專利名稱：通信模塊的制作方法
技術領域：
本申請的公開涉及一種通信模塊。
背景技術：
近年來，由便攜式電話終端所代表的無線電通信設備已日益改變為多頻帶系統， 以使得無線電設備的多個部分包含到一個電話機中。然而，已不斷地提出了對于更小型和 更薄的便攜式電話機的需求，造成了對于縮小和變薄其中所包含的元件的強烈需求。對于 降低無線電通信設備的成本的需求也是強烈的，并且在許多情況下，通過將某些所包含的 元件組合為一個模塊來實現縮小和安裝成本降低。在無線電通信設備的所包含元件中，聲波濾波器和使用聲波濾波器的雙工器難于 集成到其它半導體元件中。因此，它們與半導體元件分離地安裝。最近，由于便攜式電話機 的多頻帶結構，一個便攜式電話機中包含的濾波器和雙工器的數量已迅速增加，并且因此， 對于將濾波器和雙工器分別組合到模塊內的需求已增加。此外，還存在進一步縮小和變薄 這些模塊的需求。針對這種背景，已在積極地開發其中安裝了多個聲波濾波器和使用聲波濾波器的 雙工器的模塊。這里，為了開發小型模塊，優選地當將單獨的濾波器和雙工器安裝在模塊襯底上 時，盡可能將它們布置為相互靠近。而且，優選地將模塊襯底中的電線布置為相互靠近。又 此外，因為優選地，當然將聲波濾波器和雙工器本身縮小，還優選地緊密地布置封裝中的電 線以用于容納聲波濾波器元件。又此外，JP 2008-271421A公開了一種聲波濾波器，其中濾 波器元件安裝在多層襯底上以便縮小。當聲波濾波器中的電線緊密地布置時，在電線之間往往出現多余的電磁耦合。此 夕卜，當模塊襯底中的電線緊密地布置時，在電線之間往往出現多余的電磁耦合。當在電線之 間出現多余的電磁耦合時，濾波器的抑制和雙工器的隔離往往很容易變差。
發明內容
本申請中公開的通信模塊包括濾波器元件；濾波器元件安裝在其上的封裝襯 底；和封裝襯底安裝在其上的模塊襯底，其中封裝襯底和模塊襯底中的每一個由多個金屬 層和多個絕緣層的疊層形成，其中形成封裝襯底的作為濾波器元件安裝在其上的表面的安 裝表面的最外絕緣層的厚度小于封裝襯底中包括的至少一個其它絕緣層的厚度，并且形成 模塊襯底的作為封裝襯底安裝在其上的表面的安裝表面的外絕緣層的厚度小于模塊襯底 中包括的至少一個其它絕緣層的厚度。將在隨后的描述中部分地闡述本發明(實施例)的另外目的和優點，并且其根據 描述將部分地明顯，或者可通過實踐本發明來得知。本發明的目的和優點將通過所附權利 要求中特別指出的元素和組合來實現和獲得。應當理解，前述一般描述和以下詳細描述僅僅是示例性和說明性的，并且不限制所要求保護的本發明。
圖IA是電線在其上相互隔開很大的襯底的橫截面圖。圖IB是電線在其上設置為相互靠近的襯底的橫截面圖。圖2A是封裝的平面圖。圖2B是沿著圖2A中的線Z-Z所得到的橫截面圖。 圖3A是模塊襯底的平面圖。圖3B是沿著圖3A中的線Z-Z所得到的橫截面圖。圖4是用于說明從電線輻射的電場的生成原理的襯底橫截面圖。圖5A是由多個絕緣層的疊層形成的多層襯底的橫截面圖。圖5B是其中外絕緣層薄于任何其它絕緣層的多層襯底的橫截面圖。圖6A是根據本發明實施例的模塊襯底的透視圖。圖6B是沿著圖6A中的線Z-Z所得到的橫截面圖。圖7是根據示例1的模塊襯底的橫截面圖。圖8是根據比較示例的模塊襯底的橫截面圖。圖9是示出根據示例1的雙工器的頻率特性和根據比較示例的雙工器的頻率特性 的特性圖。圖10是根據示例2的模塊襯底的橫截面圖。圖11是示出根據示例1和2的雙工器的頻率特性的特性圖。
