專利名稱：多帶濾波器模塊以及制造該模塊的方法
技術領域：
與本發明一致的設備和方法涉及一種多帶濾波器模塊以及制造該模塊的方法，更具體地說，涉及一種通過至少兩個封裝的濾波器提供多帶功能的多帶濾波器模塊以及制造該模塊的方法。
背景技術：
全球移動通信系統(GSM)是這樣一種通信技術人們可在世界上的許多國家方便地使用移動通信裝置，而無需國際漫游。GSM在歐洲已經廣泛使用。
GSM大致劃分為GSM 850、GSM 900、GSM 1800和GSM 1900的頻段。如果在系統中使用上述頻段中的兩個，則稱為雙頻段，如果使用三個頻段，則稱為三頻段。如果使用四個頻段，則稱為四頻段。為了實現雙頻段功能，應該向傳統移動通信裝置提供至少兩個收發器濾波器。為了實現四頻段功能，應該向傳統移動通信裝置提供至少四個收發器濾波器。
圖1是示意性示出現有技術移動通信裝置中使用的四頻段濾波器模塊的示圖。
參照圖1，現有技術四頻段濾波器模塊100包括成線形布置在襯底120上的四個濾波器111、112、113和114。由上晶片130和下晶片140對襯底上的這些濾波器進行封裝。這些濾波器111至114分別在GSM 850、GSM 900、GSM 1800和GSM 1900的頻段中通信。
然而，在現有技術濾波器模塊中，四個濾波器111至114在一個襯底120上布置成一行，因此，增加了在濾波器模塊100的上晶片130上提供的輸出焊塊150_1、150_2、……、150_n(其中n是常數)的數量。例如，在向濾波器111至114中的每個提供六個電極的情況下，在上晶片130上提供24個輸出焊塊，而在下晶片140上沒有提供輸出焊塊。
因此，在接近地布置在濾波器模塊100的輸出焊塊之間產生耦合現象，這導致外部噪聲或濾波器111至114之間的干擾的流入。此外，由于耦合現象，現有技術濾波器模塊100不能執行根據頻帶的精確濾波，因此降低產品的產出(yield)。
發明內容
開發本發明以針對與多帶濾波器模塊的濾波器中的傳統布置關聯的上述缺點和問題。本發明的一方面在于提供一種多帶濾波器模塊和制造該模塊的第一，其可通過分布靠近地布置在襯底上的輸出焊塊來減少耦合現象并改善裝置的產出。
本發明的另一方面在于提供一種多帶濾波器模塊和制造該模塊的方法，其可減少集成濾波器的尺寸，并提高制造濾波器的便利性以降低制造成本。
根據本發明，通過提供一種多帶濾波器模塊來基本實現上述和其它方面，該模塊包括第一襯底，具有沉積在第一襯底的上表面上的至少一個上濾波器；第一封裝襯底，對沉積在第一襯底上的所述至少一個上濾波器進行封裝；第二襯底，具有沉積在第二襯底的上表面上的至少一個下濾波器；以及第二封裝襯底，對沉積在第二襯底上的所述至少一個下濾波器進行封裝。第一襯底的下表面連接到第二襯底的下表面，以彼此面對。
第一封裝襯底可包括第一晶片，通過在第一襯底的兩側上提供的第一和第二密封部分連接到第一襯底；以及第二晶片，沉積在第一晶片上，并包括電連接到所述至少一個上濾波器并形成在第二晶片的上表面上的多個焊塊。
優選地，但并非必須地，第二封裝襯底可包括第三晶片，通過在第二襯底的兩側上提供的第三和第四密封部分連接到第二襯底；以及第四晶片，沉積在第三晶片上，并包括電連接到所述至少一個下濾波器并形成在第四晶片的上表面上的多個焊塊。
所述至少一個上濾波器可包括下述濾波器中的至少一個第一濾波器，沉積在第一襯底的第一區域上，以對第一頻帶中的頻率進行濾波；以及第二濾波器，沉積在第一襯底的第二區域上，離開第一濾波器預定距離，以對第二頻帶中的頻率進行濾波。
所述至少一個下濾波器可包括下述濾波器中的至少一個第三濾波器，沉積在第二襯底上，以對第三頻帶中的頻率進行濾波；以及第四濾波器，沉積在第二襯底上，離開第三濾波器預定距離，以對第四頻帶中的頻率進行濾波。
