專利名稱：一種具有高驅(qū)動(dòng)能力的脈沖輸出電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電平脈沖信號(hào)的變換電路，尤其涉及一種對(duì)TTL或CMOS電平 脈沖信號(hào)進(jìn)行變換的脈沖輸出電路。
背景技術(shù)：
TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)變換為其他電平形式的脈沖信號(hào)，通常采用電平轉(zhuǎn)換專 用集成電路或者開關(guān)管來(lái)實(shí)現(xiàn)，但在該類變換方式下，脈沖信號(hào)的高低電平電壓值一般均 為不小于OV的電壓，不能應(yīng)用到需要負(fù)電壓電平驅(qū)動(dòng)的電路中，從而使得該類脈沖信號(hào)的 驅(qū)動(dòng)能力受到了限制。
實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)之不足，提供一種能使 TTL或CMOS電平的脈沖信號(hào)經(jīng)過(guò)變換后，不僅可以實(shí)現(xiàn)正電壓值的高電平或低電平輸出， 還可以實(shí)現(xiàn)負(fù)電壓值的高電平或低電平輸出，且高電平和低電平具有相同的驅(qū)動(dòng)能力的脈 沖輸出電路。按照本實(shí)用新型提供的一種具有高驅(qū)動(dòng)能力的脈沖輸出電路，包括輸入TTL或 CMOS電平脈沖信號(hào)的輸入端、與所述輸入端相連接的同相器和反相器、與所述同相器相連 接的CMOS模擬開關(guān)A、與所述反相器相連接的CMOS模擬開關(guān)B、與所述CMOS模擬開關(guān)A相 連接的穩(wěn)壓電源A、與所述CMOS模擬開關(guān)B相連接的穩(wěn)壓電源B及脈沖信號(hào)輸出端，從所述 輸入端輸入的TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)經(jīng)由所述同相器和反相器變換成一對(duì)互為反相的 TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)，該對(duì)互為反相的TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)分別控制所述CMOS 模擬開關(guān)A和所述CMOS模擬開關(guān)B的通斷，當(dāng)所述CMOS模擬開關(guān)A導(dǎo)通時(shí)，所述脈沖信號(hào) 輸出端的電平電壓值為所述穩(wěn)壓電源A的電源電壓值；當(dāng)所述CMOS模擬開關(guān)B導(dǎo)通時(shí)，所 述脈沖信號(hào)輸出端的電平電壓值為所述穩(wěn)壓電源B的電源電壓值。按照本實(shí)用新型提供的一種具有高驅(qū)動(dòng)能力的脈沖輸出電路還具有如下附屬技 術(shù)特征所述CMOS模擬開關(guān)A和所述CMOS模擬開關(guān)B的工作特性完全相同。該對(duì)互為反相的TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)控制所述CMOS模擬開關(guān)A和所述CMOS 模擬開關(guān)B擇一導(dǎo)通。所述穩(wěn)壓電源A和穩(wěn)壓電源B輸出的電源電壓為正電壓值或負(fù)電壓值，所述脈沖 信號(hào)輸出端的電平電壓值相應(yīng)輸出正電壓值或負(fù)電壓值。