具體實施例方式通信模塊優選地修改為使得在封裝襯底的后端面上設置接地圖案(ground pattern)，所述后端面與封裝襯底的外絕緣層的安裝表面相對。該結構使得外絕緣層上設 置的電線附近生成的電場可被優先地導向接地，由此使得可能減少多余的電磁耦合。因此， 可改善抑制特性和隔離特性。通信模塊優選地修改為使得在模塊襯底的后端面上設置接地圖案，所述后端面與 模塊襯底的外絕緣層的安裝表面相對。該結構使得外絕緣層上設置的電線附近生成的電場 可被優先地導向接地，由此使得可能減少多余的電磁耦合。因此，可改善抑制特性和隔離特 性。優選地，在通信模塊中，封裝襯底的外絕緣層所具有的相對介電常數小于或等于 封裝襯底中包括的另一絕緣層的相對介電常數。該結構使得可能減少由于封裝中外部層上 的電線和地之間距離的減小而引起的電容量增加，由此可獲得卓越的特性。優選地，在通信模塊中，模塊襯底的外絕緣層所具有的相對介電常數小于或等于 模塊襯底中包括另一絕緣層的相對介電常數。該結構使得可能減少由于模塊中外部層上的 電線和地之間距離的減小而引起的電容量增加，由此可獲得卓越的特性。實施例[1.通信模塊的基本結構]本申請的公開涉及由便攜式電話所代表的移動通信設備或無線電設備中使用的通信模塊。特別地，本公開涉及其中使用聲波濾波器元件的濾波器陣列(filter bank)和 雙工器模塊。其中包含聲波濾波器元件或雙工器的小型模塊的抑制特性和隔離性能的變差原 因是在包含彈性濾波器元件的封裝中緊密布置的電線處出現的電磁耦合，和在模塊襯底中 緊密布置的電線處出現的電磁耦合。因此，改善小型模塊中的抑制特性和隔離性能的關鍵 在于減少出現于緊密布置的電線處的上述電磁耦合。圖IA和IB是絕緣襯底的橫截面圖，在所述絕緣襯底的表面上具有都由微帶線制 成的電線IOla和101b。在絕緣襯底102的后端面上，設置了接地層103。圖中的箭頭表示 從電線IOla和IOlb生成的電場。首先，如圖IA中所示，當電線IOla和IOlb之間的間隔 足夠大時，在電線之間的空間中基本上沒有電場產生，并且電場被局限在接地層103和各 條電線IOla和IOlb之間。相反，如圖IB中所示，當電線IOla和IOlb緊密布置時，在接 地層103和電線IOla和IOlb中的每一個之間，以及在電線IOla和電線IOlb之間(虛線 框104)產生電場。在電線IOla和IOlb處生成的電場在電線之間電磁地和靜電地耦合，由 此使得設有如圖IB中所示的微帶線的聲波濾波器元件的抑制特性或雙工器的隔離特性變 差。圖2A是聲波濾波器元件安裝在其上的封裝襯底的平面圖。圖2B是沿著圖2A中 的線Z-Z所得到的橫截面圖。封裝襯底12由層疊的多層絕緣襯底形成。電線Ila和lib 布置為穿過封裝襯底12，在一側上的末端暴露在封裝襯底12的前端面上(接線端子Ilc和 lie)，另一側上的末端暴露在封裝襯底12的后端面上(接地端子Ild和llf)。聲波濾波器 元件13通過倒裝鍵合(flip-chip bonding)與接線端子lie和lie連接。聲波濾波器元 件13用帽狀物14密封。這里，在聲波濾波器元件13安裝在的表面上的金屬層中，即最外 部金屬層Ilg中，電線Ila和lib非常緊密地布置的可能性很高。以下是原因如圖2A中 所示，聲波濾波器元件13用帽狀物14來密封，并且這使得在最外部金屬層Ilg中，線布置 區域D2縮窄了帽狀物14的壁厚D1。如果在最外部金屬層Ilg中電線之間的距離減小，則 在電線Ila和lib處生成的電場多余地耦合的可能性增加，由此有時候使抑制或隔離變差。 