專利名稱：陶瓷封裝件、集合基板及其制造方法
技術領域：
本發明涉及在由1個或多個陶瓷層構成的陶瓷封裝件上搭載彈性表面波濾波元件等電子部件，再由蓋體密封了的，例如像天線共用器那樣的電子設備裝置中使用的陶瓷封裝件，以及用連接部把應該作為上述陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部2維連接而成的陶瓷封裝件集合基板。
背景技術：
(現有例1)具有現有例1的陶瓷封裝件的天線共用器具有由圖14所示的多個陶瓷層11、12、13、14層疊而成的陶瓷封裝件1、彈性表面波濾波元件8、搭接線9和蓋體2。
陶瓷封裝件1具有由第1陶瓷層11的內壁109和第2陶瓷層12的上面121形成的模穴120。彈性表面波濾波元件8通過導電性粘接劑7而與設在第2陶瓷層12上的上面121上的GND電極115粘接固定。彈性表面波濾波元件8的多個輸入輸出電極(未圖示)和多個GND電極(未圖示)通過搭接線9而與配設在第1陶瓷層11上的上面108上的線搭接用焊盤101連接。
在陶瓷層13、14的表面上形成了電感器、電容器等的內部電極111，通過填充了導電材料的通路孔(Viaホ一ル)112而與上述線搭接用焊盤101連接。內部電極111中的幾個延伸到了陶瓷層的周緣，與在陶瓷封裝件1的側面110上形成了的側面電極114相連，還與設在陶瓷封裝件1的底面上的底面電極113連接。上述底面電極113用于把天線共用器通過釬料等安裝在母基板上。
在蓋體2的開口面21上預設有銀-錫諾膜莫合金(銀-スズ)等密封部件3。在使蓋體2的開口面21，即密封部件3與設在陶瓷封裝件1的第1陶瓷層11上的密封用電極102上以規定負荷接觸了的狀態下，通過回流爐，在氮氣氛中加熱·冷卻，從而由密封部件3使開口面21和密封用電極102熔接固定，完成密封。另外，密封用電極102與GND用的內部電極、側面電極和底面電極連接。還有，陶瓷封裝件1上的電極、線搭接用焊盤101和通路孔112例如由銀、銀-鈀等導電材料形成。
(現有例2)例如天線共用器的現有例2具有由如圖15所示多個陶瓷層11、12、13層疊而成的陶瓷封裝件1、彈性表面波濾波元件8和金屬制蓋體2。另外，對于與現有例1同樣的部件·部分付以與現有例1同樣的參照符號。
與現有例1的主要不同點在于，不是用線搭接，而是通過倒裝芯片安裝來進行彈性表面波濾波元件8和陶瓷封裝件1的電連接，并且陶瓷封裝件1沒有模穴。
彈性表面波濾波元件8在設在其底面上的多個輸入輸出電極(未圖示)和多個GND電極(未圖示)上預設有金焊盤81，在設在第1陶瓷層11的上面108上的倒裝芯片安裝用焊盤116上進行倒裝芯片安裝。
在陶瓷層12、13的表面上形成了電感器、電容器等的內部電極111，通過填充了導電材料的通路孔112而與上述倒裝芯片安裝用焊盤116連接。內部電極111中的幾個延伸到了陶瓷層的周緣，與在陶瓷封裝件1的側面110上形成了的側面電極114相連，還與設在陶瓷封裝件1的底面上的底面電極113連接。上述底面電極113用于由釬料等把天線共用器安裝在母基板上。
在蓋體2的開口面21上預設有銀-錫諾膜莫合金等密封部件3。在使蓋體2的開口面21，即密封部件3與設在陶瓷封裝件1的第1陶瓷層11上的密封用電極102之上以規定負荷接觸了的狀態下，通過回流爐，在氮氣氛中加熱·冷卻，從而由密封部件3使開口面21和密封用電極102熔接固定，完成密封。另外，密封用電極102與GND用的內部電極、側面電極和底面電極連接。還有，陶瓷封裝件1上的電極、倒裝芯片安裝用焊盤116和通路孔112例如由銀、銀-鈀等導電材料形成(參照專利文獻1)。
專利文獻1特開平10-335964號公報發明內容對于手機等移動體通訊終端，來自市場的小型輕量化的要求很強烈，移動體通訊終端所使用的天線共用器等電子設備裝置也正在謀求小型輕量化。
對于現有例1的天線共用器，為了對應小型輕量化，就要減小陶瓷封裝件1的寬度和進深尺寸，因而就要減薄第1陶瓷層11的內壁109和側面110的壁厚，密封用電極102就會與線搭接用焊盤101接近。圖16(a)表示使蓋體與陶瓷封裝件壓接后的蓋體密封前的密封部局部，同圖(b)表示蓋體密封后的密封部局部。從同圖(a)可知，密封用電極102接近了設在第1陶瓷層11的上面108上的線搭接用焊盤101。因此，如同圖(b)所示，密封時溢出的密封部件3就會流動，到達輸入輸出電極用的線搭接用焊盤101，造成短路不良的可能性變大。
