專利名稱：用于接收機均衡的裝置、系統和方法
技術領域：
本發明總地涉及接收機均衡。
背景技術：
兩個IC(集成電路)或ASIC(專用集成電路)之間的點對點互連正日益成為被廣泛接受的、用于高速數據傳輸應用的總線技術。用于這種鏈接的信號傳輸(signaling)方案可以是單端方式或差分方式。基于現有的印刷電路板(PCB)技術，由于互連頻率相關插入損耗特性造成的符號間干擾(ISI)成為更大的問題。ISI是實現點對點高速互連技術的主要瓶頸之一。
可以使用各種片內(on-die)接收機均衡技術來減少由PCB跡線的頻率相關損耗特性所產生的符號間干擾(ISI)。一些已知的接收機均衡技術包括具有數字濾波器的均衡方案和具有有源線性濾波器的均衡方案。
使用數字濾波器的接收機均衡技術通過在接收機端使用適當的有源數字FIR濾波器(有限沖激響應濾波器)或IIR濾波器(無限沖激響應濾波器)來抵償頻率相關損耗特性。這種數字濾波器的一個例子就是在接收機端實現的自適應(adaptive)抽頭延遲線濾波器。在接收機端的數字濾波器接收機均衡技術很有利，但是難以用硅片實現。使用FIR或IIR濾波器的數字濾波器接收機均衡電路消耗大量功率。這種數字自適應濾波器的系數可以通過使用合適的訓練序列來確定，且高階濾波器方案是可能的，但其實現極為復雜。由于有限的可用電壓限額，很難在這一階段的實現中獲得增益。
具有有源線性濾波器的均衡方案易于實現，而且使用這種方案的電路能夠適當地消耗功率。此外，具有大損耗的互連可以被均衡。這可能導致使用更長長度的互連。然而，有源濾波器一般使用具有有限帶寬的gm-c電路元件來實現。
從下面給出的詳細說明以及本發明的一些實施方案的附圖將能夠更完整地來理解本發明，然而，這些附圖并不把本發明限制于所描述的特定實施方案，而僅僅是用于解釋和理解。
圖1是根據本發明一些實施方案的裝置的電路圖。
圖2是根據本發明一些實施方案的裝置的電路圖。
圖3是根據本發明一些實施方案的裝置的電路圖。
圖4所示是根據本發明一些實施方案的裝置的框圖。
圖5是根據本發明一些實施方案的曲線圖。
圖6所示是根據本發明一些實施方案的裝置的框圖。
圖7所示是根據本發明一些實施方案的裝置的框圖。
圖8所示是根據本發明一些實施方案的系統的框圖。
具體實施例方式
本發明的一些實施方案涉及接收機均衡。在一些實施方案中自適應均衡在接收機上實現。在一些實施方案中為在點對點互連(例如芯片間)、高速數據總線、或其他任何高速串行互連上傳輸的信號執行自適應均衡。
在一些實施方案中，頻率相關增益電路被耦合到放大器的輸出。響應于放大器的輸出，所述增益電路提供至少兩個頻率相關增益特性范圍。控制電路提供所述至少兩個增益值中的一個作為輸出。
在一些實施方案中，使用基于RC濾波器的CMOS(互補金屬氧化物半導體)自適應均衡電路來減少符號間干擾(ISI)。在一些實施方案中，均衡電路和/或RC濾波器是用片內無源電阻和電容元件實現的。在一些實施方案中自適應反饋是基于DC平衡的8B/10B編碼信號特性的(例如，為了跟蹤溫度和過程變化)。在一些實施方案中，通過使用數字控制元件來針對給定互連優化普通高速接收機是可能的。在一些實施方案中，電阻R是用無源組件(例如，多晶電阻(poly resistance)，gbn阱(gbn-well)，和/或擴散型電阻(diffused))或者有源組件(例如，使用通過門(pass gate)，n-阱通過門(n-well pass gate)等等)實現的。在一些實施方案中，電容C是用金屬對金屬(metal-to-metal)電容實現的，具有pMOS柵極接到源極/漏極的電容，或是當nMOS隔離阱(isolated well)可用時具有nMOS柵極接到源極/漏極的電容。
在一些實施方案中，電阻和電容值取決于互連的插入損耗特性和終端電阻。在一些實施方案中，通過執行自適應均衡來基于期望的互連插入損耗特性調整均衡。為了獲得可變的離散頻率相關增益，在一些實施方案中可以級聯(或串行連接)兩個或更多個均衡電路，其中均衡電路的輸出以復用的方式來提供。在一些實施方案中，提供了離散的增益值。在一些實施方案中，選擇兩個或更多個離散增益值組成的組中的一個值作為輸出值。在一些實施方案中，選擇操作是通過使用DC平衡技術來執行的。在一些實施方案中，選擇操作是通過使用DC平衡的8B/10B編碼信號特性來執行的。
