專利名稱：：聲界面波裝置的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種用作例如諧振器或濾波器的聲界面波裝置，更詳細地說，涉及具有在第l、第2介質間配置電極、在第2介質上再層疊第3介質及第4介質的結構的聲界面波裝置。
背景技術：
：近年來，作為諧振器或帶通濾波器，為了可謀求封裝結構的簡化，關注聲界面波裝置。在下述的專利文獻1中，公開機電耦合系數大、傳輸損失及能流角(powerflowangle)小、頻率溫度系數TCF在適度范圍內的聲界面波裝置。這里，在由壓電基板構成的第1介質和由Si02膜構成的第2介質的界面上形成IDT電極。而且，記載通過調整用作壓電基板的壓電單晶體的取向、構成IDT電極的材料、膜厚及電極指節距(fingerpitch)，可調整機電耦合系數或溫度特性的內容。另外，在下述的專利文獻2中，公開圖12中示意性表示的聲界面波裝置IOI。在聲界面波裝置101中，在由Y截止X傳輸的LiNb03基板構成的第1介質Ul和由Si02膜構成的第2介質112的界面上配置有IDT電極115。而且，在第2介質112上按第3介質、第4介質的順序層疊由多晶Si層構成的第3介質113和由Si02膜構成的第4介質114。這里，設定為可通過層疊第2介質第4介質112114，進行頻率調整。即，在膜厚H1的第1介質、膜厚H2的第2介質112之間形成電極115，再層疊膜厚H3的第3介質113，得到層疊體。在該層疊體階段進行頻率調整。而且，在第3介質113上層疊膜厚H4的第4介質114。在這樣得到的聲界面波裝置101中，界面波的能量如圖12的右側所示。艮P，由于在第4介質中界面波的能量只分布一小部分，所以若在上述層疊體階段進行頻率調整，明顯減小頻率差異，則即便形成第4介質114，也可減小頻率差異。專利文獻l:WO2004-070946專利文獻2:WO2005-093949在專利文獻l中記載的聲界面波裝置中，若確定構成壓電基板的壓電單晶體的基板取向、IDT電極的結構，則自然確定了頻率溫度系數TCF或延遲時間溫度系數TCD。因此，難以得到具有期望的溫度特性的聲界面波裝置。另外，在專利文獻2中記載的聲界面波裝置中，如上所述，通過層疊第2介質第4介質，在制造階段可容易地進行頻率調整，可提供頻率偏差少的聲界面波裝置。可是，如專利文獻2的圖10中頻率溫度系數TCF所示那樣，擔心因層疊由上述多晶Si層構成的第3介質層，頻率溫度系數TCF惡化。
發明內容本發明的目的在于提供一種鑒于上述現有技術的現狀，在層疊多個介質構成的聲界面波裝置中，溫度引起的特性變化小的聲界面波裝置。根據本申請的第1發明，提供一種按第1介質第4介質的順序層疊該第1介質第4介質、在第1介質和第2介質之間的界面上配置電極的聲界面波裝置，在層疊所述第4介質/第2介質/電極/第1介質形成的結構中，聲界面波或聲表面波的延遲時間溫度系數TCD為正值，所述第4或第2介質具有正的音速溫度系數TCV，所述第1介質具有負的音速溫度系數TCV，所述第3介質的橫波音速慢于所述第4介質及/或第2介質的橫波音速。在本發明的某個特定方面，第l介質由壓電基板構成，第2介質由氧化硅膜構成，第3介質由氧化鉭膜或氧化鋅膜構成，第4介質由氧化硅膜構成。這時，在由氧化硅膜構成的第2、第4介質之間，配置由橫波音速慢于氧化硅膜的氧化鉭膜或氧化鋅膜構成的第3介質。因此，根據本發明，由于配置橫波音速慢于第4、第2介質的橫波音速的第3介質，所以可確實地提供延遲時間溫度系數TCD的絕對值小的、溫度特性良好的聲界面波裝置。