還有，對于現有例2的天線共用器也同樣，為了對應小型輕量化，就要減小陶瓷封裝件1的寬度和進深尺寸，因而就要減小第1陶瓷層11的側面110和彈性表面波濾波元件8的側面的間隔，密封用電極102就會與倒裝芯片安裝用焊盤116接近。圖17(a)表示使蓋體與陶瓷封裝件壓接后的蓋體密封前的密封部局部，同圖(b)表示蓋體密封后的密封部局部。從同圖(a)可知，密封用電極102接近了設在第1陶瓷層11的上面的倒裝芯片安裝用焊盤116。因此，如同圖(b)所示，密封時溢出的密封部件3就會流動，到達輸入輸出電極用的倒裝芯片安裝用焊盤116，造成短路不良的可能性變大。
對此，本發明的目的在于提供一種即使向小型輕量化發展，也能大大降低陶瓷封裝件的輸入輸出電極用焊盤和作為GND電位的蓋體之間的短路不良發生率的陶瓷封裝件及其制造方法。再有，本發明另一目的在于提供一種即使向小型輕量化發展，也能大大降低陶瓷封裝件的輸入輸出電極用焊盤和作為GND電位的蓋體之間的短路不良發生率的陶瓷封裝件集合基板及其制造方法。
第1發明是一種陶瓷封裝件，包括1個或多個陶瓷層，可在其表面上粘接電子部件和蓋體，其中，設有與電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極連接的焊盤的陶瓷層的表面以用于阻止密封部件流動的臺階側壁為邊界，分成配設了焊盤的內側部和外側部，外側部和內側部中的一方相對于另一方突出。
可以在外側部設置用于通過密封部件而與蓋體接合的密封用電極。
還有，焊盤可以作為通過搭接線而與電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極連接的線搭接用焊盤，或與電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極進行倒裝芯片安裝的倒裝芯片安裝用焊盤。
第2發明是一種陶瓷封裝件集合基板，其特征在于，由連接部對應該作為第1發明的陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部進行2維連接而成。
第3發明是一種陶瓷封裝件的制造方法，是在陶瓷層的表面上以臺階側壁為邊界，設置外側部和內側部，外側部和內側部中的一方相對于另一方突出的陶瓷封裝件的制造方法，準備好具有與外側部和內側部中的應該使之突出的部分對應的凹部、凹部的底面為大致平面狀的臺階形成用掩膜，在把1個或多個坯片進行定位而成的未沖壓體上定位固定臺階形成用掩膜，接著進行真空包裝而得到真空包裝體之后，對真空包裝體施加靜水壓，使其成為一體。
在第4發明是一種陶瓷封裝件集合基板的制造方法，是把應該作為陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部進行2維連接而成的陶瓷封裝件集合基板的制造方法，上述陶瓷封裝件是在陶瓷層的表面上以臺階側壁為邊界，設置外側部和內側部，外側部和內側部中的一方相對于另一方突出的陶瓷封裝件，準備好具有與外側部和內側部中的應該使之突出的部分對應的凹部、凹部的底面為大致平面狀的臺階形成用掩膜，在把1個或多個坯片進行定位而成的未沖壓體上定位固定臺階形成用掩膜，接著進行真空包裝而得到真空包裝體之后，對真空包裝體施加靜水壓，使其成為一體。
按照第1發明，能得到以下效果。在使設在陶瓷封裝件的陶瓷層上的密封用電極向上，在夾具上固定陶瓷封裝件，使蓋體的開口面，即密封部件對著密封用電極而放置蓋體，以規定負荷向密封用電極壓接了蓋體的場合，在向密封用電極壓接了蓋體的狀態下，通過回流爐，在氮氣氛中加熱的話，融解了的密封部件由于加在蓋體上的負荷而從陶瓷封裝件的密封用電極和蓋部件的開口面之間溢出，流向焊盤方向。但是，因為焊盤相對于密封用電極是凸出設置的，所以臺階側壁能阻止密封部件的流動。冷卻后密封部件凝固而不會到達焊盤。
反過來，在使蓋體的開口面上具有的密封部件向上，在夾具上固定蓋體，使設在陶瓷封裝件的陶瓷層上的密封用電極對著密封部件而放置陶瓷封裝件，以規定負荷向密封部件壓接了陶瓷封裝件的場合，在向密封部件壓接了陶瓷封裝件的狀態下，通過回流爐，在氮氣氛中加熱的話，融解了的密封部件由于加在陶瓷封裝件上的負荷而從陶瓷封裝件的密封用電極和蓋部件的開口面之間溢出，流向焊盤方向。但是，因為焊盤相對于密封用電極處在高的位置，所以臺階側壁能阻止密封部件的流動。冷卻后密封部件凝固而不會到達焊盤。
因此，不論在哪種場合都能大大降低陶瓷封裝件的輸入輸出電極用的焊盤和作為GND電位的蓋體之間的短路不良發生率。
