專利名稱：雙工器的制作方法
技術領域：
本發明總體上涉及雙工器，尤其是涉及一種在一個基板上形成有多個表面聲波濾波器的雙工器。
背景技術：
現在對于800MHz波段便攜式電話裝置和移動通信裝置使用均具有兩個表面聲波(SAW)濾波器的多個天線雙工器。天線雙工器中采用的這些SAW濾波器需要具有高的電力耐久性，以執行穩定的操作并實現較長的使用壽命。因此，每個雙工器的兩個濾波器通常用多個梯型濾波器構成，該多個梯型濾波器具有以梯狀方式連接的多個SAW器件并表現出較高的電力耐久性。
隨著對更小型便攜式電話裝置和移動通信裝置的需求的不斷增長，可以在尺寸方面比較容易小型化的SAW濾波器，對于1.9GHz波段的移動通信系統(例如，像北美市場上的個人通信業務(PCS))的天線雙工器是優選的。
不管是對于800MHz波段的裝置還是對于1.9GHz波段的裝置來說，都期望制造出更小型化的天線雙工器。可通過在一個基板上形成兩個SAW濾波器來制造更小型化的天線雙工器(例如，如在日本專利申請No.2002-237739中所公開的那樣)。
但是，為試圖制造更小的裝置而在小基板上形成兩個SAW濾波器會帶來一些問題，例如阻帶抑制程度的下降，以及發送信號與接收信號之間的串擾增加。與在800MHz波段的天線雙工器相比，這些問題在1.9GHz波段的天線雙工器中尤其明顯，為此，很難利用SAW濾波器來生產1.9GHz波段的天線雙工器。
為了消除發送信號與接收信號之間的串擾問題，在兩個分離的基板上形成兩個SAW濾波器以制造天線雙工器。
但是，優選地，應該將所述SAW濾波器同時形成在一個基板上以制造天線雙工器。這樣做的原因之一是要實現小型化的天線雙工器。以下列出了其他的原因。當在兩個分離的基板上形成兩個SAW濾波器時，隨著處理批次間的電極膜厚度和電極指寬度的變化，兩個SAW濾波器的中心頻率會有波動。結果，中心頻率之間的間隙的波動是每個SAW濾波器的中心頻率波動的兩倍，造成天線雙工器的特性方面的很大改變。而另一方面，當在一個基板上同時形成兩個SAW濾波器時，兩個SAW濾波器的中心頻率不會受到電極膜厚度和電極指寬度變化的影響。因此，兩個中心頻率之間的間隙不會有很大的改變，從而可以獲得具有希望的濾波特性的天線雙工器。如上所述，每個天線雙工器的特性受到所述兩個SAW濾波器的中心頻率之間的間隙的很大影響。因此，優選地在一個基板上同時形成兩個SAW濾波器以實現更高的合格率。
如上所述，對于更高頻率的天線雙工器和更小型化的天線雙工器有很大的市場需求。但是，如果要滿足這些需求，就會增加發送信號與接收信號之間的串擾。因此，實現良好的濾波特性一直以來都是非常困難的。
發明內容
因此，本發明的目的是提供一種其中消除了上述缺點的雙工器。
本發明的更具體的目的是提供一種雙工器，該雙工器具有位于一單基板上的兩個或更多個SAW濾波器，并表現出串擾更少的優良濾波特性。
本發明的上述目的是通過一種雙工器來實現的，該雙工器包括一梯型濾波器和一多模濾波器，其中，梯型濾波器和多模濾波器都形成在一預定基板的同一表面上，梯型濾波器的第一梳狀電極和多模濾波器的第二梳狀電極采用具有相同膜厚的相同層結構，第一梳狀電極和第二梳狀電極由主要含鋁的單層薄膜形成，第一梳狀電極和第二梳狀電極的膜厚h、梯型濾波器的頻帶的中心頻率f1、和多模濾波器的頻帶的中心頻率f2之間的關系表示為
