專利名稱：半導體開關控制裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體開關控制裝置、半導體開關裝置、負載驅動系 統、以及半導體開關控制程序。更具體地，本發明涉及保護半導體開 關不會由于過載而被損壞的半導體開關控制裝置。
背景技術：
近年來，為了實現汽車的安全、舒適、以及能源節省， 一直在發 展計算機化。作為示例，已經用半導體開關替換機械繼電器，這有助 于被安裝在汽車上裝置的縮小規模。此外在裝置中已經要求縮小規模， 并且根據此， 一直在發展半導體開關的半導體芯片設計規則的小型化。
更具體地，半導體芯片的尺寸已經被逐漸地從1.2 nm、 1.0 |im、 0.5 nm、 0.35 jim小型化到0.25 )im，并且從現在開始將會需要進一步的小型化。
盡管設計規則的小型化增加每單位面積能夠在半導體芯片中流動 的電流的密度，但是由于增加的電流密度己經出現發熱的新問題。特 別地，主要的問題在于由于過渡狀態中的發熱，主要由于負載短路中 的發熱導致損壞耐受性的降低。為了保護半導體開關，電子機器制造 商和半導體制造商進行溫度檢測裝置、電流限制裝置、電流檢測裝置
等等的研究。
例如，在專利文獻1 (日本未經審査的專利申請公開 No.2000-299631)中公布了電源控制裝置。
在圖9中，半導體開關124的導通電阻被用作負載電流檢測裝置。 然后，通過溫度檢測裝置(D1至D4，和差分放大器105)檢測半導體 開關124的溫度，通過電流檢測裝置(半導體開關124的導通電阻和差分放大器106)檢測負載電流，并且基于溫度檢測的結果，通過驅動 控制單元107移位用于判斷過電流的比較器的基準電勢的電平。當該
溫度校正的基準電勢被超過時，FET 102被控制為截止。并且以該方式， 提供了在從電源101到負載103的電力供給的控制中的過電流截斷 (break)功能。
根據此構造，(1)在沒有使用額外的電流感測電阻器(所謂的分 路(shunt)電阻器)的情況下能夠抑制電源供給控制裝置的熱損失，
(2)能夠通過在檢測到負載電流之后補償溫度來克服半導體開關的導 通電阻的溫度依賴性的問題，然后實現負載電流的高精確度檢測，并 且(3)實現對于每個負載的單獨的控制。
此外，專利文獻2 (日本未經審査的實用新型申請公開 No.Hl-37135)公布了功率晶體管的保護裝置。
在專利文獻2中，檢測了在功率晶體管中流動的電流和被施加的 電壓中的每一個。然后，計算檢測到的電流和電壓的乘積。當電流和 電壓的乘積的值被保持一段時間時預測溫度的增加，根據電流和電壓 的乘積的值在某延遲時間之后截止功率晶體管。通過根據發熱值改變 截止控制的時間，能夠對于不引起開關的熱破壞的瞬時過電流不操作 保護功能并且根據當功率晶體管的溫度的增加可能引起破壞時的時間 執行截止控制。
如專利文獻1中公布的通過電流檢測的截止控制看起來是有效的。 但是我們現在已經發現由于如下的驅動燈沖擊電流的響應的不足導致 在實踐中很少使用。更具體地，當導通作為負載的燈時，是燈的標稱 額定電流的六到十倍的沖擊電流流動。該沖擊電流取決于燈本身的溫 度、被施加的電壓、以及燈制造商等等而顯著地變化。
此外，任何制造商都不推薦的燈可能被汽車的用戶用作負載。當基準電流I^的設置不正確時，在驅動燈的點亮步驟中沖擊電流會超過 Lef，這使得由于不管它的正常狀態的截止控制而不能點亮燈。
此外，如果為了避免此種情況而將Iw的值設置得較高，則要求使 用其額定電流較高的半導體開關，這可能會增加成本。
通過考慮時間經過和發熱值，并且僅當預計半導體開關的溫度引 起熱破壞時截止半導體開關，專利文獻2解決了專利文獻1的問題。 但是我們現在已經發現根據專利文獻2，基于從功率消耗和它的持續時 間得出的發熱值執行控制。可能會出現任何問題，例如，當周圍溫度 高時，半導體開關早于所預計的而被破壞。另一方面，當周圍溫度低 時，即使當不需要執行截止控制時也頻繁地截止半導體開關，這使得 不能實現穩定的操作。
