使用1.8-VVDD電源，輸出信號211的共模電壓可以大約0.9V。電壓狀態乂工可以是大約1.2V且電壓狀態V2可以是大約1.6V。注意到上述電壓狀態僅僅是范例。他們可以根據電源以及想要的振蕩振幅作變更。在一些實施例中，假如輸出信號211的峰值電壓介于電壓狀態V1與V2之間，例如 1. 2V與1. 6V，比較器與對北可輸出信號分別截止晶體管Mfe與對恥。截止晶體管 245a與對恥實質上可絕緣輸出端MOa與電源VDD與VSS。充電幫浦電路240可免于輸出控制開關250的信號。開關250可被存儲在電容器253的電壓所控制。充電幫浦電路240 可免于調整輸出信號211的振幅。在其他實施例中，假如輸出信號211的峰值電壓類似于電壓狀態V1，例如1. 2V，比較器可輸出一個信號去導通晶體管245a，并且比較器對北可輸出另一個信號去截止晶體管對恥。導通晶體管Mfe可經由電流源耦合輸出端MOa與電源VDD。輸出端 MOa可輸出一個信號221，例如電壓信號，到開關250的柵極。信號221可拉升在開關250 的柵極以及電容253的電壓狀態。信號221可適切地導通并且增加開關250的柵極偏壓以便于增加總尾電流以及流經交錯耦合晶體管213a-213b的電流。通過增加總尾電流，交錯耦合晶體管的增益可被增加以至于在輸出端210a的輸出信號211的振幅可適切地增加。在其他實施例中，假如輸出信號211的峰值電壓大于電壓狀態V2，例如1. 6V，比較器可輸出一個信號截止晶體管245a，并且比較器對北可輸出另一信號去導通晶體管 M5b。導通晶體管M5b可經由電流源M7b耦接輸出端MOa與電源VSS。輸出端MOa可輸出信號221，例如電壓信號到開關250的柵極以及電容器253。信號221可下拉在開關 250的柵極與電容器253的電壓狀態。信號221可適切地截止或增加開關250的柵極偏壓， 降低總尾電流以及流經交錯耦合晶體管213a-213b的電流。通過降低總尾電流，在輸出端 210a的輸出信號211的振幅可適切地降低。注意到上述關于圖2的回授回路220可耦接到電感電容槽電路210的輸出端 210a。在其他實施例中，電感電容槽電路210可以有相反于輸出端210a的其他輸出端(未顯示)。回授回路220可耦接輸出端。在這個實施例中，這類型的晶體管，電壓狀態V1與V2 的值，電源VDD的值，及/或回授回路220的組件的配置可能變更。該領域中普通技術人員可了解到參考關于圖2的上述實施例如何變更回授回路。以下描述關于調整輸出信號211的共模電壓的實施例。再次參考圖2，集成電路200可包括耦接電感電容槽電路以及電源VDD的電阻器禮。電阻器R1可用于調整輸出信號 211的共模電壓。在一些實施例中，集成電路可包括耦接電源VDD以及平行電阻器禮的電壓控制電阻器沈0。集成電路200可包括晶體管263與沈5，如PMOS晶體管與NMOS晶體管， 分別互相耦接。晶體管沈3的柵極與源極可耦接電壓控制電阻沈0。晶體管沈5的柵極可耦接充電幫浦電路MO的輸出端MOa。在一些實施例中，集成電路200可選擇性地包括串聯電壓控制電阻器沈0的另一電阻器R2。以下是描述關于調整輸出信號211的共模電壓的方法。如所提，假如輸出信號211 的峰值電壓相似于電壓狀態V1例如1.2V，流經交錯耦合晶體管213a-2i;3b的總尾電流可增加。流經晶體管263與沈5的電流也增加。流經電壓控制電阻器沈0的電流也增加。電流的增加可減少電壓控制電阻器260的電阻減少。電阻器R1與&以及電壓控制電阻器260 的等效電阻可減少。減少的等效電阻可適切地調整在電感電容槽電路210的輸出端點210a 的輸出信號211共模電壓。在一些實施例中，使用1.8-V VDD電源，輸出信號211的共模電壓可增加到例如0. 9V。