專利名稱：磁性編碼器的制作方法
技術領域：
本發明涉及使用磁性傳感器的磁性編碼器，所述磁性傳感器帶有旋轉閥(spin valve)型巨大磁致電阻效應膜。
背景技術：
近年來，應用于諸如小型機器人、數碼相機和噴墨打印機的民用設備的磁性編碼器被要求不僅便宜和小型化，而且具有高分辨率和優異的間隙輸出特性。換句話說，要求磁性編碼器小型化但不需要用于加倍信號頻率的處理電路，并且還可以對抗間隙變化而在其運行期間維持穩定的輸出。此外，要求低的電功率消耗。
在傳統的磁性編碼器中，應用了由各向異性磁致電阻效應膜(以下稱為“AMR元件”)形成的磁性電阻器。AMR元件被廣泛地使用，因為即使在相對較小的磁場區域中，電阻也會在某種程度上根據其中的磁場變化而變化，并且因為其膜容易被制造。然而，需要將該膜加厚到20nm至40nm，以便具有NiFe合金薄膜或NiCo合金薄膜的AMR元件獲得穩定的磁致電阻效應。但是，它們很難使用，因為元件的電阻由于更厚的膜而減小。如果AMR元件的寬度尺寸被減小以增加分辨率，形狀各向異性(Hk)與更厚的膜的影響一起增加，并且在弱磁場區域內不能獲得足夠的電阻變化來產生期望的電輸出。由于該原因，很難提高使用AMR元件的磁性編碼器中的分辨率。增加該分辨率意味著縮小元件的間距和/或介質上的磁化，并增加單位長度的電輸出信號數。
代替很難提高分辨率的AMR元件，使用耦合的巨大磁致電阻效應膜(以下稱為“耦合GMR元件”)的元件在日本專利2812042中被公開。該耦合GMR元件具有AMR元件的兩至四倍的電阻變化率(variation ratio)。在日本專利2812042中說明的耦合GMR元件中，使用了具有十層交替層疊的NiCoFe薄膜和非磁性金屬薄膜的人造柵格金屬膜。多層鐵磁薄膜和非磁性金屬薄膜導致大的磁致電阻變化率。然而，很難實現低電功率消耗，因為非磁性金屬薄膜為良好電傳導物質并且膜的電阻低至AMR元件的一半至三分之一。耦合GMR元件具有20％至30％的電阻變化率，但是電阻變化率只能通過在大的磁場中使用它們來獲得。由于該理由，很難在如磁性編碼器的相對較小的磁場中使用它們。
有一種用在硬盤存儲設備(HDD)的磁頭中的旋轉閥型巨大磁致電阻效應膜，是在相對小的磁場區域內呈現與耦合GMR元件一樣的電阻變化率的膜。如在日本專利3040750中說明的，旋轉閥型巨大磁致電阻效應膜由固定磁化層(pinned magnetic layer)、非磁化導電層和自由磁化層組成，在所述固定磁化層中，磁化方向不隨外部磁場(或磁通)方向的變化而改變，在所述自由磁化層中，磁化方向跟隨外部磁場的變化而改變。從旋轉閥型巨大磁致電阻效應膜機械加工的元件(以下稱為“SVGMR元件”)具有耦合GMR元件五倍至六倍的電阻，并且當它被用于磁性傳感器時，容易實現電功率消耗的減少。同樣，它可以工作在如1A/m至160A/m，即約0.006Oe至20Oe的相對較小磁場區域中。
然而，磁性編碼器具有只能通過用SVGMR元件來代替AMR元件和耦合GMR元件來減小分辨率的缺點。當SVGMR元件與用N極和S極交替磁化、具有磁化間距λ的磁性介質一起使用時，信號具有為磁化間距的兩倍的2λ輸出周期。換句話說，分辨率變成一半。這是由磁致電阻變化特性導致的，并且在傳統編碼器結構中無法避免分辨率的減小。
這是因為SVGMR元件具有如下特性當在與元件中的固定磁化層的磁化方向相同的方向上施加外部磁場時，元件的電阻改變，而當相反地施加外部磁場時，元件的電阻不改變。或者因為SVGMR元件具有如下特性當在與元件中的固定磁化層的磁化方向相同的方向上施加外部磁場時，元件的電阻不改變，而當相反地施加外部磁場時，元件的電阻改變。當磁性介質被磁化具有磁化間距λ時，磁場方向對于每個λ改變。因為此，SVGMR元件的電阻以兩倍磁化間距2λ的周期改變。相反，使用耦合GMR元件或AMR元件提供了周期為λ的電信號。耦合GMR元件和AMR元件在沒有磁場的狀態下顯示出最大的電阻，并且當外部磁場增加時電阻減小。即，不管磁場方向，由磁場強度的增加和減小產生信號。由于該原因，可以得到與磁化間距λ相同周期的電信號。SVGMR元件未被應用于磁性編碼器是因為它們幾乎不能滿足市場要求的高分辨率。然而，由于SVGMR元件在相對小的磁場區域內呈現出與耦合GMR元件一樣的磁致電阻變化率以及耦合GMR元件五倍至六倍的電阻，很難放棄可以通過SVGMR元件來容易地實現低電功率消耗的優點。
發明內容
本發明的一個目的是提供一種磁性編碼器，包括由SVGMR元件組成的磁性傳感器和具有在相反方向交替磁化的連續磁化的磁性介質，提供了具有磁性介質的磁化區域周期的一半的周期的電信號，提供了磁性編碼器中的低電功率消耗，并提供了相對于間隙變化的穩定輸出屬性。
根據本發明的磁性編碼器包括在一個方向上延伸并具有第一磁化區域和第二磁化區域的磁性介質，所述第一磁化區域和第二磁化區域連續和彼此交替地設置在所述介質上并沿所述介質彼此相反地磁化；以及磁性傳感器，具有偶數個SVGMR元件，所述SVGMR元件具有以預定間隙面向所述介質的矩形平面，并且沿所述介質的延伸方向可相對于所述介質移動。第一磁化區域和第二磁化區域具有彼此不同的長度，并且它們中較長的一個具有長度λl，它們中較短的一個具有長度λs。SVGMR元件的矩形平面與介質延伸方向垂直地延伸。偶數個SVGMR元件中的每一個沿介質的延伸方向彼此間隔由(λl+λs)/2定義的長度λ。每一個SVGMR元件為固定磁化層、非磁性導電層和自由磁化層按它們的順序的層疊，并且所有SVGMR元件中的固定磁化層具有沿介質延伸方向相同方向的磁化。當外部磁場以與SVGMR元件的固定磁化層的磁化相同的方向被施加到SVGMR元件時，SVGMR元件呈現出最小的電阻，并且當外部磁場以與SVGMR元件的固定磁化層的磁化相反的方向被施加到SVGMR元件時，呈現出最大的電阻。該偶數個SVGMR元件被串聯地電連接，并且從電連接的SVGMR元件的電端子取出信號輸出。