對于具有通過搭接線來連接電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極的線搭接用焊盤，或與電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極進行倒裝芯片安裝的倒裝芯片安裝用焊盤等的陶瓷封裝件，能夠實施第1發明。
按照第2發明，能得到以下效果。陶瓷封裝件集合基板由連接部2維連接應該作為第1發明所涉及的陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部而成。因此，能享受上述第1發明的效果。
還有，在后邊的工序中，如果沿著分離槽分斷陶瓷封裝件集合基板，就得到多個陶瓷封裝件，不過，在分斷之前的狀態下在陶瓷封裝件集合基板上安裝電子部件及蓋體，此后將其分斷的話，與在各個陶瓷封裝件上安裝上述電子部件及蓋體相比，就能使安裝工序提高效率。因此，可以說只從用戶的安裝工序的效率來看，與第1發明的陶瓷封裝件相比，第2發明的陶瓷封裝件集合基板具有優勢。
按照第3和第4發明，把具有與外側部和內側部中的應該使之突出的部分對應的凹部、上述凹部的底面為大致平面狀的臺階形成用掩膜定位固定在把1個或多個坯片進行定位而成的未沖壓體上，進行靜水壓沖壓，采用這樣簡單的方法，就能在陶瓷封裝件和陶瓷封裝件部的表面上容易地設置希望的形狀。
如果要用現有技術制造做成了第1發明的形狀的陶瓷封裝件，只有依賴于研磨機械加工，而陶瓷很硬，研磨很費時間，因而增加了工數，還會產生缺陷和裂紋，從而導致成品率·可靠性降低。還有如果要用現有技術制造做成了第2發明的形狀的陶瓷封裝件集合基板，只有依賴于研磨機械加工，除了上述那樣的增加工數、缺陷和裂紋的問題以外，還存在陶瓷封裝件集合基板沿著分離槽斷裂的可能性，從而導致成品率·可靠性進一步降低。第3和第4發明的制造方法不需要研磨，因而與研磨加工相比，能夠獲得減少工數，改善缺陷、裂紋和斷裂不良等效果。
圖1是具有本發明所涉及的陶瓷封裝件的天線共用器的剖視圖。
圖2是說明蓋體對本發明所涉及的第1實施例的陶瓷封裝件的密封的切口部分放大圖。
圖3是具有本發明所涉及的陶瓷封裝件的另一天線共用器的剖視圖。
圖4是說明蓋體對本發明所涉及的第2實施例的陶瓷封裝件的密封的切口部分放大圖。
圖5是說明蓋體對本發明所涉及的第3實施例的陶瓷封裝件的密封的切口部分放大圖。
圖6是本發明所涉及的陶瓷封裝件集合基板的俯視圖、剖視圖和通過分斷而形成的陶瓷封裝件的剖視圖。
圖7是對本發明所涉及的陶瓷封裝件的制造方法的實施例進行說明的工序圖。
圖8是本發明所涉及臺階形成用掩膜的俯視圖和剖視圖。
圖9是對本發明所涉及的陶瓷封裝件的制造方法的另一實施例進行說明的工序圖。
圖10是本發明所涉及的另一臺階形成用掩膜的俯視圖和剖視圖。
圖11是本發明所涉及的又另一臺階形成用掩膜的剖視圖。
圖12是對本發明所涉及的陶瓷封裝件集合基板的制造方法的實施例進行說明的工序圖。
圖13是本發明所涉及的又另一臺階形成用掩膜的俯視圖和剖視圖。
圖14是具有現有例1的陶瓷封裝件的天線共用器的剖視圖。
圖15是具有現有例2的陶瓷封裝件的天線共用器的剖視圖。
圖16是說明蓋體對現有例1的陶瓷封裝件的密封的切口部分放大圖。
圖17是說明蓋體對現有例2的陶瓷封裝件的密封的切口部分放大圖。
具體實施例方式
本發明的上述的目的、其它目的、特征和優點，從參照附圖進行的以下實施例的詳細說明就會更清楚。
(實施例1)圖1是具有第1發明所涉及的實施例1的陶瓷封裝件的天線共用器的剖視圖。天線共用器具有由圖1所示的4個陶瓷層11、12、13、14層疊而成的陶瓷封裝件1、彈性表面波濾波元件8、搭接線9和金屬制蓋體2。
陶瓷封裝件1具有由第1陶瓷層11的內壁109和第2陶瓷層12的上面121形成的模穴120。彈性表面波濾波元件8通過導電性粘接劑7而與設在第2陶瓷層12的上面121上的GND電極115粘接固定。彈性表面波濾波元件8的多個輸入輸出電極(未圖示)和多個GND電極(未圖示)通過搭接線9而與配設在第1陶瓷層11的上面108上的多個線搭接用焊盤101連接。
在陶瓷層13、14的表面上形成了電感器、電容器等的內部電極111，通過填充了導電材料的通路孔112而與上述線搭接用焊盤101連接。內部電極111中的幾個延伸到了陶瓷層的周緣，與在陶瓷封裝件1的側面110上形成了的側面電極114相連，還與設在陶瓷封裝件1的底面上的底面電極113連接。上述底面電極113用于把天線共用器通過釬料等安裝在母基板上。另外，密封用電極102與GND用的內部電極、側面電極和底面電極連接。還有，作為陶瓷封裝件1上的電極、線搭接用焊盤101和通路孔112所使用的導電材料，采用了銀。