300≤h×f1≤480300≤h×f2≤430本發明的上述目的還可通過一種雙工器來實現，該雙工器包括形成在一壓電基板的同一表面上的梯型濾波器和多模濾波器，其中，梯型濾波器的第一梳狀電極和多模濾波器的第二梳狀電極采用具有相同膜厚的相同層結構，第一梳狀電極和第二梳狀電極由主要含鋁的單層薄膜形成，或者由包括n(n為整數1或更大)層的單層或多層薄膜構成，所述n層包括主要含除鋁以外的金屬的一層，第一梳狀電極和第二梳狀電極的第k(k為整數1或更大)層的膜厚hk、第k層金屬相對于鋁的比重ak、梯型濾波器的頻帶的中心頻率f1、和多模濾波器的頻帶的中心頻率f2之間的關系表示為300≤f1×Σk=1n(ak×hk)≤480]]>300≤f2×Σk=1n(ak×hk)≤430]]>
結合附圖閱讀下面的詳細說明，本發明的其他目的、特征和優點將變得更清楚，圖中圖1是顯示根據本發明第一實施例的雙工器的結構的框圖；圖2是要在根據第一實施例的雙工器中采用的梯型濾波器的俯視圖；圖3是要在根據第一實施例的雙工器中采用的多模濾波器的俯視圖；圖4是示出圖2中所示梯型濾波器的濾波特性和圖3所示多模濾波器的濾波特性的曲線圖；圖5是示出模擬結果的曲線圖，進行所述模擬以檢查當采用圖3的多模濾波器作為雙工器的更高頻率濾波器時以及當采用圖2的梯型濾波器作為雙工器的更高頻率濾波器時從發送側到接收側的串擾；圖6是一曲線圖，示出了濾波器的傳輸特性中的過渡波段；圖7是一曲線圖，示出了圖2中的梯型濾波器的過渡波段相對于電極膜厚度的變化；圖8是一曲線圖，示出了圖3中的多模濾波器的過渡波段相對于電極膜厚度的變化；圖9是一曲線圖，示出了在厚度h和中心頻率f1的乘積值變化的情況下的圖2中的梯型濾波器的帶通特性；圖10是示出根據第一實施例的雙工器的具體示例的結構的框圖；圖11是一曲線圖，示出了從圖10中的雙工器的發送側到天線所觀測的帶通特性以及從天線到接收側所觀測的帶通特性；圖12是一曲線圖，示出了從圖10中所示雙工器的發送側到接收側所觀測的串擾特性；以及圖13示出了在圖10所示的雙工器中采用的并聯多級DMS結構。
具體實施例方式
以下是參照附圖對本發明實施例的說明。
(第一實施例)首先詳細說明本發明的第一實施例。圖1是示出根據該實施例的雙工器1的結構的框圖。雙工器1具有形成在基板10上的多個表面聲波(SAW)濾波器(發送濾波器11和接收濾波器12)。盡管雙工器的尺寸減小且使用高頻，但為了保持優良的濾波特性，所述兩個濾波器11和12中的一個由一梯型濾波器構成，而另一個由一多模濾波器構成。在將SAW濾波器11和12連接到充當SAW濾波器11和12的公共端子的天線端口15的線路上設置了一移相器13，該移相器13是用于匹配輸入阻抗的匹配電路。
圖2示出了梯型濾波器的示例結構。如圖2所示，梯型濾波器110包括串聯連接的多個梳狀電極(交指型變換器；下面稱之為IDT)111；和，與該多個IDT 111并聯連接的多個IDT 112。在此，包括串聯連接的所述多個IDT 111的多個諧振器為串聯支路諧振器，包括并聯連接的所述多個IDT 112的諧振器為并聯支路諧振器。在梯狀結構中，所述多個串聯支路諧振器排列在多個串聯支路中，而所述多個并聯支路諧振器排列在多個并聯支路中。
另一方面，與梯型濾波器110相比，多模濾波器在更寬的頻率范圍內表現出較大程度的阻帶抑制。圖3示出了多模濾波器120的結構。如圖3所示，多模濾波器120包括橫向排列的一個IDT 121和兩個IDT 122，反射電極123設置在該結構布局的兩端。IDT 121連接到輸入端，而IDT122連接到輸出端。在多模濾波器120中，激發、傳播和接收SAW。在多種類型的多模濾波器中，圖3中所示結構與雙模SAW(DMS)濾波器的結構相同。