應當注意，電線Ila和lib在除了最外部金屬層Ilg之外的任何金屬層中不受帽狀物14壁 厚的約束。本說明書中的“安裝”不僅指例如聲波濾波器的各種類型的元件通過焊接等電 連接和機械鍵合到襯底的狀態，而且指它們通過粘合劑等機械鍵合的狀態。應當注意，帽狀物14可由具有腔(cavity)的封裝襯底12形成，等同于帽狀物14 的側壁14a的部分與封裝襯底12集成。此外，帽狀物14可通過使用樹脂密封技術等形成 為圓形結構。即使采用這種結構，在最外部金屬層Ilg中的線布置區域D2也縮窄，這使得 增加了電線Ila和lib處生成的電場多余地耦合的可能性。
圖3A是其中包含聲波濾波器元件的通信模塊的平面圖。圖3B是沿著圖3A中的線 Z-Z所得到的橫截面圖。電線21a、21b、21c和21d布置在封裝襯底22的表面(元件安裝表 面)上。封裝襯底22由層疊的多個絕緣襯底形成，并且在絕緣襯底之間的每個界面上，布 置了電線21e。在封裝襯底22的后端面上，設置了接地端子21f。電線21a、21b、21c、21d、 21e、和接地端子21f經由穿過封裝襯底22的電線(未示出)電連接，盡管這在圖中未示 出。聲波濾波器元件23a、23b、和23c安裝在封裝襯底22的前端面上，并且分別與電線21a 到21d電連接。電線21a到21d分別與芯片元件24a到24d電連接。芯片元件24a到24d是線圈和電容器。如圖3A中所示，最外部金屬層(在封裝襯底22的元件安裝表面上形成 的導線21a到21d等)的線布置區域減小了封裝襯底22的表面(元件安裝表面)上所安 裝組件的面積。因此，相比于其它金屬層，緊密布置的電線的問題壓倒性地可能出現，這增 加了在電線Ila和lib處生成的電場多余地耦合的可能性。因此，有時對于聲波濾波器元 件抑制變差，并且對于雙工器隔離變差。 如上所述，在具有聲波濾波器元件的通信模塊中，電線之間的間隔在封裝襯底和 模塊襯底的每一個的最外部金屬層中變得最窄，由此往往出現多余的電磁耦合。換言之，抑 制封裝襯底和模塊襯底的最外部金屬層中的電線之間的電磁耦合是重要的，以便實現具有 卓越抑制特性和卓越隔離性能的小型模塊。下面描述了一種用于抑制封裝襯底和模塊襯底的每一個的最外部金屬層中的電 線之間的電磁耦合的方案。鑒于在圖1所示的緊密布置的電線處出現的耦合背后的原理， 抑制耦合的關鍵在于降低電線之間生成的電場，即將電場局限在每個電線和下面設置的地 之間的空間中。用于將電場局限在每個電線和地之間的空間中的原理在圖4中示出。圖4 是絕緣襯底42的橫截面圖，該絕緣襯底的表面上具有由微帶制成的電線41a和41b (最外 部金屬層)。在襯底42的后端面，設置了接地層43。絕緣襯底42(外絕緣層)介于電線 41a和41b與接地層43之間。在圖4示出的結構中，通過減少絕緣襯底42的厚度Tl，導線 41a和41b與接地層43更緊密地布置。這使得可能優先地將電線41a和41b處生成的電場 導向接地，如圖4中示出的箭頭所表示，由此防止在電線41a和41b之間容易地產生電場。 因此，可減少電線41a和41b之間的多余的電磁耦合，由此可改善聲波濾波器元件的抑制和 雙工器的隔離。順便提及，在圖4中，接地層43設在絕緣襯底43的后端面上，但是可采用 任何結構，只要可至少在接地層43與電線41a和41b之間提供電位差。[2.通信模塊的具體結構]基于圖4中示出的原理，下面描述具有卓越抑制特性和卓越隔離性能的小型模塊 的實現。包含聲波濾波器元件或雙工器的模塊需要具有更小的厚度。