圖1示出根據一些實施方案的裝置100。裝置100包括輸入Vin、反相輸入EN1、輸入EN1、輸出A*Vin、p溝道MOSFET 102(金屬氧化物半導體場效應管)(pMOS晶體管102)、pMOS晶體管104、n溝道MOSFET 106(nMOS晶體管106)、nMOS晶體管108和電阻110。在一些實施方案中，裝置100是CMOS放大器。在一些實施方案中，裝置100是高帶寬低增益CMOS放大器。在一些實施方案中，裝置100是均衡器電路或是均衡器電路的構建模塊。
pMOS晶體管102的源極耦合到高電壓源Vss。pMOS晶體管102的柵極耦合到反相輸入EN1。pMOS晶體管102的漏極耦合到pMOS晶體管104的源極。
pMOS晶體管104的源極耦合到pMOS晶體管102的漏極。pMOS晶體管104的柵極耦合到輸入Vin，電阻110的第一端，以及nMOS晶體管106的柵極。pMOS晶體管104的漏極耦合到電阻110的第二端，輸出A*Vin，以及nMOS晶體管106的漏極。
nMOS晶體管106的源極耦合到nMOS晶體管108的漏極。nMOS晶體管106的柵極耦合到輸入Vin，電阻110的第一端，以及pMOS晶體管104的柵極。nMOS晶體管106的漏極耦合到pMOS晶體管104的漏極，電阻110的第二端，以及輸出A*Vin。
nMOS晶體管108的源極耦合到低電平電壓源Vcc。在一些實施方案中，低電平電壓源Vcc是地電壓(ground voltage)。nMOS晶體管108的柵極耦合到輸入EN1。nMOS晶體管108的漏極耦合到nMOS晶體管106的源極。
電阻110具有阻值R1。電阻110的第一端耦合到輸入Vin，pMOS晶體管104的柵極，以及nMOS晶體管106的柵極。電阻110的第二端耦合到輸出A*Vin，pMOS晶體管104的漏極以及nMOS晶體管106的漏極。電阻110被耦合在裝置100的輸入和輸出之間，在一些實施方案中，所述裝置100是一個經過修改的CMOS放大器。電阻110的阻值R1為CMOS放大器100提供負反饋，從而增加所述放大器的帶寬，并且此電路變為自偏置的。放大器100的輸出阻抗近似等于電阻110的阻值R1。放大器100的輸入阻抗近似等于R1/(1+A)，其中R1是電阻100的阻值，而A是放大器100的增益。放大器100的電壓增益等于-A，其中A是放大器的增益。
圖2示出根據一些實施方案的裝置200。在一些實施方案中，裝置200是均衡電路。裝置200包括輸入Vin、反相輸入EN1、輸入EN1、輸出Vout、pMOS晶體管202、pMOS晶體管204、nMOS晶體管206、nMOS晶體管208、電阻210、電阻212以及電容214。晶體管202、204、206、208和電阻210類似于在圖1中示出并參照圖1描述的晶體管102、104、106、108和電阻110，而且可以與圖1中的元件完全相同。
pMOS晶體管202的源極耦合到高電壓源Vss。pMOS晶體管202的柵極耦合到反相輸入EN1。pMOS晶體管202的漏極耦合到pMOS晶體管204的源極。
pMOS晶體管204的源極耦合到pMOS晶體管202的漏極。pMOS晶體管204的柵極耦合到電阻210的第一端，nMOS晶體管206的柵極，電阻212的第二端，以及電容214的第二端。pMOS晶體管204的漏極耦合到電阻210的第二端，輸出Vout，以及nMOS晶體管206的漏極。
nMOS晶體管206的源極耦合到nMOS晶體管208的漏極。nMOS晶體管206的柵極耦合到電阻210的第一端，pMOS晶體管204的柵極，電阻212的第二端，以及電容214的第二端。nMOS晶體管206的漏極耦合到pMOS晶體管204的漏極，電阻210的第二端，以及輸出Vout。