為了說明密封部件3的作用，圖2(a)～(c)中給出了第1陶瓷層11的上面108和蓋體2的開口面21近旁的切口部分放大圖。
首先，準備好把彈性表面波濾波元件8粘接固定后完成了線搭接的陶瓷封裝件1、蓋體2。圖2如(a)所示，第1陶瓷層11的上面108具有臺階，把臺階側壁103作為邊界，分成外側部108a和內側部108b。外側部108a、內側部108b，其表面都做成大致平面狀，其寬度都是0.3mm。還有，內側部108b相對于外側部108a突出了0.06mm，外側部108a上設有密封用電極102，內側部108b上設有線搭接用焊盤101。在密封用電極102和線搭接用焊盤101上從其表面側起形成了鍍金膜、鍍鎳膜。還有，在蓋體2的開口面21上預設有由銀-錫諾膜莫合金構成的密封部件3。
其次，如同圖(b)所示，使設在陶瓷封裝件1的第1陶瓷層11上的密封用電極102向上，在夾具等(未圖示)上固定陶瓷封裝件1，使蓋體2的開口面21，即密封部件3對著密封用電極102而放置蓋體2，以規定負荷向密封用電極102壓接蓋體2。
在向密封用電極102壓接了蓋體2的狀態下，通過回流爐，在氮氣氛中加熱·冷卻，開口面21和密封用電極102就由密封部件3熔接固定而完成密封。同圖(c)表示密封后的狀態。密封部件3由回流爐加熱而融解，不過，即使由于加在蓋體2上的負荷而從陶瓷封裝件1的密封用電極102和蓋部件2的開口面21之間溢出，流向線搭接用焊盤101的方向，因為線搭接用焊盤101相對于密封用電極102是凸出設置的，所以臺階側壁103也能阻止密封部件3的流動。冷卻后密封部件3凝固而不會到達線搭接用焊盤101。因此，能大大降低陶瓷封裝件的輸入輸出電極用的線搭接用焊盤和作為GND電位的蓋體之間的短路不良發生率。
另外，本實施例中突出量為0.06mm，不過，考慮到密封部件3的體積和外側部108a的寬度，只要以融解了的密封部件不越過臺階側壁的程度來設定突出量即可。
(實施例2)圖3是具有第1發明所涉及的實施例2的陶瓷封裝件的天線共用器的剖視圖。天線共用器具有由圖3所示的3個陶瓷層11、12、13層疊而成的陶瓷封裝件1、彈性表面波濾波元件8和金屬制蓋體2。另外，對于與實施例1同樣的部件·部分付以與實施例1同樣的參照符號。
與實施例1的主要不同點在于，不是用線搭接，而是通過倒裝芯片安裝來進行彈性表面波濾波元件8和陶瓷封裝件1的電連接，并且陶瓷封裝件1沒有模穴。彈性表面波濾波元件8在設在其底面上的多個輸入輸出電極(未圖示)和多個GND電極(未圖示)上預設有金焊盤81，在第1陶瓷層11上的倒裝芯片安裝用焊盤116上進行倒裝芯片安裝。
在陶瓷層12、13的表面上形成了電感器、電容器等的內部電極111，通過填充了導電材料的通路孔112而與上述倒裝芯片安裝用焊盤116連接。內部電極111中的幾個延伸到了陶瓷層的周緣，與在陶瓷封裝件1的側面110上形成了的側面電極114相連，還與設在陶瓷封裝件1的底面上的底面電極113連接。上述底面電極113用于把天線共用器通過釬料等安裝在母基板上。另外，密封用電極102與GND用的內部電極、側面電極和底面電極連接。還有，作為陶瓷封裝件1上的電極、倒裝芯片安裝用焊盤116和通路孔112所使用的導電材料，采用了銀。
為了說明密封部件3的作用，圖4(a)～(c)中給出了第1陶瓷層11的上面108和蓋體2的開口面21近旁的切口部分放大圖。
首先，準備好把彈性表面波濾波元件8進行倒裝芯片安裝而成陶瓷封裝件1、蓋體2。如圖4(a)所示，第1陶瓷層11的上面108具有臺階，把臺階側壁103作為邊界，分成外側部108a和內側部108b。外側部108a、內側部108b，其表面都做成大致平面狀，外側部108a的寬度是0.3mm。臺階側壁103和倒裝芯片安裝用焊盤116的距離是0.3mm。還有，內側部108b相對于外側部108a突出了0.06mm，外側部108a上設有密封用電極102，內側部108b上設有倒裝芯片安裝用焊盤116。在密封用電極102和倒裝芯片安裝用焊盤116上從其表面側起形成了鍍金膜、鍍鎳膜。還有，在蓋體2的開口面21上預設有由銀-錫諾膜莫合金構成的密封部件3。
其次，如同圖(b)所示，使設在陶瓷封裝件1的第1陶瓷層11上的密封用電極102向上，在夾具等(未圖示)上固定陶瓷封裝件1，使蓋體2的開口面21，即密封部件3對著密封用電極102而放置蓋體2，以規定負荷向密封用電極102壓接蓋體2。