因此，也需要用于聲 波濾波器的封裝和模塊襯底變薄。然而，從封裝本身和模塊襯底本身的強度的角度來看，它 們需要一些厚度。鑒于這些，封裝襯底和模塊襯底中的每一個優選地不是由如圖4中所示 的單個絕緣層形成的襯底所形成，而是由具有多個絕緣層的多層襯底所形成。圖5A是通過除了外絕緣層52a(厚度T11)之外還層疊都具有相同厚度的絕緣層 52b到52e (厚度Τ12到Τ15)而形成的多層襯底的橫截面圖。圖5Β是通過在具有厚度Τ21 的外絕緣層52f上層疊都具有大于T21的厚度的絕緣層52g到52h(厚度T22，Τ23)而形 成的多層襯底的橫截面圖。圖5Α中示出的多層襯底的整個厚度(Tll到Τ15的和)與圖5Β 中示出的多層襯底的整個厚度(Τ21到Τ23的和)彼此相等。在外絕緣層52a和52f的前 端面上，設置了電線51a和51b。在絕緣層52e和52h的后端面上，設置了腳墊層(footpad layer) 53a和53b。電線51a和腳墊層53a經由內部電線54a電連接。電線51b和腳墊層 53b經由內部電線54b電連接。在外絕緣層52a和絕緣層52b之間，設置了接地層53c。在 外絕緣層52f和絕緣層52g之間，設置了接地層53c。首先，因為圖5A中示出的多層襯底包括許多絕緣層，所以在生產中需要許多層疊 步驟，這導致了成本的增加。此外，生產過程中的薄絕緣層的處理難于厚絕緣層的處理，并 且因此，往往發生疊層位移。另一方面，相比于圖5A中示出的多層襯底的情況，圖5B中示出的多層襯底在生產中需要更少的層疊步驟，這是因為絕緣層的數量更少，這使得成本可 降低。此外，因為圖5B中示出的多層襯底中絕緣層52g和52h的每一個的厚度大于絕緣層 52f的厚度，使得生產過程中的處理更容易，這使得幾乎不發生疊層位移。因此，就性價比和 可生產性而言，圖5B中示出的多層襯底優于圖5A中示出的多層襯底。圖6A是通信模塊的透視圖，該通信模塊具有如下結構都包括彈性表面波濾波器 元件的多個雙工器安裝在一個模塊襯底上。圖6B是沿著圖6A中的線Z-Z所得到的橫截面 圖。圖6A中示出的通信模塊包括模塊襯底62的前端面上的多個雙工器61。每個雙工器 61包括封裝襯底61c上的多個彈性表面波濾波器元件61a和61b。彈性表面波濾波器元 件61a和61b用金屬帽狀物61f覆蓋。封裝襯底61c由層疊的多個絕緣層形成。封裝襯底 61c中包括的外絕緣層61d所具有的厚度T31小于另一絕緣層61e的厚度T32。模塊襯底 62由層疊的多個絕緣層形成。模塊襯底62中包括的外絕緣層62a所具有的厚度T33小于 其它絕緣層62b和62c各自的厚度T34和厚度T35。如圖6B中所示，封裝襯底61c包括在 其前端面上的電線61g，和在其后端面上的腳墊層61h。電線61g和腳墊層61h經由內部電 線61i相互電連接。彈性表面波濾波器元件61a與電線61g電連接。模塊襯底62包括在 其前端面上的電線62d，和在其后端面上的接地層62e。電線62d和接地層62e經由內部電 線62f相互電連接。電線62d與封裝襯底61c的接地層61h電連接。在外絕緣層61d和絕 緣層61e之間設置接地層61η。在外絕緣層62a和絕緣層62b之間設置接地層62 j。電感 Ll是在封裝襯底61c中的電線處形成的電感。電感L2是在模塊襯底62中的電線處形成的 電感。在圖6A和圖6B中示出的通信模塊中，電線61g和接地層61η之間的距離是更小 的，因為封裝襯底61c的最外部絕緣層61d薄于其它絕緣層。