若所述CMOS模擬開關(guān)A和CMOS模擬開關(guān)B在輸入控制信號(hào)為TTL或CMOS高電 平脈沖信號(hào)時(shí)導(dǎo)通，在輸入控制信號(hào)為TTL或CMOS低電平脈沖信號(hào)時(shí)關(guān)斷，則在該對(duì)互為 反相的TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)的控制下，所述CMOS模擬開關(guān)A導(dǎo)通時(shí)所述CMOS模擬開 關(guān)B關(guān)斷，所述脈沖信號(hào)輸出端的電平電壓值為穩(wěn)壓電源A的電源電壓值；所述CMOS模擬 開關(guān)A關(guān)斷時(shí)所述CMOS模擬開關(guān)B導(dǎo)通，所述脈沖信號(hào)輸出端的電平電壓值為穩(wěn)壓電源B的電源電壓值。若所述CMOS模擬開關(guān)A和CMOS模擬開關(guān)B在輸入控制信號(hào)為TTL或CMOS低電平脈沖信號(hào)時(shí)導(dǎo)通，在輸入控制信號(hào)為TTL或CMOS高電平脈沖信號(hào)時(shí)關(guān)斷，則在該對(duì)互為 反相的TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)的控制下，所述CMOS模擬開關(guān)A關(guān)斷時(shí)所述CMOS模擬開 關(guān)B導(dǎo)通，所述脈沖信號(hào)輸出端的電平電壓值為穩(wěn)壓電源B的電源電壓值；所述CMOS模擬 開關(guān)A導(dǎo)通時(shí)所述CMOS模擬開關(guān)B關(guān)斷，所述脈沖信號(hào)輸出端的電平電壓值為穩(wěn)壓電源A 的電源電壓值。按照本實(shí)用新型提供的一種具有高驅(qū)動(dòng)能力的脈沖輸出電路與現(xiàn)有技術(shù)相比具 有如下優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型的脈沖輸出電路旨在使TTL(或CMOS)電平的脈沖信號(hào)經(jīng)過(guò)變換 后，不僅可以實(shí)現(xiàn)正電壓值的高電平(或低電平)輸出，還可以實(shí)現(xiàn)負(fù)電壓值的高電平(或 低電平)輸出，且高電平和低電平具有相同的驅(qū)動(dòng)能力，從而拓展了脈沖輸出電路的應(yīng)用 場(chǎng)合，使得本實(shí)用新型具有較高的應(yīng)用價(jià)值。
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)框圖。圖2是本實(shí)用新型的電路原理圖。
具體實(shí)施方式
參見圖1和圖2，在本實(shí)用新型給出的一種具有高驅(qū)動(dòng)能力的脈沖輸出電路的實(shí) 施例，包括輸入TTL電平脈沖信號(hào)的輸入端1、與所述輸入端1相連接的同相器2和反相器 3、與所述同相器2相連接的CMOS模擬開關(guān)A5、與所述反相器3相連接的CMOS模擬開關(guān)B6、 與所述CMOS模擬開關(guān)A5相連接的穩(wěn)壓電源A7、與所述CMOS模擬開關(guān)B6相連接的穩(wěn)壓電 源B8及脈沖信號(hào)輸出端4，從所述輸入端1輸入的TTL電平脈沖信號(hào)經(jīng)由所述同相器2和 反相器3變換成一對(duì)互為反相的TTL電平脈沖信號(hào)，該對(duì)互為反相的TTL電平脈沖信號(hào)分 別控制所述CMOS模擬開關(guān)A5和所述CMOS模擬開關(guān)B6的通斷，當(dāng)所述CMOS模擬開關(guān)A5導(dǎo) 通時(shí)，所述脈沖信號(hào)輸出端4的電平電壓值為所述穩(wěn)壓電源A7的電源電壓值；當(dāng)所述CMOS 模擬開關(guān)B6導(dǎo)通時(shí)，所述脈沖信號(hào)輸出端4的電平電壓值為所述穩(wěn)壓電源B8的電源電壓 值。本實(shí)用新型將TTL電平脈沖信號(hào)作為控制信號(hào)，控制CMOS模擬開關(guān)的導(dǎo)通，從而使脈 沖信號(hào)輸出端4輸出穩(wěn)壓電源A或穩(wěn)壓電源B。