根據本申請的第2發明，提供一種按第1介質第4介質的順序層疊該第1介質第4介質、在第1介質和第2介質之間的界面上配置電極的聲界面波裝置，在層疊所述第4介質/第2介質/電極/第1介質形成的結構中，聲界面波或聲表面波的延遲時間溫度系數TCD為負值，所述第4或第2介質具有負的音速溫度系數TCV，所述第1介質具有正的音速溫度系數TCV，所述第3介質的橫波音速慢于所述第4介質及/或第2介質的橫波音速。根據本申請的第3發明，提供一種按第1介質第4介質的順序層疊該第1介質第4介質、在第1介質和第2介質之間的界面上配置電極的聲界面波裝置，在層疊所述第4介質/第2介質/電極/第1介質形成的結構中，聲界面波或聲表面波的延遲時間溫度系數TCD為正值，所述第4或第2介質具有負的音速溫度系數TCV，所述第1介質具有正的音速溫度系數TCV，所述第3介質的橫波音速快于所述第4介質及/或第2介質的橫波音速。根據本申請的第4發明，提供一種在按第1介質第4介質的順序層疊第1介質第4介質、在第1介質和第2介質之間的界面上配置電極的聲界面波裝置，在層疊所述第4介質/第2介質/電極/第1介質形成的結構中，聲界面波或聲表面波的延遲時間溫度系數TCD為負值，所述第4或第2介質具有正的音速溫度系數TCV，所述第1介質具有負的音速溫度系數TCV，所述第3介質的橫波音速快于所述第4介質及/或第2介質的橫波音速。并且，在第4發明中，優選是所述第l介質由壓電基板構成，所述第2介質和第4介質由氧化硅膜構成，所述第3介質由硅膜或氮化硅膜構成。這時，在由氧化硅膜構成的第2、第4介質之間，配置由橫波音速快于氧化硅膜的硅膜或氮化硅膜構成的第3介質。因此，根據本發明，由于配置橫波音速快于第4、第2介質的橫波音速的第3介質，所以可確實地提供延遲時間溫度系數TCD的絕對值小的、溫度特征良好的聲界面波裝置。在本發明(第1第4發明)中，優選作為電極，至少形成1個IDT電極。即，可至少利用1個IDT電極，高效地激振聲界面波，根據本發明，6可提供一種利用聲界面波、延遲時間溫度特性良好的聲界面波裝置。發明效果在本發明(第1、第2發明)的聲界面波裝置中，由于在按第1第4介質的順序層疊該第1第4介質、在第1、第2介質間的界面上配置電極的結構中，由于第3介質的橫波音速慢于第4介質及/或第2介質的橫波音速，所以可減小延遲時間溫度特征TCD的絕對值，可提供具有良好溫度特性的聲界面波裝置。這考慮如下理由。振動能量具有易集中在音速低的介質側的傾向。因此，在第3介質中的橫波音速慢于第4介質及/或第2介質的橫波音速時，在第3介質中，由于橫波的振動能量分布較強，因此認為至第2、第4介質的橫波振動能量的分布也變強，可減小聲界面波的延遲時間溫度系數TCD。并且，在第3、第4發明中，得到相反通過使第3介質的橫波音速加快，可減小至第2、第4介質的橫波能量分布的效果。因此，根據本發明，可確實且容易地提供溫度引起的特性變化小的聲界面波裝置。圖l(a)及圖l(b)是用于說明本發明一實施方式的聲界面波裝置的簡圖的正面截面圖及表示電極結構的示意性平面圖。圖2是用于說明在實施方式的聲界面波裝置中各介質層中的振動能量分布狀態的示意圖。圖3是表示使由1^205構成的第3介質的膜厚變化時的聲界面波的音速變化的圖。圖4是表示使由化205構成的第3介質的膜厚變化時的聲界面波的分離反射指標K,2的變化的圖。圖5是表示使由1^205構成的第3介質的膜厚變化時的聲界面波的延遲時間溫度系數TCD的變化的圖。圖6是表示使由Ta20s構成的第3介質的膜厚變化時的聲界面波的機電耦合系數P的變化的圖。圖7是示意性表示構成第3介質的Ta20s厚度為0.03A時的實施方式的聲界面波裝置的振動能量分布的圖。圖8是示意性表示構成第3介質的Ta205厚度為0.20入時的實施方式的聲界面波裝置的振動能量分布的圖。