在向密封用電極102壓接了蓋體2的狀態下，通過回流爐，在氮氣氛中加熱·冷卻，開口面21和密封用電極102就由密封部件3熔接固定而完成密封。同圖(c)表示密封后的狀態。密封部件3由回流爐加熱而融解，不過，即使由于加在蓋體2上的負荷而從陶瓷封裝件1的密封用電極102和蓋部件2的開口面21之間溢出，流向倒裝芯片安裝用焊盤116的方向，因為倒裝芯片安裝用焊盤116相對于密封用電極102是凸出設置的，所以臺階側壁103也能阻止密封部件3的流動。冷卻后密封部件3凝固而不會到達倒裝芯片安裝用焊盤116。因此，能大大降低陶瓷封裝件的輸入輸出電極用的倒裝芯片安裝用焊盤和作為GND電位的蓋體之間的短路不良發生率。
(實施例3)以下說明第1發明的實施例3的陶瓷封裝件。實施例1、2的陶瓷封裝件1中，相對于密封用電極102，線搭接用焊盤101和倒裝芯片安裝用焊盤116是凸出設置的。在實施例3的陶瓷封裝件1中，反過來相對于密封用電極102，倒裝芯片安裝用焊盤116是凹入設置的，此外與實施例2相同。
以下，為了說明密封工序，圖5(a)～(c)中給出了第1陶瓷層11的上面108和蓋體2的開口面21近旁的切口部分放大圖。
首先，準備好把彈性表面波濾波元件8進行倒裝芯片安裝而成陶瓷封裝件1、蓋體2。如圖5(a)所示，第1陶瓷層11的上面108具有臺階，把臺階側壁103作為邊界，分成外側部108a和內側部108b。外側部108a、內側部108b，其表面都做成大致平面狀，外側部108a的寬度是0.3mm。臺階側壁103和倒裝芯片安裝用焊盤116的距離是0.3mm。還有，外側部108a相對于內側部108b突出了0.06mm，外側部108a上設有密封用電極102，內側部108b上設有倒裝芯片安裝用焊盤116。在密封用電極102和倒裝芯片安裝用焊盤116上從其表面側起形成了鍍金膜、鍍鎳膜。還有，在蓋體2的開口面21上預設有由銀-錫諾膜莫合金構成的密封部件3。
其次，如同圖(b)所示，使蓋體2的開口面21上具有的密封部件3向上，在夾具等(未圖示)上固定蓋體2，使設在陶瓷封裝件1的第1陶瓷層11上的密封用電極102對著密封部件3而放置陶瓷封裝件1，以規定負荷向密封部件3壓接陶瓷封裝件1。
在向密封部件3壓接了陶瓷封裝件1的狀態下，通過回流爐，在氮氣氛中加熱·冷卻，密封用電極102和開口面21就由密封部件3熔接固定而完成密封。同圖(c)表示密封后的狀態。密封部件3由回流爐加熱而融解，不過，即使由于加在陶瓷封裝件1上的負荷而從陶瓷封裝件1的密封用電極102和蓋部件2的開口面21之間溢出，流向倒裝芯片安裝用焊盤116的方向，因為倒裝芯片安裝用焊盤116相對于密封用電極102處于高位置，所以臺階側壁103也能阻止密封部件3的流動。冷卻后密封部件3凝固而不會到達倒裝芯片安裝用焊盤116。因此，能大大降低陶瓷封裝件1的輸入輸出電極用的倒裝芯片安裝用焊盤和作為GND電位的蓋體之間的短路不良發生率。
另外，不言而喻，對于以實施例1那樣的線搭接而與彈性表面波濾波元件8連接的陶瓷封裝件1也是，像本實施例一樣，具有使第1陶瓷層11的上面108的外側部108a(配設了線搭接用焊盤101)相對于內側部108b(配設了密封用電極102)突出的構造，就能帶來同樣的效果。
(實施例4)以下說明第2發明所涉及的實施例。實施例1至3涉及各個陶瓷封裝件，而該實施例4涉及不切離各個陶瓷封裝件，而是把應該作為陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部進行2維連接而成的陶瓷封裝件集合基板。圖6(a)是4個陶瓷封裝件部1B連接而成的陶瓷封裝件集合基板1A的俯視圖，同圖(b)是沿著線A-A切斷了上述陶瓷封裝件集合基板1A后的剖視圖。另外，為了簡化說明，只圖示陶瓷封裝件基材，略去了電極等。
從同圖(c)可知，如果沿著分離槽190分斷陶瓷封裝件集合基板1A，就得到4個實施例2所示的陶瓷封裝件。即，陶瓷封裝件集合基板1A是用連接部191連接了各個應該作為陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部1B的物件。在分斷之前的狀態下在陶瓷封裝件集合基板1A上安裝電子部件及蓋體，此后將其分斷，從而與在各個陶瓷封裝件上安裝上述電子部件及蓋體相比，就能使安裝工序提高效率。另外，陶瓷封裝件部1B上面的形狀與實施例2相同，因而略去詳細說明。