因此，該脈沖輸出電路的輸出脈沖電平電壓 取決于穩(wěn)壓電源A和穩(wěn)壓電源B的類型，可以通過(guò)設(shè)置穩(wěn)壓電源的電壓值使脈沖信號(hào)輸出 端4輸出不同電平電壓的脈沖信號(hào)。其輸入信號(hào)為TTL電平脈沖信號(hào)，輸出為與輸入脈沖 信號(hào)相位差恒定的脈沖信號(hào)。相位差恒定的意思是輸出信號(hào)與輸入信號(hào)同步，且?guī)в邢嗤?的需要傳遞的信息。參見圖1和圖2，在本實(shí)用新型給出的上述實(shí)施例中，所述CMOS模擬開關(guān)A5和 所述CMOS模擬開關(guān)B6的工作特性完全相同。工作特性完全相同是指CMOS模擬開關(guān)A和 CMOS模擬開關(guān)B集成在一片CMOS模擬開關(guān)電路中，該CMOS模擬開關(guān)電路內(nèi)部所有的CMOS 模擬開關(guān)具有相同的電氣結(jié)構(gòu)且能夠相互獨(dú)立工作，由于生產(chǎn)制造工藝技術(shù)和工藝流程相 同，所以能保證一片CMOS模擬開關(guān)電路中的所有CMOS模擬開關(guān)具有非常好的一致性。輸 出脈沖信號(hào)的驅(qū)動(dòng)能力由CMOS模擬開關(guān)A和CMOS模擬開關(guān)B的最大允許導(dǎo)通電流決定，由于CMOS模擬開關(guān)A和CMOS模擬開關(guān)B的工作特性完全相同，所以輸出脈沖信號(hào)的高、低 電平具有相同的驅(qū)動(dòng)能力。參見圖1和圖2，在本實(shí)用新型給出的上述實(shí)施例中，該對(duì)互為反相的TTL或CMOS 電平脈沖信號(hào)控制所述CMOS模擬開關(guān)A5和所述CMOS模擬開關(guān)B6擇一導(dǎo)通。所謂的擇一 導(dǎo)通是指CMOS模擬開關(guān)A和CMOS模擬開關(guān)B在同一時(shí)刻只有一個(gè)導(dǎo)通。具體導(dǎo)通時(shí)間由 TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)的控制電平保持時(shí)間決定。參見圖1和圖2，在本實(shí)用新型給出的上述實(shí)施例中，所述穩(wěn)壓電源A7和穩(wěn)壓電源 B8輸出的電壓為正電壓值或負(fù)電壓值，所述脈沖信號(hào)輸出端4的電平電壓值相應(yīng)輸出正電 壓值或負(fù)電壓值。當(dāng)選擇電源電壓為正電壓的穩(wěn)壓電源A或電源電壓為正電壓的穩(wěn)壓電源 B時(shí)，輸出脈沖信號(hào)的電平電壓值為正電壓值；當(dāng)選擇電源電壓為負(fù)電壓的穩(wěn)壓電源A或電 源電壓為負(fù)電壓的穩(wěn)壓電源B時(shí)，輸出脈沖信號(hào)的電平電壓值為負(fù)電壓值；穩(wěn)壓電源A或穩(wěn) 壓電源B也可用OV電源地替代，以便滿足OV電平的輸出要求。其實(shí)需要說(shuō)明的意思是，輸 出脈沖信號(hào)的高、低電平均可為正電壓，也可為負(fù)電壓，還可為零電壓(但高低電平不能同 為零電壓，因?yàn)檫@種情況沒有實(shí)際應(yīng)用價(jià)值)，通過(guò)改變穩(wěn)壓電源A和穩(wěn)壓電源B的輸出電 壓和輸出電壓極性即可實(shí)現(xiàn)，具體實(shí)現(xiàn)方法是根據(jù)需要更換穩(wěn)壓電源的輸入電壓及相應(yīng)的 電源轉(zhuǎn)換芯片，使得穩(wěn)壓電源輸出的電源電壓及輸出電壓的極性均滿足使用要求。