專利名稱:振幅變換電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種振幅變換電路,特別是,涉及用于變換信號(hào)振幅的振幅變換電路。
背景技術(shù):
圖17是表示與現(xiàn)有移動(dòng)電話機(jī)的圖像顯示相關(guān)聯(lián)部分的構(gòu)成框圖。
圖17中,該移動(dòng)電話機(jī)具備作為MOST型集成電路(MOS晶體管)的控制用LS151、作為MOST型集成電路的電平移動(dòng)裝置52、和作為TFT(薄膜晶體管)型集成電路的液晶顯示裝置53。
控制用LSI51生成液晶顯示裝置53用的控制信號(hào)。該控制信號(hào)的“H”電平為3V,其“L”電平為0V。雖然實(shí)際上生成多個(gè)控制信號(hào),但是這里為了簡(jiǎn)化說明,控制信號(hào)設(shè)為1個(gè)。電平移動(dòng)裝置52轉(zhuǎn)換控制用來自LSI51的控制信號(hào)邏輯電平,生成內(nèi)部控制信號(hào)。該內(nèi)部控制信號(hào)的“H”電平為7.5V,其“L”電平為0V。液晶顯示裝置53按照來自電平移動(dòng)裝置52的內(nèi)部控制信號(hào)顯示圖像。
圖18是表示電平移動(dòng)裝置52的構(gòu)成電路圖。圖18中,該電平移動(dòng)裝置52包括P溝道MOS晶體管54、55和N溝道MOS晶體管56、57。P溝道MOS晶體管54、55分別連接到電源電位VCC(7.5V)的結(jié)點(diǎn)N51和輸出結(jié)點(diǎn)N54、N55之間,這些結(jié)點(diǎn)分別連接到輸出結(jié)點(diǎn)N 5 5、N 5 4。N溝道M O S晶體管56、57分別連接到輸出結(jié)點(diǎn)N54、N55與接地電位GND結(jié)點(diǎn)之間,其柵極分別接收輸入信號(hào)VI、/VI。
現(xiàn)在,輸入信號(hào)VI、/VI分別設(shè)為“L”電平(0V)和“H”電平(3V),輸出信號(hào)VO、/VO分別設(shè)為“H”電平(7.5V)和“L”電平(0V)。這時(shí),MOS晶體管54、57為導(dǎo)通,MOS晶體管55、56為非導(dǎo)通。
該狀態(tài)下,輸入信號(hào)VI從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V),同時(shí)輸入信號(hào)/VI從“H”電平(3V)下降到“L”電平(0V)的話,首先N溝道MOS晶體管56導(dǎo)通,輸出結(jié)點(diǎn)N54的電位下降。若輸出結(jié)點(diǎn)N54的電位低于電源電位VCC減去P溝道MOS晶體管55的閾值電壓絕對(duì)值的電位,P溝道MOS晶體管55開始導(dǎo)通,輸出結(jié)點(diǎn)N55是電位開始上升。輸出結(jié)點(diǎn)N55的電位一開始上升,P溝道MOS晶體管54的源-柵間電壓就減少,P溝道MOS晶體管54的導(dǎo)通電阻值升高,進(jìn)而輸出結(jié)點(diǎn)N54的電位下降。于是,電路進(jìn)行正反饋動(dòng)作,輸出結(jié)點(diǎn)VO、/VO分別變成了“L”電平(0V)和“H”電平(7.5V),電平變換工作完了。
圖19是表示現(xiàn)有另外的電平移動(dòng)裝置64的構(gòu)成電路圖。參照?qǐng)D19,該電平移動(dòng)裝置60跟圖18的電平移動(dòng)裝置52不同點(diǎn)是追加P溝道MOS晶體管61、62這個(gè)方面。P溝道MOS晶體管61插入P溝道MOS晶體管54的漏極與輸出結(jié)點(diǎn)N54之間,其柵極接收輸入信號(hào)VI。P溝道MOS晶體管62插入P溝道MOS晶體管55的漏極與輸出結(jié)點(diǎn)N55之間,其柵極接收輸入信號(hào)/VI。
對(duì)該電平移動(dòng)裝置60而言,若輸入信號(hào)VI從“ L”電平(0V)上升到“H”電平(3V),則P溝道MOS晶體管61就由導(dǎo)通狀態(tài)變成非導(dǎo)通狀態(tài),從電源電位VCC的結(jié)點(diǎn)N51流到輸出結(jié)點(diǎn)N54的電流降低,因而P溝道MOS晶體管54的電位也變得容易下降。其結(jié)果,P溝道MOS晶體管55導(dǎo)通,輸出結(jié)點(diǎn)N55的電位變得容易上升,因而動(dòng)作余裕將比圖18的電平移動(dòng)裝置52增大。
這樣,對(duì)現(xiàn)有的電平移動(dòng)裝置52、60而言,N溝道MOS晶體管56隨輸入信號(hào)VI按照從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V)而導(dǎo)通是動(dòng)作的前提。為了使N溝道MOS晶體管56導(dǎo)通,需要N溝道MOS晶體管56的閾值電位為輸入信號(hào)VI的“H”電平(3V)以下。
一般對(duì)半導(dǎo)體LSI而言,使晶體管的閾值電壓為3V以下是容易的,但包含在液晶顯示裝置中的低溫多晶硅TFT閾值電壓離散很大,使TFT的閾值電壓為3V以下就很困難。因此,如圖17所示,在控制用LSI51與液晶顯示裝置53之間設(shè)置由高耐壓的MOS晶體管構(gòu)成的電平移動(dòng)裝置52或60,進(jìn)行信號(hào)邏輯電平的變換。
可是,若設(shè)置這樣的電平移動(dòng)裝置52、60,則電平移動(dòng)裝置52、60的成本就應(yīng)加到系統(tǒng)成本上,導(dǎo)致系統(tǒng)成本升高。
發(fā)明內(nèi)容
因?yàn)槿绱耍景l(fā)明的主要目的在于提供一種輸入信號(hào)振幅電壓比輸入晶體管的閾值電壓低的場(chǎng)合也能正常動(dòng)作的振幅變換電路。
本發(fā)明的振幅變換電路是把其振幅為第1電壓的第1信號(hào)變換為其振幅比第1電壓要高的第2電壓的第2信號(hào)。該振幅變換電路中,設(shè)置第1導(dǎo)電類型的第1和第2晶體管,那些第1電極同時(shí)接收第2電壓,那些第2電極分別連接到用于輸出第2信號(hào)及其互補(bǔ)信號(hào)的第1和第2的輸出結(jié)點(diǎn),它們的輸入電極分別連接到第2和第1的輸出結(jié)點(diǎn);第2導(dǎo)電類型的第3和第4的晶體管那些第1電極分別連接到第1和第2的輸出結(jié)點(diǎn);驅(qū)動(dòng)電路,由第1信號(hào)及其互補(bǔ)信號(hào)驅(qū)動(dòng),響應(yīng)第1信號(hào)的前沿,把高于第1電壓的第3電壓加到第3晶體管的輸入電極與第2電極間使第3晶體管導(dǎo)通,響應(yīng)第1信號(hào)的后沿,把第3電壓加到第4晶體管的輸入電極與第2電極間使第4晶體管導(dǎo)通。所以,響應(yīng)第1信號(hào)的前沿或后沿,把高于作為第1信號(hào)振幅電壓的第1電壓的第3電壓加到第3或第4晶體管的輸入電極或與第2電極間,因而第1信號(hào)的振幅電壓即使在低于第3和第4晶體管閾值電壓的場(chǎng)合也能動(dòng)作。