nMOS晶體管208的源極耦合到低電平電壓源Vcc。在一些實施方案中，低電平電壓源Vcc是地電壓。nMOS晶體管208的柵極耦合到輸入EN1。nMOS晶體管208的漏極耦合到nMOS晶體管206的源極。
電阻210具有阻值R1。電阻210的阻值R1可以與在圖1中示出的電阻110的阻值R1相同或不同。電阻210的第一端耦合到電阻212的第二端，電容214的第二端，pMOS晶體管204的柵極，以及nMOS晶體管206的柵極。電阻210的第二端耦合到輸出Vout，pMOS晶體管204的漏極以及nMOS晶體管206的漏極。
電阻212具有與電阻210的阻值R1相同或者不同的阻值R2。而且，正如上面所提到的，電阻210的阻值R1不需要與圖1的電阻110的阻值R1相同。電阻212的第一端耦合到輸入Vin以及電容214的第一端。電阻212的第二端耦合到電容214的第二端，以及電阻210的一端，pMOS晶體管204的柵極，以及nMOS晶體管206的柵極。
電容214具有電容值C1，C1可以為任意值。電容214的第一端耦合到輸入Vin以及電阻212的第一端。電容214的第二端耦合到電阻212的第二端，電阻210的一端，pMOS晶體管204的柵極以及nMOS晶體管206的柵極。
在一些實施方案中，電阻212和電容214是片內R2和C1的電阻網絡。在一些實施方案中，裝置200可以被稱為具有片內電阻網絡(包括電阻212和電容214)的均衡電路，所述片內電阻網絡之后緊跟著經過修改的CMOS放大器(包括晶體管202、204、206、208以及電阻210)。在一些實施方案中，R1、R2和C1的值可以被設置或固定，以提供預先確定的量化均衡水平。
圖3示出根據一些實施方案的裝置300。在一些實施方案中，圖3是均衡電路。在一些實施方案中，裝置300被稱為均衡塊(block)或完整均衡塊。裝置300包括輸入IN、反相輸入EN1、輸入EN1、輸出OUT、pMOS晶體管302、pMOS晶體管304、nMOS晶體管306、nMOS晶體管308、電阻310、電阻312、電容314、pMOS晶體管322、pMOS晶體管324、nMOS晶體管326、nMOS晶體管328以及電阻330。晶體管302、304、306、308和電阻310類似于在圖1中示出并參照圖1所描述的晶體管102、104、106、108和電阻110，而且類似于在圖2中示出并參照圖2所描述的晶體管202、204、206、208和電阻210，并且可以與圖1/圖2中的元件完全相同。類似地，電阻312和電容314類似于在圖2中示出并參照圖2描述的電阻212和電容214，而且可以與圖2中的元件完全相同。
pMOS晶體管302的源極耦合到高電壓源Vss。pMOS晶體管302的柵極耦合到反相輸入EN1。pMOS晶體管302的漏極耦合到pMOS晶體管304的源極。
pMOS晶體管304的源極耦合到pMOS晶體管302的漏極。pMOS晶體管304的柵極耦合到電阻310的第一端，nMOS晶體管306的柵極，電阻312的第二端，以及電容314的第二端。pMOS晶體管304的漏極耦合到電阻310的第二端，輸出OUT，以及nMOS晶體管306的漏極。
nMOS晶體管306的源極耦合到nMOS晶體管308的漏極。nMOS晶體管306的柵極耦合到電阻310的第一端，pMOS晶體管304的柵極，電阻312的第二端，以及電容314的第二端。nMOS晶體管306的漏極耦合到pMOS晶體管304的漏極，電阻310的第二端，以及輸出OUT。
nMOS晶體管308的源極耦合到低電平電壓源Vcc。在一些實施方案中，低電平電壓源Vcc是地電壓。nMOS晶體管308的柵極耦合到輸入EN1。nMOS晶體管308的漏極耦合到nMOS晶體管306的源極。
電阻310具有阻值R1。電阻310的阻值R1可以與圖1中示出的電阻110的阻值R1或是圖2中示出的電阻210的阻值R1相同或不同。電阻310的第一端耦合到電阻312的第二端，電容314的第二端，pMOS晶體管304的柵極，以及nMOS晶體管306的柵極。電阻310的第二端耦合到輸出OUT，pMOS晶體管304的漏極以及nMOS晶體管306的漏極。