(實施例5)以下說明與第3發明所涉及的陶瓷封裝件有關的制造方法的實施例。通常設計成每□50mm～□200mm尺寸的坯片(グリ一ンシ一ト)可得到數十～數百單位的陶瓷封裝件，不過，此處為了簡化說明，作為設計成每坯片只得到1個陶瓷封裝件的物件來說明。
首先，按規定張數準備好在規定位置穿了模穴用貫通孔120a、通路孔用貫通孔、側面電極用貫通孔等的坯片和在規定位置穿了通路孔用貫通孔、側面電極用貫通孔等的坯片。接著，采用絲網印刷法在上述穿孔完畢的坯片上涂敷作為導電性材料的銀漿，形成電感器及電容器等的內部電極和其它電極，對通路孔填充銀漿等。把這些印刷完畢的坯片在金屬制層疊夾具5之上依次一邊定位一邊放置，制造未沖壓體16。到此為止的工序基于公知的制造方法，因而略去詳細說明。
圖7(a)至(e)表示從上述定位放置工序經過第3發明所涉及的一體化沖壓工序到完成的示意圖。同圖(a)中，由4層坯片構成的未沖壓體16由定位銷釘定位固定在層疊夾具5之上。另外，同圖(a)至(e)只記載了與第3發明具有實質性關系的要件，此外的物件(例如內部電極、定位用的銷釘等)為簡化說明而略去了。
其次，進入第3發明所涉及的一體化沖壓工序。此處，準備好用于最終在陶瓷封裝件上面形成臺階的臺階形成用掩膜4。圖8(a)是上述臺階形成用掩膜4的俯視圖，同圖(b)是沿著線B-B切斷了上述臺階形成用掩膜4的剖視圖。在由不銹鋼構成的具有彈性的上述臺階形成用掩膜4上設有做成了與模穴用貫通孔120a的尺寸大致同樣大小的開口部41、底面44為大致平面狀的凹部42和用于使層疊夾具5的定位銷釘插通的定位孔48。凹部42用于形成作為燒成后陶瓷封裝件上面的內側部的部分，關于其作用以后詳細說明。還有，臺階形成用掩膜4的全厚為0.2mm，凹部42的深度0.07mm。該臺階形成用掩膜4采用蝕刻法等就能容易地制造。
如圖7(b)所示，使層疊夾具5的定位銷釘穿過臺階形成用掩膜4的定位孔48(未圖示)，從而把臺階形成用掩膜4定位固定在未沖壓體16的規定位置。接著，用硅橡膠等彈性部件(用于防止真空包裝的破裂，未圖示)填入，以便掩蓋未沖壓體16、臺階形成用掩膜4和層疊夾具5，再放入真空包裝用袋(未圖示)中進行真空包裝，得到真空包裝體。在規定的溫水中浸漬上述真空包裝體，通過溫水加熱使未沖壓體16軟化。其次，在溫水中以規定的沖壓壓力、時間進行靜水壓沖壓。如同圖(c)所示的箭頭符號那樣，靜水壓通過臺階形成用掩膜4、層疊夾具5和彈性部件而均勻加到未沖壓體上，各個坯片被壓縮為一體，形成陶瓷層疊體17。
同圖(d)表示冷卻后啟封真空包裝而取出了的陶瓷層疊體17。因為臺階形成用掩膜4接觸的未沖壓體16上面在軟化的狀態下被加壓，所以一體化沖壓后的陶瓷層疊體17上面的形狀由圖可知，成為與臺階形成用掩膜4相仿的形狀。
即，由圖8(b)所示的臺階形成用掩膜4的面43、44、45分別形成了圖7(d)所示的陶瓷層疊體17上面的外側部108c、內側部108d、臺階側壁103a，內側部108d相對于外側部108c突出了。
以下的工序基于公知的制造方法，因而略去詳細說明，該陶瓷層疊體17由剪刀切斷機(カツタ一刃切斷機)或劃片機從規定的切斷位置(虛線)切斷，實施燒成、鍍敷，同圖(e)所示的陶瓷封裝件1就告完成。由同圖(e)可知，在陶瓷封裝件1的上面形成了與同圖(d)的外側部108c、內側部108d和臺階側壁103a分別對應的外側部108a、內側部108b和臺階側壁103。
(實施例6)以下說明與第3發明所涉及的陶瓷封裝件有關的制造方法的另一實施例。實施例6的陶瓷封裝件1由3個陶瓷層構成，是沒有模穴的平板型，此外是與實施例5同樣的構成。還有，與實施例5同樣的部件·部分付以與實施例5同樣的參照符號。
從對坯片的穿孔到坯片定位放置，除了按規定的張數只準備好在規定位置穿了通路孔用貫通孔、側面電極用貫通孔等的坯片以外，是與實施例5同樣的次序，因而略去說明。
圖9(a)至(e)表示從上述定位放置工序經過第3發明所涉及的一體化沖壓工序到完成的示意圖。同圖(a)中，由3層坯片構成的未沖壓體16由定位銷釘定位固定在層疊夾具5之上。另外，同圖(a)至(e)只記載了與第3發明具有實質性關系的要件，此外的物件(例如內部電極、定位用的銷釘等)為簡化說明而略去了。
其次，進入第3發明所涉及的一體化沖壓工序。此處，準備好用于最終在陶瓷封裝件上面形成臺階的臺階形成用掩膜4。圖10(a)是上述臺階形成用掩膜4的俯視圖，同圖(b)是沿著線C-C切斷了上述臺階形成用掩膜4的剖視圖。在由不銹鋼構成的具有彈性的上述臺階形成用掩膜4上設有底面44為大致平面狀的凹部42和用于使層疊夾具5的定位銷釘插通的定位孔48。凹部42用于形成作為燒成后陶瓷封裝件上面的內側部的部分，關于其作用以后詳細說明。還有，臺階形成用掩膜4的全厚為0.2mm，凹部42的深度0.07mm。