所述至少一個上濾波器或所述至少一個下濾波器可包括全球移動通信系統(GSM)850頻帶濾波器、GSM 900頻帶濾波器、GSM 1800頻帶濾波器以及GSM 1900頻帶濾波器的不同濾波器中的至少一個，以執行多帶濾波。
可通過在相同襯底上集成至少兩個不同頻帶濾波器來形成所述至少一個上濾波器或所述至少一個下濾波器。
所述至少一個上濾波器或所述至少一個下濾波器是薄膜體聲波共振器(FBAR)。
所述至少一個上濾波器或所述至少一個下濾波器可包括腔體，形成在第一和第二襯底的預定區域上，彼此離開預定距離；下電極，位于第一和第二襯底上以覆蓋腔體；壓電層，位于下電極上；以及上電極，位于壓電層上。
第一襯底或第二襯底可包括至少一個腔體，并且形成在第一襯底上的所述至少一個腔體被連接到形成在第二襯底上的所述至少一個腔體以彼此面對。
根據本發明另一方面，提供一種制造多帶濾波器模塊的方法，該方法包括(a)將至少一個上濾波器沉積在第一襯底的上表面上；(b)對沉積在第一襯底上的所述至少一個上濾波器進行封裝；(c)將至少一個下濾波器沉積在第二襯底的上表面上；(d)對沉積在第二襯底上的所述至少一個下濾波器進行封裝；以及(e)將第一襯底的下表面連接到第二襯底的下表面以彼此面對。
在操作(a)中，所述至少一個上濾波器中的每一個可沉積在第一襯底的不同區域，所述至少一個上濾波器彼此離開預定距離，并且操作(b)包括(b1)提供第一晶片，并在第一晶片上沉積第二晶片，所述第二晶片包括形成在第二晶片的上表面上并且電連接到所述至少一個上濾波器的多個焊塊，以及(b2)通過在第一襯底的兩側提供的第一和第二密封部分將第一晶片連接到第一襯底。
在操作(c)中，所述至少一個下濾波器中的每一個可沉積在第二襯底的不同區域上，所述至少一個下濾波器彼此離開預定距離，并且步驟(d)包括(d1)提供第三晶片，并在第三晶片上沉積第四晶片，所述第四晶片包括形成在第四晶片的上表面上并且電連接到所述至少一個下濾波器的多個焊塊，以及(d2)通過在第二襯底的兩側提供的第三和第四密封部分將第二襯底連接到第三晶片。
通過下面結合附圖進行的對特定實施例的描述，本發明的上述方面和特點將會變得更加清楚，其中圖1是示意性示出現有技術移動通信裝置中使用的四頻帶濾波器模塊的示圖；圖2是示意性示出根據本發明示例性實施例的具有多帶功能的濾波器模塊的垂直縱向截面圖；圖3A和圖3B是示出根據本發明示例性實施例的圖2中所示的第一濾波器模塊和第二濾波器模塊的垂直縱向截面圖；圖4A至4C是解釋根據本發明示例性實施例的制造圖2中所示的第一濾波器模塊的處理的垂直縱向截面圖；圖5A至5C是解釋根據本發明示例性實施例的制造圖2中所示的第二濾波器模塊的處理的垂直縱向截面圖；以及圖6是解釋根據本發明示例性實施例的第一濾波器模塊連接到第二濾波器模塊的處理的示圖。
具體實施例方式
將參照附圖更加詳細地描述本發明的特定示例性實施例。
在以下描述中，即使在不同的附圖中，相同的標號也表示相同的部件。諸如詳細構造和部件的在描述中定義的內容僅被提供以幫助全面理解本發明。因此，應理解，可在沒有這些定義的內容的情況下實施本發明。此外，由于公知功能或構造將在不必要的細節上使本發明模糊，因此將省略對其的詳細描述。
圖2是示意性示出根據本發明示例性實施例的具有多帶功能的濾波器模塊的垂直縱向截面圖。圖3A和圖3B是示出根據本發明示例性實施例的圖2中所示的第一濾波器模塊和第二濾波器模塊的垂直縱向截面圖。
參照圖2，根據本發明示例性實施例的濾波器模塊200包括第一濾波器模塊300、第二濾波器模塊400、第一至第n焊塊200_1、200_2、……、以及200_n(其中，n是常數)。