電阻312具有阻值R2，R2與圖3中的電阻310的阻值R1、圖2中電阻212的阻值R2、圖2中的電阻210的阻值R1或是圖1中電阻110的阻值R1可以是相同的或不同的。而且，正如上面所提到的，電阻310的阻值R1不需要和圖1的電阻110的阻值R1或圖2中電阻210的阻值R1相同。電阻312的第一端耦合到pMOS晶體管324的漏極，電阻330的第二端，晶體管326的漏極，以及電容314的第一端。電阻312的第二端耦合到電容314的第二端，電阻310的第一端，pMOS晶體管304的柵極，以及nMOS晶體管306的柵極。
電容314具有電容值C1，C1可以為任意值。電容314的電容值C1可以與圖2中的電容214的電容值C1相同或是不同。電容314的第一端耦合到pMOS晶體管324的漏極，電阻330的第二端，nMOS晶體管326的漏極，以及電阻312的第一端。電容314的第二端耦合到電阻312的第二端，電阻310的第一端，pMOS晶體管304的柵極，以及nMOS晶體管306的柵極。
pMOS晶體管322的源極耦合到高電壓源Vss。pMOS晶體管322的柵極耦合到反相輸入EN1。pMOS晶體管322的漏極耦合到pMOS晶體管324的源極。
pMOS晶體管324的源極耦合到pMOS晶體管322的漏極。pMOS晶體管324的柵極耦合到輸入IN，電阻330的第一端，以及nMOS晶體管326的柵極。pMOS晶體管324的漏極耦合到電阻330的第二端，電阻312的第一端，以及電容314的第一端，以及nMOS晶體管326的漏極。
nMOS晶體管326的源極耦合到nMOS晶體管328的漏極。nMOS晶體管326的柵極耦合到電阻330的第一端，pMOS晶體管324的柵極，以及輸入IN。nMOS晶體管326的漏極耦合到pMOS晶體管302的漏極，電阻312的第一端，以及電容314的第一端。
nMOS晶體管328的源極耦合到低電平電壓源Vcc。在一些實施方案中，低電平電壓源Vcc是地電壓。nMOS晶體管328的柵極耦合到輸入EN1。nMOS晶體管328的漏極耦合到nMOS晶體管326的源極。
電阻330的第一端耦合到輸入IN，pMOS晶體管324的柵極，以及nMOS晶體管326的柵極。電阻330的第二端耦合到pMOS晶體管324的漏極，nMOS晶體管326的漏極，電阻312的第一端，以及電容314的第一端。電阻330具有阻值R3，所述阻值R3可以與圖3中的電阻312的阻值R2、圖2中的電阻212的阻值R2、圖3中的電阻310的阻值R1、圖2中的電阻210的阻值R1、圖1中的電阻110的阻值R1相同或是不同。在一些實施方案中，電阻330的阻值R3與圖3中的電阻310的阻值R1相同。
在一些實施方案中均衡電路300的低頻響應取決于阻值比率，因此也就是過程不相關(process independent)的。在一些實施方案中，均衡電路300的頻率相關傳遞特性的形狀是電容314的電容值C1乘以電阻312的阻值R2的結果值的函數(也即C1*R2的函數)。對于頻率相關特性的形狀是C1*R2的函數的均衡電路來說，在一些這種均衡電路的實施方案中，頻率相關特性是過程相關和溫度相關的，而且這有利于使用自適應反饋來跟蹤它們。自適應反饋取決于輸入信號特性。
在一些實施方案中，阻值和電容值(如R2和C1)在設計階段中被固定，這種情況下它們就取決于互連的插入損耗特性以及終端阻值。在一些實施方案中，為了跟蹤過程變化，此處圖示并描述的任意一個實施方案的電阻R1、R2及R3都是用相同的技術形成的。例如，如果圖3的一些實施方案的電阻R1是多晶電阻，那么R2和R3也應該是多晶電阻。此外，阻值和電容值(例如R1、R2、R3和C1)在電路設計階段中被固定并且在電路工作時不改變。
在一些實施方案中，通過執行自適應均衡來基于期望的互連插入損耗特性調整均衡結果。為了獲得可變的離散頻率相關增益，可以在一些實施方案中級聯(或是串行連接)兩個或更多的均衡電路，其中均衡電路的輸出以復用的方式來提供。