理想的是,驅(qū)動(dòng)電路包括連接到第3晶體管的輸入電極與第2電極間的第1電阻元件;其一電極接收第1信號(hào)的互補(bǔ)信號(hào),其另一電極連接到第3晶體管的輸入電極的第1電容;連接到第4晶體管的輸入電極與第2電極間的第2電阻元件;其一電極接收第1信號(hào),其另一電極連接到第4晶體管的輸入電極的第2電容,把第1信號(hào)及其互補(bǔ)信號(hào)分別加到第3和第4晶體管的第2電極。這時(shí),進(jìn)而通過第1或第2電容,給介以第1或第2電阻元件充電到第1電壓的第3或第4晶體管的輸入電路施加第1電壓。
并且理想的是,第1電阻元件包括,連接到第3晶體管的輸入電極和第2電極,其輸入電極接收第4電壓的第5晶體管。第2電阻元件包括,連接到第4晶體管的輸入電極與第2電極間,其輸入電極接收第4電壓的第6晶體管。這時(shí),第1和第2電阻元件的占有面積小了。
并且理想的是,第5和第6晶體管是第2導(dǎo)電類型的,第4電壓等于第2電壓。這時(shí),電壓源數(shù)減少了。
并且理想的是,第1電阻元件包括連接到第3晶體管的輸入電極與第2電極間的第5晶體管。第2電阻元件包括連接到第4晶體管的輸入電極與第2電極間的第6晶體管。驅(qū)動(dòng)電路,還包括用于響應(yīng)第1信號(hào)的前沿脈沖式提高第5晶體管的電阻值,響應(yīng)第1信號(hào)的后沿脈沖式提高第6晶體管的電阻值的脈沖發(fā)生電路。這時(shí),可使第3和第4晶體管的輸入電極的電位下降變成緩慢。
并且理想的是,第5和第6晶體管是第2導(dǎo)電類型的。脈沖發(fā)生電路包括連接到跟第2電壓同極性的第4電壓的結(jié)點(diǎn)與第5晶體管的輸入電極之間的第3電阻元件;其一電極接收第1信號(hào),其另一電極連接到第5晶體管的輸入電極的第3電容;連接到第4電壓的結(jié)點(diǎn)與第6晶體管的輸入電極之間的第4電阻元件;其一電極接收第1信號(hào)的互補(bǔ)信號(hào),其另一電極連接到第6晶體管的輸入電極的第4電容。這時(shí),介以第3或第4電阻元件充電到第4電壓的第5或第6晶體管的輸入電極,通過第3或第4電容降壓第1電壓部分。
并且理想的是,第4電壓等于第2電壓。這時(shí)電壓源數(shù)減少了。
并且理想的是,第5和第6晶體管是第1導(dǎo)電類型的。脈沖發(fā)生電路包括連接到跟第2電壓相反極性的第4電壓的結(jié)點(diǎn)與第5晶體管的輸入電極之間的第3電阻元件;其一電極接收第1信號(hào)的互補(bǔ)信號(hào),其另一電極連接到第5晶體管的輸入電極的第3電容;連接到第4電壓的結(jié)點(diǎn)與第6晶體管的輸入電極之間的第4電阻元件;其一電極接收第1信號(hào),其另一電極連接到第6晶體管的輸入電極的第4電容。這時(shí),介以第3或第4電阻元件,充電到第4電壓的第5或第6晶體管的輸入電極,通過第3或第4電容只升壓第1電壓部分。
并且理想的是,驅(qū)動(dòng)電路還包括,連接到第3晶體管的第2電極與輸入電極間的第1二極管元件和連接到第4晶體管的第2電極與輸入電極間的第2二極管元件。這時(shí),可以把第3或第4晶體管的輸入電極迅速地充電到第1電壓。
并且理想的是,驅(qū)動(dòng)電路包括連接到第3晶體管的第2電極與基準(zhǔn)電壓的結(jié)點(diǎn)之間的第1電阻元件;其一電極接收第1信號(hào),其另一電極連接到第3晶體管的第2電極的第1電容;連接到第4晶體管的第2電極與基準(zhǔn)電壓的結(jié)點(diǎn)之間的第2電阻元件;其一電極接收第1信號(hào)的互補(bǔ)信號(hào),其另一電極連接到第4晶體管的第2電極的第2電容,并將第1信號(hào)及其互補(bǔ)信號(hào)分別加到第4和第3晶體管的輸入電極。這時(shí),介以第1或第2電阻元件成為基準(zhǔn)電壓的第3或第4晶體管的第2電極,通過第1或第2電容,只降壓第2電壓部分。
并且理想的是,第1電阻元件包括連接到第3晶體管的第2電極與基準(zhǔn)電壓的結(jié)點(diǎn)之間的第5晶體管。第2電阻元件包括連接到第2晶體管的第2電極與基準(zhǔn)電壓的結(jié)點(diǎn)之間的第6晶體管。驅(qū)動(dòng)電路還包括,用于響應(yīng)第1信號(hào)的前沿脈沖式提高第5晶體管的電阻值,響應(yīng)第1信號(hào)的后沿脈沖式提高第6晶體管的電阻值的脈沖發(fā)生電路。這時(shí),能夠使第3和第4晶體管輸入電極的電壓上升緩和。
并且理想的是,第5和第6晶體管是第2導(dǎo)電類型的。脈沖發(fā)生電路包括連接到跟第2電壓同極性的第4電壓的結(jié)點(diǎn)與第5晶體管的輸入電極之間的第3電阻元件;其一電極接收第1信號(hào),其另一電極連接到第5晶體管的輸入電極的第3電容;連接到第4電壓的結(jié)點(diǎn)與第6晶體管的輸入電極之間的第4電阻元件;其一電極接收第1信號(hào)的互補(bǔ)信號(hào),其另一電極連接到第6晶體管輸入電極的第4電容。這時(shí),介以第3或第4電阻元件充電到第4電壓的第5或第6晶體管的輸入電極,通過第3或第4電容只降壓第1電壓部分。
并且理想的是,第4電壓等于第2電壓。這時(shí),電壓源數(shù)減少了。
并且理想的是,還設(shè)置用于鎖存第1和第2輸出結(jié)點(diǎn)電位的鎖存電路。這時(shí),能夠穩(wěn)定地保持第1和第2輸出結(jié)點(diǎn)的電位。
并且理想的是,鎖存電路包括這些第1電極分別連接到第1和第2輸出結(jié)點(diǎn),這些第2電極分別接收第1信號(hào)及其互補(bǔ)信號(hào),這些輸入電極分別連接到第2和第1輸出結(jié)點(diǎn)的第2導(dǎo)電類型的第5和第6晶體管。這時(shí),能夠很容易構(gòu)成鎖存電路。
并且理想的是,鎖存電路包括分別連接到第1和第2輸出結(jié)點(diǎn)與基準(zhǔn)電壓的結(jié)點(diǎn)之間,這些輸入電極分別連接到第2和第1輸出結(jié)點(diǎn)的第2導(dǎo)電類型的第5和第6晶體管。這時(shí),第1信號(hào)及其互補(bǔ)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)力減少了。
并且理想的是,還設(shè)置插入第1晶體管的第2電極與第1輸出結(jié)點(diǎn)之間,其輸入電極連接到第3晶體管輸入電極的第1導(dǎo)電類型的第5晶體管,和插入第2晶體管的第2電極與第2輸出結(jié)點(diǎn)之間,其輸入電極連接到第4晶體管輸入電極的第1導(dǎo)電類型的第6晶體管。這時(shí),能夠減少?gòu)牡?電壓的結(jié)點(diǎn)流到第1和第2輸出結(jié)點(diǎn)的電流,可以實(shí)現(xiàn)消耗電流的降低。
并且理想的是,第1~第4晶體管是薄膜晶體管。這時(shí)本發(fā)明尤其有效。
圖1是表示與本發(fā)明實(shí)施例1的移動(dòng)電話機(jī)圖像顯示關(guān)聯(lián)部分的框圖。