在移動通信裝置上安裝濾波器模塊200以通過使用至少兩個濾波器來向裝置提供多帶功能。在該示例性實施例中，以下將描述使用四個濾波器的四頻段功能。用于本發明示例性實施例的四個濾波器是GSM 850頻帶濾波器、GSM 900頻帶濾波器、GSM 1800頻帶濾波器和GSM 1900頻帶濾波器。每一頻段的頻率范圍如下。
GSM 850頻段位于824至894MHz的范圍、GSM 900頻段位于880至960MHz的范圍、GSM 1800頻段位于1710至1880MHz的范圍、GSM 1900頻段位于1850至1990MHz的范圍。
在提供雙頻段功能的情況下，可使用與四個GSM頻段中的兩個頻段對應的兩個濾波器。
根據SOC(System-On-Chip，片上系統)和SIP(System-In-Package，系統級封裝)技術在濾波器模塊200中集成本發明示例性實施例中使用的四個濾波器。例如，通過將至少兩個不同頻帶濾波器集成在相同襯底上來制成上濾波器和下濾波器中的至少一個，并將上濾波器和下濾波器集成地封裝，下文將對其進行描述。
參照圖3A，第一濾波器模塊300包括第一濾波器310、第二濾波器320、第一襯底330、第一封裝襯底340、第一密封部分351、第二密封部分352、第一金屬361和第二金屬362。
按照以下方式來配置第一濾波器模塊300，作為上濾波器的第一濾波器310和第二濾波器320形成在第一襯底330和第一封裝襯底340之間，從而提供雙頻段功能。
為此，第一濾波器模塊300采用第一濾波器310和第二濾波器320以對相似頻帶濾波。也就是說，第一濾波器310對第一頻帶中的頻率濾波，第二濾波器320對第二頻帶中的頻率濾波。例如，第一濾波器310對GSM 850頻段中的頻率濾波，第二濾波器320對GSM 900頻段中的頻率濾波。
通過薄膜體聲波共振器(下文中稱為“FBAR”)來實現第一濾波器310和第二濾波器320。FBAR可以最小成本大批量生產，并可以容易地變薄和變輕。此外，通過SOC技術由第一濾波器模塊300來實現第一濾波器310和第二濾波器320。SOC技術在于將具有不同功能的裝置集成為一個芯片，從而縮短在裝置之間發送數據所需的時間，并改進其可靠性。
由FBAR實現的第一濾波器310包括第一腔體311、下電極312、壓電層313、上電極314。第一腔體311通過對第一襯底330進行濕法蝕刻或干法蝕刻而形成，并可由氣隙(air gap)類型FABR來實現。下電極312位于第一襯底330的上表面的第一期望區域中，以覆蓋第一腔體311。壓電層313位于下電極312的上表面上，上電極314位于壓電層313上。
由諸如金屬的導電材料制成下電極312和上電極314，并將氮化鋁(AlN)或氧化鋅(ZnO)用作典型壓電材料，但本發明不限于此。可將濺射和蒸發中的任意一個用作沉積方法。這樣，如果下電極312和上電極314連接到電源，則壓電層313由于上和下電極之間的聲波而導致生成壓電現象以進行共振。
第二濾波器320具有與第一濾波器310相似的結構，因此在此省略其詳細描述。然而，第二濾波器320離開第一濾波器310預定距離，并位于第一襯底330的第二期望區域上。沉積第二濾波器320的下電極以覆蓋第二腔體321。
第一封裝襯底340具有第一晶片341和第二晶片342。第一晶片341粘附到第一襯底330的兩側，即在第一濾波器310和第二濾波器320的每一側提供的第一密封部分351和第二密封部分352。第二晶片342沉積在第一晶片341上，并具有以外部電源電連接第一濾波器310和第二濾波器320的多個焊塊200_1、200_2、……、200_n。