盡管具有上述結構的梯型濾波器110是一具有由IDT 111和112形成的作為阻抗器件的多個SAW諧振器的電子電路，但由于寄生電容的不利影響等，梯型濾波器110的阻帶抑制程度沒有多模濾波器120的那么大。因此，將雙工器1的SAW濾波器11和12中的一個實施為多模濾波器120，以減少發送信號與接收信號之間的串擾。下面將參照圖4和5對該結構進行說明。
圖4示出了梯型濾波器110的濾波特性和多模濾波器120的濾波特性。從圖4明顯看出，梯型濾波器110和多模濾波器120均在某一頻段內表現出非常小的插入損耗。因此，可以認為梯型濾波器110和多模濾波器120在通帶插入損耗方面具有相同的濾波特性。至于在低頻側(在圖4中由虛線包圍的區域所表示)的阻帶抑制，多模濾波器120比梯型濾波器110要好約10dB。
圖5示出了以下模擬的結果在高頻濾波器(接收濾波器12)為多模濾波器120的情況下，為檢查從發送端到接收端的串擾而進行的模擬；和在接收濾波器12為梯型濾波器110的情況下，為檢查從發送端到接收端的串擾而進行的模擬。在這些模擬中，雙工器1的低頻濾波器(發送濾波器11)為梯型濾波器110。
從圖5可清楚看到，與采用梯型濾波器110作為接收濾波器12的情況相比，采用多模濾波器120作為接收濾波器12改進了抑制程度，尤其是改進了低頻區域(在圖5中由虛線所包圍的區域所表示)內的抑制程度。這是因為在該區域中多模濾波器120的阻帶抑制程度大于梯型濾波器110的阻帶抑制程度(也可參見圖4)。從上述結果判斷，顯然采用多模濾波器120作為雙工器1的兩個SAW濾波器之一的結構可實現在串擾方面更優質的特性。
但是，在電力耐久性方面，多模濾波器120比梯型濾波器110差。為此，如果兩個SAW濾波器11和12都由多模濾波器120構成的話，雙工器1的電力耐久性會大大降低。為了在改進濾波特性的同時保持高電力耐久性，優選地采用多模濾波器120作為兩個SAW濾波器11和12中的一個。
優選地，梯型濾波器110和多模濾波器120(特別是IDT 111、112、121和122)應該由具有相同膜厚的相同金屬制成。這將有效地簡化設計和生產過程，還將自動地消除由不同處理批次的電極膜厚度和電極指寬度的變化所造成的兩個SAW濾波器11和12的中心頻率的變化。因此，同時形成發送濾波器11和接收濾波器12使在生產過程中所導致的電極膜厚度和電極指寬度的變化具有相關性。結果，在兩個濾波器11與12之間的中心頻率的變化中也出現相關性。由于相互同步變化的兩個SAW濾波器11和12的中心頻率之差不會改變很大，所以可以容易地獲得希望的濾波特性，并且可以提高雙工器1的合格率。
例如，形成兩個SAW濾波器11和12的IDT 111、112、121和122可以是由主要含鋁(Al)的金屬制成的電極薄膜。不過，也可以形成主要含除鋁(Al)之外的金屬的單層結構，或者形成包括多個這種單層的多層結構。例如，除鋁(Al)之外的金屬可以是鈦(Ti)、銅(Cu)、金(Au)、鉬(Mo)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉻(Cr)、鉑(Pt)、釕(Ru)或銠(Rh)。
例如，其上形成有兩個SAW濾波器11和12的基板10可以是作為旋轉Y切割板的42°Y切割X傳播鉭酸鋰的壓電單晶基板(以下稱為LT基板)，或者是作為旋轉Y切割板的42°Y切割X傳播鈮酸鋰的壓電單晶基板(以下稱為LN基板)。基板10也可以是由諸如某種晶體的壓電材料制成的壓電基板(以下稱為壓電基板)。對于LT基板，插入損耗比較小。