圖2是表示圖1中所示電平移動(dòng)裝置的構(gòu)成電路圖。
圖3是表示圖2中所示電平移動(dòng)裝置的動(dòng)作時(shí)序圖。
圖4~圖8是表示實(shí)施例1的變更例電路圖。
圖9是表示本發(fā)明實(shí)施例2的電平移動(dòng)裝置構(gòu)成電路圖。
圖10是表示圖9中所示電平移動(dòng)裝置的動(dòng)作時(shí)序圖。
圖11表示本發(fā)明實(shí)施例3的電平移動(dòng)裝置構(gòu)成電路圖。
圖12是表示圖11中所示電平移動(dòng)裝置的動(dòng)作時(shí)序圖。
圖13表示本發(fā)明實(shí)施例4的電平移動(dòng)裝置構(gòu)成電路圖。
圖14是表示圖13中所示電平移動(dòng)裝置的動(dòng)作時(shí)序圖。
圖15是表示實(shí)施例4的變更例電路圖。
圖16是表示圖15中所示電平移動(dòng)裝置的動(dòng)作時(shí)序圖。
圖17是表示與現(xiàn)有移動(dòng)電話機(jī)的圖像顯示關(guān)聯(lián)部分的框圖。
圖18是表示圖17中所示電平移動(dòng)裝置的構(gòu)成電路圖。
圖19是表示現(xiàn)有其它的電平移動(dòng)裝置構(gòu)成電路圖。
具體實(shí)施例方式圖1是表示與本發(fā)明實(shí)施例1的移動(dòng)電話機(jī)圖像顯示關(guān)聯(lián)部分的構(gòu)成框圖。
圖1中,該移動(dòng)電話機(jī)具備作為MOST型集成電路的控制用LSI1和作為TFT型集成電路的液晶顯示裝置2,液晶顯示裝置2包括電平移動(dòng)裝置3和液晶顯示部分4。
控制用LSI1輸出液晶顯示裝置2用的控制信號(hào)。該控制信號(hào)的“H”電平為3V,其“L”電平為0V。實(shí)際上生成多個(gè)控制信號(hào),但這里為了簡(jiǎn)化說明,控制信號(hào)設(shè)為1個(gè)信號(hào)。電平移動(dòng)裝置3變換來自控制用LSI1的控制信號(hào)邏輯電平,生成內(nèi)部控制信號(hào)。該內(nèi)部控制信號(hào)的“H”電平為7.5V,其“L”電平為0V。液晶顯示部分4,按照來自電平移動(dòng)裝置3的內(nèi)部控制信號(hào)顯示圖像。
圖2是表示電平移動(dòng)裝置3的構(gòu)成電路圖。圖2中,該電平移動(dòng)裝置3包括P型TFT5、6;N型TFT7~10;電阻元件11、12;以及電容13、14。P型TFT5、6分別連接到電源電位VCC的結(jié)點(diǎn)N1與輸出結(jié)點(diǎn)N5、N6之間,各柵極分別連接到輸出結(jié)點(diǎn)N5、N6。輸出結(jié)點(diǎn)N5、N6上呈現(xiàn)的信號(hào),分別為該電平移動(dòng)裝置3的輸出信號(hào)VO、/VO。N型TFT7連接到輸出結(jié)點(diǎn)N5與輸入結(jié)點(diǎn)N11之間,其柵極連接到輸出結(jié)點(diǎn)N6。N型TFT8連接到輸出結(jié)點(diǎn)N6與輸入結(jié)點(diǎn)N12之間,其柵極連接到輸出結(jié)點(diǎn)N5。輸入結(jié)點(diǎn)N11、N12分別接收輸入信號(hào)VI、/VI。P型TFT5、6和N型TFT7、8構(gòu)成用于鎖存輸出結(jié)點(diǎn)N5、N6的鎖存電路。
N型TFT9連接到輸入結(jié)點(diǎn)N11與輸出結(jié)點(diǎn)N5之間,其柵極連接到結(jié)點(diǎn)N9。N型TFT10連接到輸入結(jié)點(diǎn)N11與輸出結(jié)點(diǎn)N6之間,其柵極連接到結(jié)點(diǎn)N10。電阻元件11連接到結(jié)點(diǎn)N9與N11之間,電阻元件12連接到結(jié)點(diǎn)N10與N12之間。電容13連接到輸入結(jié)點(diǎn)N13與結(jié)點(diǎn)N9之間,電容14連接到輸入結(jié)點(diǎn)N14與結(jié)點(diǎn)N10之間。輸入結(jié)點(diǎn)N13、N14分別接收輸入信號(hào)VI、/VI。電阻元件11和電容13構(gòu)成升壓電路,電阻元件12和電容14構(gòu)成升壓電路。
圖3是表示圖2中所示電平移動(dòng)裝置3的動(dòng)作時(shí)序圖。參照?qǐng)D3,初始狀態(tài)下,輸入信號(hào)VI、/V1分別為“ H”電平(3V)和“L”電平(0V),輸出信號(hào)VO、/VO分別為“H”電平(7.5V)和“L”電平(0V)。這時(shí),結(jié)點(diǎn)N9因電阻元件11而成為與輸入信號(hào)VI相同電位的3V,結(jié)點(diǎn)N10因電阻元件12而成為與輸入信號(hào)/VI相同電位的0V。按照這些電位關(guān)系,P型TFT5和N型TFT8導(dǎo)通,其它TFT6、7、9、10變成了非導(dǎo)通。即,輸出結(jié)點(diǎn)N5通過P型TFT5接到電源電位VCC(7.5V),輸出結(jié)點(diǎn)N6通過N型TFT8接到輸入信號(hào)VI的電位(0V)。
其次,在某時(shí)刻t1,若輸入信號(hào)VI自“H”電平(3V)下降到“L”電平(0V),同時(shí)輸入信號(hào)/VI從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V),則輸入信號(hào)/VI的電位變化通過電容13傳遞到結(jié)點(diǎn)N9,結(jié)點(diǎn)N9的電位上升到3V以上的電位。這時(shí)的電位上升部分大約由電容13的電容值與結(jié)點(diǎn)N9雜散電容(圖未示出)的電容值之比決定。只要把電容13的電容值設(shè)定為充分大于結(jié)點(diǎn)N9雜散電容的電容值,結(jié)點(diǎn)N9就上升到輸入信號(hào)VI、/VI的振幅電壓(3V)的2倍約6V。
另一方面,輸入信號(hào)VI與/VI同時(shí)由“H”電平(3V)下降到“L”電平(0V),因而結(jié)點(diǎn)N9的電荷通過電阻元件11向結(jié)點(diǎn)N11放電。所以,結(jié)點(diǎn)N9的電位自3V起上升到達(dá)峰值以后,徐徐降到0V。這里,采用適當(dāng)設(shè)定電阻元件11電阻值的辦法,可在規(guī)定時(shí)間,使結(jié)點(diǎn)N9的電位保持3V以上的規(guī)定電位。結(jié)點(diǎn)N9的電位變成規(guī)定電位時(shí),N型TFT9導(dǎo)通,輸出結(jié)點(diǎn)N5的電位降低。輸出結(jié)點(diǎn)N5的電位一降低,P型TFT6導(dǎo)通,輸出結(jié)點(diǎn)N6的電位就上升。因此,P型TFT5變成非導(dǎo)通,同時(shí)N型TFT7導(dǎo)通,輸出結(jié)點(diǎn)N5的電位迅速降低到“L”電平(0V)。