發明內容
本發明的實施例的第一示例性方面是半導體開關控制裝置，該半 導體開關控制裝置執行半導體開關的開關控制，該半導體開關對從電 源到負載的電力供給進行開關，該半導體開關控制裝置包括電流檢 測單元，該電流檢測單元檢測在半導體開關中流動的電流；電壓檢測
單元，該電壓檢測單元檢測被施加到半導體開關的電壓；溫度檢測單 元，該溫度檢測單元檢測半導體開關的溫度；計算單元，該計算單元 基于由電流檢測單元檢測到的檢測電流值、由電壓檢測單元檢測到的 檢測電壓值、以及由溫度檢測單元檢測到的檢測溫度值來計算半導體 開關的溫度；以及驅動器，當在計算單元中計算的半導體開關的溫度
超過設定閾值時該驅動器斷開半導體開關。
根據此種構造，代替單獨地使用檢測溫度和功率消耗，除了電流 值和電壓值之外還考慮那個時間的溫度，從而使得能夠以高精確度獲
得取決于半導體開關在那個時間的狀況的半導體開關溫度Tj。這樣， 因為能夠執行切斷控制從而半導體開關的溫度不超過設定值，因此能夠確實地防止半導體開關被熱破壞。另一方面，當半導體開關的溫度 低于設定值時，沒有執行不必要的切斷，從而能夠高精確度并且沒有 故障地操作可能穩定操作的半導體開關。
結合附圖，根據某些示例性實施例的以下描述，以上和其它示例 性方面、優點和特征將更加明顯，其中
圖1是示出根據本發明的第一示例性實施例的負載驅動系統的構 造的圖2是示出根據第一示例性實施例的電流檢測單元和電流限制單 元的構造示例的圖3是示出根據第一示例性實施例的電壓檢測單元的構造示例的
圖4是示出根據第一示例性實施例的溫度檢測單元的構造示例的
圖5是示出根據第一示例性實施例的過渡熱阻值提供單元的構造 示例的圖6是示出由根據第一示例性實施例的過渡熱阻值提供單元提供 的過渡熱阻特性的示例的圖7是示出根據第一示例性實施例的計算單元的構造示例的圖； 圖8是示出根據第二示例性實施例的構造的圖；以及 圖9是示出現有技術的圖。
具體實施例方式
(第一示例性實施例) 現在將描述本發明的第一示例性實施例。
圖1是示出負載驅動系統200的構造的圖。
負載驅動系統200具有下述構造，其中來自于電池201的電流通過半導體開關裝置300被提供給負載(例如，燈)202。
半導體開關裝置300包括電池201和負載202之間的半導體開關M。。
盡管IGBT (絕緣柵雙極晶體管)、功率MOSFET、雙極晶體管、 以及MOS晶體管等等可以被用作半導體開關Mo，但是不限于它們。
半導體開關裝置300進一步包括電流檢測單元210、電流限制單元 220、電壓檢測單元230、溫度檢測單元240、過渡熱阻值提供單元250、 計算單元260、以及驅動器270。
這些電流檢測單元210、電流限制單元220、電壓檢測單元230、 溫度檢測單元240、過渡熱阻值提供單元250、計算單元260、以及驅 動器270組成半導體開關控制裝置310。
電流檢測單元210檢測在半導體開關Mo中流動的電流Ids以基于 電流I&將電流信號S^輸出至計算單元260。此外，為了防止電流Ids 被超過，電流限制單元220將在半導體開關MQ中流動的電流Ids限制 為事先設置的電流值 丄limito
現在，圖2示出電流檢測單元210和電流限制單元220的構造示例。
在圖2中，Mo是半導體開關。此外，并聯晶體管M(u是具有與半 導體開關M。相同構造的晶體管。感測電阻器Rs被連接至并聯晶體管 M(H的源極，并且并聯晶體管M(n和半導體開關Mo都具有公共的漏極 和柵極。
同樣地，在感測電阻器Rs的兩端生成與在半導體開關Mo中流動的電流I&成比例的電壓。通過差分放大器Ai放大該電壓，并且將其作為電流值信號S^輸出至計算單元260。