因此，電線61g周圍產生的電 場可導向接地層61η，由此可改善聲波濾波器的抑制特性并且可改善雙工器的隔離特性。而 且，因為模塊襯底62的最外部絕緣層62a薄于其它絕緣層，所以可減小電線62d和接地層 62j之間的距離。因此，電線62d周圍產生的電場可導向接地層62j。因此，可提供具有聲 波濾波器的改善抑制特性和雙工器的改善隔離特性的通信模塊。例如隔離之類的特性的仿真在圖6A和圖6B中示出的通信模塊中的某個雙工器 61上執行。應當注意，彈性表面波濾波器元件61a和61b的特性使用模式耦合理論(mode coupling theory)來計算。包括封裝襯底61c、金屬帽狀物61f、和模塊襯底62的特性在內 的整體特性使用三維電磁場分析軟件來計算。這些計算方法對于驗證本實施例的效果具有 足夠的精確度。[2-1.示例 1] 圖7是示出在特性仿真中使用的示例1的聲波雙工器的橫截面圖。W_CDMA(寬 帶碼分多址)類型的便攜式電話的頻帶1雙工器(發送頻帶1920到1980MHz，接收頻帶 2110到2170MHz)設計為聲波雙工器。聲波濾波器元件是使用LiTaO3襯底生產的彈性表 面波濾波器。用于安裝濾波器的封裝襯底61c由氧化鋁瓷形成，并且用金屬帽狀物61f密 封。模塊襯底62是其中FR4 (FR 阻燃劑)用作樹脂材料(相對介電常數4. 8)的增強襯底 (build-up substrate)。封裝襯底61c由具有以下厚度的以下三層氧化鋁瓷絕緣體的疊層 形成具有50 μ m厚度的外絕緣層61 j ；具有50 μ m厚度的中間絕緣層61k ；和具有90 μ m厚 度的最底下絕緣層61m。因此，外絕緣層61j薄于其它層中的每一個。模塊襯底62由具有以下厚度的以下三層絕緣體的疊層形成具有40 μ m厚度的外絕緣層62g ；具有60 μ m厚度 的中間絕緣層62h ；和具有40 μ m厚度的最底下絕緣層62i。應當注意，示例1具有的結構使得封裝襯底61c的外絕緣層61 j的厚度小于任何 其它絕緣層的厚度，但是作為替代，結構可以使得外絕緣層61j具有比任何其它絕緣層更 小的相對介電常數。使用這樣的結構，可減少由于設在外絕緣層61j上的電線和設在外絕 緣層61j下的接地層之間的距離減小造成的電容量增加，由此可獲得卓越的特性。此外，示 例1具有的結構使得模塊襯底中的外絕緣層62g所具有的厚度小于任何其它絕緣層的厚 度，但是作為替代，它可具有一種結構，使得外絕緣層62g具有小于任何其它絕緣層的相對 介電常數。使用這樣的結構，可減少設在外絕緣層62g上的電線和設在外絕緣層62g下的 接地層之間的距離減小造成的電容量增加，由此可獲得卓越的特性。用于封裝襯底61c的 外絕緣層6 1 j和模塊襯底62的外絕緣層62g的材料的示例包括碳氟樹脂襯底(相對介電 常數2. 2)、玻璃碳氟樹脂襯底(相對介電常數2. 6)、聚酰亞胺襯底(相對介電常數2.9 到3. 0)、和由雙馬來酰亞胺三嗪樹脂等制成的熱固樹脂襯底(相對介電常數3. 3)。除了 外絕緣層之外的每個絕緣層因此由FR4(相對介電常數4. 8)形成，由此可使得外絕緣層的 相對介電常數小于任何其它絕緣層的相對介電常數。應當注意，上述襯底材料和相對介電 常數僅僅是說明性的，并且本發明不應當受到這些材料和相對介電常數的限制。此外，上述 襯底材料和相對介電常數系作為示例1的封裝襯底和模塊襯底而提及，但是可應用于其它 示例和實施例的封裝襯底和模塊襯底。圖8是聲波雙工器的比較示例。