專利名稱：：雙芯聲表面波濾波器的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種表面波濾波器，尤其涉及一種雙芯聲表面波濾波器。技術背景現有技術中的聲表面波濾波器單個殼體內只有單個的芯片，實現單個聲表面波濾波器的功能。制作聲表面波器產品采用半導體平面工藝，即類似于集成電路芯片的生產工藝，但聲表設計只是在一個器件內的微電路集成，沒有應用到兩個器件之間的集成。上述現有技術至少存在以下缺點當設備需要處理多種信號或一種信號中的多個信號時，需要應用到二個以上聲表面波濾波器，其所占用的空間必然為多個聲表面波濾波器的殼體體積之和。這顯然不適應設備越來越小型化的發展需求。
發明內容本發明的目的是提供一種能使聲表器件應用小型化的雙芯聲表面波濾波器。本發明的目的是通過以下技術方案實現的本發明的雙芯聲表面波濾波器，包括基片，所述基片上集成有兩個聲表面濾波器的芯片，所述兩個聲表面濾波器的芯片分別設有單獨的輸入、輸出端。由上述本發明提供的技術方案可以看出，本發明所述的雙芯聲表面波濾波器，由于基片上集成有兩個聲表面濾波器的芯片，兩個聲表面濾波器的芯片分別設有單獨的輸入、輸出端。可以同時處理多個信號，能使聲表器件應用小型化。圖l為本發明雙芯聲表面波濾波器的結構示意圖；圖2為本發明中色散DMS結構的示意圖。具體實施方式本發明的雙芯聲表面波濾波器，其較佳的具體實施方式如圖l所示，包括基片，基片上集成有兩個聲表面濾波器的芯片，兩個聲表面濾波器的芯片分別設有單獨的輸入、輸出端，兩個聲表面濾波器的芯片設有共同的接地端。具體可以將兩個聲表面濾波器的芯片分別布置在基片的左部和右部，共同的接地端布置在基片的中部。根據需要，也可以采用其它的布置方式。兩個聲表面濾波器的芯片可以分別為匿Sl-2模式和DMSl-3模式，DMSl-2模式的相對帶寬可以小于或等于DMSl-3模式的相對帶寬。即DMSl-2模式實現較窄的相對帶寬，DMSl-3模式實現較寬的相對帶寬。相對帶寬可以為3dB帶寬與中心頻率的比值。相對帶寬的數值范圍與基片的材料有關，如表1所示，為選用不同的基片材料時，DMSl-2模式和匿Sl-3模式芯片的相對帶寬的范圍。表l選用不同的基片材料時，DMSl-2和DMSl-3的相對帶寬的范圍<table>tableseeoriginaldocumentpage4</column></row><table>表l中的基片材料和相對帶寬的范圍只是具體的實施例，根據需要也可以選用其它的材料和相對帶寬的范圍。兩個聲表面濾波器的芯片的膜可以分別采用重金屬膜。兩個聲表面濾波器的芯片的膜可以分別包括色散DMS結構，并可以通過調整色散DMS結構對兩個芯片的膜的厚度進行優化，使兩個芯片的膜的厚度趨向一致。如圖2所示，具體色散DMS結構可以包括插指換能器，插指換能器的外圍設有金屬條柵陣，可以通過調整金屬柵陣對兩個芯片的膜的厚度進行優化，使兩個芯片的膜的厚度趨向一致。兩個聲表面濾波器的芯片可以共用一個封裝殼體。對兩個不同中心頻率的器件，其制作工藝條件不同。頻率高的器件，相對帶寬一般較窄，其設計時候需要薄的膜厚，而頻率低的器件則需要較厚的膜厚才能實現，兩者膜厚可相差2倍以上。這種不同膜厚的工藝要求給兩器件在同一芯片上面實現帶來了巨大困難。即使能夠在同一個芯片上面實現不同膜厚，其可靠性和穩定性很難得到保證。本發明中對于高頻率芯片，采用DMSl-2模式實現窄的相對帶寬；對于低頻率芯片采用DMSl-3模式，實現寬的相對帶寬，這樣兩個芯片對絕對膜厚的要求相對較近，并采用色散DMS結構進行優化設計，通過調整插指換能器外圍的金屬條柵陣來調節兩芯片的膜厚趨于一致。這樣成功解決了兩個芯片的集成問題。集成后的芯片各有輸入輸出，且共同接地，互不影響。既可以實現較寬的相對帶寬(3dB帶寬和中心頻率的比值)，又可以實現較低的損耗。本發明的雙芯聲表面波濾波器，把兩個芯片做在一個基片上，兩個不同電性能要求的芯片集成到一起，并在實際應用時發揮兩個芯片各自的作用，實現兩個不同產品的性能。使聲表器件應用小型化。在實際應用中，兩個芯片集成在一個基片上后，可以使兩個器件共用一個封裝殼體，把兩個芯片的硬件覆蓋面積縮小成為一個，且兩個芯片互不影響使用，使聲表面波器件的應用向集成化方向發展。以上所述，僅為本發明較佳的具體實施方式，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本