假如輸出信號211的峰值電壓大于電壓狀態V2，例如1.6V，流經交錯耦合晶體管 213a-213b的總尾電流可減少。流經晶體管沈3與沈5的電流也降低。流經電壓控制電阻器沈0的電流可能也降低。電流的降低可增加電壓控制電阻器沈0的電阻。電阻器R1與 R2以及電壓控制電阻器沈0的等效電阻可增加。增加的等效電阻可適切地調整在電感電容槽電路210的輸出信號211的共模電壓。在一些實施例中，使用1.8-V VDD電源，輸出信號 211的共模電壓可降低到例如0. 9V。根據上述，輸出信號211的共模電壓可通過調整電壓控制電阻器而調整。圖3為一概略示意圖說明配置于基板上包括范例的集成電路的系統。在圖3中， 系統300可包括設置于基板301的集成電路302。基板301可包括印刷電路板(PCB)、印刷線路板及/或其他可承載集成電路的承載物。集成電路302可包括電感電容槽電路以及類似于上述關于圖1與圖2的集成電路100或200。集成電路302可電耦接基板301。在一些實施例中，集成電路302可經由凸塊(bump)305電耦接基板。在其他實施例中，集成電路 302可經由打線接合(wiring bonding)電耦接基板301。系統300可以是電子系統的一部分，例如計算機、無線通信裝置、計算機相關周邊、娛樂裝置或其類似裝置。在一些實施例中，包括集成電路302的系統300可提供整體系統在一個IC之中， 所謂的系統芯片(SOC)或系統集成電路(SOIC)裝置。舉例來說，這些系統芯片裝置可提供需要實施無線電系統、電視、視頻裝置、衛星廣播系統、儀器系統、手機、個人數字助理 (PDA)、數字VCR、數字動態攝影(camcorder)、數字攝影機、MP3播放器或類似裝置的所有電路在一單一集成電路中。根據上述，第一實施例提供集成電路。集成電路包括耦接回授回路的電感-電容 (LC)槽電路。LC槽電路用于輸出具有峰值電壓的輸出信號，峰值電壓實質上等于振幅加上直流電壓值。回授電路可以決定是否輸出信號的峰值電壓落入第一電壓狀態與第二電壓狀態的范圍內用于調整輸出信號的振幅。在一個實施例中，提供調整來自電感-電容槽電路的輸出信號的振幅的方法。方法包括檢測在電感電容槽電路的輸出端的輸出信號的峰值電壓。決定輸出信號的峰值電壓是否落入第一電壓狀態與第二電壓狀態的范圍之間用以調整輸出信號的振幅。
最后，本發明所屬技術領域中的普通技術人員，在不脫離本發明隨附的權利要求的精神下，可以本發明所公開的概念及實施例為基礎，輕易地設計及修改其他用以達成與本發明目標相同的架構。
權利要求
1.一種集成電路，包括一電感電容槽電路，該電感電容槽電路用于輸出具有一峰值電壓的一輸出信號，該峰值電壓實質上地等于一振幅加上一直流電壓值；以及一回授回路，耦接該電感電容槽電路，其中該回授回路用于決定該輸出信號的該峰值電壓是否落在一第一電壓狀態與一第二電壓狀態之間的一范圍內用以調整該輸出信號的該振幅。
2.如權利要求1所述的集成電路，其中假如該輸出信號的該峰值電壓落入該范圍，該回授回路免于輸出用于調整該輸出信號的該振幅的一回授信號；以及假如該輸出信號的該峰值電壓超出該范圍，該回授回路輸出該回授信號用以調整該輸出信號的該振幅。
3.如權利要求2所述的集成電路，其中假如該輸出信號的該峰值電壓超出該范圍，該回授回路輸出該回授信號用以調整該輸出信號的該振幅包括假如該輸出信號的該峰值電壓小于該第一電壓狀態，該回授回路用于增加該輸出信號的該振幅；以及假如該輸出信號的該峰值電壓大于該第二電壓狀態，該回授回路用于減少該輸出信號的該振幅。
4.如權利要求1所述的集成電路，其中該回授回路包括 一峰值檢測器，耦接該電感電容槽電路；至少一比較器，耦接該峰值檢測器；以及一充電幫浦電路，耦接所述至少一比較器。