圖9是表示由Ta205構成的第3介質的厚度為0.02入及0.05人時，在未層疊第3介質的結構中的頻率溫度系數TCF的圖。圖10是表示由Ta2Os構成的第3介質的厚度為0.02A及0.05A時，在未層疊第3介質的結構中的諧振器的帶寬率的圖。圖11是表示作為第3介質的Ta205的厚度為0.02人及0.05A及未層疊第3介質的各聲界面波裝置的阻抗及相位頻率特性的圖。圖12是用于說明現有聲界面波裝置之一實例的示意性正面截面圖。符號說明1、聲界面波裝置11、第l介質12、第2介質13、第3介質14、第4介質15、層疊體16、IDT電極17、18、反射器具體實施例方式下面，通過參照本發明的具體實施方式，使本發明變得清楚。圖l(a)及(b)是本發明一實施方式的聲界面波裝置的示意性正面截面圖及表示電極結構的示意性平面圖。聲界面波裝置1具有按第1介質第4介質14的順序層疊第1介質11第4介質14的層疊體15。而且，在第1介質11和第2介質12的界面上形成圖l(b)示出的電極結構。即，作為上述電極結構，具有IDT電極16、和設置在IDT電極16的聲界面波傳輸方向外側的反射器17、18。在本實施方式中，第1介質11由15。的Y截止X傳輸的LiNb03基板構成。另外，第1介質11也可使用其他晶體取向的LiNb03基板、或LiTa03基板等其他壓電單晶體基板構成。第1介質11也可由其他壓電材性材料上層疊壓電薄膜的結構構成。并且，第2介質12在本實施方式中由作為氧化硅膜的Si02膜形成。在本實施方式中，第3介質13由作為氧化鉭膜的1^205構成。并且，第4介質14由作為氧化硅膜的SiOJ莫構成。由丁3205膜構成的第3介質中的橫波音速為1580m/秒。另夕卜，由Si02構成的第2、第4介質中的橫波音速為3757m/秒。g卩，第3介質13中的橫波音速慢于第2、第4介質12、14中的橫波音速。并且，由于ZnO也是橫波音速2826m/秒，所以可利用為第3介質。另外，在層疊了上述第4介質14/第2介質12/IDT電極16/第1介質U的層疊結構中，聲界面波的延遲時間溫度系數TCD為正值。另外，延遲時間溫度系數TCD是與裝置的性能指標直接聯系的聲波的傳輸性能指標，在與成為裝置性能指標的頻率溫度系數TCF之間，具有TCF--TCD并且，在本實施方式中，第3介質13中的橫波音速慢于第2介質12中的橫波音速及第4介質14中的橫波音速，但第3介質13中的橫波音速只要慢于第2介質12中的橫波音速或第4介質14中的橫波音速至少一方即可。并且，由Si02構成的第2、第4介質中，音速溫度系數TCV為正值。所謂音速溫度系數TCV，指除去線膨脹系數影響后的聲波的傳輸性能指標，表示基于除去線膨脹系數影響后的音速的溫度的變化傾向。另外，構成第1介質11的LiNb03基板的音速溫度系數TCV為負值。在本實施方式中，IDT電極16及反射器17、18由在Au膜上層疊Al層的層疊金屬膜構成，IDT電極的占空比為0.6。在本實施方式的聲界面波裝置1中，由于構成第3介質13的Ta205的橫波音速慢于第2、第4介質12、14中的橫波音速，所以橫波能量集中在第3介質中。因此，可減小在第1、第2介質11、12的界面傳輸的聲界面波的延遲時間溫度系數TCD的絕對值，可得到良好的溫度特性。將其與現有的聲界面波裝置對比，并更具體地說明。就除了不具有第3及第4介質13、14以外，其他與上述實施方式的9聲界面波裝置1同樣構成的現有聲界面波裝置而言，以下述表1中示出的條件構成IDT電極、反射器及第l、第2介質。