第一金屬361、第二金屬362、第一連接電極371、第二連接電極372、第一耦合電極381、第二耦合電極382、第一焊塊電極391、以及第二焊塊電極392充當多個焊塊200_1、200_2等、第一濾波器310以及第二濾波器320之間的電路徑。為此，第一金屬361和第二金屬362可主要包括金或錫化金。
按以下方式來配置圖3B所示的第二濾波器模塊400作為下濾波器的第三濾波器410和第四濾波器420形成在第二襯底430和第二封裝襯底440之間，從而提供雙頻段功能。為此，第二濾波器模塊400采用第三濾波器410和第四濾波器420以對相似頻帶濾波。也就是說，第三濾波器410對第三頻帶中的頻率濾波，第四濾波器420對第四頻帶中的頻率濾波。例如，第三濾波器410對GSM 1800頻段中的頻率濾波，第四濾波器420對GSM 1900頻段中的頻率濾波。
由FBAR來實現第三濾波器410和第四濾波器420。通過SOC技術由第二濾波器模塊400來實現第三濾波器410和第四濾波器420。以相似于形成第一濾波器310和第二濾波器320的方法來制造第三濾波器410和第四濾波器420，在此不對其進行描述。然而，第三金屬461、第四金屬462、第三穿孔(piercing)電極471、第四穿孔電極472、第三耦合電極481、第四耦合電極482、第三焊塊電極491、以及第四焊塊電極492充當第四晶片442提供的多個焊塊200_3、200_4等、第三濾波器410和第四濾波器420之間的電路徑。
通過SIP技術將第一濾波器模塊300和第二濾波器模塊400彼此粘附。SIP技術用于執行將多個芯片作為一個封裝的表面貼裝，這樣縮短了設計周期，并適用于裝置的小型化。
提供第一至第n焊塊200_1至200_n以將第一至第四濾波器310、320、410、420與外部電源連接，并且可用球形焊塊(ball bump)類型來實現第一至第n焊塊200_1至200_n。將引線鍵合到第一至第n焊塊200_1至200_n。將第一至第n焊塊200_1至200_n提供在第二晶片342和第四晶片442的上表面，如圖2所示。
圖4A至4C是解釋根據本發明示例性實施例的制造圖2中所示的第一濾波器模塊的處理的垂直縱向截面圖。
首先，如圖4A所示，對第一頻帶中的頻率濾波的第一濾波器310沉積在第一襯底330上。在此情況下，第一濾波器310具有形成在第一襯底330上的第一腔體311。第二濾波器320離開第一濾波器310預定距離，并沉積在第一襯底330上。第二濾波器320具有下電極312。第一密封部分351、第二密封部分352、第一金屬361以及第二金屬362粘附到第一襯底330的兩側。
接下來，如圖4B所示，第二晶片342沉積在第一晶片341上，第一和第二焊塊200_1和200_2電連接到提供在第二晶片342的上表面上的第一濾波器310和第二濾波器320。第一密封部分351、第二密封部分352、第一金屬361和第二金屬362粘附到第一晶片341的底部表面。第一穿孔電極371、第二穿孔電極372、第一耦合電極381、第二耦合電極382、第一焊塊電極391、以及第二焊塊電極392形成在第一晶片341和第二晶片342上。
參照圖4C，如圖4A所示的在第一襯底330的底部表面上提供的第一密封部分351、第二密封部分352、第一金屬361以及第二金屬362分別連接到如圖4B所示的在第一晶片341的底部表面上提供的第一密封部分351、第二密封部分352、第一金屬361以及第二金屬362，這樣來制造第一濾波器模塊300。