5.如權利要求4所述的集成電路，還包括一電阻器，耦接該電感電容槽電路，其中該電阻用于調整該輸出信號的一共模電壓； 一電壓控制電阻器，耦接該電感電容槽電路，其中該電壓控制電阻器并聯該電阻器；以及一第三開關，耦接該電壓控制電阻器，其中該第三開關耦接該充電幫浦電路。
6.如權利要求5所述的集成電路，其中該電壓控制電阻器是可調整的，用于調整該輸出信號的該共模電壓。
7.如權利要求4所述的集成電路，還包括 一交錯耦合晶體管，耦接該電感電容槽電路； 一第一開關，耦接該交錯耦合晶體管；以及一第二開關，耦接該交錯耦合晶體管以及該充電幫浦電路。
8.如權利要求4所述的集成電路，其中該峰值檢測器包括一第一晶體管，其中該第一第晶體的一柵極耦接該電感電容槽電路；以及一電容器，耦接該第一晶體管，其中該峰值檢測器的一輸出端介于該第一晶體管與該電容器之間，并且耦接所述至少一比較器。
9.如權利要求8所述的集成電路，其中所述至少一比較器包括一第一比較器，耦接該峰值檢測器的該輸出端，其中該第一比較器用于比較該輸出信號的該峰值電壓及該第一電壓狀態；以及一第二比較器，耦接該峰值檢測器的該輸出端，其中該第二比較器用于比較該輸出信號的該峰值電壓及該第二電壓狀態。
10.如權利要求7所述的集成電路，其中該充電幫浦電路包括一第二晶體管，耦接該第一比較器；一第一電流源，耦接于該第二晶體管以及一第一電壓源之間； 一第三晶體管，耦接該第二比較器，其中該充電幫浦電路的一輸出端介于該第二晶體管與該第三晶體管之間，并且該充電幫浦電路的該輸出端耦接該第二開關；以及一第二電流源，耦接該第三晶體管以及一第二電壓源。
11.一種調整一輸出信號的一振幅的方法，該信號來自于一電感電容槽電路，該方法包括在該電感電容槽電路的一輸出端檢測該輸出信號的一峰值電壓，其中該峰值電壓實質上地等于一振幅加上一直流電壓值；以及判斷該輸出信號的該峰值電壓落入一第一電壓狀態以及一第二電壓狀態之間的一范圍用以調整該輸出信號的該振幅。
12.如權利要求11所述的調整一輸出信號的一振幅的方法，其中判斷該輸出信號的該峰值電壓落入一第一電壓狀態以及一第二電壓狀態之間的一范圍用以調整該輸出信號的該振幅包括假如該輸出信號的該峰值電壓落入該范圍，該輸出信號的該振幅不調整；以及假如該輸出信號的該峰值電壓超出該范圍，調整流經該電感電容槽電路的一尾電流用以調整該輸出信號的該振幅。
13.如權利要求12所述的調整一輸出信號的一振幅的方法，其中假如該輸出信號的該峰值電壓超出該范圍，調整流經該電感電容槽電路的一尾電流用以調整該輸出信號的該振幅包括假如該輸出信號的該峰值電壓小于該第一電壓狀態，調整該尾電流用以增加該輸出信號的該振幅；以及假如該輸出信號的該峰值電壓大于該第二電壓狀態，調整該尾電流用以減少該輸出信號的該振幅。
14.如權利要求11所述的調整一輸出信號的一振幅的方法，還包括調整耦接該電感電容槽電路的一電壓控制電阻器的一電阻值用以調整該輸出信號的一共模電壓。
全文摘要
本發明提供一種集成電路及其操作方法。集成電路包括耦接回授回路的電感電容(LC)槽電路。電感電容槽電路用于輸出具有一峰值電壓的一輸出信號，峰值電壓實質上地等于一振幅加上一直流(DC)電壓值。回授回路用于決定該輸出信號的該峰值電壓是否落在一第一電壓狀態與一第二電壓狀態之間的一范圍內用以調整該輸出信號的該振幅。通過調整LCVCO交錯耦合裝置的增益，電感電容槽損失可被適切地補償。
文檔編號H03L7/00GK102163968SQ20101022142
公開日2011年8月24日 申請日期2010年6月30日 優先權日2010年2月17日
發明者普強榮, 林志昌, 薛福隆, 陳建宏 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司