另一方面,輸入信號(hào)VI自“H”電平(3V)向“L”電平(0V)的電位變化,通過電容14傳遞到結(jié)點(diǎn)N10,結(jié)點(diǎn)N10的電位從0V降低到大約-3V。但是,N型TFT10已經(jīng)變成了非導(dǎo)通,因而對(duì)電路動(dòng)作沒有影響。
以上的結(jié)果,輸出信號(hào)VO從“H”電平(7.5V)下降到“L”電平(0V),同時(shí)輸出信號(hào)/VO從“L”電平(0V)上升到“H”電平(7.5V),實(shí)行從3V向7.5V的邏輯電平轉(zhuǎn)換。
經(jīng)過一段時(shí)間后,結(jié)點(diǎn)N9、N10的電位分別被電阻元件11、12移動(dòng)到輸入信號(hào)VI、/VI的電平上。在時(shí)刻t2,結(jié)點(diǎn)N9、N10的電位,分別變成了輸入信號(hào)VI、/VI。在時(shí)刻t2,輸入信號(hào)/VI從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V),同時(shí)輸入信號(hào)VI從“H”電平(3V)下降到“L”電平(0V)的話,按照與上述相反的關(guān)系電路動(dòng)作。
本實(shí)施例1中,響應(yīng)輸入信號(hào)VI的下降邊,生成高于輸入信號(hào)VI振幅電壓(3V)的電壓(約6V)加到N型TFT9的柵極-源極之間,因而輸入信號(hào)VI的振幅電壓(3V)即使低于N型TFT9的閾值電壓,電平移動(dòng)裝置3也能動(dòng)作。所以,如圖1所示,能夠把電平移動(dòng)裝置3和液晶顯示部分4構(gòu)成1個(gè)液晶顯示裝置2(TFT型集成電路)。因此,與需要設(shè)計(jì)另外一個(gè)電平移動(dòng)裝置52和液晶顯示裝置53的現(xiàn)有技術(shù)比較,零件數(shù)少了,將降低系統(tǒng)成本。
并且,動(dòng)作過程中,雖然瞬變式電源電流流動(dòng),但是決定輸出結(jié)點(diǎn)N5、N6的電平以后,TFT5、8、10或TFT6、7、9變成非導(dǎo)通,因而沒有從電源電位VCC的結(jié)點(diǎn)N1向輸入結(jié)點(diǎn)N11~N14的直流電流流動(dòng)。所以,電路的電力消耗也極為減少。
另外,本實(shí)施例1中,雖然使用TFT5~10,但是也可以使用MOS晶體管而不用TFT。這種場(chǎng)合,即使輸入信號(hào)VI、/VI的振幅電壓小于MOS晶體管閾值電壓的場(chǎng)合也能動(dòng)作。
并且,本實(shí)施例1中,雖然使用絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的TFT,但是不言而喻,也可以使用其它形式的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
以下,說明本實(shí)施例1的各種變更例。圖4的電平移動(dòng)裝置15中,將N型TFT7、8的源極接地。對(duì)該變更例而言,N型TFT7、8的電流不是流向輸入結(jié)點(diǎn)N11、N12而是流到接地電位GND的路線,因而輸入信號(hào)VI、/VI的驅(qū)動(dòng)力減少了。
圖5的電平移動(dòng)裝置16跟電平移動(dòng)裝置3不同點(diǎn)是,添加P型TFT17、18這個(gè)方面。P型TFT17插入P型TFT5的漏極與輸出結(jié)點(diǎn)N5之間,其柵極連接到結(jié)點(diǎn)N9。P型TFT18插入P型TFT6的漏極與輸出結(jié)點(diǎn)N6之間,其柵極連接到結(jié)點(diǎn)N10。對(duì)本變更例而言,例如,輸入信號(hào)/VI從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V)時(shí)(參照?qǐng)D3的時(shí)刻t1),P型TFT17從導(dǎo)通狀態(tài)變?yōu)榉菍?dǎo)通狀態(tài)。抑制電流從電源電位VCC的結(jié)點(diǎn)N1流入輸出結(jié)點(diǎn)N5,因而輸出結(jié)點(diǎn)N5的電位變得容易下降。結(jié)果,P型TFT6迅速導(dǎo)通,輸出結(jié)點(diǎn)N6的電位變得容易上升起來。并且,如上述那樣,因?yàn)镻型TFT17、18變成非導(dǎo)通,抑制電流從電源電位VCC的結(jié)點(diǎn)N1流入輸出結(jié)點(diǎn)N5、N6,因而電力消耗減少了。
圖6的電平移動(dòng)裝置20跟圖2的電平移動(dòng)裝置3不同點(diǎn)是,分別用N型TFT21、22置換電阻元件11、12這個(gè)方面。N型TFT21連接到結(jié)點(diǎn)N9與N11之間,其柵極接收電源電位VCC。N型TFT22連接到結(jié)點(diǎn)N10與N12之間,其柵極接收電源電位VCC。N型TFT21、22各自起等效電阻元件的作用。與圖2的電阻元件11、12比較,每單位尺寸的電阻值很高,因而作為電阻元件的占有面積縮小。另外,也可以用P型TFT,各自置換N型TFT21、22。但是,這種場(chǎng)合,需要對(duì)P型TFT的柵極施加負(fù)電壓(-7.5V)。
圖7的電平移動(dòng)裝置23跟圖5的電平移動(dòng)裝置16不同點(diǎn)是,分別用N型TFT21、22置換電阻元件11、12這個(gè)方面。所以,對(duì)本變更例而言,具有圖5的變更例和圖6的變更例雙方的效果。
圖8的電平移動(dòng)裝置25是,給圖5的電平移動(dòng)裝置16添加二極管元件26、27。二極管元件26連接到輸入結(jié)點(diǎn)N11與N9之間,二極管元件17連接到輸入結(jié)點(diǎn)N12與N14之間。二極管元件26,當(dāng)輸入信號(hào)VI從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V)時(shí),加速結(jié)點(diǎn)N9向“H”電平(3V)上升(參照?qǐng)D3)。因此,接著當(dāng)輸入信號(hào)/VI從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V)時(shí),加快結(jié)點(diǎn)N9向“H”電平(3V)上升,N型TFT9迅速導(dǎo)通。二極管元件27對(duì)N型TFT10起與二極管元件26相同作用。所以,對(duì)本變更例而言,加速輸出信號(hào)VO、/VO的電平隨輸入信號(hào)VI、/VI的電平變化的變化。
圖9是表示本發(fā)明實(shí)施例2的電平移動(dòng)裝置30構(gòu)成電路圖,也是與圖7對(duì)比的圖。參照?qǐng)D9,該電平移動(dòng)裝置30跟圖7的電平移動(dòng)裝置23不同點(diǎn)是,添加電阻元件31、32和電容33、34這個(gè)方面。電阻元件31插入電源電位VCC的結(jié)點(diǎn)N1與N型TFT21的柵極(結(jié)點(diǎn)N21)之間,電阻元件32插入結(jié)點(diǎn)N1與N型TFT22的柵極(結(jié)點(diǎn)N22)之間。電容33連接到輸入結(jié)點(diǎn)N11與N21之間,電容30連接到輸入結(jié)點(diǎn)N12與N22之間。