圖8中示出的聲波雙工器中的襯底結構例如與JP 2008-271421A中所公開的襯底結構相同。因為除了圖7中示出的封裝襯底61c和模塊襯 底62之外的元件具有與圖8中的那些相同的結構，省略了由標號對其的指明和對其的詳細 描述。封裝襯底71由兩層氧化鋁瓷絕緣體的疊層形成，其中外絕緣層71a和最底下絕緣層 71b具有相同的厚度(均為90μπι)。模塊襯底72由具有以下厚度的以下三層樹脂制成的 絕緣體的疊層形成具有40 μ m厚度的外絕緣層72a ；具有60 μ m厚度的中間絕緣層72b ； 和具有40 μ m厚度的最底下絕緣層72c。圖9示出了隔離特性的計算結果。在圖9中，實線表示圖7中示出的聲波雙工器 (示例1)的隔離特性的計算結果，并且虛線表示圖8中示出的聲波雙工器(比較示例)的 隔離特性的計算結果。如圖9中所示，確認了使用根據示例1的聲波雙工器，相比于比較示 例，最重要的發送頻帶的隔離改善了最多IOdB或更多。另一方面，在圖8中示出的比較示例的聲波雙工器中，模塊襯底72的外絕緣層72a 具有小于任何其它絕緣層的厚度，而封裝襯底71的外絕緣層71a具有與其它絕緣層相同的 厚度。因此，相比于示例1的聲波雙工器，隔離特性顯著地削弱了。因此，不僅僅在模塊襯 底中，而是在模塊襯底和封裝襯底兩者中，相比于任何其它絕緣層的厚度，通過減少外絕緣 層的厚度，可改善隔離特性。[2-2.示例 2]圖10是示出特性仿真中使用的示例2的聲波雙工器的橫截面圖。在圖10中，與 圖7中示出的聲波雙工器的元件具有相同的結構的元件由相同的標號指明，并且省略其詳 細描述。在圖10中示出的聲波雙工器中，以下要點不同于圖7中示出的聲波雙工器封裝 襯底61c中的外絕緣層61 j具有25 μ m的厚度；中間絕緣層61k具有70 μ m的厚度；最底下絕緣層61m具有70 μ m的厚度。在模塊襯底62中，外絕緣層62g具有40 μ m的厚度，中間 絕緣層62h具有60 μ m的厚度，并且最底下絕緣層62i具有40 μ m的厚度，如同示例1的聲 波雙工器。示例2的聲波雙工器特征在于，封裝襯底61c的外絕緣層61 j的厚度小于模塊 襯底62的外絕緣層62g的厚度。圖11示出了圖10中示出的聲波雙工器的隔離特性的計算結果。在圖11中，實線 表示根據示例2的聲波雙工器的隔離特性的計算結果，并且虛線表示根據示例1的聲波雙 工器的隔離特性的計算結果。如圖11中所示，確認了使用根據示例2的聲波雙工器，最重 要的發送頻帶的隔離改善了最多5dB或更多。[3.實施例的效果及其它]
本實施例使得可能抑制包含聲波濾波器元件的封裝中的電線之間的多余電磁耦 合，和包含多個聲波濾波器和雙工器的模塊襯底中的電線之間的多余電磁耦合。因此，這使 得可能實現具有卓越抑制特性和隔離性能的通信模塊。此外，使得分別由絕緣層的多層疊層形成的封裝襯底和模塊襯底中的每個外絕緣 層薄于其它絕緣層，由此可使得每個襯底更薄。因此，可縮小通信模塊。又此外，根據本實施例，僅僅使得襯底中的外絕緣層薄于其它絕緣層，由此可減少 絕緣層的數量。因此，可減少用于在生產襯底中層疊絕緣層的步驟的數量，由此可降低成 本。而且，因為除了外絕緣層之外的絕緣層所具有的厚度大于外絕緣層的厚度，在生產過程 中的處理更加容易，并且這使得疊層位移幾乎不發生。因此，本實施例提供了卓越的可生產 性。又此外，根據本實施例，封裝襯底的外絕緣層的相對介電常數設置為相比于封裝 襯底中包括的任何其它絕緣層的相對介電常數更低的水平或者與其相等的水平。