此外，當在感測電阻器Rs的兩端生成的電壓變得較高時開關Mi處于導通狀態，并且半導體開關M。的柵極電勢被限制。
因為半導體開關M。的柵極電勢被限制，所以在半導體開關Mo中
流動的電流Ids被限制。限制電流值Itoit被設置為不超過接合線的熔斷
電流的值。通過調整開關M"感測電阻器Rs、以及驅動器270的阻抗來設置并且調整限制電流值Ilimit的大小。
現在，電流檢測單元210由并聯晶體管MQ1、感測電阻器Rs、以及差分放大器AJ且成，并且電流限制單元220由開關M!組成。
電壓檢測單元230檢測半導體開關Mo的漏極與源極之間的電勢差Vds并且將電勢差Vds輸出至計算單元260。當負載202由于任何故障處于負載短路狀態時，換言之，當半導體開關Mo的漏極與源極之間電壓變為高(例如，Vds>3V)時，電壓檢測電壓230輸出過電壓信號。
圖3示出電壓檢測單元230的示例。
通過差分放大器A2放大半導體開關Mo的漏極與源極之間的電壓Vds并且將其作為檢測到的電壓值S^輸出。此外，事先設置電壓限制值Vroc。
作為示例，電壓限制值V^可以是對應于當半導體開關Mo的漏極與源極之間的電壓Vds是3V時檢測到的電壓值Svds的值。然而，可以根據半導體開關MQ的耐受電壓適當地對其進行設置。
當檢測到的電壓值Svds超過電壓限制值V^時，從差分放大器A3輸出過電壓信號Svexe。過電壓信號Sv^是溫度檢測單元240和過渡熱
阻值提供單元250的操作觸發信號。
溫度檢測單元240通過作為觸發的過電壓信號Svexe保持半導體開
關MQ的初始溫度Tjo并且將該值輸出至計算單元260。在圖4中示出溫度檢測單元240的示例。
通過差分放大器A4將被布置在半導體開關MQ的附近的二極管的電壓下降的溫度特性輸出至緩沖器B,。緩沖器Bt包括差分放大器A5和被布置在差分放大器A5的非反相輸入端子中的用于固定電勢的電容器C，并且開關SW進一步被布置在電容器C的前級中。
通過來自于電壓檢測單元230的過電壓信號Svexe斷開開關SW，并且由電容器C保持輸入電壓。
緩沖器B,輸出非反相輸入端子的電壓作為溫度信號Stjo。過渡熱阻值提供單元250計算依賴于當負載短路發生時的時間的過渡熱阻值Zth，并且將該過渡熱阻值Zth輸出至計算單元260。
圖5示出過渡熱阻值提供單元250的示例。
通過來自于電壓檢測單元230的過電壓信號Sv^切斷被并聯地連接至電容器C2的MOS晶體管Tro，并且通過恒流將電荷存儲在電容器中。通過差分放大器A6放大電容器C2的電壓下降，并且將其作為過渡熱阻信號輸出。
因為過渡熱阻相對于時間是非線性的，因此取決于電壓減少改變在電容器C2中流動的恒流，以便于調整特性。總之，pMOS晶體管和nMOS晶體管的串聯單元U,、 112以及U3被并聯地放置在電容器(32和半導體開關M Q的漏極被連接至的線L v b a t之間。
此外，四個電阻器被串聯地連接在線Lvbat與接地電源GND之間。然后，從接地電源側開始電阻器被稱為Ri、 R2、 R3、 R4，并且Rt和R2之間的部分被稱為nodp 112和R3之間的部分被稱為nod2，并且R3和R4之間的部分被稱為nod3。
單元U,的nMOS晶體管的柵極被連接至nodp單元U2的nMOS晶體管的柵極被連接至nod2，并且單元U3的nMOS晶體管的柵極被連接至nod3。
在此構造中，從no^至nod3的電勢隨著時間而發生變化，并且根據各個節點的電勢順序地導通nMOS晶體管。
因此，從過渡熱阻值提供單元輸出根據如圖6中所示的非線性過渡熱阻特性的過渡熱阻信號Sz。
計算單元260計算半導體開關Mo的接合溫度Tj,并且當半導體開關Mo的接合溫度T;超過預置溫度(例如，175°C)時，執行切斷控制以便于保護半導體開關Mo被熱破壞。