當SVGMR元件中自由磁化層的磁化與固定磁化層的磁化反平行時，SVGMR元件對于流經SVGMR元件的電流呈現出最大電阻，而當SVGMR元件中自由磁化層的磁化與固定磁化層的磁化平行時，SVGMR元件呈現出最小電阻。在可應用于本發明的SVGMR元件中，在外部磁場未施加到SVGMR元件或以與固定磁化層的磁化相反的方向施加外部磁場的情形下，自由磁化層的磁化與固定磁化層的磁化反平行，并且當以與固定磁化層的磁化相同的方向施加外部磁場時，自由磁化層的磁化變得與外部磁場的方向相同，即，與固定磁化層的磁化一樣，并且當外部磁場增加到足夠強度時，自由磁化層的磁化變得與固定磁化層的磁化平行，并且SVGMR元件呈現出最小電阻。或者，當外部磁場未施加到SVGMR元件或以與固定磁化層的磁化相同的方向施加外部磁場時，自由磁化層的磁化變得與固定磁化層的磁化平行，并且SVGMR元件呈現出最小電阻，并且當以與固定磁化層的磁化相反的方向施加外部磁場時，自由磁化層的磁化變得與外部磁場的方向相同，即，與固定磁化層的磁化相反，然后，當外部磁場變為足夠強度時，自由磁化層的磁化變得與固定磁化層的磁化反平行，并且SVGMR元件呈現出最大電阻。
在SVGMR元件中，由固定磁化層和/或自由磁化層的材料以及固定磁化層和自由磁化層之間插入的非磁性導電層的厚度來決定在未施加外部磁場的情形下，自由磁化層的磁化與固定磁化層的磁化是平行還是反平行。
本發明的磁性編碼器可以使用在圓盤的圓周或端面形成或以線性磁性尺度形成的磁性介質。由于磁性編碼器的磁性介質的形狀眾所周知，在這里省略其詳細說明。
在本發明的磁性編碼器的磁性介質中，要求第一磁化區域在長度上不同于第二磁化區域。當由第一和第二磁化區域中的較長區域形成電阻中的較高部分(山峰)時，出現電阻的較高部分與相鄰的電阻較高部分的重疊，并且重疊的較高部分和非重疊的較高部分之間的電阻差顯現。當由第一和第二磁化區域中的較短區域形成電阻中的較高部分(山峰)時，電阻的較高部分的裙部(skirt)與相鄰電阻的較高部分的裙部不重疊，使得較高部分和較低部分之間的電阻差顯現。但是，當第一磁化區域具有與第二磁化區域相同的長度時，電阻的較高部分的裙部與相鄰的電阻的較高部分的裙部重疊，使得電阻的較低部分不出現，并且電阻差減小使得很難取得輸出。
在本發明的磁性編碼器中，所述磁性傳感器由偶數個SVGMR元件組成，每一個SVGMR元件沿介質的延伸方向彼此間隔λ。當SVGMR元件被置于面向第一磁化區域或第二磁化區域時，SVGMR元件的電阻從最小值R2變化到最大值R1以呈現電阻的山峰。由于磁性傳感器是由偶數個串聯并相互間隔λ的SVGMR元件組成，由SVGMR元件的間隔λ導致電阻山峰，并且信號輸出具有的周期為磁性圖周期(λl+λs)的一半。
此外，在本發明的磁性編碼器中，最好每個SVGMR元件沿介質延伸方向的寬度w等于或小于λs。
在以間隔λ重復的SVGMR元件的電阻山峰中，電阻變化的一部分具有長度w。假設當SVGMR元件位于面向第一磁化區域時呈現出最大電阻R1，并且當它位于面向第二磁化區域時呈現出最小電阻R2，由于SVGMR元件當它在第一磁化區域前沿之前w時面向第二磁化區域，SVGMR元件具有電阻R2。當它從第一磁化區域前沿之前w的位置進一步接近第一磁化區域時，SVGMR元件的一部分開始面向第一磁化區域，并且SVGMR元件的自由磁化層的磁化受到第一磁化區域影響，開始從自由磁化層的磁化平行于固定磁化層的磁化的位置轉變。因而，SVGMR元件的電阻從最小值R2上升。當SVGMR元件面向第一磁化區域的程度進一步增加時，電阻增加，并且當SVGMR元件到達完全面向第一磁化區域的位置時，SVGMR元件的自由磁化層的磁化變成與固定磁化層的磁化反平行，以使電阻幾乎為最大值R1。SVGMR元件從面向第一磁化區域的位置前進以達到在第二磁化區域前沿之前w的位置。此外，SVGMR元件前進并且SVGMR元件的一部分開始面向第二磁化區域，在這里，來自第一磁化區域的磁場減弱，使得SVGMR元件的自由磁化層的磁化開始從它與固定磁化層的磁化反平行的位置旋轉，并且SVGMR元件的電阻從最大值R1減小。當SVGMR元件從它面向第一磁化區域的位置進一步前進并且到達完全面向第二磁化區域的位置時，SVGMR元件的自由磁化層的磁化變得與固定磁化層的磁化平行，并且電阻變成最小值R2，因為來自第一磁化區域的磁場開始不對SVGMR元件的自由磁化層起作用。SVGMR元件的電阻從最小值R2變化到最大值R1或從最大值R1變化到最小值R2的區域的長度與SVGMR元件的寬度w幾乎相同。SVGMR元件的電阻以相同的方式改變，即使當SVGMR元件位于SVGMR元件面向第一磁化區域的位置時它是最小值R2，以及當SVGMR元件位于SVGMR元件面向第二磁化區域的位置時為最大電阻R1。
因而，SVGMR元件的電阻在SVGMR元件面向第二/第一磁化區域的位置時為最小值R2，并且從它距離第一/第二磁化區域的邊緣w的位置，電阻逐漸上升，盡管SVGMR元件面向第二/第一磁化區域，并且在SVGMR元件完全面向第一/第二磁化區域的位置，SVGMR元件的電阻變得幾乎為最大值R1。并且當從它在第二/第一磁化區域的邊緣之前w的位置時，SVGMR元件的電阻逐漸減小，盡管SVGMR元件面向第一/第二磁化區域，并且在SVGMR元件完全面向第二/第一磁化區域的位置，SVGMR元件的電阻變為最小值R2。假設第一磁化區域具有較長的磁化區域長度λl，并且第二磁化區域具有較短的磁化區域長度λs，則SVGMR元件的電阻山峰的裙部的長度為w，并且電阻山峰的峰值長度幾乎為λl-w或λs-w。
