專利名稱：糾錯(cuò)碼塊生成方法和裝置及包含糾錯(cuò)碼塊的光學(xué)記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)記錄和/或傳輸生成糾錯(cuò)碼(ErrorCorrection Code，ECC)塊的方法，特別涉及一種可應(yīng)用于小型光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)的ECC塊生成裝置和方法。
背景技術(shù)：
圖1示出用于一般數(shù)字多功能盤(Digita1 Versatile Disc，DVD)的ECC塊的結(jié)構(gòu)。在一般DVD中，一個(gè)數(shù)據(jù)記錄單元包括2064字節(jié)，其中2048字節(jié)用于數(shù)據(jù)，額外16字節(jié)用于附加信息如扇區(qū)識別號和錯(cuò)誤檢測字。2064字節(jié)的數(shù)據(jù)記錄單元包括12字節(jié)行，其中每行包含172字節(jié)(列)。一個(gè)182×208字節(jié)的塊稱作“ECC塊”，它比一個(gè)192×172字節(jié)的數(shù)據(jù)塊多包含16行用于增加奇偶部分(PI和PO)，其中，208行中的每一行多包含10字節(jié)。
這2064字節(jié)分配給Reed-Solomon(RS)ECC塊的一個(gè)扇區(qū)，在RS ECC塊中，16個(gè)扇區(qū)順序存儲(chǔ)在預(yù)定區(qū)域中。
圖2示出當(dāng)寫入數(shù)據(jù)到DVD時(shí)所應(yīng)用的RS ECC塊的格式。在RS ECC塊的格式中，圖1所示的P0奇偶部分的16字節(jié)以1字節(jié)部分增加并分布在16扇區(qū)的每個(gè)扇區(qū)之下，表示為(((12+1)×(172+10))×16)。
當(dāng)具有圖2格式的一個(gè)ECC塊寫入到光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)時(shí)，ECC塊數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為長度大約為82.6mm的碼。
小型盤(small form factor)是一種比DVD更小的光盤。小型盤具有比DVD小得多的最內(nèi)圓周，它的最內(nèi)圓周大約為50mm，而DVD的最內(nèi)(inner-most)圓周大約為150.7mm。因此，當(dāng)具有上述格式的一個(gè)ECC塊應(yīng)用于小型光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，如小型盤時(shí)，碼長大大超過小型介質(zhì)的最內(nèi)圓周。由于小型盤具有幾乎等于0的盤面覆蓋厚度，因此，出錯(cuò)的可能性高于一般DVD。因此，如果DVD糾錯(cuò)碼應(yīng)用于小型盤，與DVD相比預(yù)期會(huì)出現(xiàn)更多的錯(cuò)誤。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種為新標(biāo)準(zhǔn)、小型光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)如小型盤和包含如上生成的ECC塊的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)改善糾錯(cuò)能力的糾錯(cuò)碼(ECC)塊生成方法和裝置。
一方面，本發(fā)明提供一種生成糾錯(cuò)碼塊的方法，包括以字節(jié)為單位對數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行處理，并且將經(jīng)過處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)排列為第0到第(N-1)列和第0到第(M-1)行，以形成(M×N)數(shù)據(jù)塊；根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸順序?qū)⒍鄠€(gè)(M×N)數(shù)據(jù)塊排列在K行中，以形成矩陣塊；將2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到N列中的每一列，其中每列包含(K×M)字節(jié)，以形成((K×M)+2×K)字節(jié)的第一碼字；以及將P字節(jié)的第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到((K×M)+2×K)行中的每一行，其中每行包含N字節(jié)，以形成(N+P)字節(jié)的第二碼字。
另一方面，本發(fā)明提供一種以用于光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)的適當(dāng)寫入格式生成糾錯(cuò)碼塊的方法，包括以字節(jié)為單位對數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行處理，并且將經(jīng)過處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)排列為第0到第(N-1)列和第0到第(M-1)行，以形成(M×N)數(shù)據(jù)塊；根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸順序?qū)⒍鄠€(gè)(M×N)數(shù)據(jù)塊排列在K行中，以形成矩陣塊；將2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到N列中的每一列，其中每列包含(K×M)字節(jié)，以形成((K×M)+2×K)字節(jié)的第一碼字；將P字節(jié)的第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到((K×M)+2×K)行中的每一行，其中每行包含N字節(jié)，以形成(N+P)字節(jié)的第二碼字；以及從每列的2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字中分出2字節(jié)，并且將所分出的2字節(jié)加到(K×M)行中的每一行之后，以形成K×(M+2)×(N+P)的寫入塊格式。