就該現有聲界面波裝置而言，擴展了"周期結構壓電性導波路徑的有限要素法解析"(電子通信學會論文雜志VoU68-CNo1.1985/1，第21頁第27頁)中提出的有限要素法，在半波長區間配置1條帶(strip),求出在電氣斷路的帶與短路的帶的阻止區域的上端和下端的音速。界面波的振動能量在IDT電極的上方1A之前的部分和下方l入之前的部分集中大半的能量。因此，設沿IDT電極的上下方向8入厚度的部分為解析區域，在聲上固定解析區域的表面與背面的界面條件。下面，根據"基于模式耦合理論的聲表面波交叉指型電極的激勵特性評價"(電子信息通信學會技術報告、MW卯-62,1990,第69頁第74頁)中提議的方法，求出表示帶中的界面波的反射量的k12/&和機電耦合系數K2。另外，由于與利用"周期結構壓電性導波路徑的有限要素法解析"處理后的結構相比，作為上述現有例準備的聲界面波裝置中的音速的頻率分散較大，所以考慮頻率分散的影響來求出k12/k0。并且，根據15°C、25。C及35。C中的短路帶的阻止區域下端的相位速率V,yc、V25.c、V35.c，利用下述的式(1)求出延遲時間溫度系數TCD。TCD=as-(V35r-V15-C)/V25r(35-15)(1)另外，在式(l)中，as是界面波傳輸方向的LiNb03基板的線膨脹系數。[表l]_^<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>在下述表(2)中示出從上述計算求出的現有聲界面波裝置的特性。<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>TCD26.8ppm/°C17.4%ki2/k00馬另外，在下述表(3)中歸納表示上述實施方式的聲界面波裝置的IDT電極16及第1第4介質1114的結構。而且，就如下述表(3)設定的上述實施方式的聲界面波裝置而言，與上述現有的聲界面波裝置相同，計算傳輸特性。在表4中示出結果。實施方式Si02/Ta205/Si02/IDT/15°Y-XLNID丁(A1/Au)厚度0.050/0.035入、占空比0.6第4介質(SiO。厚度8入、橫波音速3757m/秒、TCV正第3介質(Ta20s)厚度0.03A、橫波音速1580m/第2介質(Si02)厚度0.2入、橫波音速3757m/秒、TCV正第1介質(15°Y-XLiNb03)厚度8A、TCV負項目傳輸特性首速V25,c3332m/秒TCD18.7ppm廠CK215.1%k12/k00.091比較表2和表4可知，根據本實施方式的聲界面波裝置，可知延遲時間溫度系數優化為18.7ppm/°C。即，盡管音速、機電耦合系數K^及k12/k0變化若干，但這些變化是在實用上可充分允許的范圍內的變化，另外可知延遲時間溫度系數TCD如上述那樣大幅度地優化。在本實施方式中，認為延遲時間溫度系數TCD的絕對值變小，優化的理由如下所述。聲界面波的延遲時間溫度系數TCD根據形成界面的多個介質整體的線膨脹系數^與各介質中的音速溫度系數TCV的平衡來確定。例如，在聲界面波的延遲時間溫度系數TCD為正值時，若增強橫波的音速溫度系數TCV為正的材料中的界面波的振動能量分布，則界面波的延遲時間溫度系數TCD變小。聲界面波的振動能量易集中在低音速的介質中。因此，在想使聲界面波的振動能量集中在2個層之一方的層時，只要使用低音速的材料作為該一方的層即可。并且，如果將1個介質分離成2個層，在分離出的2個層間插入相對低的音速的介質，則將振動能量集中在該低音速的介質中，由此，至所述分離出的2個層的振動能量分布增強。在表1示出的現有聲界面波裝置中，延遲時間溫度系數TCD為正值。因此，認為如果可提高音速溫度系數TCV為正的Si02層側的振動能量，則可改善延遲時間溫度系數TCD。