使用該結 構，可減少封裝中最外部電線和地之間距離減小造成的電容量增加，由此可獲得卓越的特 性。又此外，根據本實施例，模塊襯底的外絕緣層的相對介電常數設置為相比于模塊 襯底中包括的任何其它絕緣層的相對介電常數更低的水平或者與其相等的水平。使用該結 構，可減少封裝中最外部電線和地之間距離減小造成的電容量增加，由此可獲得卓越的特 性。又此外，根據本實施例，線圈安裝在模塊襯底上。這使得可能用線圈補償封裝襯底 和模塊襯底的每一個中的外絕緣層的厚度減少造成的寄生電容增加，由此可獲得更卓越的 特性。又此外，根據本實施例，在用于容納聲波濾波器元件的封裝中提供用于形成電感 的電線。使用該結構，可減少模塊襯底上安裝的線圈數量，由此可實現進一步縮小的通信模 塊。又此外，根據本實施例，在模塊襯底中提供用于形成電感的電線。使用該結構，可 減少安裝在模塊襯底上的線圈數量，由此可實現進一步縮小的通信模塊。應當注意，本實施例中的彈性表面波濾波器元件61a是本發明的示例濾波器元 件。作為本發明的濾波器元件，各種類型的濾波器元件是可應用的，不僅僅是彈性表面波濾 波器元件，還有彈性邊界波濾波器元件。根據本實施例的封裝襯底61c是本發明的示例封 裝襯底。根據本實施例的模塊襯底62是本發明的示例模塊襯底。根據本實施例的外絕緣層61d是本發明的封裝襯底的示例外絕緣層。根據本實施例的最外部絕緣層62a是本發明 的模塊襯底的示例外絕緣層。本申請的公開對于移動通信和無線電通信，例如便攜式電話、PHS(個人手持系統)、無線LAN(局域網)中使用的通信模塊是有用的。關于本實施例公開了以下記錄。[記錄 1]一種通信模塊，包括濾波器元件；封裝襯底，所述濾波器元件安裝在該封裝襯底上；和模塊襯底，所述封裝襯底安裝在該模塊襯底上，其中封裝襯底和模塊襯底中的每一個由層疊的多個金屬層和多個絕緣層形成，其中封裝襯底的形成安裝表面的最外部絕緣層具有的厚度小于封裝襯底中包括 的其它絕緣層中至少一個的厚度，該安裝表面是濾波器元件安裝在其上的表面，并且模塊襯底的形成安裝表面的外絕緣層具有的厚度小于模塊襯底中包括的其它絕 緣層中至少一個的厚度，該安裝表面是封裝襯底安裝在其上的表面。[記錄 2]根據記錄1的通信模塊，其中封裝襯底的外絕緣層具有的厚度小于模塊襯底的外 絕緣層的厚度。[記錄 3]根據記錄1的通信模塊，其中在封裝襯底的后端面上設置接地圖案，所述后端面 與封裝襯底的外絕緣層的安裝表面相對。[記錄 4]根據記錄3的通信模塊，其中封裝襯底的安裝表面具有與濾波器元件連接的表面電線，并且接地圖案與表 面電線重疊。[記錄 5]根據記錄4的通信模塊，其中，在表面電線是信號線的情況下，信號線的與另一表 面電線相對的部分與接地圖案重疊。[記錄 6]根據記錄4的通信模塊，其中，在表面電線是接地線的情況下，接地線與接地圖案重疊。[記錄7]根據記錄4的通信模塊，其中接地圖案具有與布置在濾波器元件所安裝的區域中 的表面電線的內部部分重疊的部分。[記錄 8]根據記錄1的通信模塊，其中在模塊襯底的后端面上設置接地圖案，所述后端面 與模塊襯底的外絕緣層的安裝表面相對。[記錄 9]根據記錄8的通信模塊，
其中模塊襯底的安裝表面具有與封裝襯底連接的表面電線，并且接地圖案與表面 電線重疊。[記錄 10]根據記錄9的通信模塊，其中，在表面電線是信號線的情況下，信號線的與另一表 面電線相對的部分與接地圖案重疊。