如圖9(b)所示，使層疊夾具5的定位銷釘穿過臺階形成用掩膜4的定位孔48(未圖示)，從而把臺階形成用掩膜4定位固定在未沖壓體16的規定位置。接著，用硅橡膠等彈性部件(用于防止真空包裝的破裂，未圖示)填入，以便掩蓋未沖壓體16、臺階形成用掩膜4和層疊夾具5，再放入真空包裝用袋(未圖示)中進行真空包裝，得到真空包裝體。在規定的溫水中浸漬上述真空包裝體，通過溫水加熱使未沖壓體16軟化。其次，在溫水中以規定的沖壓壓力、時間進行靜水壓沖壓。如同圖(c)所示的箭頭符號那樣，靜水壓通過臺階形成用掩膜4、層疊夾具5和彈性部件而均勻加到未沖壓體上，各個坯片被壓縮為一體，形成陶瓷層疊體17。
同圖(d)表示冷卻后啟封真空包裝而取出了的陶瓷層疊體17。因為臺階形成用掩膜4接觸的未沖壓體16上面在軟化的狀態下被加壓，所以一體化沖壓后的陶瓷層疊體17上面的形狀由圖可知，成為與臺階形成用掩膜4相仿的形狀。
即，由圖10(b)所示的臺階形成用掩膜4的面43、44、45分別形成了圖9(d)所示的陶瓷層疊體17上面的外側部108c、內側部108d、臺階側壁103a，內側部108d相對于外側部108c突出了。
以下的工序基于公知的制造方法，因而略去詳細說明，該陶瓷層疊體17由剪刀切斷機或劃片機從規定的切斷位置(虛線)切斷，實施燒成、鍍敷，同圖(e)所示的陶瓷封裝件1就告完成。由同圖(e)可知，在陶瓷封裝件1的上面形成了與同圖(d)的外側部108c、內側部108d和臺階側壁103a分別對應的外側部108a、內側部108b和臺階側壁103。
還有，在實施例5、6中，說明了內側部相對于外側部突出了的陶瓷封裝件用的臺階形成掩膜的例子，不過，如果用斷面形狀像圖11(a)和(b)那樣的臺階形成用掩膜4，就能制造外側部相對于內側部突出了的陶瓷封裝件。
(實施例7)以下對于第4發明所涉及的陶瓷封裝件集合基板的制造方法，以實施例4說明了的4個陶瓷封裝件部2維連接而成的陶瓷封裝件集合基板為例進行說明。
從對坯片的穿孔到坯片定位放置，除了按規定的張數只準備好在規定位置穿了4個陶瓷封裝件的量的通路孔用貫通孔、側面電極用貫通孔等的坯片以外，與實施例5是同樣的次序，因而略去說明。
圖12(a)至(e)表示從上述定位放置工序經過第4發明所涉及的一體化沖壓工序到完成的示意圖。同圖(a)中，由3層坯片構成的未沖壓體16由定位銷釘定位固定在層疊夾具5之上。另外，同圖(a)至(e)只記載了與第4發明具有實質性關系的要件，此外的物件(例如內部電極、定位用的銷釘等)為簡化說明而略去了。
其次，進入第4發明所涉及的一體化沖壓工序。此處，準備好用于最終在陶瓷封裝件上面形成臺階的臺階形成用掩膜4。圖13(a)是上述臺階形成用掩膜4的俯視圖，同圖(b)是沿著線D-D切斷了上述臺階形成用掩膜4的剖視圖。在由不銹鋼構成的具有彈性的上述臺階形成用掩膜4上設有底面44為大致平面狀的凹部42和用于使層疊夾具5的定位銷釘插通的定位孔48。凹部42用于形成作為燒成后陶瓷封裝件上面的內側部的部分。還有，臺階形成用掩膜4的全厚為0.2mm，凹部42的深度為0.07mm。
如圖12(b)所示，使層疊夾具5的定位銷釘穿過臺階形成用掩膜4的定位孔48(未圖示)，從而把臺階形成用掩膜4定位固定在未沖壓體16的規定位置。接著，用硅橡膠等彈性部件(用于防止真空包裝的破裂，未圖示)填入，以便掩蓋未沖壓體16、臺階形成用掩膜4和層疊夾具5，再放入真空包裝用袋(未圖示)中進行真空包裝，得到真空包裝體。在規定的溫水中浸漬上述真空包裝體，通過溫水加熱使未沖壓體16軟化。其次，在溫水中以規定的沖壓壓力、時間進行靜水壓沖壓。如同圖(c)所示的箭頭符號那樣，靜水壓通過臺階形成用掩膜4、層疊夾具5和彈性部件而均勻加到未沖壓體上，各個坯片被壓縮為一體，形成陶瓷層疊體17。
同圖(d)表示冷卻后啟封真空包裝而取出了的陶瓷層疊體17。因為臺階形成用掩膜4接觸的未沖壓體16上面在軟化的狀態下被加壓，所以一體化沖壓后的陶瓷層疊體17上面的形狀由圖可知，成為與臺階形成用掩膜4相仿的形狀。
即，由圖13(b)所示的臺階形成用掩膜4的面43、44、45分別形成了圖12(d)所示的陶瓷層疊體17的各陶瓷部1B上面的外側部108c、內側部108d、臺階側壁103a，內側部108d相對于外側部108c突出了。