圖5A至5C是解釋根據本發明示例性實施例的制造圖2中所示的第二濾波器模塊的處理的垂直縱向截面圖。
首先，如圖5A所示，對第三頻帶中的頻率濾波的第三濾波器410沉積在第二襯底430上。在此情況下，第三濾波器410具有形成在第二襯底430上的第三腔體411。第四濾波器420離開第三濾波器410預定距離，并沉積在第二襯底430上。第四濾波器420具有第四腔體412。第三密封部分451、第四密封部分452、第三金屬461以及第四金屬462粘附到第二襯底430的兩側。
接下來，如圖5B所示，第四晶片442沉積在第三晶片441上，第三和第n焊塊200_3和200_n電連接到提供在第四晶片442的上表面上的第三濾波器410和第四濾波器420。第三密封部分451、第四密封部分452、第三金屬461和第四金屬462粘附到第三晶片441的底部表面。第三穿孔電極471、第四穿孔電極472、第三耦合電極481、第四耦合電極482、第三焊塊電極491、以及第四焊塊電極492形成在第三晶片441和第四晶片442上。
參照圖5C，如圖5A所示的在第二襯底430的底部表面上提供的第三密封部分451、第四密封部分452、第三金屬461以及第四金屬462分別連接到如圖5B所示的在第三晶片441的底部表面上提供的第三密封部分451、第四密封部分452、第三金屬461以及第四金屬462，這樣來制造第二濾波器模塊400。
標號300a、300b、300c、400a、400b和400c是耦合部件，每一個形成在第一襯底330的底部表面和第二襯底430的底部表面上，以將第一濾波器模塊300連接到第二濾波器模塊400，并且可用金屬制成。耦合部件300a、300b、300c、400a、400b和400c優選地在第一濾波器模塊300和第二濾波器模塊400完成之后形成，但本發明不限于此。
如果制成第二濾波器模塊400，如圖6所示，則在第一至第n焊塊200_1、200_2、……、200_n形成在第二晶片342的上端和第四晶片442的上端之后，通過引線鍵合將第一至第n焊塊200_1、200_2、……、200_n連接到第一至第四濾波器310、320、410和420。例如，經由第一焊塊100_1以及第一封裝襯底340將功率傳遞到第一濾波器310。當封裝第一濾波器模塊300和第二濾波器模塊400時，按照第一襯底330的底部表面與第二襯底430的底部表面面對的方式來連接第一襯底330和第二襯底430。這樣，完全地制造支持GSM標準的濾波器模塊。
同時，本發明可不僅應用于使用GSM的移動通信裝置的接收機，還可應用于使用通用移動通信系統(UMTS)的移動通信裝置的接收機。UMTS用于通過GSM和寬帶碼分多址(WCDMA)發送和接收數據，并可發送和接收具有高性能的聲音信號和運動圖像信號。
在本發明示例性實施例中，分別使用適用于GSM 850、GSM 900、GSM1800和GSM 1900的第一至第四濾波器310、320、410和420來提供四頻段功能。然而，這是示例性的，本發明還可應用作為對GSM 850、GSM 900、GSM 1800和GSM 1900中的兩個頻段或三個頻段濾波的雙頻段和三頻段。
通過以上描述，根據多帶濾波器模塊及其制造方法，濾波器模塊使用至少兩個濾波器，從而執行多帶濾波。在此情況下，由于通過SIP技術封裝至少兩個濾波器，因此與現有技術相比，減少了用于該處理的晶片的數量，減小了尺寸，并節約了制造成本。
由于連接每一濾波器與外部電極的焊塊分布在濾波器模塊的上表面和下表面上，因此減少了焊塊的數量，從而減少了耦合現象，并因此增加了產出。
此外，由于在濾波器模塊的上和下表面上提供每一焊塊，因此可方便地執行處理。