SVGMR元件的電阻山峰的峰值長度為λl-w或λs-w是由與第二磁化區域或第一磁化區域的磁化方向相同的SVGMR元件的固定磁化層的磁化決定的。然而，由于第一磁化區域或第二磁化區域可以相互代替，應該理解，電阻山峰的峰值長度可以是λl-w和λs-w。這里，由于假設λl＞λs，如果較短的磁化區域長度λs小于w，則SVGMR元件不能完全面向該較短的磁化區域并且電阻不能為最大/最小值。因而，SVGMR元件的寬度w必須等于或短于該較短的磁化區域長度λs。
在根據本發明的磁化編碼器中，期望磁性傳感器具有沿介質延伸方向彼此間隔λ·(1/2+n)的第一傳感器和第二傳感器，其中n為0或正整數。第一和第二傳感器的每一個由相同偶數個SVGMR元件組成，所述SVGMR元件被串聯電連接，并且沿介質延伸方向與另一個SVGMR元件間隔λ。第一傳感器的電端子，即形成第一傳感器的偶數個SVGMR元件的開放電端子中的一個被電連接至第二傳感器的電端子，即形成第二傳感器的偶數個SVGMR元件的開放電端子中的一個。在第一傳感器的另一個端子，即形成第一傳感器的偶數個SVGMR元件的開放電端子中的另一個和第二傳感器的另一個端子，即形成第二傳感器的偶數個SVGMR元件的開放電端子中的另一個之間施加測量電壓。從第一傳感器和第二傳感器之間連接的電端子取出信號輸出。
在本發明的磁性編碼器中，由于第一傳感器和第二傳感器沿介質延伸方向彼此間隔距離λ(1/2+n)，由定義為(λl+λs)/2的長度λ和包括0的正整數n來表達，第一傳感器的電阻圖與第二傳感器的電阻圖在相位上相差1/2·λ。取出第一傳感器和第二傳感器之間的中點電勢作為信號輸出，可以得到橋式輸出。
在本發明的磁性編碼器中，期望較長的磁化區域長度λl等于或大于λ+w，并且較短的磁化區域長度λs等于或小于λ-w。
當在磁性編碼器中較長的磁化區域長度λl等于或大于λ+w時，它導致λl-λ-w≥0。附帶地，如果SVGMR元件的電阻山峰出現在面向較長磁化區域的位置，則從上述SVGMR元件前進或后退λ的SVGMR元件在從上述電阻山峰前進或后退λ的位置具有電阻山峰。由于SVGMR元件的電阻山峰的峰值長度幾乎為λl-w，則電阻山峰的兩個相鄰峰值在幾乎λl-λ-w的長度上相互重疊。該值為0或正值意味著兩個相鄰的峰值相互重疊。并且當多個SVGMR元件在每個傳感器中串聯連接時，電阻總和的最大值和最小值之間的差可以變得更大。
相反，當SVGMR元件的電阻山峰出現在面向較短磁性區域的位置時，從上述SVGMR元件前進或后退λ的SVGMR元件在從上述SVGMR元件的電阻山峰前進或后退λ的位置具有電阻山峰。從每個SVGMR元件的電阻山峰的一個裙部到另一個裙部的長度為λs+w。由于較短磁化區域長度λs等于或小于λ-w，從SVGMR元件的電阻山峰的一個裙部到另一個裙部的長度λs+w包含在長度λ中。這意味著，兩個相鄰的峰值的裙部不相互重疊。因而，當每個傳感器中的多個SVGMR元件串聯連接時，電阻總和的最大值和最小值之間的差可以變得更大。
附帶地，兩個條件λl≥λ+w和λs≤λ-w已在上面被顯示，但這些意味著相同的事情。由于2λ＝λl+λs來自λ的定義，它被代入第一個公式以消去λl并形成第二個公式。
在本發明的磁性編碼器中，最好第二傳感器的SVGMR元件位于第一傳感器的兩個相鄰SVGMR元件之間。由于第一和第二傳感器由相同的偶數個SVGMR元件組成，所述SVGMR元件彼此相隔λ，每個傳感器中的SVGMR元件的分布寬度為λ·(SVGMR元件的數目-1)。可以通過在第一傳感器的兩個相鄰SVGMR元件之間放置一個第二傳感器的SVGMR元件，使包含在第一和第二傳感器中的所有SVGMR元件的分布寬度變窄。
此外，在本發明的磁性編碼器中，最好第一和第二傳感器的每一個由多于四個SVGMR元件組成。當第一和第二傳感器的每一個由四個SVGMR元件組成時，第一和第二傳感器的每一個可以同時檢測從兩個連續的第一/第二磁化區域產生的磁場。并且，當第一和第二傳感器的每一個由2n個SVGMR元件組成時(n正整數)，第一和第二傳感器的每一個可以同時檢測從n個連續的第一/第二磁化區域產生的磁場。由于第一和第二傳感器的每一個可以同時檢測來自n個連續的第一/第二磁化區域的磁場，來自第一和第二傳感器的輸出由n個第一/第二磁化區域的平均磁場產生，使得可以補償n個連續的第一/第二磁化區域中的長度或磁性強度變化。結果，信號輸出中的抖動可以被減小。
盡管第一和第二傳感器的每一個最好包含更多的SVGMR元件以減小抖動，最好第一和第二傳感器的每一個具有最多六個SVGMR元件，因為如果傳感器包括過多的SVGMR元件，傳感器的寬度將會過寬。
根據本發明，由具有SVGMR元件的磁性編碼器來實現周期為λ的電信號，λ為每個磁化區域的平均長度。而且，由于使用了大電阻的SVGMR元件，實現了更少電功率消耗的磁性傳感器。另外，已在相對較小的磁場區域中得到大的磁致電阻變化率，并且已實現能夠獲得對抗磁性傳感器和磁性介質之間的間隙變化的穩定輸出屬性(間隙屬性)的磁性編碼器。