以下的工序基于公知的制造方法，因而略去詳細說明，該陶瓷層疊體17由剪刀切斷機或劃片機從規定的切斷位置(虛線)切斷，形成分離槽190，實施燒成、鍍敷，同圖(e)所示的陶瓷封裝件集合基板1A就告完成。由同圖(e)可知，在各陶瓷封裝件部1B的上面形成了與同圖(d)的外側部108c、內側部108d和臺階側壁103a分別對應的外側部108a、內側部108b和臺階側壁103。
以上通過實施例具體說明了本發明的實施方式，不過，本發明并不限于該實施例。例如，作為實施例說明了在內側部設有線搭接用焊盤和倒裝芯片安裝用焊盤中的某一個的物件，不過，并不限于此，不言而喻，設有線搭接用焊盤和倒裝芯片安裝用焊盤兩者的物件也可適用本發明。還有，電子部件也不限于彈性表面波濾波元件，例如晶體振蕩器等也有同樣的效果。
再有，蓋體不必具有屏蔽的功能時就不必使蓋體與GND連接，因而就不必在陶瓷封裝件的外側部設置密封用電極，作為密封部件，就能用粘接劑等對陶瓷封裝件基材直接粘接蓋體來進行密封。即，就能做成不在陶瓷封裝件外側部設置由密封用電極那樣的導電材料構成的電極的構造。假設粘接劑流到線搭接部的話，由于手機等最終產品內的溫度變化，粘接劑膨脹·收縮，對搭接線造成應力，搭接線就會斷裂，有可能從線搭接用焊盤剝離，而通過設置本發明所涉及的臺階，就能避免斷裂·剝離。
權利要求
1.一種陶瓷封裝件，包括1個或多個陶瓷層，可在其表面上粘接電子部件和蓋體，其特征在于，設有與所述電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極連接的焊盤的陶瓷層的表面以用于阻止密封部件流動的臺階側壁為邊界，分成配設了所述焊盤的內側部和外側部，所述外側部和內側部中的一方相對于另一方突出。
2.根據權利要求1所述的陶瓷封裝件，其特征在于，在所述外側部設有用于通過密封部件而與所述蓋體接合的密封用電極。
3.根據權利要求1或2所述的陶瓷封裝件，其特征在于，所述焊盤是通過搭接線而與所述電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極連接的線搭接用焊盤，或與電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極進行倒裝芯片安裝的倒裝芯片安裝用焊盤。
4.一種陶瓷封裝件集合基板，其特征在于，由連接部對應該作為權利要求1至3所述的陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部進行2維連接而成。
5.一種陶瓷封裝件的制造方法，是在陶瓷層的表面上以臺階側壁為邊界，設置外側部和內側部，外側部和內側部中的一方相對于另一方突出的陶瓷封裝件的制造方法，其特征在于，準備好具有與外側部和內側部中的應該使之突出的部分對應的凹部、所述凹部的底面為大致平面狀的臺階形成用掩膜，在把1個或多個坯片進行定位而成的未沖壓體上定位固定所述臺階形成用掩膜，接著進行真空包裝而得到真空包裝體之后，對所述真空包裝體施加靜水壓，使其成為一體。
6.一種陶瓷封裝件集合基板的制造方法，是把應該作為陶瓷封裝件的陶瓷封裝件部進行2維連接而成的陶瓷封裝件集合基板的制造方法，所述陶瓷封裝件是在陶瓷層的表面上以臺階側壁為邊界，設置外側部和內側部，所述外側部和內側部中的一方相對于另一方突出的陶瓷封裝件，所述陶瓷封裝件集合基板的制造方法的特征在于，準備好具有與外側部和內側部中的應該使之突出的部分對應的凹部、所述凹部的底面為大致平面狀的臺階形成用掩膜，在把1個或多個坯片進行定位而成的未沖壓體上定位固定所述臺階形成用掩膜，接著進行真空包裝而得到真空包裝體之后，對所述真空包裝體施加靜水壓，使其成為一體。
全文摘要
本發明的目的在于提供一種即使向小型輕量化發展，也能大大降低陶瓷封裝件的輸入輸出電極用焊盤和作為GND電位的蓋體之間的短路不良發生率的陶瓷封裝件。包括1個或多個陶瓷層，可在其表面上粘接電子部件和蓋體，設有用于通過密封部件而與蓋體接合的密封用電極和與電子部件的輸入輸出電極和/或GND電極連接的焊盤的陶瓷層的表面以用于阻止密封部件流動的臺階側壁為邊界，分成配設了密封用電極的外側部和配設了焊盤的內側部，外側部和內側部中的一方相對于另一方突出。
文檔編號H03H9/25GK1734935SQ200510081999
公開日2006年2月15日 申請日期2005年7月15日 優先權日2004年8月11日
發明者長野奈津代, 小倉隆, 本鄉政紀, 福山正美 申請人:三洋電機株式會社