現在，通過下面的表達式1獲得半導體開關Mo的接合溫度Tj。
Tj= IdsXVdsXZth+Tw…… (表達式1 )
在圖7中示出計算單元260的構造示例。
第一級Sti表示對數變換器，該對數變換器被提供有電流信號SIds、
電壓信號Sv^以及過渡熱阻信號Sz。第二級St2是加法器，該加法器
將通過對數變換前述的信號獲得的值相加。在第三級St3中反轉電壓，并且第四級St4中的反轉對數變換器實現下面的乘法，(電流信號SIds) x(電壓信號Svds) x (過渡熱阻信號Sz)。
在第五級Sts中，對溫度信號Suo進行加法計算，并且在第六級St6中反轉電壓。在第七級St7中，將值與預定的溫度閾值(Vrft)相比較。如果該值超過預定值，那么接合溫度檢測信號Sdet被輸出至驅動器270。
驅動器270在接收接合溫度檢測信號Sdet時切斷半導體開關M0。
根據具有此種構造的第一示例性實施例，能夠實現下面的效果。
(1)在第一示例性實施例中，通過在計算單元260中計算從(表達式l)中獲得半導體開關Mo的接合溫度Tj，所述計算不僅根據在半導體開關MQ中流動的電流值Ids和電壓值Vds而且根據取決于從負載短路的出現開始的時間的過渡熱阻值Zth和當過電壓開始流動時(當負載短路出現時)的半導體開關Mo的溫度Tjo。
從前述的描述中，除了考慮關于電流和電壓的電能之外，還考慮當過電壓出現時的溫度和過渡熱電阻特性，從而能夠在取決于其情況以高精確度獲得半導體開關MQ的接合溫度Tj。
因此，能夠執行切斷控制使得半導體開關M。的接合溫度Tj不超過設定值，從而能夠確實地防止半導體開關Mo被熱破壞。另一方面，當半導體開關MQ的接合溫度T;低于設定溫度時不執行不必要的切斷，
從而能夠以高精確度并且沒有故障地操作能夠穩定操作的半導體開關M0。
還可以存在下述方法，其中在半導體開關的附近提供溫度傳感器以當由溫度傳感器檢測到的溫度超過半導體開關的耐熱溫度時切斷半導體開關。但是，即使當溫度傳感器被布置并且形成在半導體開關的附近時，溫度傳感器也不能跟隨由于負載短路中的功率消耗導致的半導體開關的瞬時發熱速度。因此，此種構造在真實的負載短路中不起作用，并且熱破壞經常損壞半導體開關。即使當它起作用時，也可能給半導體開關導致嚴重的損壞，這導致半導體開關的迅速劣化。
另一方面，根據示例性實施例，代替單純地執行溫度檢測，從過渡熱阻Zth、電壓減少V&、電流值I&、以及半導體開關Mo的負載短路
的出現時的接合溫度T;o精確地估計半導體開關Mo的溫度，從而能夠響應于半導體開關Mo的瞬時發熱速度并且防止半導體開關M()的熱破壞和劣化。
(2) 此外，因為在第一示例性實施例中沒有執行單純地基于電流感測的結果的半導體開關的截止控制，所以肯定可以執行正常環境下的負載的驅動。
(3) 此外，當過電流在半導體開關Mo中流動時，通過電流限制單元220限制在半導體開關M。中流動的電流。因此，能夠抑制過電流并且保護半導體開關Mo。例如，可以保護半導體開關Mo的接合線。
(第二示例性實施例)現在，將會描述本發明的第二示例性實施例。
圖8示出第二示例性實施例的構造。
盡管第二示例性實施例的基本構造與第一示例性實施例的相類似，但是第二示例性實施例具有下述特性特征，其在于利用軟件以可編程的方式形成過渡熱阻值提供單元和計算單元。在圖8中，半導體開關裝置300包括計算控制單元280，并且該計 算控制單元280包括A/D轉換器(模擬/數字)轉換器)281、存儲器 282、計時器283、以及MCU (微控制器單元)284。
A/D轉換器281 A/D轉換來自于電流檢測單元210、溫度檢測單元 240、以及電壓檢測單元230的檢測信號，并且將信號輸出至MCU 284。
半導體開關MQ的過渡熱阻值的特性被預先存儲在存儲器282中。 從而存儲器形成過渡熱阻值提供單元。此外，在存儲器282中設置半 導體開關Mo的耐熱溫度閾值。