因此，在上述實施方式中，如表3所示，在構成第2、第4介質的Si02膜間，配置橫波音速相對為低速的Ta205作為第3介質。因此，可提高音速溫度系數TCV為正的、由Si02構成的第2介質12和第4介質14中的界面波的振動能量。圖2是表示上述實施方式的情況和與上述實施方式不同、未配置由1^205構成的第3介質的現有情況的聲界面波的位移分布的示意圖。實線表示上述實施方式的情況，虛線表示現有情況。從圖2可知，通過配置由丁3205構成的第3介質13，可大幅度地提高第2介質12和第4介質14中的聲界面波的振動能量。圖3圖6是表示第3介質13的厚度和聲界面波傳輸特性的關系的圖。具體地說，圖3是表示使第3介質13的膜厚變化時的音速的變化的圖，圖4是表示帶反射指標的變化的圖，圖5是表示延遲時間溫度系數TCD的變化的圖，圖6是表示機電耦合系數K、。/。)的變化的圖。并且，圖7是表示由厚度為0.03A的Ta205構成的第3介質中的振動能量的分布的示意圖，圖8是表示由厚度為0.20人的1^05構成的第3介質中的振動能量的分布的示意圖。從圖3明確可知，由于通過增厚第3介質(Ta205)的厚度，來提高音速慢的第3介質的影響，所以聲界面波的音速下降。例如，未設置第3介質時的音速為3394m/s，與此相對，第3介質的厚度為0.03入時的音速為3332m/s。并且，若第3介質(1^205)的厚度變厚，則根據上述原理，如圖5所示，延遲時間溫度系數TCD向負的側移動。例如，未設置第3介質時的TCD為27ppm廠C，而第3介質的厚度為0,03入時的TCD為18ppm廠C。并且，如圖7及圖8所示，隨著Ta205的膜厚變厚為0.20入,分布在LiNb03基板上的振動能量減少，機電耦合系數^變低。S卩，在Ta20s的厚度為0.3A時，從圖6可知，機電耦合系數&2減小為2.4%,實用性下降。并且，從圖4可知，若由1^205構成的第3介質13的厚度變厚，則表示帶的反射系數的k12變低。尤其是，化205的厚度為0.2A,k,2變小為0.026。因此，若k,2小于0.026，則在構成在IDT電極16左右配置帶型反射器17、18的上述實施方式的1端口型聲界面波諧振器或縱向耦合型的諧振濾波器的情況、即利用諧振器結構的聲界面波裝置中，必須增多反射器的條數。因此，導致聲界面波裝置的大型化，不優選。因此，最好是由丁^05構成的第3介質13的厚度為0.30入以下，更好是0.20入以下。下面，根據上述實施方式，具體制作l端口型聲界面波裝置，測定諧振頻率的溫度系數TCF和帶寬率。艮P，如下表5所示，設定IDT電極16的周期入、IDT電極16的結構及膜厚、第1第4介質1114的膜厚及材料。并且，IDT電極16中的設計參數如下。電極指的對數60對交叉寬度30入孔徑寬度30.4入變跡法(apodization):有、IDT中央交叉寬度為3(U、IDT兩端交叉寬度為15入反射器的電極指條數51條IDT和反射器的周期入3.42um(電極指配置節距0.8um)電極指的線寬0.855um電極指間的空間寬度0.855um13[表5]<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>另外，就第3介質13的厚度而言，如上述那樣設為170nm、即0.05入，但另外，制作設第3介質13的厚度為0.02人(68nm)的變形例的聲界面波裝置。并且，為了比較，除設置第3介質的厚度為0入、即不設置第3介質13之外，與上述試制例同樣，制作聲界面波裝置。就這些聲界面波裝置而言，求出諧振頻率的頻率溫度系數TCF和帶寬率。圖9及圖10中示出結果。這里，作為(反諧振頻率-諧振頻率)/諧振頻率，求出帶寬率。