圖10是表示電平移動(dòng)裝置30的動(dòng)作時(shí)序圖。圖10中,初始狀態(tài)下,輸入信號(hào)VI、/VI分別處于“H”電平(3V)和“L”電平(0V),輸出信號(hào)VO、/VO分別處于“H”電平(7.5V)和“L”電平(0V)。結(jié)點(diǎn)N21、N22分別通過電阻元件31、32接收電源電位VCC(7.5V),因而N型TFT21、22導(dǎo)通。所以,結(jié)點(diǎn)N9成為與輸入信號(hào)VI相同電位的3V,結(jié)點(diǎn)N10成為與輸入信號(hào)/VI相同電位的0V。按照這些電位的關(guān)系,P型TFT5、16和N型TFT8導(dǎo)通,其它的P型TFT6、7、9、10、17變成了非導(dǎo)通。即,輸出結(jié)點(diǎn)N5通過P型TFT5、16接收電源電位VCC(7.5V),輸出結(jié)點(diǎn)N6通過N型TFT8接收輸入信號(hào)/VI的電位(0V)。
接著,在某時(shí)刻t1,若輸入信號(hào)VI從“H”電平(3V)下降到“L”電平(0V),同時(shí)輸入信號(hào)/VI從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V),則輸入信號(hào)/VI的電位變化,通過電容13傳遞到結(jié)點(diǎn)N9,結(jié)點(diǎn)N9的電位上升到3V以上的電位。同時(shí),輸入信號(hào)VI的電位變化通過電容33傳遞到結(jié)點(diǎn)N29,結(jié)點(diǎn)N21的電位下降大約3V。結(jié)點(diǎn)N21的電位一旦下降,就從結(jié)點(diǎn)N1通過電阻元件31使電流流入結(jié)點(diǎn)N21,結(jié)點(diǎn)N21回到電源電位VCC(7.5V)。結(jié)點(diǎn)N21下降到比7.5V低的期間,N型TFT21的電阻值將升高。
并且,在時(shí)刻t1,若輸入信號(hào)VI從“H”電平(3V)下降到“L”電平(0V),則結(jié)點(diǎn)N9的電荷通過N型TFT21對(duì)輸入結(jié)點(diǎn)N11放電。所以,結(jié)點(diǎn)N9的電位從3V上升到達(dá)峰值以后,徐徐下降直到0V。
這時(shí),N型TFT21的電阻值,在規(guī)定時(shí)間內(nèi)比較高,因而結(jié)點(diǎn)N1的電平下降跟圖7的電平移動(dòng)裝置23比較變得緩慢。因此,N型TFT9的導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng),輸出結(jié)點(diǎn)N5的電位下降就很容易。
另一方面,在結(jié)點(diǎn)N10一側(cè),在時(shí)刻t1,若輸入信號(hào)VI從“H”電平(3V)下降到“L”電平(0V),同時(shí)輸入信號(hào)/VI從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V),則輸入信號(hào)/VI的電位變化通過電容14傳遞到結(jié)點(diǎn)N10,結(jié)點(diǎn)N10的電位下降到0V以下的電位。同時(shí),輸入信號(hào)/VI的電位變化通過電容34傳遞到結(jié)點(diǎn)N22,結(jié)點(diǎn)N22的電位上升大約3V。結(jié)點(diǎn)N22的電位一旦上升,就從結(jié)點(diǎn)N22通過電阻元件32向結(jié)點(diǎn)N21流出電流,結(jié)點(diǎn)N22返回電源電位VCC(7.5V)。結(jié)點(diǎn)N22的電位比7.5V高的期間,N型TFT22的電阻值將降低。
并且,在時(shí)刻t1,若輸入信號(hào)VI從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V),則電流從輸入結(jié)點(diǎn)N12通過N型TFT22流入結(jié)點(diǎn)N10。所以,結(jié)點(diǎn)N10的電位,從0V起下降達(dá)到峰值以后,徐徐上升直到3V。
這時(shí),N型TFT22的電阻值在規(guī)定時(shí)間內(nèi)比較地低,因而結(jié)點(diǎn)N10的電平上升跟圖7的電平移動(dòng)裝置23比較將加速。因此,很容易進(jìn)行在下一時(shí)刻t2的結(jié)點(diǎn)N10升壓。
由以上,該電平移動(dòng)裝置30的動(dòng)作容限要比電平移動(dòng)裝置23的動(dòng)作容限要增大。
另外,本實(shí)施例2中,雖然把電阻元件31、32的一方電極連接到電源電位VCC(7.5V)的結(jié)點(diǎn)N1,但是連接到與電源電位VCC不同的正電源電位的結(jié)點(diǎn)也行。
并且,也可以由N型TFT或P型TFT分別構(gòu)成電阻元件31、32。只要給N型TFT的柵極施加比電源電位VCC還要高的正電位,給P型TFT的柵極施加比電源電位VCC還要低的電位就行并且,也可以削除P型TFT16和17。
圖11是表示本發(fā)明實(shí)施例3的電平移動(dòng)裝置35構(gòu)成電路圖,也是與圖9的對(duì)比圖。參照?qǐng)D11,該電平移動(dòng)裝置35跟圖9的不同點(diǎn)是,用P型TFT36、37置換N型TFT21、22這個(gè)方面。P型TFT36連接到結(jié)點(diǎn)N9與N11之間,其柵極連接結(jié)點(diǎn)N21。P型TFT37連接到結(jié)點(diǎn)N10與N12之間,其柵極連接結(jié)點(diǎn)N22。
并且,電阻元件31連接到結(jié)點(diǎn)N21與負(fù)電源電位-VCC(-7.5V)的結(jié)點(diǎn)N31之間。電阻元件32連接到結(jié)點(diǎn)N22與負(fù)電源電位-VCC(-7.5V)的結(jié)點(diǎn)N32之間。電容33連接到結(jié)點(diǎn)N13與N21之間,電容34連接到結(jié)點(diǎn)N14與N22之間。
圖12是表示電平移動(dòng)裝置35的動(dòng)作時(shí)序圖。圖12中,初始狀態(tài)下,輸入信號(hào)VI、/VI分別處于“H”電平(3V)和“L”電平(0V),輸出信號(hào)VO、/VO分別處于“H”電平(7.5V)和“L”電平(0V)。結(jié)點(diǎn)N21、N22分別通過電阻元件31、32接收負(fù)電源電位-VCC(-7.5V),因而P型TFT36、37導(dǎo)通。所以,結(jié)點(diǎn)N9成為與輸入信號(hào)VI相同電位的3V,結(jié)點(diǎn)N10成為與輸入信號(hào)/VI相同電位的0V。按照這些電位關(guān)系,P型TFT5、16和N型TFT8導(dǎo)通,其它TFT6、7、9、17都變成了非導(dǎo)通。即,輸出結(jié)點(diǎn)N5通過P型TFT5、16接收電源電位VCC(7.5V),輸出結(jié)點(diǎn)N6通過N型TFT8接收輸入信號(hào)/VI的電位(0V)。