圖1為根據本發明，使用SVGMR元件的磁性編碼器的透視示意圖；圖2為解釋用于本發明中的SVGMR元件的示意圖；圖3A和3B為解釋電阻R和施加到SVGMR元件的外部磁場H之間關系的圖，圖3C為解釋電阻R和施加到耦合GMR元件的外部磁場H之間關系的圖，以及圖3D為解釋電阻R和施加到AMR元件的外部磁場H之間關系的圖；圖4A為具有磁性介質的本發明示例2的磁性編碼器的結構和功能的說明視圖，其中，第一磁化區域長度長于第二磁化區域長度，圖4B顯示了解釋第一傳感器中的SVGMR元件的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，圖4C顯示了解釋第一傳感器中的另一個SVGMR元件的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，圖4D顯示了解釋第一傳感器的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，圖4E顯示了解釋第二傳感器的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，圖4F為解釋第一和第二傳感器之間的中點電勢輸出與磁性介質上的位置之間的關系的圖，以及圖4G顯示了解釋兩個SVGMR元件的電阻的重疊裙部的圖；圖5為通過等效電路來顯示示例2中SVGMR元件的連接的圖；圖6A為具有磁性介質的本發明示例3的磁性編碼器的結構和功能的說明視圖，其中第一磁化區域長度短于第二磁化區域長度，圖6B顯示了解釋第一傳感器中的SVGMR元件的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，圖6C顯示了解釋第一傳感器中的另一個SVGMR元件的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，圖6D顯示了解釋第一傳感器的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，圖6E顯示了解釋第二傳感器的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，以及圖6F為解釋第一和第二傳感器之間的中點電勢輸出與磁性介質上的位置之間的關系的圖；圖7A為根據具有磁性傳感器的本發明示例4的磁性編碼器的結構和功能的說明視圖，其中，第二傳感器的第一SVGMR元件設置在第一傳感器的第一SVGMR元件和第二SVGMR元件之間，圖7B顯示了解釋第一傳感器中的SVGMR元件的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，圖7C顯示了解釋第一傳感器中的另一個SVGMR元件的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，圖7D顯示了解釋第一傳感器的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，圖7E顯示了解釋第二傳感器的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，以及圖7F為解釋第一和第二傳感器之間的中點電勢輸出與磁性介質上的位置之間的關系的圖；圖8為顯示在根據本發明具有SVGMR元件的磁性編碼器中以及在具有耦合GMR元件的可比較磁性編碼器中，磁性傳感器輸出和間隙長度之間的關系(間隙屬性)的圖；
圖9為顯示根據本發明具有磁性傳感器的示例6的磁性編碼器的結構的說明視圖，對于第一和第二傳感器的每一個，磁性傳感器由四個SVGMR元件組成；圖10為通過等效電路來顯示示例6中的SVGMR元件的連接的圖；圖11A為根據具有磁性傳感器的本發明示例7的磁性編碼器的結構和功能的說明視圖，其中，磁性傳感器的第一和第二傳感器的每一個由四個SVGMR元件組成，并且其中，第二傳感器的第一SVGMR元件設置在第一傳感器的第一SVGMR元件和第二SVGMR元件之間，圖11B顯示了解釋第一傳感器中的SVGMR元件的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，圖11C顯示了解釋第一傳感器中的另一個SVGMR元件的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，圖11D顯示了解釋第一傳感器的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，圖11E顯示了解釋第二傳感器的電阻和磁性介質上的位置之間的關系的圖，以及圖11F為解釋第一和第二傳感器之間的中點電勢輸出與磁性介質上的位置之間的關系的圖。
具體實施例方式
參照附圖，根據本發明的示例的磁性編碼器將在下面被詳細說明。為了理解方便，相同的數字標號將被用于相同的部分和相同的位置。示例將被說明，使用旋轉閥型磁致電阻效應膜用于SVGMR元件，其中當外部磁場未被施加時，自由磁化層的磁化與固定磁化層的磁化相反并且電阻很高，并且當外部磁場以與SVGMR元件的固定磁化層的磁化相同的方向施加到SVGMR元件時，SVGMR元件的電阻減小，而當相反的外部磁場施加到SVGMR元件時，SVGMR元件的電阻不改變。當自由磁化層的磁化與固定磁化層的磁化方向相同時，SVGMR元件的電阻最小，然而，當自由磁化層的磁化相反時，不出現磁致電阻變化，并且SVGMR元件的電阻最小。
示例1
圖1顯示了解釋具有SVGMR元件的磁性編碼器的透視示意圖。磁性編碼器1由磁性介質2和磁性傳感器6組成。在磁性介質2上，彼此相反磁化的兩個磁化區域，即第一磁化區域21和第二磁化區域22沿介質的延伸方向連續和交替地排列。在以下解釋中，假設第一磁化區域21的長度λl長于第二磁化區域22的長度λs。在磁性傳感器6中，在基底材料4上與磁性介質2的延伸方向垂直延伸的矩形平面中形成多個SVGMR元件5，并且SVGMR元件5的末端通過導線(未顯示)連接至柔性印刷電路3。磁性介質2通過預定間隙面向具有矩形平面的SVGMR元件5。當磁性傳感器相對磁性介質移動時，施加到SVGMR元件的磁場改變，并且SVGMR元件的電阻變化。在以下說明中，假設磁性介質是固定的并且磁性傳感器移動。