圖4示出根據一些實施方案的裝置400。在一些實施方案中，裝置400是提供輸出OUT均衡值的均衡電路。裝置400包括放大器402、兩個或更多個均衡電路404、406和408、兩個或更多個反相器410、412和414，以及復用器416。在一些實施方案中，放大器402、兩個或更多的均衡電路404、406和408以及兩個或更多個反相器410、412和414可以被稱作為提供兩個或更多離散增益值V#1、V#2，…，V#n的增益電路。
放大器402具有兩個差分輸入IN和IN以及單端輸出，所述單端輸出作為輸入IN#1被提供給均衡器電路404。在一些實施方案中，放大器402是CMOS放大器。在一些實施方案中，放大器402是高帶寬低增益CMOS放大器。在一些實施方案中，放大器402是寬帶差分到單端放大器(differential to single ended)。
均衡電路404、406和408的每一個都可以是任意類型的均衡電路。圖4顯示出了三個均衡電路404、406和408。然而，在不同的實施方案中可以使用任意數量的均衡電路，正如均衡電路406的輸出OUT#2和均衡電路408的輸入IN#n之間的虛線所示。在一些實施方案中，所述兩個或更多均衡電路(包括圖4中任何沒有特別示出的)中的任意一個或所有的均衡電路都可以使用在圖1、圖2和/或圖3中示出并參照這些圖描述的均衡電路來實現。在一些實施方案中，所有的均衡電路都完全相同。在一些實施方案中，有的均衡電路相同而有的互不相同。
均衡電路404、406和408是級聯的(串聯耦合)。反相器410、412和414分別耦合到均衡電路404、406和408的輸出，以提供離散增益值，分別是V#1、V#2和V#n。在一些如圖4所示的實施方案中，為了獲得可變的離散頻率相關增益，幾個均衡電路互相級聯來提供離散增益值集合。
離散增益值V#1、V#2，…，V#n被提供給復用器416的輸入。至復用器416的控制邏輯輸入被用作復用器416的選擇輸入，以選擇一個適當的離散增益值。例如，這種選擇和控制可以基于期望的均衡器傳遞特性。在一些實施方案中，控制邏輯為要求的均衡器傳遞特性選擇適當的輸出級數量。
在一些實施方案中，通過在不同電路中改變阻值和電容值使得均衡電路404、406和408不同。例如，在一些實施方案中均衡電路404、406，…，408的每一個都是均衡電路300，這些均衡電路的每一個都具有不同的電阻312的阻值R2，以及不同的電容314的電容值C1。在一些實施方案中，基于互連長度選擇不同的阻值和電容值。
圖5是頻率響應500的波形圖。例如，頻率響應500可以是由圖4示出的裝置400所提供的離散增益值V#1、V#2，…，V#n的頻率響應。波形500包括增益信號502(V#1)、增益信號504(V#2)和增益信號506(V#n)。從圖5可以明顯看出，通過使能(enable)大量均衡級(例如，使用圖4的級聯均衡電路)，頻率相關傳遞函數可以以離散步長(step)變化。
圖6示出根據一些實施方案的裝置600。在一些實施方案中，裝置600可以被稱作DC反饋環路(feedback loop)。在一些實施方案中裝置600可以被稱作控制電路。在一些實施方案中DC反饋環路600用于進行自適應均衡。在一些實施方案中，自適應均衡可以被用在接收機中以均衡傳輸線上或互連間的頻率相關損耗。在一些實施方案中，裝置600可以是基于DC平衡的8B/10B編碼信號特性的反饋環路。在一些實施方案中，裝置600被用來選擇復用器的輸出，并基于損耗(例如，互連損耗)使能要求數量的均衡級。
裝置600包括DC參考電壓值602、平均DC電壓檢測器、比較器606、控制邏輯608以及復用器610。復用器610可以是與圖4中示出的復用器416相同或不同的復用器。此外，DC參考602、平均DC檢測器604、比較器606和控制邏輯608都可以被應用在圖4中示出的一些實施方案中，這是通過將這些元件添加到在圖4中示出的復用器416的“控制”輸入上來實現的。類似地，可以將圖4的增益電路和/或裝置400的元件添加到圖6示出的裝置中。在一些實施方案中，圖4示出的增益電路提供在圖6中示出的離散增益值V#1、V#2，…，V#n。