由于通過SOC技術和SIP技術來制造四頻段濾波器模塊，因此縮短的處理時間，并且容易對設備小型化。
具體地說，對相似頻帶濾波的至少兩個濾波器通過SOC技術而集成，從而改善了濾波器模塊的性能，并簡化了處理。
前述實施例和優點僅時示例性的，而不應理解為限制本發明。該教導可容易地應用于其它類型的設備。此外，本發明的示例性實施例的描述期望示出權利要求的范圍，而并非對其進行限制，許多替換、修改和改變對于本領域技術人員是明顯的。
權利要求
1.一種多帶濾波器模塊，包括第一襯底，具有沉積在第一襯底的上表面上的至少一個上濾波器；第一封裝襯底，對沉積在第一襯底上的所述至少一個上濾波器進行封裝；第二襯底，具有沉積在第二襯底的上表面上的至少一個下濾波器；以及第二封裝襯底，對沉積在第二襯底上的所述至少一個下濾波器進行封裝；其中，第一襯底的下表面連接到第二襯底的下表面，以彼此面對。
2.如權利要求1所述的多帶濾波器模塊，其中，第一封裝襯底包括第一晶片，通過在第一襯底的兩側上提供的第一和第二密封部分連接到第一襯底；以及第二晶片，沉積在第一晶片上，并包括電連接到所述至少一個上濾波器并形成在第二晶片的上表面上的多個焊塊。
3.如權利要求1所述的多帶濾波器模塊，其中，第二封裝襯底包括第三晶片，通過在第二襯底的兩側上提供的第三和第四密封部分連接到第二襯底；以及第四晶片，沉積在第三晶片上，并包括電連接到所述至少一個下濾波器并形成在第四晶片的上表面上的多個焊塊。
4.如權利要求1所述的多帶濾波器模塊，其中，所述至少一個上濾波器包括下述濾波器中的至少一個第一濾波器，沉積在第一襯底的第一區域上，以對第一頻帶中的頻率進行濾波；以及第二濾波器，沉積在第一襯底的第二區域上，離開第一濾波器預定距離，以對第二頻帶中的頻率進行濾波。
5.如權利要求4所述的多帶濾波器模塊，其中，所述至少一個下濾波器包括下述濾波器中的至少一個第三濾波器，沉積在第二襯底上，沉積在第二襯底上，以對第三頻帶中的頻率進行濾波；以及第四濾波器，沉積在第二襯底上，離開第三濾波器預定距離，以對第四頻帶中的頻率進行濾波。
6.如權利要求5所述的多帶濾波器模塊，其中，第一、第二第三和第四濾波器中的每一個包括頻帶濾波器，對來自其它濾波器的不同頻帶進行濾波；以及其中，與第三或第四濾波器的頻帶相比，第二濾波器的頻帶更相似于第一濾波器的頻帶，與第一或第二濾波器相比，第三濾波器的頻帶更相似于第四濾波器的頻帶。
7.如權利要求5所述的多帶濾波器模塊，其中，第一、第二第三和第四濾波器中的每一個分別包括第一、第二、第三和第四腔體，其中，第一和第二腔體分別形成在第一襯底的第一和第二預定區域，第三和第四腔體分別形成在第二襯底的第三和第四預定區域；第一、第二、第三和第四下電極，其中，第一和第二下電極位于第一襯底上，以分別覆蓋第一和第二腔體，第三和第四下電極位于第二襯底上，以分別覆蓋第三和第四腔體；第一、第二、第三和第四壓電層，分別位于第一、第二第三和第四下電極上以及第一、第二、第三和第四上電極，分別位于第一、第二第三和第一壓電層上。
8.如權利要求7所述的多帶濾波器模塊，其中，第一腔體連接到第三腔體，第二腔體連接到第四腔體。
9.如權利要求1所述的多帶濾波器模塊，其中，所述至少一個上濾波器或所述至少一個下濾波器包括全球移動通信系統(GSM)850頻帶濾波器、GSM 900頻帶濾波器、GSM 1800頻帶濾波器以及GSM 1900頻帶濾波器中的一個，以執行多帶濾波。
10.如權利要求1所述的多帶濾波器模塊，其中，通過在作為第一襯底或第二襯底的相同襯底上集成至少兩個不同頻帶濾波器來形成所述至少一個上濾波器或所述至少一個下濾波器。