在發送濾波器11(在該實施例中為梯型濾波器110)和接收濾波器12(在該實施例中為多模濾波器120)形成在一個基板上的情況下，即，當在一個基板上形成不同類型的兩個SAW濾波器時，很難同時獲得兩個SAW濾波器的理想濾波特性，因為最佳設計參數，尤其是IDT 111、112、121和122的最佳電極膜厚度，在多模濾波器120與梯型濾波器110之間是不同的。因此，發明人進行了深入細致的研究，來確定使梯型濾波器110和多模濾波器120同時表現出優良的濾波特性的設計條件。下面將對該設計條件進行詳細說明。
首先，對關于梯型濾波器110和多模濾波器120的電極膜厚度在過渡波段內的變化進行說明。如圖6所示，過渡波段是通帶與阻帶之間的邊界上的區域。在梯型濾波器110具有-3.5dB及以上的通帶和-42dB及以下的阻帶的情況下，過渡波段為從-42dB到-3.5dB的頻率區域。同樣地，在多模濾波器120具有-4dB及以上的通帶和-50dB及以下的阻帶的情況下，過渡波段為從-50dB到-4dB的頻率區域。
圖7是一曲線圖，示出了要并入到用于PCS(個人通信業務)的1.9GHz波段雙工器中的梯型濾波器110的過渡帶寬與h×f1之間的關系。在該梯型濾波器110中，基板10是上述LT基板，IDT 111和112由包含鋁(Al)作為電極材料的單層結構形成。在圖7中，橫軸表示中心頻率f1和膜厚h的乘積h×f1，h表示梯型濾波器110的IDT 111和112的厚度。
圖8是一曲線圖，示出了要并入到用于PCS的1.9GHz波段雙工器中的多模濾波器120的過渡帶寬與h×f2之間的關系。與梯型濾波器110一樣，該多模濾波器120的基板10是上述LT基板，并且IDT 111和112由包含鋁(Al)作為電極材料的單層結構形成。在圖8中，橫軸表示中心頻率f2和膜厚h的乘積h×f2，h表示多模濾波器120的IDT 111和112的厚度。
將上述梯型濾波器110設計為遵循PCS標準的發送濾波器(發送波段1850MHz到1910MHz)，梯型濾波器110的中心頻率f1為1880MHz。將多模濾波器120設計為遵循PCS標準的接收濾波器(接收波段1930MHz到1990MHz)，中心頻率f2為1960MHz。
當發送波段的上界為1910MHz而接收波段的下界為1930MHz時，在PCS中發送波段與接收波段之間的間隙窄至20MHz。在發送波段和接收波段彼此非常接近的這種情況下，發送濾波器11和接收濾波器12的濾波特性需要具有非常陡的截止特性。在上述示例中，發送濾波器11和接收濾波器12需要具有窄于20MHz的過渡波段。從圖7所示的梯型濾波器110的濾波特性可以判斷出，乘積h×f1應該為480或更小，以獲得窄于20MHz的過渡波段。從圖8所示的多模濾波器120的濾波特性可以判斷出，乘積h×f2應該在300至430的范圍之內，以獲得窄于20MHz的過渡波段。但是，如果梯型濾波器11的電極膜厚度太薄，則如圖9中所示，會在通帶區內出現脈動紋波。因此，乘積h×f1的下限應該優選為300或更大。圖9是一曲線圖，示出了當改變乘積h×f1時所觀測到的梯型濾波器110的通帶特性變化。