從圖9及圖10可知，根據具體試制的上述實施方式及變形例的聲界面波裝置，與沒有第3介質的聲界面波裝置相比，可減小頻率溫度系數TCF的絕對值，且就帶寬率而言，未怎么變化。因此，可知可不使帶寬率變窄地改善頻率溫度特性。圖11是表示上述制作的3種聲界面波裝置的阻抗及相位特性的圖。從圖11明確可知，與沒有第3介質的比較例相比，在使用第3介質13的實施方式及變形例的聲界面波裝置中，作為反諧振頻率中的阻抗對諧振頻率中的阻抗之比即阻抗比也就是峰谷比變大，特性得到改善。多數壓電材料具有負的音速系數TCV,其裝置具有負的頻率溫度系數TCF。因此，作為第2介質12及第4介質14，通過使用具有正的音速溫度系數TCV的材料，可在正數(plus)側補正裝置的頻率溫度系數TCF。通過將具有正的音速溫度系數TCV的Si02作為第2介質12及第4介質14，可提高實用性。即，可減小頻率溫度系數TCF的絕對值。另外，1^205是低音速，且是重、硬的介電體材料。因此，作為第3介質13，通過在由Si02構成的第2介質12和第4介質14之間薄薄地配置Ta205，可使能量高效地從第1介質11移動至第2介質12側。并且，Si02及Ta20s耐熱性好，化學上穩定。因此，上述實施方式的聲界面波裝置1不僅基于溫度的特性變化小，耐熱性及穩定性還好，在可靠性方面也好。并且，第2介質12和第4介質14也可由其他材料構成。另外，雖然在上述實施方式中，構成為在層疊第4介質/第2介質/電極/第1介質形成的結構中聲界面波的延遲時間溫度系數TCD為正值，第4或第2介質具有正的音速溫度系數TCV，第1介質具有負的音速溫度系數TCV，但在本發明中，不限于這種結構，即便在第3介質的橫波音速慢于第4介質及/或第2介質的橫波音速的下述第2結構中，另外，即便在相反地使第3介質的橫波音速加快的第3、第4結構中，也可改善延遲時間溫度特性。第2結構例構成為在層疊第4介質/第2介質/電極/第1介質形成的結構中聲界面波的延遲時間溫度系數TCD為負值，第4或第2介質具有負的音速溫度系數TCV，第1介質具有正的音速溫度系數TCV。第3結構例構成為在層疊第4介質/第2介質/電極/第1介質形成的結構中聲界面波的延遲時間溫度系數TCD為正值，第4或第2介質具有負的音速溫度系數TCV，第1介質具有正的音速溫度系數TCV。第4結構例構成為在層疊第4介質/第2介質/電極/第1介質形成的結構中聲界面波的延遲時間溫度系數TCD為負值，第4或第2介質具有正的音速溫度系數TCV，第1介質具有負的音速溫度系數TCV。另外，在上述實施例中，說明了1端口型聲界面波諧振器，但本發明的聲界面波裝置可構成為具有各種電極結構。即，也可是使用了2個以上IDT的縱向耦合型或橫向耦合型的聲界面波諧振濾波器或階梯型地連接多個聲界面波諧振器形成的階梯型濾波器。并且，本發明的聲波裝置可用于聲界面波光開關或聲界面波光濾波器等光裝置，通常可廣泛地使用于利用了聲界面波的裝置。另外，在本發明聲界面波裝置的制造時，在形成第2介質12第4介質14之前，通過反濺射、離子束研磨、反應性離子蝕刻、濕蝕刻或研磨等，使IDT電極和第2或第3介質12、13變薄，或通過利用濺射或蒸鍍等堆疊法追加成膜使其變厚，由此可調整IDT電極16、第2介質12及/或第3介質13的厚度。而且，通過這些厚度調整，可進行頻率調整。并且，在本發明中，如表5所示，電極結構也可由多個金屬構成的層疊膜構成。并且，就本發明中構成第1第4介質的材料未特別限定。即，作為介質可使用各種電介質。作為這樣的介質，例如舉出從鈮氧化鋰、鈮氧化鉀、鉭氧化鋰、四氧化鋰、LGS(langasite)或LGN(langanite)、水晶、PZT、ZnO、A1N、氧化硅、玻璃、硅、藍寶石、氮化硅及氮化碳構成的群中選擇的l種等。