其次,在某時(shí)刻t1,若輸入信號(hào)VI從“H”電平(3V)下降到“L”電平(0V),同時(shí)輸入信號(hào)/VI從“H”電平(0V)上升到“L”電平(3V),則輸入信號(hào)/VI的電位變化介以電容13傳遞到結(jié)點(diǎn)N9,結(jié)點(diǎn)N9的電位上升到3V以上的電位。同時(shí),輸入信號(hào)/VI的電位變化介以電容33傳遞到結(jié)點(diǎn)N21,結(jié)點(diǎn)N21的電位上升約3V。結(jié)點(diǎn)N21的電位一旦上升,電流就從結(jié)點(diǎn)N21通過電阻元件31流向結(jié)點(diǎn)N31。結(jié)點(diǎn)N21返回負(fù)電源電位-VCC(-7.5V)。結(jié)點(diǎn)N21的電位高于-7.5V的期間,P型TFT36的電阻值將升高。
并且,在時(shí)刻t1,若輸入信號(hào)VI從“H”電平(3V)下降到“L”電平(0V),結(jié)點(diǎn)N9的電荷通過P型TFT36向輸入結(jié)點(diǎn)N11放電。所以,結(jié)點(diǎn)N9的電位自3V起上升達(dá)到峰值以后,徐徐下降直到0V。
這時(shí),P型TFT36的電阻值,在規(guī)定時(shí)間內(nèi)比較高,因而結(jié)點(diǎn)N9的電位下降跟圖7的電平移動(dòng)裝置23相比變得緩慢。因此,N型TFT9的導(dǎo)通時(shí)間延長(zhǎng),輸出結(jié)點(diǎn)N5的電位下降變得容易了。
另一方面,在結(jié)點(diǎn)N10一側(cè),在時(shí)刻t1,若輸入信號(hào)VI從“H”電平(3V)下降到“L”電平(0V),同時(shí)輸入信號(hào)/VI從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V),則輸入信號(hào)VI的電位變化介以電容14傳遞到結(jié)點(diǎn)N10,結(jié)點(diǎn)N10的電位下降到0V以下的電位。同時(shí),輸入信號(hào)VI的電位變化介以電容34傳遞到結(jié)點(diǎn)N22,結(jié)點(diǎn)N22的電位下降約3V。結(jié)點(diǎn)N22的電位一旦下降,電流就從結(jié)點(diǎn)N32通過電阻元件32流入結(jié)點(diǎn)N22,結(jié)點(diǎn)N22返回負(fù)電源電位-VCC(-7.5V)。結(jié)點(diǎn)N22的電位低于-7.5V的期間,P型TFT37的電阻值將降低。
并且,在時(shí)刻t1,若輸入信號(hào)/VI從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V),則電流從輸入結(jié)點(diǎn)N12通過P型TFT37流入結(jié)點(diǎn)N10。所以,結(jié)點(diǎn)N10的電位自0V下降達(dá)到峰值以后,徐徐上升直到3V。
這時(shí),P型TFT37的電阻值,在規(guī)定時(shí)間內(nèi)比較低,因而結(jié)點(diǎn)N10的電位上升跟圖7的電平移動(dòng)裝置23相比將提前。因此,很容易進(jìn)行下一時(shí)刻t2的結(jié)點(diǎn)N10升壓。
由以上,該電平移動(dòng)裝置35的動(dòng)作容限要比電平移動(dòng)裝置23的動(dòng)作容限增大。
另外,也可以用N型TFT或P型TFT構(gòu)成各個(gè)電阻元件31、32。給N型TFT的柵極施加高于正電源電位VCC的電位,給P型TFT施加低于負(fù)電源電位-VCC的負(fù)電位就行。并且,也可以削除P型TFT16和17。
圖13是表示本發(fā)明實(shí)施例4的電平移動(dòng)裝置40構(gòu)成電路圖,也是與圖5對(duì)比的圖。
圖13中,該電平移動(dòng)裝置40跟圖5的電平移動(dòng)裝置16的不同點(diǎn)是,N型TFT7、8的源極都接地,并用電阻元件41、42和電容43、44置換電阻元件11、12和電容13、14的這方面。
電容43連接到輸入結(jié)點(diǎn)N11與N型TFT9的源極(結(jié)點(diǎn)N41)之間,電容44連接到輸入結(jié)點(diǎn)N12與N型TFT10的源極(結(jié)點(diǎn)N42)之間。電阻元件41、42分別連接到結(jié)點(diǎn)N41、N42與接地電位GND的路線之間。輸入信號(hào)/VI直接加到TFT9和17的柵極上,輸入信號(hào)VI直接加到TFT10和18的柵極上。
圖14是表示電平移動(dòng)裝置40的動(dòng)作時(shí)序圖。參照?qǐng)D14,初始狀態(tài)下,輸入信號(hào)VI、/VI分別為“H”電平(3V)和“L”電平(0V),輸出信號(hào)VO、/VO分別為“H”電平(7.5V)和“L”電平(0V)。結(jié)點(diǎn)N41、N42通過電阻元件41、42成為接地電位GND。按照這些電位關(guān)系,P型TFT5、17和N型TFT8、10導(dǎo)通。其它TFT6、7、9、18變成了非導(dǎo)通。即,輸出結(jié)點(diǎn)N5通過P型TFT5、7接到電源電位VCC(7.5V),輸出結(jié)點(diǎn)N6通過N型TFT8接收接地電位GND(0V)。
其次,在某時(shí)刻t1,如果輸入信號(hào)VI自“H”電平(3V)下降到“L”電平(0V),同時(shí)輸入信號(hào)/VI從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V),則輸入信號(hào)/VI的電位變化通過電容43傳遞到結(jié)點(diǎn)N41,結(jié)點(diǎn)N41的電位下降到接地電位GND(0V)以下的電位。電位的下降部分由電容43的電容值與結(jié)點(diǎn)N41雜散電容(圖未示出)的電容值之比決定。只要把電容43的電容值設(shè)定為充分大于雜散電容的電容值,則結(jié)點(diǎn)N41的電位僅下降輸入信號(hào)VI的振幅電壓部分,一直下降到-3V為止。
結(jié)點(diǎn)N41的電位下降到約-3V,電流從接地電位GND的路線通過電阻元件41流到結(jié)點(diǎn)N41。所以,結(jié)點(diǎn)N41的電位自0V下降達(dá)到峰值以后,徐徐上升直到0V。這里,采用適當(dāng)設(shè)定電阻元件41電阻值的辦法,可使結(jié)點(diǎn)N41的電位在規(guī)定時(shí)間內(nèi)保持0V以下規(guī)定的電位。
若結(jié)點(diǎn)N41變成規(guī)定電位,N型TFT9的柵-源間的電壓就變成3V~6V,N型TFT9導(dǎo)通,輸出結(jié)點(diǎn)N5的電位下降。若輸出結(jié)點(diǎn)N5的電位下降,P型TFT6就導(dǎo)通,輸出結(jié)點(diǎn)N6的電位上升。這樣,P型TFT5成為非導(dǎo)通,同時(shí)N型TFT7導(dǎo)通,輸出結(jié)點(diǎn)N5的電位迅速下降到“L”電平(0V)。