基于上述理由，當在具有在基板的同一平面上形成的梯型濾波器110和多模濾波器120的雙工器中，形成梯型濾波器110的IDT 111和112以及形成多模濾波器120的IDT 121和122是由膜厚相同的金屬制成的時，設計條件應該如下300≤h×f1≤480300≤h×f2≤430…(1)其中h代表IDT 111、112、121和122中的每一個的膜厚；f1代表梯型濾波器110的中心頻率；f2代表多模濾波器120的中心頻率。這樣，發送濾波器11和接收濾波器12的過渡波段可以為20MHz或更窄，可以獲得滿足PCS規范的雙工器特性，并且可以降低發送信號與接收信號之間的抑制串擾。由此可以獲得改進的濾波特性。
在實際生產雙工器1時，更加優選的是，具有比15MHz更窄的過渡波段，因為，IDT 111、112、121和122的電極膜厚度和電極指寬度存在變化。為了實現這樣的過渡波段，設計條件應該如下300≤h×f1≤420350≤h×f2≤410…(2)盡管在上述說明中已經對1.9GHz波段的雙工器1進行了描述，但本發明并不限于1.9GHz波段，而是也可以應用于800MHz波段的雙工器或2.0GHz波段的雙工器。對于這樣的改變，仍然可以獲得如上所述的相同效果。因此，不管梯型濾波器和多模濾波器的中心頻率如何變化，都可以獲得與圖7和8中所示相同的曲線圖。
接下來，詳細說明具有上述結構并滿足上述設計條件的雙工器100。
在該具體示例中，將上述雙工器1制造成要在PCS中使用的1.9GHz波段的天線雙工器。圖10示出了雙工器100的結構。
在該具體示例中，采用LT基板作為基板10。在基板10上形成的發送濾波器11為具有四個串聯支路諧振器的四級結構的梯型濾波器110，如圖2所示。在基板10上形成的接收濾波器12為包括多模濾波器120a至120f的并聯連接兩級DMS濾波器，多模濾波器120a至120f中的每一個都具有排列成一行的三個IDT 121與122，還具有設在兩端的多個反射器，如圖3所示。在該結構中，多模濾波器120a至120c連接到一側，多模濾波器120d至120f連接到另一側。圖13示出了多模濾波器120a至120f之間的連接關系。盡管圖13示出了單相輸入/輸出結構，但也可以采用平衡型輸入/輸出結構。此外，移相器13設置在接收濾波器12的輸入端與天線端口之間。
形成梯型濾波器110和多模濾波器120a至120f的IDT 111、112、121和122(參見圖2和3)具有同時制作在基板10上的單層結構。IDT 111、112、121和122中的每一個都具有由主要含鋁(Al)的電極材料制成的單層，每個IDT 111、112、121或122的膜厚h為0.18μm。
因此，通過將膜厚h(＝1.8×10-7m)與各發送濾波器11的中心頻率f1(＝1.88×109Hz)相乘獲得的值約為338，而通過將膜厚h(＝1.8×10-7m)與接收濾波器12的中心頻率f2(＝1.96×109Hz)相乘獲得的值約為353，這兩個值均滿足表達式(1)所表示的設計條件。這些值也滿足表達式(2)所表示的設計條件。
圖11示出了從雙工器100的發送側到天線所觀測到的帶通特性(即，發送濾波器11的帶通特性)以及從天線到雙工器100的接收側所觀測到的帶通特性(即，接收濾波器12的帶通特性)。從圖11可清楚看出，在發送波段內的插入損耗為-3.5dB或更小，而在接收波段內的插入損耗為-4dB或更小。在發送波段內的抑制程度為-50dB或更大，而在接收波段內的抑制程度為-45dB或更大。基于這些結果，證明該具體示例的雙工器100在實際應用中是有效的。