在圖2中，SVGMR元件5被顯示在示意圖中。在SVGMR元件5的制造中，在固定磁化層10、非磁性導電層11和自由磁化層12按順序層疊在基底材料4上之后，通過光刻制成抗蝕劑掩模，并且通過離子銑形成矩形元件。至于基底材料4，使用了熱膨脹系數a為38×10-7deg.-1的鋁硅酸鹽(aluminosilicate)玻璃。固定磁化層10具有在12nm厚度Mn50Pt50(原子％)反鐵磁層上的5nm厚度Co90Fe10(原子％)組成。非磁性導電層11為銅的并且厚度為3nm。自由磁化層12為兩層膜，Ni85Fe15層和Co90Fe10層并且總厚度為5nm。Ni85Fe15層和Co90Fe10層的厚度比為3∶1至5∶1。固定磁化層10在約為240A/m(約30Oe)的磁場中被濺射(sputter)以固定磁化。自由磁化層中的NiFe層在磁場中被濺射，以使其磁各向異性并增強磁屬性。
在通過光刻技術在基底材料4上制成的旋轉閥型巨大磁致電阻效應膜層上形成抗蝕劑掩模之后，SVGMR元件5通過氬離子的離子銑而形成目標形狀。SVGMR元件具有幾乎為矩形的形狀。在圖2中，矩形SVGMR元件的寬度顯示為w并且長度顯示為L。長度L被處理為長于磁性介質的寬度，并且在磁性介質寬度之外SVGMR元件被串聯電連接。通過使該旋轉閥型巨大磁致電阻效應膜成之字形，元件被連接。由于外部磁場未施加到元件連接，它們沒有顯示出磁致電阻變化。
固定磁化層10的磁化方向用實線箭頭13顯示，而施加到自由磁化層12的外部磁場方向用點劃線箭頭14和虛線箭頭15顯示。由于在點劃線箭頭14施加的外部磁場與固定磁化層的磁化方向相同，SVGMR元件5的電阻根據外部磁場的增加而減小。當按虛線箭頭15施加外部磁場時，磁場與固定磁化層的磁化方向相反，并且SVGMR元件5的電阻不變。圖3顯示了電阻R和外部磁場H之間的關系。圖3A為當外部磁場施加到SVGMR元件時的電阻變化。當未施加磁場時SVGMR元件的電阻為R1，并且當在正方向，即與固定磁化層的磁化方向相同的方向施加磁場時，電阻減小并在R2處飽和。即使當在負方向，即與固定磁化層的磁化方向相反的方向施加磁場時，不發生磁致電阻變化，并且電阻維持為R1。由公式(R1-R2)/R1×100(％)得到的值被稱為磁致電阻變化率。圖3B顯示了磁致電阻變化與外部磁場之間的關系，使用了SVGMR元件，其中當在與固定磁化層的磁化相同的方向上施加磁場時，元件的電阻不改變，并且當在與固定磁化層的磁化相反的方向上施加磁場時改變。當自由磁化層的磁化與固定磁化層的磁化方向相同時，SVGMR元件的電阻最小，并且當它相反時，不發生磁致電阻變化，并且SVGMR元件的電阻最大。為了比較，耦合GMR(巨大磁致電阻效應)元件和AMR(各向異性磁致電阻效應)元件的電阻與外部磁場之間的關系分別顯示在圖3C和圖3D中。在耦合GMR元件和AMR元件中，與SVGMR元件不同，磁致電阻變化在外部磁場增加和減小兩種方向上均發生。由于磁致電阻變化以這樣一種方式在外部磁場增加和減小兩種方向上發生，得到的電信號具有與單元磁化區域長度λ，即磁性介質的磁化長度相同的周期。耦合GMR元件的初始電阻R3(未施加磁場)約為322Ω，而SVGMR元件的初始電阻R1約為1560Ω，約為耦合GMR元件的初始電阻的五倍。電阻R3和R1是元件寬度w為5μm以及元件長度L為1000μm的元件的示例。初始電阻的差別成為磁性傳感器中電功率消耗的差別。初始電阻越大，磁性傳感器中的電功率消耗越小。
示例2參照圖4，其中在磁性介質2上第一磁化區域長度λl長于第二磁化區域長度λs，磁性編碼器的工作將被說明。圖4A說明了磁性傳感器6的SVGMR元件51a至52b與磁性介質2之間的位置關系，并且圖4B至4F顯示了電阻和電信號相對于磁性介質2上SVGMR元件51a至52b所在位置的圖。第一傳感器51的SVGMR元件51a、第一傳感器51的另一個SVGMR元件51b、由SVGMR元件51a和51b組成的第一傳感器51、由SVGMR元件52a和52b組成的第二傳感器52的電阻圖分別顯示在圖4B、4C、4D和4E中。在磁性傳感器6中，四個SVGMR元件51a至52b設置在基底材料上。每個SVGMR元件具有單元寬度w，并且每個傳感器中的SVGMR元件彼此距離λ。第二傳感器52在第一傳感器51之后平移λ/2。加在每個SVGMR元件上的箭頭表示圖4A中的固定磁化層的磁化。在磁性介質2中，第一磁化區域21與第二磁化區域22相反磁化，并且第一磁化區域21的長度長于第二磁化區域22的長度。第一磁化區域的長度用λl顯示，并且第二磁化區域的長度用λs顯示。λl和λs的總長度等于每個磁性傳感器中的SVGMR元件之間的距離λ的兩倍。由每個磁化區域引起的泄漏磁場方向用虛線箭頭顯示，連接磁性介質的第一和第二磁性區域21、22的每一個的兩端。
圖5在等效電路中顯示了SVGMR元件51a至52b的連接。第一磁性傳感器51中的SVGMR元件51a和51b被串聯連接，同樣，第二磁性傳感器52中的SVGMR元件52a和52b被串聯連接。第一磁性傳感器的SVGMR元件51b的一端被連接至第二磁性傳感器的SVGMR元件52a的一端，并且該相連的接線端被連接至輸出端以取出中點電勢Vout。第一磁性傳感器51的SVGMR元件51a的另一端被連接至電源Vcc，并且第二傳感器52的SVGMR元件52b的另一端接地。