另一方面,從輸入信號(hào)/VI的“L”電平(0V)向“H”電平(3V)的電位變化,介以電容44傳遞到結(jié)點(diǎn)N42,結(jié)點(diǎn)N42的電位從0V上升直至接近3V。可是,N型TFT10已經(jīng)變成了非導(dǎo)通,因而對(duì)電路動(dòng)作沒有影響。
以上結(jié)果,輸出信號(hào)VO從“H”電平(7.5V)下降到“L”電平(0V),同時(shí)輸出信號(hào)/VO從“L”電平(0V)上升到“H”電平(7.5V),等于進(jìn)行從3V向7.5V的邏輯電平轉(zhuǎn)換。
結(jié)點(diǎn)N41、N42的電位,分別隨著電阻元件41、42與時(shí)間的推移,分別接近接地電位GND,在時(shí)刻t2,結(jié)點(diǎn)N41、N42的電位大約成了接地電位GND。在時(shí)刻t2,若輸入信號(hào)VI從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V),同時(shí)輸入信號(hào)/VI從“H”電平(3V)下降到“L”電平(0V),則按與上述相反的電位關(guān)系使電路動(dòng)作。
本實(shí)施例4也能獲得與實(shí)施例1同樣效果。
另外,如圖15所示,也可以按照實(shí)施例2,分別用N型TFT21、22置換電阻元件41、42,在N型TFT21、22的柵極(結(jié)點(diǎn)N21、N22)與結(jié)點(diǎn)N1之間分別連接電阻元件31、32,輸入結(jié)點(diǎn)N11、N12與結(jié)點(diǎn)N21和N22之間分別連接電容33、34。如圖16所示,在時(shí)刻t1,若輸入信號(hào)VI從“H”電平(3V)下降到“L”電平(0V),則結(jié)點(diǎn)N21的電位下降約3V,在規(guī)定時(shí)間內(nèi)將低于電源電位VCC(7.5V)。結(jié)點(diǎn)N21的電位變得低于7.5V的話,N型TFT21的電阻值將升高。所以,結(jié)點(diǎn)N41的電平上升變得比圖13的電平移動(dòng)裝置40還要緩慢,很容易把輸出結(jié)點(diǎn)N5降到“L”電平。并且,在時(shí)刻t1,若輸入信號(hào)/VI從“L”電平(0V)上升到“H”電平(3V),則結(jié)點(diǎn)N22的電位上升約3V,在規(guī)定時(shí)間內(nèi)將比電源電位VCC(7.5V)還要升高。若結(jié)點(diǎn)N21的電位比7.5V還高,則N型TFT22的電阻值將降低。所以,結(jié)點(diǎn)N42的電平下降會(huì)比圖13的電平移動(dòng)裝置40提前,很容易進(jìn)行下一時(shí)刻t2的結(jié)點(diǎn)N42的降壓動(dòng)作。
應(yīng)該認(rèn)為這次公開的實(shí)施例所有方面都是舉例表示而不是限制性的。本發(fā)明的范圍不是上述的說明,而是由專利要求保護(hù)范圍來表示,意圖包括與專利要求保護(hù)范圍等同的意味和范圍內(nèi)的全部變更。
權(quán)利要求
1.一種振幅變換電路,將其振幅為第1電壓(3V)的第1信號(hào)(VI)變換為其振幅比第1電壓(3V)要高的第2電壓(7.5V)的第2信號(hào)(VO),其特征是,具備第1導(dǎo)電類型的第1和第2的晶體管(5、6),那些第1電極同時(shí)接收第2電壓(7.5V),那些第2電極分別連接到用于輸出第2信號(hào)(VO)及其互補(bǔ)信號(hào)(/VO)的第1和第2的輸出結(jié)點(diǎn)(N5、N6),那些輸入電極分別連接到所述第2和第1的輸出結(jié)點(diǎn)(N5、N6);第2導(dǎo)電類型的第3和第4的晶體管(9、10),那些第1電極分別連接到所述第1和第2的輸出結(jié)點(diǎn)(N5、N6);以及驅(qū)動(dòng)電路(11~14、21、22、26、27、31~34、36、37、41~44),由第1信號(hào)(VI)及其互補(bǔ)信號(hào)(/VI)驅(qū)動(dòng),響應(yīng)所述第1信號(hào)(VI)的前沿,把高于第1電壓(3V)的第3電壓加到第3晶體管(9)的輸入電極與第2電極間使所述第3晶體管(9)導(dǎo)通,響應(yīng)所述第1信號(hào)(VI)的后沿,把所述第3電壓加到所述第4晶體管(10)的輸入電極與第2電極間使所述第4晶體管(10)導(dǎo)通。
2.按照權(quán)利要求1所述的振幅變換電路,其特征是,所述驅(qū)動(dòng)電路(11~14、21、22、26、27、31~34、36、37、41~44)包括連接到所述第3晶體管(9)的輸入電極與第2電極間的第1電阻元件(11、21、36);其一電極接收第1信號(hào)(VI)的互補(bǔ)信號(hào)(/VI),其另一電極連接到所述第3晶體管(9)的輸入電極的第1電容(13);連接到所述第4晶體管(10)的輸入電極與第2電極間的第2電阻元件(12,22、37);以及其一電極接收所述第1信號(hào)(VI),其另一電極連接到所述第4晶體管(10)的輸入電極的第2電容(14),把所述第1信號(hào)(VI)及其互補(bǔ)信號(hào)(/VI)分別加到所述第3和第4晶體管(9、10)的第2電極。
3.按照權(quán)利要求2所述的振幅變換電路,其特征是,所述第1電阻元件(11、21、36)包括,連接到所述第3晶體管(9)的輸入電極和第2電極,其輸入電極接收第4電壓的第5晶體管(21、36);所述第2電阻元件(12、22、37)包括,連接到所述第4晶體管(10)的輸入電極與第2電極間,其輸入電極接收所述第4電壓的第6晶體管(22、37)。
4.按照權(quán)利要求3所述的振幅變換電路,其特征是,所述第5和第6晶體管(21、22)是第2導(dǎo)電類型的,所述第4電壓等于所述第2電壓(7.5V)。
5.按照權(quán)利要求2所述的振幅變換電路,其特征是,所述第1電阻元件(11、21、36)包括連接到所述第3晶體管(9)的輸入電極與第2電極間的第5晶體管(21、36);所述第2電阻元件(12、22、37)包括連接到所述第4晶體管(10)的輸入電極與第2電極間的第6晶體管(22、37);所述驅(qū)動(dòng)電路(11~14、21、22、26、27、31~34、36、37、41~44)還包括用于響應(yīng)所述第1信號(hào)(VI)的前沿脈沖式提高所述第5晶體管(21、36)的電阻值,響應(yīng)所述第1信號(hào)(VI)的后沿脈沖式提高所述第6晶體管(22、37)的電阻值的脈沖發(fā)生電路(31~34)。