圖12示出了從雙工器100的發送側到接收側所觀測到的串擾特性。從圖12可清楚看到，在發送波段內將串擾限制為-50dB或更大，在接收波段內將串擾限制為-42dB或更大。基于這些結果，證明該具體示例的雙工器100具有優良的特性，并且在實際應用中是有效的。
由于上述雙工器具有在同一基板上由相同膜厚的相同電極材料制成的多個電極，所以簡化了制造過程，并且提高了產品合格率。
(第二實施例)下面對本發明的第二實施例進行詳細的說明。如第一實施例中那樣，在本實施例中，發送濾波器11為梯型濾波器110，接收濾波器12為多模濾波器120。在上述第一實施例中，發送濾波器11和接收濾波器12的每個IDT 111、112、121和122是由主要含鋁(Al)的電極材料制成的單層結構。
通常，優選地，由具有高電力耐久性的電極膜形成發送濾波器11的IDT 111和112，因為通常施加給發送濾波器11的功率大于施加給接收濾波器12的功率。鑒于此，在該實施例中由具有相對較高電力耐久性的電極膜來形成IDT 111和112。
更具體地，具有高電力耐久性的電極膜的示例包括多個金屬膜，每個金屬膜都具有鋁-銅/銅/鋁-銅(Al-Cu/Cu/Al-Cu)三層結構、其中層疊有主要含鋁(Al)和鈦的材料的多層結構、鋁-鎂(Al-Mg)的疊層結構以及鋁-銅-鎂(Al-Cu-Mg)的疊層結構。
當發送濾波器11(梯型濾波器110)的IDT 111和112由上述電極膜形成時，有效的是，通過相同的制造工序來形成具有相同層結構的接收濾波器12(多模濾波器120)的IDT 121和122。通過這樣做，就增加了雙工器1的電力耐久性。由于從發送濾波器11泄漏的電力流入接收濾波器12中，所以接收濾波器12必須具備一定程度的電力耐久性。由于接收濾波器12是由具有與上述發送濾波器11相同的電力耐久性的電極膜形成的，所以可提高接收濾波器12(多模濾波器120)的電力耐久性。而且，通過相同工序形成具有相同層結構的發送濾波器11和接收濾波器12的IDT 111、112、121和122的優勢在于，不僅可以簡化制造工藝，而且可以限制由電極厚度變化和電極指寬變化而導致的濾波特性方面的變化。
在IDT 111、112、121和122是由除鋁(Al)以外的電極材料形成的情況下，由于所用電極材料與鋁(Al)之間的比重差異將導致電極膜厚度發生變化。不過，在該實施例中，在IDT 111、112、121和122是由包括除鋁(Al)以外的電極材料制成的層的單層或多層結構形成的情況下，電極材料相對于鋁的比重是成倍的。這樣，就將電極材料的比重轉換成基本上等于鋁(Al)的電極膜厚度的電極膜厚度，并且該電極膜厚度的值應該滿足由表達式(1)所限定的設計條件。在此，根據該實施例的設計條件如下300≤f1×Σk=1n(ak×hk)≤480]]>300≤f2×Σk=1n(ak×hk)≤430···(3)]]>其中hk代表各IDT 111、112、121和122的第k層的膜厚(k為自然數)，ak代表第k層電極材料相對于鋁(Al)的比重。
類似于第一實施例，當把形成雙工器1的IDT 111、112、121和122的電極膜厚度和電極指寬度的變化考慮在內時，考慮過渡波段為15MHz而不是20MHz。因此，將設計條件設定如下300≤f1×Σk=1n(ak×hk)≤420]]>350≤f2×Σk=1n(ak×hk)≤410···(4)]]>即使具有單層或多層結構的IDT 111、112、121和122是由除鋁(Al)以外的電極材料制成的，利用這些設計條件，也可以按與第一實施例相同的方式來獲得滿足PCS規范的雙工器特性，其中，發送信號與接收信號之間的串擾得到了抑制。這樣，就可以制造出具有優良的濾波特性的雙工器。