11.如權利要求10所述的多帶濾波器模塊，其中，從GSM 850頻帶濾波器、GSM 900頻帶濾波器、GSM 1800頻帶濾波器以及GSM 1900頻帶濾波器中選擇所述至少兩個不同的頻帶濾波器。
12.如權利要求1所述的多帶濾波器模塊，其中，所述至少一個上濾波器或所述至少一個下濾波器是薄膜體聲波共振器(FBAR)。
13.如權利要求12所述的多帶濾波器模塊，其中，所述至少一個上濾波器包括腔體，形成在第一襯底的預定區域；下電極，位于第一襯底上以覆蓋腔體；壓電層，位于下電極上；以及上電極，位于壓電層上。
14.如權利要求13所述的多帶濾波器模塊，其中，所述至少一個下濾波器包括腔體，形成在第二襯底的預定區域；下電極，位于第二襯底上以覆蓋腔體；壓電層，位于下電極上；以及上電極，位于壓電層上。
15.如權利要求14所述的多帶濾波器模塊，其中，形成在第一襯底的預定區域上的腔體連接到形成早第二襯底的預定區域上的腔體。
16.一種制造多帶濾波器模塊的方法，該方法包括(a)將至少一個上濾波器沉積在第一襯底的上表面上；(b)對沉積在第一襯底上的所述至少一個上濾波器進行封裝；(c)將至少一個下濾波器沉積在第二襯底的上表面上；(d)對沉積在第二襯底上的所述至少一個下濾波器進行封裝；以及(e)將第一襯底的下表面連接到第二襯底的下表面以彼此面對。
17.如權利要求16所述的方法，其中，在操作(a)中，所述至少一個上濾波器中的每一個沉積在第一襯底的不同區域，所述至少一個上濾波器彼此離開預定距離，并且操作(b)包括(b1)提供第一晶片，并在第一晶片上沉積第二晶片，所述第二晶片包括形成在第二晶片的上表面上并且電連接到所述至少一個上濾波器的多個焊塊，以及(b2)通過在第一襯底的兩側提供的第一和第二密封部分將第一晶片連接到第一襯底。
18.如權利要求17所述的方法，其中，在操作(c)中，所述至少一個下濾波器中的每一個沉積在第二襯底的不同區域上，所述至少一個下濾波器彼此離開預定距離，并且步驟(d)包括(d1)提供第三晶片，并在第三晶片上沉積第四晶片，所述第四晶片包括形成在第四晶片的上表面上并且電連接到所述至少一個下濾波器的多個焊塊，以及(d2)通過在第二襯底的兩側提供的第三和第四密封部分將第二襯底連接到第三晶片。
19，如權利要求16所述的方法，其中，所述至少一個上濾波器或所述至少一個下濾波器是薄膜體聲波共振器(FBAR)。
20.如權利要求16所述的方法，其中，所述至少一個上濾波器或所述至少一個下濾波器包括全球移動通信系統(GSM)850頻帶濾波器、GSM 900頻帶濾波器、GSM 1800頻帶濾波器以及GSM 1900頻帶濾波器中的一個，以執行多帶濾波。
21.如權利要求16所述的方法，其中，通過在作為第一襯底或第二襯底的同一襯底上集成至少兩個不同頻帶濾波器來形成所述至少一個上濾波器或所述至少一個下濾波器。
22.如權利要求21所述的方法，其中，從GSM 850頻帶濾波器、GSM900頻帶濾波器、GSM 1800頻帶濾波器以及GSM 1900頻帶濾波器中選擇所述至少兩個不同的頻帶濾波器。
全文摘要
公開一種多帶濾波器模塊以及制造該多帶濾波器模塊的方法。將至少一個上濾波器沉積在第一襯底的上表面上。第一封裝襯底對沉積在第一襯底上的上濾波器進行封裝。將至少一個下濾波器沉積在第二襯底的上表面上。第二封裝襯底對沉積在第二襯底上的下濾波器進行封裝。第一襯底的下表面連接到第二襯底的下表面以彼此面對。
文檔編號H03H3/02GK101018044SQ200610156680
公開日2007年8月15日 申請日期2006年12月30日 優先權日2006年2月6日
發明者樸允權, 宋寅相, 金哲秀, 南光祐 申請人:三星電子株式會社