6.按照權(quán)利要求5所述的振幅變換電路,其特征是,所述第5和第6晶體管(21、22)是第2導(dǎo)電類型的;所述脈沖發(fā)生電路(31~34)包括連接到跟所述第2電壓(7.5V)同極性的所述第4電壓的結(jié)點(diǎn)與所述第5晶體管(21)的輸入電極之間的第3電阻元件(31);其一電極接收所述第1信號(hào)(VI),其另一電極連接到所述第5晶體管(36)的輸入電極的第3電容(33);連接到所述第4電壓(7.5V)的結(jié)點(diǎn)與所述第6晶體管(22)的輸入電極之間的第4電阻元件(32);以及其一電極接收所述第1信號(hào)(VI),其另一電極連接到所述第6晶體管(22)的輸入電極的第4電容(34)。
7.按照權(quán)利要求6所述的振幅變換電路,其特征是,所述第4電壓等于所述第2電壓(7.5V)。
8.按照權(quán)利要求5所述的振幅變換電路,其特征是,所述第5和第6晶體管(36、37)是第1導(dǎo)電類型的;所述脈沖發(fā)生電路(31~34)包括連接到跟所述第2電壓(7.5V)相反極性的第4電壓(-7.5V)的結(jié)點(diǎn)與所述第5晶體管(36)的輸入電極之間的第3電阻元件(31);其一電極接收所述第1信號(hào)(VI)的互補(bǔ)信號(hào)(/VI),其另一電極連接到所述第5晶體管(36)的輸入電極的第3電容(33);連接到所述第4電壓(-7.5V)的結(jié)點(diǎn)與所述第6晶體管(37)的輸入電極之間的第4電阻元件(32);以及其一電極接收所述第1信號(hào)(VI),其另一電極連接到所述第6晶體管(37)的輸入電極的第4電容(34)。
9.按照權(quán)利要求2所述的振幅變換電路,其特征是,所述驅(qū)動(dòng)電路(11~14、21、22、26、27、31~34、36、37、41~44)還包括連接到所述第3晶體管(9)的第2電極與輸入電極之間的第1二極管元件(26);以及連接到所述第4晶體管(10)的第2電極與輸入電極之間的第2二極管元件(27)。
10.按照權(quán)利要求1所述的振幅變換電路,其特征是,所述驅(qū)動(dòng)電路(11~14、21、22、26、27、31~34、36、37、41~44)還包括連接到所述第3晶體管(9)的第2電極與基準(zhǔn)電壓(GND)的結(jié)點(diǎn)之間的第1電阻元件(41、21);其一電極接收所述第1信號(hào)(VI),其另一電極連接到所述第3晶體管(9)的第2電極的第1電容(43);連接到所述第4晶體管(10)的第2電極與所述基準(zhǔn)電壓(GND)的結(jié)點(diǎn)之間的第2電阻元件(42、22);以及其一電極接收所述第1信號(hào)(VI)的互補(bǔ)信號(hào)(/VI),其另一電極連接到所述第4晶體管(10)的第2電極的第2電容(44),把所述第1信號(hào)(VI)及其互補(bǔ)信號(hào)(/VI)分別加到所述第4和第3晶體管(10、9)的輸入電極上。
11.按照權(quán)利要求10所述的振幅變換電路,其特征是,所述第1電阻元件(41、21)包括連接到所述第3晶體管(9)的第2電極與基準(zhǔn)電壓(GND)的結(jié)點(diǎn)之間的第5晶體管(21);所述第2電阻元件(42、22)包括連接到所述第4晶體管(10)的第2電極與基準(zhǔn)電壓(GND)的結(jié)點(diǎn)之間的第6晶體管,所述驅(qū)動(dòng)電路(11~14、21、22、26、27、31~34、36、37、41~44)還包括,用于響應(yīng)所述第1信號(hào)(VI)的前沿脈沖式提高所述第5晶體管(21)的電阻值,響應(yīng)所述第1信號(hào)(VI)的后沿,脈沖式提高所述第6晶體管(22)的電阻值的脈沖發(fā)生電路(31~34)。
12.按照權(quán)利要求11所述的振幅變換電路,其特征是,所述第5和第6晶體管(21、22)是第2導(dǎo)電類型的;所述脈沖發(fā)生電路(31~33)包括連接到跟所述第2電壓(7.5V)同極性的第4電壓的結(jié)點(diǎn)與所述第5晶體管(21)的輸入電極之間的第3電阻元件(31);其一電極接收所述第1信號(hào)(VI),其另一電極連接到所述第5晶體管(21)的輸入電極的第3電容(33);連接到所述第4電壓的結(jié)點(diǎn)與所述第6晶體管(22)的輸入電極之間的第4電阻元件(32);以及其一電極接收所述第1信號(hào)(VI)的互補(bǔ)信號(hào)(/VI),其另一電極連接到所述第6晶體管(22)輸入電極的第4電容(34)。
13.按照權(quán)利要求12所述的振幅變換電路,其特征是,所述第4電壓等于所述第2電壓(7.5V)。
14.按照權(quán)利要求1所述的振幅變換電路,其特征是,還具備用于鎖存所述第1和第2示出結(jié)點(diǎn)(N5、N6)的電位的鎖存電路(7、8)。
15.按照權(quán)利要求14所述的振幅變換電路,其特征是,所述鎖存電路(7、8)包括第二導(dǎo)電類型的第5和第6晶體管(7、8),那些第1電極分別連接到所述第1和第2的輸出結(jié)點(diǎn)(N5、N6),那些第2電極分別接收所述第1信號(hào)(VI)及其互補(bǔ)信號(hào)(/VI),那些輸入電極分別連接到所述第2和第1輸出結(jié)點(diǎn)(N5、N6)。
16.按照權(quán)利要求14所述的振幅變換電路,其特征是,所述鎖存電路(7、8)包括第2導(dǎo)電類型的第5和第6晶體管(7、8),連接到所述第1和第2的輸出結(jié)點(diǎn)(N5、N6)與基準(zhǔn)電壓(GND)的結(jié)點(diǎn)之間,那些輸入電極分別連接到所述第2和第1輸出結(jié)點(diǎn)(N5、N6)。
17.按照權(quán)利要求1所述的振幅變換電路,其特征是,還具備插入所述第1晶體管(5)的第2電極與所述第1輸出結(jié)點(diǎn)(N5)之間,其輸入電極連接到所述第3晶體管(9)輸入電極的第1導(dǎo)電類型的第5晶體管(16);以及插入所述第2晶體管(6)的第2電極與所述第2輸出結(jié)點(diǎn)(N6)之間,其輸入電極連接到所述第4晶體管(10)輸入電極的第1導(dǎo)電類型的第6晶體管(17)。
18.按照權(quán)利要求1所述的振幅變換電路,其特征是,所述第1~第4的晶體管(5、6、9、10)是薄膜晶體管。
全文摘要
本電平移動(dòng)裝置(3)具備用于鎖存第1和第2輸出結(jié)點(diǎn)(N5、N6)的第1和第2的P型TFT(5、6)與第1和第2的N型TFT(7、8);用于設(shè)定第1和第2輸出結(jié)點(diǎn)(N5、N6)電平的第3和第4的N型TFT(9、10);響應(yīng)輸入信號(hào)(VI)的下降邊和上升邊,把高于輸入信號(hào)(VI)的振幅電壓(3V)的電壓(約6V)分別加到第3和第4的N型TFT(9、10)的柵極-源極間的第1和第2電阻元件(11、12)與第1和第2電容(13、14)。
文檔編號(hào)H03K5/02GK1488193SQ02803843
公開日2004年4月7日 申請(qǐng)日期2002年2月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年2月26日
發(fā)明者飛田洋一 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社