參見圖1和圖2，在本實(shí)用新型給出的上述實(shí)施例中，若所述CMOS模擬開關(guān)A和 CMOS模擬開關(guān)B在輸入控制信號(hào)為TTL高電平脈沖信號(hào)時(shí)導(dǎo)通，在輸入控制信號(hào)為TTL低 電平脈沖信號(hào)時(shí)關(guān)斷，則在該對(duì)互為反相的TTL電平脈沖信號(hào)的控制下，所述CMOS模擬開 關(guān)A導(dǎo)通時(shí)所述CMOS模擬開關(guān)B關(guān)斷，所述脈沖信號(hào)輸出端的電平電壓值為穩(wěn)壓電源A的 電源電壓值；所述CMOS模擬開關(guān)A關(guān)斷時(shí)所述CMOS模擬開關(guān)B導(dǎo)通，所述脈沖信號(hào)輸出端 的電平電壓值為穩(wěn)壓電源B的電源電壓值。參見圖1和圖2，在本實(shí)用新型給出的上述實(shí)施例中，若所述CMOS模擬開關(guān)A和 CMOS模擬開關(guān)B在輸入控制信號(hào)為TTL低電平脈沖信號(hào)時(shí)導(dǎo)通，在輸入控制信號(hào)為TTL高 電平脈沖信號(hào)時(shí)關(guān)斷，則在該對(duì)互為反相的TTL電平脈沖信號(hào)的控制下，所述CMOS模擬開 關(guān)A關(guān)斷時(shí)所述CMOS模擬開關(guān)B導(dǎo)通，所述脈沖信號(hào)輸出端的電平電壓值為穩(wěn)壓電源B的 電源電壓值；所述CMOS模擬開關(guān)A導(dǎo)通時(shí)所述CMOS模擬開關(guān)B關(guān)斷，所述脈沖信號(hào)輸出端 的電平電壓值為穩(wěn)壓電源A的電源電壓值。本實(shí)施例中的TTL電平脈沖信號(hào)還可以為CMOS電平脈沖信號(hào)，整體結(jié)構(gòu)完全相 同。
權(quán)利要求一種具有高驅(qū)動(dòng)能力的脈沖輸出電路，其特征在于包括輸入TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)的輸入端、與所述輸入端相連接的同相器和反相器、與所述同相器相連接的CMOS模擬開關(guān)A、與所述反相器相連接的CMOS模擬開關(guān)B、與所述CMOS模擬開關(guān)A相連接的穩(wěn)壓電源A、與所述CMOS模擬開關(guān)B相連接的穩(wěn)壓電源B及脈沖信號(hào)輸出端，從所述輸入端輸入的TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)經(jīng)由所述同相器和反相器變換成一對(duì)互為反相的TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)，該對(duì)互為反相的TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)分別控制所述CMOS模擬開關(guān)A和所述CMOS模擬開關(guān)B的通斷，當(dāng)所述CMOS模擬開關(guān)A導(dǎo)通時(shí)，所述脈沖信號(hào)輸出端的電平電壓值為所述穩(wěn)壓電源A的電源電壓值；當(dāng)所述CMOS模擬開關(guān)B導(dǎo)通時(shí)，所述脈沖信號(hào)輸出端的電平電壓值為所述穩(wěn)壓電源B的電源電壓值。
2.如權(quán)利要求1所述的一種具有高驅(qū)動(dòng)能力的脈沖輸出電路，其特征在于所述CMOS 模擬開關(guān)A和所述CMOS模擬開關(guān)B的工作特性完全相同。
3.如權(quán)利要求1所述的一種具有高驅(qū)動(dòng)能力的脈沖輸出電路，其特征在于該對(duì)互為 反相的TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)控制所述CMOS模擬開關(guān)A和所述CMOS模擬開關(guān)B擇一 導(dǎo)通。
4.如權(quán)利要求1所述的一種具有高驅(qū)動(dòng)能力的脈沖輸出電路，其特征在于所述穩(wěn)壓 電源A和穩(wěn)壓電源B輸出的電壓為正電壓值或負(fù)電壓值，所述脈沖信號(hào)輸出端的電平電壓 值相應(yīng)輸出正電壓值或負(fù)電壓值。