當以圖4A中的箭頭方向移動磁性傳感器6時，SVGMR元件51a和51b從磁性介質接收泄漏磁場，SVGMR元件51a的電阻如圖4B所示改變，并且SVGMR元件51b的電阻如圖4C所示改變。電阻的最大值被設置為R1，并且電阻的最小值被設置為R2。圖4D顯示了混合的電阻，它等于第一傳感器51的SVGMR元件51a和51b的電阻。雖然圖4B中的SVGMR元件51a和圖4C中的SVGMR元件51b的每一個的電阻周期為2λ，SVGMR元件51a和51b的混合電阻(見圖4D)具有最大電阻變化R1-R2和周期λ，因為元件彼此距離λ放置。第二傳感器52的混合電阻同樣被顯示在圖4E中。在圖4E中，相位比圖4D提前λ/2，中點電勢Vout，即磁性傳感器6的輸出是具有中心電壓幅度Vcc/2和周期λ的電信號。由于輸出幅度隨著R1和R2之間的更大差而變得更大，當使用如SVGMR元件的具有更大電阻變化的元件時，輸出可以更大。使用如本發明中的SVGMR元件的配置，其中第一和第二傳感器的每一個中的SVGMR元件距離為λ，即第一磁化區域長度λl和第二磁化區域長度λs的平均，并且其中第一和第二傳感器之間的距離為λ/2，即SVGMR元件距離的一半，則已實現高分辨率的磁性編碼器，這不能僅通過用SVGMR元件來替換傳統元件而獲得。
從圖4B很清楚，電阻變化區域幾乎與SVGMR元件寬度w相同。在該圖中，SVGMR元件電阻大于R2的范圍具有長度λs+w，即第二磁化區域長度λs加上SVGMR元件寬度w的和。當SVGMR元件寬度w增加時，電阻山峰寬度被加寬，并且SVGMR元件51a的電阻山峰的裙部與SVGMR元件51b的電阻山峰的裙部重疊，如圖4G中所示。當電阻山峰的裙部相互重疊時，電阻的最小值變成大于R2的R2’。因為此，每個SVGMR元件的電阻變化從沒有裙部重疊的情況下的R1-R2變成R1-R2’，以減小圖4F中顯示的輸出Vout的幅度。
當第一和第二磁化區域具有相同長度時，必然會產生電阻山峰裙部的重疊。因此，第一磁化區域的長度必須與第二磁化區域的長度不同。在該示例中，SVGMR元件51a的電阻山峰寬度λs+w以及SVGMR元件51b的電阻山峰寬度λs+w被包含在第一磁化區域長度λl和第二磁化區域長度λs的總長度2λ中。當第一磁化區域長度長于第二磁化區域長度時，SVGMR元件51a的電阻山峰裙部與SVGMR元件51b的電阻山峰裙部的重疊減小，并且進一步當λl+λs(＝2λ)≥2(λs+w)時，SVGMR元件51a的電阻山峰裙部與SVGMR元件51b的電阻山峰裙部不重疊。
示例3參照圖6A至6F，示例3的磁性編碼器將被說明，與顯示在圖4A中的示例2的磁性編碼器相似，除了磁性介質2具有短于第二磁化區域長度的第一區域長度。圖6A說明了磁性傳感器6的SVGMR元件51a至52b與磁性介質2之間的位置關系，并且圖6B至6F顯示了電阻和電信號相對于磁性介質2上SVGMR元件51a至52b所在位置的圖。第一傳感器51的SVGMR元件51a、第一傳感器51的另一個SVGMR元件51b、由SVGMR元件51a和51b組成的第一傳感器51、由SVGMR元件52a和52b組成的第二傳感器52的電阻圖分別顯示在圖6B、6C、6D和6E中。在磁性傳感器6中，四個SVGMR元件51a至52b設置在基底材料上。每個傳感器中的每一個SVGMR元件具有單元寬度w，并且每個第一和第二磁化傳感器中的各SVGMR元件彼此距離λ。第二傳感器52在第一傳感器51之后平移λ/2。加在每個SVGMR元件上的箭頭表示圖6A中的固定磁化層的磁化。在磁性介質2中，第一磁化區域21與第二磁化區域22被相反磁化，并且第一磁化區域21的長度短于第二磁化區域22的長度。第一磁化區域的長度用λs顯示，并且第二磁化區域的長度用λl顯示。λs和λl的總長度等于每個磁性傳感器中的SVGMR元件之間的距離λ的兩倍。由每個磁化區域引起的泄漏磁場的方向用虛線箭頭顯示，其連接磁性介質2的第一和第二磁性區域21、22的每一個的兩端。
當磁性傳感器6以圖6A中的箭頭方向移動時，SVGMR元件51a和51b從磁性介質接收泄漏磁場，SVGMR元件51a如圖6B中所示改變電阻，并且SVGMR元件51b如圖6C中所示改變電阻。電阻的最大值被設置為R1，并且電阻的最小值被設置為R2。圖6D顯示了混合的電阻，它等于第一傳感器51的SVGMR元件51a和51b的電阻。盡管圖6B中的SVGMR元件51a以及圖6C中的SVGMR元件51b的每一個的電阻周期為2λ，SVGMR元件51a和51b的混合電阻(見圖6D)具有最大電阻變化R1-R2和周期λ，因為元件彼此距離λ放置。第二傳感器52的混合電阻同樣被顯示在圖6E中。在圖6E中，相位比圖6D提前λ/2，中點電勢Vout，即磁性傳感器6的輸出是具有中心電壓幅度Vcc/2和周期λ的電信號，如圖6F中所示。使用上面說明的SVGMR元件的配置，已實現高分辨率的磁性編碼器，這不能通過僅用SVGMR元件來替換傳統元件而獲得。
示例4包括磁性介質2和磁性傳感器6的磁性編碼器將作為示例4參照圖7被說明，在磁性介質2中，第一磁化區域21的長度長于第二磁化區域22的長度，所述磁性傳感器6具有第二傳感器的第一SVGMR元件52a位于第一傳感器的第一SVGMR元件51a和第二SVGMR元件51b之間的結構。第一磁化區域的長度用λl顯示，并且第二磁化區域的長度用λs顯示。如圖7A中所示，第一和第二傳感器中的每一個的SVGMR元件距離為λ，即第一磁化區域長度λl和第二磁化區域長度λs的平均，并且第二傳感器的第一SVGMR元件52a距離第一傳感器的第一SVGMR元件51a平移λ/2。第一傳感器的第二SVGMR元件51b距離第二傳感器的第一SVGMR元件52a平移λ/2。并且，每個SVGMR元件的寬度為w。當磁性傳感器6以箭頭方向移動時，SVGMR元件51a和51b從磁性介質接收泄漏磁場，并且SVGMR元件51a和51b中的電阻分別如圖7B和7C中所示改變。電阻的最大值被設置為R1，并且電阻的最小值被設置為R2。圖7D中顯示了SVGMR元件51a和51b混合的電阻，它等于第一傳感器的電阻。雖然圖7B和圖7C中顯示的SVGMR元件51a和51b的每個電阻具有周期2λ，SVGMR元件51a和51b的混合電阻具有最大電阻變化R1-R2和周期λ(見圖7D)，因為元件彼此距離λ放置。第二傳感器的混合電阻同樣顯示在圖7E中。在圖7E中，相位比圖7D提前λ/2，中點電勢Vout即磁性傳感器6的輸出是具有中心電壓幅度Vcc/2和周期λ的電信號。