不過，在IDT 111、112、121和122是由具有多層結構的電極膜形成的情況下，與IDT 111、112、121和122是由鋁(Al)制成的單層結構所形成的情況相比，由于電阻更大而使濾波器插入損耗增加了。為了克服這種問題，該實施例采用圖10和13中所示的結構，其中，按與第一實施例的結構中相同的方式并聯連接多個多模濾波器120。這樣，就可減小接收濾波器12的電阻，也減小了濾波器插入損耗。該實施例的其他方面與第一實施例的相同，因此在這里省略了對其的說明。
盡管已經顯示并說明了本發明的幾個優選實施例，但是本領域的技術人員應該理解的是，在不偏離本發明的原理和精神、以及由權利要求及其等同物所限定的本發明的范圍的情況下，可對這些實施例進行改變。
本申請基于在2003年4月25提交的日本專利申請No.2003-121871，其全部公開在此引入作為參考。
權利要求
1.一種雙工器，包括梯型濾波器和多模濾波器，形成在一預定基板的同一表面上，梯型濾波器的第一梳狀電極和多模濾波器的第二梳狀電極具有膜厚相等的相同層結構，第一梳狀電極和第二梳狀電極由主要含鋁的單層膜形成，第一梳狀電極和第二梳狀電極的膜厚h、梯型濾波器的頻帶的中心頻率f1和多模濾波器的頻帶的中心頻率f2之間的關系表示為300≤h×f1≤480300≤h×f2≤430。
2.根據權利要求1所述的雙工器，其中，膜厚h、中心頻率f1和中心頻率f2之間的關系表示為300≤h×f1≤420350≤h×f2≤410。
3.一種雙工器，包括梯型濾波器和多模濾波器，形成在一壓電基板的同一表面上，梯型濾波器的第一梳狀電極和多模濾波器的第二梳狀電極具有膜厚相等的相同層結構，第一梳狀電極和第二梳狀電極由主要含鋁的單層膜、或者包括n層的單層或多層膜形成，其中n為1或更大的整數，所述n層包括一個主要含除鋁以外的金屬的層，第一梳狀電極和第二梳狀電極的第k層的膜厚hk、第k層的金屬相對于鋁的比重ak、梯型濾波器的頻帶的中心頻率f1、以及多模濾波器的頻帶的中心頻率f2之間的關系如下所示，其中k為1或更大的整數300≤f1×Σk=1n(ak×hk)≤480]]>300≤f2×Σk=1n(ak×hk)≤430.]]>
4.根據權利要求3所述的雙工器，其中，膜厚hk、比重ak、中心頻率f1、以及中心頻率f2之間的關系表示為300≤f1×Σk=1n(ak×hk)≤420]]>350≤f2×Σk=1n(ak×hk)≤410.]]>
5.根據權利要求1所述的雙工器，其中，所述預定基板為旋轉的Y切割X傳播鉭酸鋰基板，在該旋轉的Y切割X傳播鉭酸鋰基板上表面聲波沿X方向傳播。
6.根據權利要求1所述的雙工器，包括多個多模濾波器。
全文摘要
一種雙工器，包括形成在一預定基板的相同表面上的梯型濾波器和多模濾波器。在該雙工器中，梯型濾波器的第一梳狀電極和多模濾波器的第二梳狀電極具有膜厚相等的相同層結構。第一梳狀電極和第二梳狀電極由主要含鋁的單層膜形成。第一梳狀電極和第二梳狀電極的膜厚h、梯型濾波器的頻帶的中心頻率f
文檔編號H03H3/08GK1540861SQ20041003751
公開日2004年10月27日 申請日期2004年4月23日 優先權日2003年4月25日
發明者潤 堤, 堤潤, 井上將吾, 吾, 志, 松田隆志, 上田政則, 則 申請人:富士通媒體部品株式會社, 富士通株式會社