當MCU284已經接收到過電壓信號Svexe時激活計時器283，并且 不斷地將從啟動起經過的時間輸出至MCU 284。
例如，MCU(微控制器單元)包括CPU和主存儲器，并且執行半導 體開關的控制程序。更具體地，通過半導體開關的控制程序計算半導 體開關M。的接合溫度Tj，并且根據該接合溫度Tj將控制信號輸出至 驅動器270。
計算單元由MCU組成。
在此構造中，電流檢測單元210、電壓檢測單元230、以及溫度檢 測單元240中的每一個輸出通過A/D轉換器281被發送到微控制器單 元(MCU) 284。當由于任何故障導致負載202變成負載短路狀態時， 換言之，當半導體開關Mo的漏極和源極之間的電壓V&變為高(例如， Vds〉3V)時，執行下面的處理。
總之，通過電壓檢測單元230的過電壓信號Sv^作為觸發，溫度 檢測單元240檢測半導體開關MQ的溫度T;o，并且通過A/D轉換器281 將溫度T;o提供給微控制器單元284。然后，微控制器單元284在微控制器單元中保持初始的接合溫度T;o。微控制器單元284在保持初始接 合溫度Tjo的同時激活計時器283。計時器283將從啟動起經過的時間 不斷地輸出至微控制器單元284。微控制器單元284通過參考存儲器 282的過渡熱阻特性獲得與從計時器283獲得的經過時間相對應的過渡 熱阻值Zth。然后，微控制器單元284通過下面的計算計算半導體開關 的接合溫度Tj。
Tj=IdsXVdsXZth+TJ0
當是計算結果的半導體開關Mo的接合溫度T;超過事先設置的溫 度時，微控制器單元284指示驅動器270切斷半導體開關Mo。
注意的是，通過電流限制單元220在與上述控制操作同時地將在 半導體開關Mo中流動的電流量限制到預定的電流值In礎以防止過電流 與第一示例性實施例的操作相類似。
根據第二示例性實施例，由于通過軟件形成計算控制單元280，因 此能夠容易地根據負載的特性、半導體開關、以及用戶的要求將各種 參數設置或者更改為最佳的值。結果，能夠執行根據應用的最佳控制 并且能夠提供具有滿足用戶的要求的增加的可用性的產品。
本發明不限于上述示例性實施例，但是在不脫離己經描述了本發 明的精神的情況下可以進行各種修改。
盡管包括電流限制單元的構造被示出作為半導體開關控制單元 (半導體開關控制裝置)，但是電流限制單元可以被省略，只要在沒
有電流限制單元的情況下實現了防止半導體開關被熱破壞的主要目 的。
盡管在上述示例性實施例中溫度檢測單元通過被放置在半導體開關附近的二極管來檢測溫度，但是可以放置多個二極管來代替一個二 極管，或者雙極晶體管可以被采用來代替二極管。
本領域的技術人員能夠根據需要組合第一和第二示例性實施例。
雖然已經按照若干示例性實施例描述了本發明，但是本領域的技 術人員將理解本發明可以在所附的權利要求的精神和范圍內以各種修 改來實踐，并且本發明并不限于上述的示例。
此外，權利要求的范圍不受到上述的示例性實施例的限制。
此外，應當注意的是，申請人意在涵蓋所有權利要求要素的等同 形式，即使在后期的審查過程中對權利要求進行過修改亦是如此。
權利要求
1.一種半導體開關控制裝置，所述半導體開關控制裝置執行半導體開關的開關控制，所述半導體開關對從電源到負載的電力供給進行開關，所述半導體開關控制裝置包括電流檢測單元，所述電流檢測單元檢測在所述半導體開關中流動的電流；電壓檢測單元，所述電壓檢測單元檢測被施加到所述半導體開關的電壓；溫度檢測單元，所述溫度檢測單元檢測所述半導體開關的溫度；計算單元，所述計算單元基于由所述電流檢測單元檢測到的檢測電流值、由所述電壓檢測單元檢測到的檢測電壓值以及由所述溫度檢測單元檢測到的檢測溫度值來計算所述半導體開關的溫度；以及驅動器，當在所述計算單元中計算的所述半導體開關的溫度超過設定閾值時所述驅動器斷開所述半導體開關。