由于在該示例4中與示例2中一樣第一磁化區域長度長于第二磁化區域長度，SVGMR元件51a至52b的電阻和中點電勢與示例2中一樣變化，并且已經獲得高分辨率的磁性編碼器。在圖7A中，從前面的SVGMR元件51a到末端的SVGMR元件52b的元件分布長度為{λ+(λ/2)+w}。作為比較，在如示例2中所示第二傳感器設置在第一傳感器之后的磁性傳感器中，SVGMR元件分布長度為{λ+(λ/2)+λ+w}。磁性傳感器寬度可以通過示例4的配置而變得更小并且更便宜，因為可以從晶片制造出更多的磁性傳感器。同樣，實現了小型化。
示例5在圖8中示出了根據本發明的磁性編碼器的間隙屬性。通過以5μm間隔從0μm到25μm改變磁性介質和磁性傳感器之間的間隙，測量磁性傳感器輸出相對于間隙長度的關系，即間隙屬性。與示例2和3中使用的相似，在這里使用的磁性傳感器中，第二傳感器在第一傳感器之后平移λ/2。每個傳感器中的SVGMR元件之間的距離λ為20μm，并且SVGMR元件的寬度w為5μm。在磁性介質中，第一磁化區域長度和第二磁化區域長度之和2λ為40μm。磁性介質中使用的磁性材料的磁性性為矯頑力Hc217kA/m、殘留電感Br1.4T、并且垂直度R0.8。在條件1第一磁化區域長度長于第二磁化區域長度，條件2第一磁化區域長度等于第二磁化區域長度，以及條件3第一磁化區域長度短于第二磁化區域長度下完成測量。作為比較，測量有關耦合GMR傳感器的間隙屬性。在耦合GMR傳感器中，第一磁化區域長度等于第二磁化區域長度。
通過提供大于最大輸出的80％的輸出的間隙長度范圍來評估間隙屬性。圖8的垂直軸顯示了各條件下輸出與設置為1的最大輸出的比值。從圖8很顯然，使用SVGMR元件的傳感器的間隙長度范圍在所有條件下與耦合GMR傳感器相比更寬。在耦合GMR傳感器中，當間隙變大時，磁性傳感器輸出急劇減小，并且提供多于80％輸出的間隙長度范圍小到0μm至1.8μm。在SVGMR元件的傳感器中，條件1的間隙長度范圍為0μm至10.1μm，條件2的間隙長度范圍為7.9μm至13.8μm，并且條件3的間隙長度范圍為0μm至13.8μm。在所有條件下，得到了比耦合GMR傳感器大五倍的間隙長度范圍。通過改變第一和第二磁化區域的長度，獲得更大的磁化傳感器輸出，并且獲得了比耦合GMR傳感器大五倍的間隙長度范圍。象這樣獲得更大間隙長度范圍的事實支持了SVGMR元件在小磁場中起作用。
示例6包括磁性介質2和磁性傳感器6的磁性編碼器將作為示例6參照圖9被說明，在磁性介質2中，與示例2中一樣第一磁化區域的長度長于第二磁化區域的長度，以及在磁性傳感器6中，第一傳感器51和第二傳感器52的每一個具有四個SVGMR元件。第一傳感器51由SVGMR元件51a至51d組成，并且第二傳感器52由SVGMR元件52a至52d組成。第一和第二傳感器中的每一個的SVGMR元件的距離被設置為λ，即第一磁化區域長度和第二磁化區域長度的平均，并且第二傳感器的第一SVGMR元件52a設置在與第一傳感器的第四SVGMR元件51d距離λ/2。圖9中面向SVGMR元件51c至52b的一部分磁性介質與圖4中的示例2相同，其工作說明被省略。可以通過增加第一和第二傳感器51、52中SVGMR元件的數目來減小抖動，即相移。磁性介質2的第一磁化區域211至214和第二磁化區域221至224的每個長度λl、λs在圖9中被編號為λl1至λl4以及λs1至λs4。如果λl1至λl4完全相等，并且如果λs1至λs4完全相等，則不會發生抖動。但是，當長度不同時，在產生的電信號中發生抖動并導致降低檢測精度。可以通過增加SVGMR元件的數目來補償磁性介質中的磁化區域的長度變化，并且抖動可以被減小。示例6中的抖動與示例2相比改善了1％至1.5％。
圖10顯示了等效電路中SVGMR元件51a至52d的連接。第一磁性傳感器51中的SVGMR元件51a至51d被串聯連接，同樣地，第二磁性傳感器52中的SVGMR元件52a至52d被串聯連接。第一磁性傳感器51的SVGMR元件51d的一端連接至第二磁性傳感器52的SVGMR元件52a的一端，并且該相連端被連接至輸出端以取出中點電勢。第一磁性傳感器51的SVGMR元件51a的另一端被連接至電源Vcc，并且第二傳感器52的SVGMR元件52b的另一端接地。
示例7示例7為一種磁性編碼器，具有磁性傳感器，所述磁性傳感器具有與示例6中相同數目的SVGMR元件51a至52d，并且第二傳感器的第一SVGMR元件52a設置在第一傳感器的第一SVGMR元件51a和第二SVGMR元件51b之間。該磁性傳感器的結構和功能將參照圖11來說明。由于第二傳感器的第一SVGMR元件52a設置在第一傳感器的第一SVGMR元件51a和第二SVGMR元件51b之間，并且與第一傳感器的第一SVGMR元件51a距離λ/2，SVGMR元件51a至52d的分布長度變得約為示例6中的一半，并且實現了磁性傳感器的小型化。在該示例中，磁性介質的第一磁化區域21的長度和第二磁化區域22的長度的平均也被設為λ。由于第一磁化區域長度長于第二磁化區域長度，第一磁化區域長度用λl顯示，并且第二磁化區域長度用λs顯示。