技術領域：
的技術人員在本發明揭露的技術范圍內，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。權利要求1.一種雙芯聲表面波濾波器，包括基片，其特征在于，所述基片上集成有兩個聲表面濾波器的芯片，所述兩個聲表面濾波器的芯片分別設有單獨的輸入、輸出端。2、根據權利要求l所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述兩個聲表面濾波器的芯片設有共同的接地端。3、根據權利要求2所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述兩個聲表面濾波器的芯片分別布置在所述基片的左部和右部，所述共同的接地端布置在所述基片的中部。4、根據權利要求l所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述兩個聲表面濾波器的芯片分別為DMS1-2模式和DMS1-3模式，所述DMS1-2模式的相對帶寬小于或等于匿S1-3模式的相對帶寬。5、根據權利要求4所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述相對帶寬為3dB帶寬與中心頻率的比值。6、根據權利要求5所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述基片的材料為鉭酸鋰36LT、鈮酸鋰64LN、鈮酸鋰41LN中的任一種材料，選用不同的基片材料時，所述DMS1-2模式和DMS1-3模式芯片的相對帶寬的范圍分別如下表中所示<table>tableseeoriginaldocumentpage2</column></row><table>7、根據權利要求l所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述兩個聲表面濾波器的芯片的膜分別采用重金屬膜。8、根據權利要求1或7所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述兩個聲表面濾波器的芯片的膜分別包括色散DMS結構，并通過調整所述色散DMS結構對兩個芯片的膜的厚度進行優化，使所述兩個芯片的膜的厚度趨向一致。9、根據權利要求8所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述色散DMS結構包括插指換能器，所述插指換能器的外圍設有金屬柵陣，通過調整所述金屬柵陣對兩個芯片的膜的厚度進行優化，使所述兩個芯片的膜的厚度趨向一致。10、根據權利要求l所述的雙芯聲表面波濾波器，其特征在于，所述兩個聲表面濾波器的芯片共用一個封裝殼體。全文摘要本發明公開了一種雙芯聲表面波濾波器，把兩個芯片做在一個基片上，對于高頻率芯片，采用DMS1-2模式實現窄的相對帶寬；對于低頻率芯片采用DMS1-3模式，實現寬的相對帶寬，這樣兩個芯片對絕對膜厚的要求相對較近，并采用色散DMS結構進行優化設計，通過調整插指換能器外圍的金屬條柵陣來調節兩芯片的膜厚趨于一致。使兩個不同電性能要求的芯片集成到一起，并在實際應用時發揮兩個芯片各自的作用，實現兩個不同產品的性能，使聲表器件應用小型化。文檔編號H03H9/64GK101282112SQ20081011161公開日2008年10月8日申請日期2008年5月15日優先權日2008年5月15日發明者張敬鈞申請人:北京中訊四方科技有限公司