平均DC檢測器604檢測從復用器610輸出的輸出信號的DC電壓含量(DC voltagecontent)。比較器606將從平均DC檢測器604檢測到的DC含量和DC參考值602進行比較。在一些實施方案中，DC參考602、平均DC檢測器604和比較器606使用DC平衡裝置得出并比較輸出的DC含量。控制邏輯608是可編程的，例如，通過在高頻提供更多衰減而在低頻提供更少衰減。
圖7示出根據一些實施方案的裝置700。在一些實施方案中，裝置700是均衡電路。裝置700包括放大器702、增益電路704和控制電路706。
放大器702具有輸入IN和反相輸入IN以及輸出。放大器702的輸出被提供給增益電路704作為輸入。增益電路704提供兩個或更多的離散增益值V#1、V#2，…，V#n。在一些實施方案中，增益電路704是圖4中示出的提供離散增益V#1、V#2，…，V#n的增益電路。圖7中示出的離散增益值V#1、V#2，…，V#n可以與圖4中示出的離散增益值V#1、V#2，…，V#n相同或不同。控制電路706接收所述兩個或更多的離散增益值V#1、V#2，…，V#n，并響應于離散增益值來提供輸出Out。在一些實施方案中，控制電路706選擇離散增益值V#1、V#2，…，V#n中的一個作為輸出Out。在一些實施方案中，控制電路706通過使用圖6中示出的裝置600(例如，控制電路或反饋環路，等等)來實現。在一些實施方案中，增益電路704和控制電路706自適應地均衡從放大器702的輸出。
圖8示出根據一些實施方案的系統800。系統800包括發射機802、接收機804和傳輸線(或互連)806。接收機804包括均衡電路812。在一些實施方案中，均衡電路812自適應地均衡在信號中的損耗。這種均衡可能是必須的，例如是由于在傳輸線(或互連)806上的損耗，或一些其他損耗。在一些實施方案中，均衡電路812是與圖7中示出的均衡電路700類似或相同的均衡電路。
在此處圖示出并描述的一些實施方案中使用了單端信號方案。然而，一些實施方案是用差分信號方案實現的。在一些實施方案中，在使用高速串行點對點互連的片對片通信中執行均衡操作。
在圖中所示的每種系統中，各元件在一些情形中可能每一個都具有相同的標號或不同的標號，用以指示所代表的元件可能是不同的和/或類似的。然而，元件可以是足夠靈活的，以具有不同的實現方式并且與這里所示出或描述的一些或所有系統協同工作。圖中所示出的各種元件可以是相同或不同的。哪一個被稱為第一元件和哪一個被稱為第二元件都是可以的。
實施方案就是所述發明的一個實現方式或實施例。說明書中所說的“實施方案”、“一種實施方案”、“一些實施方案”或“其他實施方案”是指關于這些實施方案而描述的特性、結構或特征被包括在所述發明的至少一些實施方案中，但不一定包括在所有實施方案中。“實施方案”、“一種實施方案”或“一些實施方案”的多次出現不一定全部都是指同樣的實施方案。
例如，如果說明書中聲稱“可以”、“可能”、“可”、“能夠”包括某個組件、特性、結構或特征，那么該特定組件、特性、結構或特征不必一定包括其中。如果說明書或權利要求書中提及“一個(“a”或“an”)”或“一種元件，這并不意味著該元件只有一個或一種。如果說明書或權利要求書提及“一個或一種附加的”元件，這并不排除有一個或一種以上的所述附加元件的情況。
雖然這里使用了流程圖和/或狀態圖來描述各種實施方案，但是本發明并不限制在這些圖或在本文中相應的描述中。例如，流程不需要經過每一個圖示的框或狀態或者嚴格地按照這里所圖示或描述的順序進行。
本發明并不局限于這里所列舉的具體細節。實際上，本領域得益于這篇公開文件的技術人員將會理解，在本發明的范圍內可以根據以上描述和附圖做出很多其他改變。因此，是所附的包括了對其所做的任何修改的權利要求書定義本發明的范圍。
權利要求
1.一種裝置，包括放大器；耦合到所述放大器輸出的增益電路，所述增益電路用來響應于所述放大器的輸出，提供至少兩個增益值；以及控制電路，所述控制電路用來提供所述至少兩個增益值中的一個作為輸出。
2.如權利要求1所述的裝置，其中，所述增益電路包括至少兩個均衡電路，所述至少兩個均衡電路中的每一個提供所述至少兩個增益值中的相應的一個。