SVGMR元件51a至52d的連接與圖10中所示一樣。當磁性傳感器6以圖11A中的箭頭的方向移動時，第一傳感器的SVGMR元件51a至51d從磁性介質2接收泄漏磁場，SVGMR元件51a和51c如圖11B中所示改變電阻，并且SVGMR元件51b和51d如圖11C中所示改變電阻。SVGMR元件52a和52c比圖11B提前λ/2，SVGMR元件52b和52d比圖11C提前λ/2。電阻的最大值被設置為R1，并且電阻的最小值被設置為R2。圖11D顯示了SVGMR元件51a至51d的混合電阻，它等于第一傳感器的電阻。盡管圖11B中的SVGMR元件51a和51c以及圖11C中的51b和51d每個的電阻周期為2λ，SVGMR元件51a至51d的混合電阻具有最大的電阻變化R1-R2和周期λ，因為它們以元件距離λ被放置。同樣地，第二傳感器的混合電阻具有如圖11E中所示的周期λ，并且比圖11D中所示的混合電阻有λ/2的相位差。中點電勢Vout，即磁性傳感器6的輸出是具有周期λ的電信號，如圖11F中所示。在該示例的磁性編碼器中，每個第一和第二傳感器中具有四個SVGMR元件，抖動與示例4的磁性編碼器相比改善了1％至1.5％，在示例4中，第二傳感器的第一SVGMR元件設置在第一傳感器的第一和第二SVGMR元件之間，并且在每個第一和第二傳感器中具有兩個SVGMR元件。
權利要求
1.一種磁性編碼器，包括磁性介質，在一個方向上延伸并具有第一磁化區域和第二磁化區域，所述第一磁化區域和第二磁化區域彼此連續并交替地設置在所述介質上，并沿所述介質延伸方向被彼此相反地磁化并具有彼此不同的長度，其中較長的磁化區域具有長度λl，以及較短的磁化區域具有長度λs；以及磁性傳感器，具有偶數個SVGMR元件并沿所述介質延伸方向相對于所述介質可移動，所述SVGMR元件具有與所述介質延伸方向垂直延伸的矩形表面并以預定間隙面向所述介質，其中，所述偶數個SVGMR元件中的每一個沿所述介質延伸方向彼此間隔由(λl+λs)/2定義的長度λ，其中，所述SVGMR元件的每一個為固定磁化層、非磁性導電層和自由磁化層按該順序的層疊，所有所述SVGMR元件中的固定磁化層具有沿所述介質延伸方向的相同方向上的磁化，并且當在與所述SVGMR元件的固定磁化層的磁化相同的方向上施加外部磁場到SVGMR元件時，所述SVGMR元件呈現出最小電阻，并且當在與所述SVGMR元件的固定磁化層的磁化相反的方向上施加外部磁場到所述SVGMR元件時，所述SVGMR元件呈現出最大電阻，以及其中，所述偶數個SVGMR元件被串聯電連接，并且從所述電連接的SVGMR元件的電端子取出信號輸出。
2.如權利要求1所述的磁性編碼器，其中，所述SVGMR元件的每一個沿所述介質延伸方向的寬度w等于或小于λs。
3.如權利要求1所述的磁性編碼器，其中，所述磁性傳感器具有沿所述介質延伸方向彼此間隔λ·(l/2+n)的第一傳感器和第二傳感器，其中，n為0或正整數，其中，所述第一和第二傳感器的每一個由相同偶數個SVGMR元件組成，所述SVGMR元件串聯電連接并沿所述介質延伸方向彼此間隔λ，以及其中，所述第一傳感器的一個電端子被電連接至所述第二傳感器的一個電端子，并且在測量電壓被施加到所述第一傳感器的另一個端子和所述第二傳感器的另一個端子之間的期間，從所述第一傳感器和所述第二傳感器之間的所述相連的電端子取出信號輸出。
4.如權利要求2所述的磁性編碼器，其中，所述磁性編碼器具有沿所述介質延伸方向彼此間隔λ·(l/2+n)的第一傳感器和第二傳感器，其中，n為0或正整數，其中，所述第一和所述第二傳感器中的每一個由相同偶數個SVGMR元件組成，所述SVGMR元件被串聯電連接并且沿所述介質延伸方向彼此間隔λ，以及其中，所述第一傳感器的一個電端子被電連接至所述第二傳感器的一個電端子，并且在測量電壓被施加到所述第一傳感器的另一個端子和所述第二傳感器的另一個端子之間的期間，從所述第一傳感器和所述第二傳感器之間的所述相連的電端子取出信號輸出。
5.如權利要求3所述的磁性編碼器，其中，λl等于或大于λ+w，以及λs等于或小于λ-w。
6.如權利要求4所述的磁性編碼器，其中，λl等于或大于λ+w，以及λs等于或小于λ-w。
7.如權利要求3所述的磁性編碼器，其中，所述第二傳感器的SVGMR元件位于所述第一傳感器的兩個相鄰SVGMR元件之間。
8.如權利要求4所述的磁性編碼器，其中，所述第二傳感器的SVGMR元件位于所述第一傳感器的兩個相鄰SVGMR元件之間。
9.如權利要求3所述的磁性編碼器，其中，所述第一和第二傳感器的每一個具有四個或更多SVGMR元件。
10.如權利要求4所述的磁性編碼器，其中，所述第一和第二傳感器的每一個具有四個或更多SVGMR元件。
全文摘要
一種具有由SVGMR元件組成的磁性傳感器的磁性編碼器，其中，信號輸出具有磁性介質上的磁性區域的周期的一半。所述磁性編碼器包括磁性介質和磁性傳感器，在磁性介質上，第一磁性區域和第二區域沿介質延伸方向被相反磁化并且彼此連續和交替地設置，磁性傳感器具有偶數個SVGMR元件并沿介質延伸方向相對于介質可移動。所有SVGMR元件的固定磁化層的磁化指向沿介質延伸方向的相同方向。磁性傳感器中的偶數個SVGMR元件的每一個沿介質延伸方向彼此間隔第一磁性區域長度加上第二磁性區域長度的和的一半，并且偶數個SVGMR元件被串聯連接，使得磁性傳感器的電阻變化周期為介質上的第一和第二磁性區域的周期長度的一半，并且可以獲得高分辨率的信號輸出。
文檔編號H03K17/94GK1941082SQ200610139698
公開日2007年4月4日 申請日期2006年9月28日 優先權日2005年9月30日
發明者阿部泰典, 仁平裕治 申請人:日立金屬株式會社