2. 根據權利要求l所述的半導體開關控制裝置，包括過渡熱阻值 提供單元，所述過渡熱阻值提供單元獲得伴隨著時間經過的所述半導體開關的過渡熱阻特性并且輸出所述過渡熱阻特性，其中當所述檢測電壓超過設定閾值時，所述電壓檢測單元輸出過電 壓信號，并且所述過渡熱阻值提供單元將過渡熱阻值Zth提供給所述計算單 元，所述過渡熱阻值Zth基于從接收到所述過電壓信號起經過的時間。
3. 根據權利要求2所述的半導體開關控制裝置，其中當所述溫度檢測單元接收到來自于所述電壓檢測單元的所述 過電壓信號時，所述溫度檢測單元檢測所述半導體開關此時的溫度， 并且將所檢測到的溫度作為初始溫度Tj。輸出至所述計算單元，并且所述計算單元通過下面的表達式來計算所述半導體開關的溫度T:，其中用Ids表示所述檢測電流值，并且用Vds表示所述檢測電壓 值，表達式所述半導體開關的溫度Tj=IdsxVdsxZth+TJ()。
4. 根據權利要求l所述的半導體開關控制裝置，包括 電流限制單元，所述電流限制單元包括被連接至所述半導體開 關的柵極的開關，所述開關根據在所述電流檢測單元中流動的電流的 值而處于導通狀態；并且當在所述電流檢測單元中流動的電流超過預定限制電流值時 所述電流限制單元使所述開關處于導通狀態以限制所述半導體開關的 柵極電勢，由此所述電流限制單元限制在所述半導體開關中流動的電 流值。
5. —種半導體開關裝置，所述半導體開關裝置包括根據權利要求1 所述的半導體開關控制裝置以及通過所述半導體開關裝置控制的半導 體開關。
6. —種負載驅動系統，所述負載驅動系統包括根據權利要求5所 述的半導體開關裝置以及負載，通過所述半導體開關裝置向所述負載 供給電力。
7. —種半導體開關控制裝置，所述半導體開關控制裝置執行半導 體開關的開關控制，所述半導體開關對從電源到負載的電力供給進行 開關，所述裝置包括電流檢測單元，所述電流檢測單元檢測在所述 半導體開關中流動的電流；電壓檢測單元，所述電壓檢測單元檢測被施加到所述半導體開關的電壓；溫度檢測單元，所述溫度檢測單元檢 測所述半導體開關的溫度；以及驅動器，當所述半導體開關的溫度超 過設定閾值時所述驅動器斷開所述半導體開關；以及計算機，其中被存儲在計算機可讀介質中的半導體開關控制程序產品使所 述計算機操作作為-過渡熱阻值提供單元，所述過渡熱阻值提供單元根據從所述電 壓檢測單元檢測到過電壓被施加到所述半導體開關起經過的時間來計 算所述半導體開關的過渡熱阻值Zth;以及計算單元，所述計算單元基于所檢測到的電流值、所檢測到的 電壓值、所檢測到的溫度值以及所述過渡熱阻值來計算所述半導體開 關的溫度。
全文摘要
本發明提供了一種半導體開關控制裝置。該半導體開關控制裝置包括電流檢測單元，該電流檢測單元檢測在半導體開關中流動的電流；電壓檢測單元，該電壓檢測單元檢測電壓；以及溫度檢測單元，該溫度檢測單元檢測溫度。過渡熱阻值提供單元將過渡熱阻值Z<sub>th</sub>提供給計算單元，該過渡熱阻值Z<sub>th</sub>基于從接收到過電壓信號起經過的時間。溫度檢測單元檢測當產生過電壓時的初始溫度T<sub>J0</sub>。當用I<sub>ds</sub>表示檢測電流值，并且用V<sub>ds</sub>表示檢測電壓值時，計算單元通過下面的表達式計算半導體開關的溫度(表達式)半導體開關的溫度T<sub>J</sub>＝I<sub>ds</sub>×V<sub>ds</sub>×Z<sub>th</sub>+T<sub>J0</sub>。
文檔編號H03K17/08GK101656528SQ20091016340
公開日2010年2月24日 申請日期2009年8月19日 優先權日2008年8月19日
發明者深海郁夫 申請人:恩益禧電子股份有限公司