5.如權(quán)利要求1所述的一種具有高驅(qū)動(dòng)能力的脈沖輸出電路，其特征在于若所述 CMOS模擬開關(guān)A和CMOS模擬開關(guān)B在輸入控制信號(hào)為TTL或CMOS高電平脈沖信號(hào)時(shí)導(dǎo)通， 在輸入控制信號(hào)為TTL或CMOS低電平脈沖信號(hào)時(shí)關(guān)斷，則在該對(duì)互為反相的TTL或CMOS 電平脈沖信號(hào)的控制下，所述CMOS模擬開關(guān)A導(dǎo)通時(shí)所述CMOS模擬開關(guān)B關(guān)斷，所述脈沖 信號(hào)輸出端的電平電壓值為穩(wěn)壓電源A的電源電壓值；所述CMOS模擬開關(guān)A關(guān)斷時(shí)所述 CMOS模擬開關(guān)B導(dǎo)通，所述脈沖信號(hào)輸出端的電平電壓值為穩(wěn)壓電源B的電源電壓值。
6.如權(quán)利要求1所述的一種具有高驅(qū)動(dòng)能力的脈沖輸出電路，其特征在于若所述 CMOS模擬開關(guān)A和CMOS模擬開關(guān)B在輸入控制信號(hào)為TTL或CMOS低電平脈沖信號(hào)時(shí)導(dǎo)通， 在輸入控制信號(hào)為TTL或CMOS高電平脈沖信號(hào)時(shí)關(guān)斷，則在該對(duì)互為反相的TTL或CMOS 電平脈沖信號(hào)的控制下，所述CMOS模擬開關(guān)A關(guān)斷時(shí)所述CMOS模擬開關(guān)B導(dǎo)通，所述脈沖 信號(hào)輸出端的電平電壓值為穩(wěn)壓電源B的電源電壓值；所述CMOS模擬開關(guān)A導(dǎo)通時(shí)所述 CMOS模擬開關(guān)B關(guān)斷，所述脈沖信號(hào)輸出端的電平電壓值為穩(wěn)壓電源A的電源電壓值。
專利摘要一種具有高驅(qū)動(dòng)能力的脈沖輸出電路，包括輸入TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)的輸入端、同相器和反相器、CMOS模擬開關(guān)A、CMOS模擬開關(guān)B、穩(wěn)壓電源A、穩(wěn)壓電源B及脈沖信號(hào)輸出端，從輸入端輸入的TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)經(jīng)由同相器和反相器變換成一對(duì)互為反相的TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)，該對(duì)互為反相的TTL或CMOS電平脈沖信號(hào)分別控制CMOS模擬開關(guān)A和CMOS模擬開關(guān)B的通斷，當(dāng)CMOS模擬開關(guān)A導(dǎo)通時(shí)，脈沖信號(hào)輸出端的電平電壓值為穩(wěn)壓電源A的電源電壓值；當(dāng)CMOS模擬開關(guān)B導(dǎo)通時(shí)，脈沖信號(hào)輸出端的電平電壓值為穩(wěn)壓電源B的電源電壓值。本實(shí)用新型能使TTL或CMOS電平的脈沖信號(hào)經(jīng)過(guò)變換后，不僅可以實(shí)現(xiàn)正電壓值的高電平或低電平輸出，還可以實(shí)現(xiàn)負(fù)電壓值的高電平或低電平輸出，且高電平和低電平具有相同的驅(qū)動(dòng)能力。
文檔編號(hào)H03K5/00GK201557088SQ20092022055
公開日2010年8月18日 申請(qǐng)日期2009年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月30日
發(fā)明者向偉榮, 姜洪雷, 徐杰, 曲鳳新, 李守峰, 梁杰, 王小飛, 陳京誼, 高巖 申請(qǐng)人:航天科工慣性技術(shù)有限公司