并且，介質不一定必需由單一材料構成，也可具有層疊多個介質層形成的層疊結構。即，第1第4介質中至少一個介質可是具有層疊了多個材料層的層疊結構。之外，在本發明的聲界面波裝置中，也可在外側形成提高強度、防止腐蝕性氣體等浸入用的保護層。并且，如果聲界面波裝置不介意部件尺寸變大，則也為可具有封入組件中的結構。另外，作為上述保護層，也可是由氧化鈦、氮化鋁、氧化鋁等絕緣性材料構成，也可由Au、A1或W等金屬膜構成，也可由環氧樹脂等樹脂膜構成。1權利要求1、一種聲界面波裝置，依次層疊第1介質～第4介質，在第1介質和第2介質之間的界面上配置有電極，在層疊所述第4介質/第2介質/電極/第1介質形成的結構中，聲界面波或聲表面波的延遲時間溫度系數TCD為正值，所述第4或第2介質具有正的音速溫度系數TCV，所述第1介質具有負的音速溫度系數TCV，所述第3介質的橫波音速慢于所述第4介質及/或第2介質的橫波音速。2、根據權利要求l所述的聲界面波裝置，其特征在于所述第l介質由壓電基板構成，所述第2介質由氧化硅膜構成，所述第3介質由氧化鉭膜或氧化鋅膜構成，所述第4介質由氧化硅膜構成。3、一種聲界面波裝置，依次層疊第1介質第4介質，在第1介質和第2介質之間的界面上配置有電極，在層疊所述第4介質/第2介質/電極/第1介質形成的結構中，聲界面波或聲表面波的延遲時間溫度系數TCD為負值，所述第4或第2介質具有負的音速溫度系數TCV，所述第1介質具有正的音速溫度系數TCV，所述第3介質的橫波音速慢于所述第4介質及/或第2介質的橫波音速。4、一種聲界面波裝置，按依次層疊第1介質第4介質，在第1介質和第2介質之間的界面上配置有電極，在層疊所述第4介質/第2介質/電極/第1介質形成的結構中，聲界面波或聲表面波的延遲時間溫度系數TCD為正值，所述第4或第2介質具有負的音速溫度系數TCV，所述第1介質具有正的音速溫度系數TCV，所述第3介質的橫波音速快于所述第4介質及/或第2介質的橫波音速。5、一種聲界面波裝置，在依次層疊第1介質第4介質，在第1介質和第2介質之間的界面上配置有電極，在層疊所述第4介質/第2介質/電極/第1介質形成的結構中，聲界面波或聲表面波的延遲時間溫度系數TCD為負值，所述第4或第2介質具有正的音速溫度系數TCV，所述第1介質具有負的音速溫度系數TCV，所述第3介質的橫波音速快于所述第4介質及/或第2介質的橫波音速。6、根據權利要求5所述的聲界面波裝置，其特征在于所述第l介質由壓電基板構成，所述第2介質和第4介質由氧化硅膜構成，所述第3介質由硅膜或氮化硅膜構成。7、根據權利要求l-6之一所述的聲界面波裝置，其特征在于作為所述電極，具有至少1個IDT電極。全文摘要提供一種層疊第1～第4介質，在第1、第2介質間配置電極，延遲時間溫度系數的絕對值小，溫度特性良好的聲界面波裝置。一種聲界面波裝置(1)，按第1介質～第4介質的順序層疊第1～第4介質(11～14)，在第1介質(11)和第2介質(12)之間的界面上配置包含IDT電極(16)的電極，在層疊第4介質(14)/第2介質(12)/電極/第1介質11構成的結構中聲界面波的延遲時間溫度系數TCD為正值，第4或第2介質具有正的音速溫度系數TCV，第1介質(11)具有負的音速溫度系數TCV，第3介質(13)的橫波音速慢于第4介質(14)及/或第2介質(12)的橫波音速。文檔編號H03H9/25GK101454974SQ20078001921公開日2009年6月10日申請日期2007年5月11日優先權日2006年5月30日發明者神藤始申請人:株式會社村田制作所