3.如權利要求2所述的裝置，其中，所述至少兩個均衡電路串聯耦合到所述放大器的所述輸出。
4.如權利要求2所述的裝置，其中，所述至少兩個均衡電路中的每一個均包括RC濾波器。
5.如權利要求4所述的裝置，其中，所述RC濾波器的電阻R和電容C都是用片上組件實現的。
6.如權利要求4所述的裝置，其中，所述RC濾波器的電阻R是用無源組件實現的。
7.如權利要求4所述的裝置，其中，所述RC濾波器的電阻R是用有源組件實現的。
8.如權利要求4所述的裝置，其中，在所述裝置中的所有電阻都是用相同的技術形成的。
9.如權利要求8所述的裝置，其中，所述相同的技術是多晶電阻技術。
10.如權利要求4所述的裝置，其中，所述RC濾波器的R和C值在電路設計階段被固定。
11.如權利要求4所述的裝置，其中，所述放大器是CMOS放大器，并且所述增益電路是CMOS增益電路。
12.如權利要求11所述的裝置，其中，所述增益電路包括至少兩個均衡電路，所述至少兩個均衡電路中的每一個提供所述至少兩個增益值中的相應的一個。
13.如權利要求12所述的裝置，其中，所述至少兩個均衡電路被串聯耦合到所述放大器的所述輸出。
14.如權利要求13所述的裝置，其中，所述至少兩個均衡電路中的每一個都包括RC濾波器。
15.如權利要求1所述的裝置，其中，所述控制電路包括DC反饋電路，并且響應于所述DC反饋電路來選擇由所述控制電路提供的所述輸出。
16.如權利要求15所述的裝置，其中，所述DC反饋電路使用DC平衡來幫助選擇所述輸出。
17.一種系統，包括發射機；接收機；以及耦合到所述發射機和接收機的互連；其中，所述接收機包括均衡電路，所述均衡電路包括放大器；耦合到所述放大器輸出的增益電路，所述增益電路用來響應于所述放大器的輸出，提供至少兩個增益值；以及控制電路，用來提供所述至少兩個增益值中的一個作為輸出。
18.如權利要求17所述的系統，其中，所述增益電路包括至少兩個均衡電路，每個均衡電路提供所述至少兩個增益值中的相應的一個。
19.如權利要求18所述的系統，其中，所述至少兩個均衡電路串聯耦合到所述放大器的所述輸出。
20.如權利要求18所述的系統，其中，所述至少兩個均衡電路中的每一個都包括RC濾波器。
21.如權利要求17所述的系統，其中，所述放大器是CMOS放大器且所述增益電路是CMOS增益電路。
22.如權利要求21所述的系統，其中，所述增益電路包括至少兩個均衡電路，每個均衡電路提供所述至少兩個增益值中的相應的一個。
23.如權利要求22所述的系統，其中，所述至少兩個均衡電路被串聯耦合到所述放大器的所述輸出。
24.如權利要求23所述的系統，其中，所述至少兩個均衡電路中的每一個都包括RC濾波器。
25.如權利要求17所述的系統，其中，所述控制電路包括DC反饋電路，而且響應于所述DC反饋電路來選擇由所述控制電路提供的所述輸出。
26.如權利要求25所述的系統，其中，所述DC反饋電路使用DC平衡來幫助選擇所述輸出。
27.一種方法，包括提供至少兩個離散增益信號；以及自適應地選擇所述增益信號中的一個作為輸出信號。
28.如權利要求27所述的方法，其中，所述至少兩個離散增益信號是用均衡來提供的。
29.如權利要求28所述的方法，其中，所述均衡是用級聯方式執行的。
30.如權利要求29所述的方法，其中，所述級聯的均衡包括RC濾波器技術。
31.如權利要求27所述的方法，其中，所述的選擇操作是基于DC反饋執行的。
32.如權利要求31所述的方法，其中，所述DC反饋使用DC平衡來幫助選擇所述輸出。
全文摘要
頻率相關增益電路被耦合到放大器(402)的輸出。響應于放大器的輸出，所述增益電路提供至少兩個頻率相關增益特性(V#1－V#n)范圍。控制電路提供所述至少兩個增益值中的一個作為輸出。
文檔編號H03H7/12GK1839544SQ200480024199
公開日2006年9月27日 申請日期2004年6月30日 優先權日2003年7月2日
發明者阿洛克·特里帕斯, 肯·德羅塔, 戴夫·鄧寧 申請人:英特爾公司