[記錄 11]根據記錄9的通信模塊，其中，在表面電線是接地線的情況下，接地線與接地圖案重疊。[記錄 12]根據記錄9的通信模塊，其中接地圖案具有與布置在封裝襯底所安裝的區域中的 表面電線的內部部分重疊的部分。[記錄 13]根據記錄1的通信模塊，其中封裝襯底的外絕緣層具有的厚度小于或者等于封裝 襯底中包括的全部其它絕緣層中的任何一個的厚度。[記錄 14]根據記錄1的通信模塊，其中模塊襯底的外絕緣層具有的厚度小于或者等于模塊 襯底中包括的全部其它絕緣層中的任何一個的厚度。[記錄 15]根據記錄1的通信模塊，其中封裝襯底的外絕緣層具有的相對介電常數小于或者 等于封裝襯底中包括的另一絕緣層的相對介電常數。[記錄 16]根據記錄1的通信模塊，其中模塊襯底的外絕緣層具有的相對介電常數小于或者 等于模塊襯底中包括的另一絕緣層的相對介電常數。[記錄 17]根據記錄1的通信模塊，其中線圈安裝在模塊襯底上。[記錄 18]根據記錄1的通信模塊，其中用于形成電感的電線包括在用于容納濾波器元件的 封裝中。[記錄19]根據記錄1的通信模塊，其中用于形成電感的電線包括在模塊襯底中。這里敘述的所有示例和條件語言旨在用于教育目的，以幫助讀者理解本發明的原 理和發明者貢獻的思想以便促進技術，并且要理解為不限于這些特別敘述的示例和條件， 說明書中這些示例的組織也不涉及本發明的優點和缺點的展示。盡管已詳細描述了本發 明的實施例，應當理解，可對其作出各種變化、替換、和變更，而不會偏離本發明的精神和范 圍。
權利要求
一種通信模塊，包括濾波器元件；封裝襯底，所述濾波器元件安裝在該封裝襯底上；和模塊襯底，所述封裝襯底安裝在該模塊襯底上，其中所述封裝襯底和所述模塊襯底中的每一個由層疊的多個金屬層和多個絕緣層形成，其中所述封裝襯底的形成作為安裝了所述濾波器元件的表面的安裝表面的最外部絕緣層具有的厚度小于所述封裝襯底中包括的其它絕緣層中至少一個絕緣層的厚度，并且所述模塊襯底的形成作為安裝了所述封裝襯底的表面的安裝表面的外絕緣層具有的厚度小于所述模塊襯底中包括的其它絕緣層中至少一個的厚度。
2.根據權利要求1所述的通信模塊，其中在所述封裝襯底的后端面上設置接地圖案， 所述后端面與所述封裝襯底的外絕緣層的安裝表面相對。
3.根據權利要求1所述的通信模塊，其中在所述模塊襯底的后端面上設置接地圖案， 所述后端面與所述模塊襯底的外絕緣層的安裝表面相對。
4.根據權利要求2所述的通信模塊，其中在所述模塊襯底的后端面上設置接地圖案， 所述后端面與所述模塊襯底的外絕緣層的安裝表面相對。
5.根據權利要求1所述的通信模塊，其中所述封裝襯底的外絕緣層具有的相對介電常 數小于或者等于所述封裝襯底中包括的另一絕緣層的相對介電常數。
6.根據權利要求1所述的通信模塊，其中所述模塊襯底的外絕緣層具有的相對介電常 數小于或者等于所述模塊襯底中包括的另一絕緣層的相對介電常數。
全文摘要
公開了通信模塊。一種通信模塊包括濾波器元件，所述濾波器元件安裝在其上的封裝襯底，和所述封裝襯底安裝在其上的模塊襯底。所述封裝襯底和所述模塊襯底中的每一個由多個金屬層和多個絕緣層的疊層形成。形成所述封裝襯底的作為所述濾波器元件安裝在其上的表面的安裝表面的最外絕緣層具有的厚度小于所述封裝襯底中包括的其它絕緣層中至少一個的厚度。形成所述模塊襯底作為所述封裝襯底安裝在其上的表面的安裝表面的外絕緣層具有的厚度小于所述模塊襯底中包括的其它絕緣層中至少一個的厚度。
文檔編號H03H9/64GK101873119SQ20101012434
公開日2010年10月27日 申請日期2010年2月26日 優先權日2009年4月22日
發明者堤潤, 松本一宏 申請人:太陽誘電株式會社