另一方面，本發(fā)明提供一種包含通過如下步驟生成的糾錯(cuò)碼塊的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)以字節(jié)為單位對數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行處理，并且將經(jīng)過處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)排列為第0到第(N-1)列和第0到第(M-1)行，以形成(M×N)數(shù)據(jù)塊；根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸順序?qū)⒍鄠€(gè)(M×N)數(shù)據(jù)塊排列在K行中，以形成矩陣塊；將2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到N列中的每一列，其中每列包含(K×M)字節(jié)，以形成((K×M)+2×K)字節(jié)的第一碼字；將P字節(jié)的第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到((K×M)+2×K)行中的每一行，其中每行包含N字節(jié)，以形成(N+P)字節(jié)的第二碼字；以及從每列的2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字中分出2字節(jié)，并且將所分出的2字節(jié)加到(K×M)行中的每一行之后，以形成K×(M+2)×(N+P)的寫入塊格式。
另一方面，本發(fā)明提供一種生成糾錯(cuò)碼塊的裝置，該裝置包括數(shù)據(jù)塊生成單元，以字節(jié)為單位對數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行處理，并且將經(jīng)過處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)排列為第0到第(N-1)列和第0到第(M-1)行，以形成(M×N)數(shù)據(jù)塊；矩陣塊生成單元，根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸順序?qū)⒍鄠€(gè)(M×N)數(shù)據(jù)塊排列在K行中，以形成矩陣塊；第一碼字生成單元，將2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到N列中的每一列，其中每列包含(K×M)字節(jié)，以形成((K×M)+2×K)字節(jié)的第一碼字；以及第二碼字生成單元，將P字節(jié)的第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到((K×M)+2×K)行中的每一行，其中每行包含N字節(jié)，以形成(N+P)字節(jié)的第二碼字。
另一方面，本發(fā)明提供一種以用于光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)的適當(dāng)寫入格式生成糾錯(cuò)碼塊的裝置，該裝置包括數(shù)據(jù)塊生成單元，以字節(jié)為單位對數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行處理，并且將經(jīng)過處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)排列為第0到第(N-1)列和第0到第(M-1)行，以形成(M×N)數(shù)據(jù)塊；矩陣塊生成單元，根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸順序?qū)⒍鄠€(gè)(M×N)數(shù)據(jù)塊排列在K行中，以形成矩陣塊；第一碼字生成單元，將2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到N列中的每一列，其中每列包含(K×M)字節(jié)，以形成((K×M)+2×K)字節(jié)的第一碼字；第二碼字生成單元，將P字節(jié)的第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到((K×M)+2×K)行中的每一行，其中每行包含N字節(jié)，以形成(N+P)字節(jié)的第二碼字；以及寫入格式生成單元，從每列的2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字中分出2字節(jié)，并且將所分出的2字節(jié)加到(K×M)行中的每一行之后，以形成K×(M+2)×(N+P)的寫入塊格式。
通過參照附圖對本發(fā)明的示例實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加清楚，其中圖1示出用于一般數(shù)字多功能盤(Digital Versatile Disk，DVD)的ECC塊的結(jié)構(gòu)；圖2示出用于DVD的Reed-Solomon(RS)ECC塊的格式；圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的ECC塊生成裝置的方框圖；圖4A和4B示出本發(fā)明的ECC塊格式的實(shí)施例；圖5A和5B示出本發(fā)明的ECC塊格式的另一實(shí)施例；以及圖6是本發(fā)明的ECC塊與用于一般DVD的傳統(tǒng)ECC塊之間的糾錯(cuò)性能比較圖。
具體實(shí)施例方式
將參照圖3對根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的糾錯(cuò)碼(ECC)塊生成方法進(jìn)行描述，圖3示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的ECC塊生成裝置。首先，(M×N)數(shù)據(jù)塊生成單元300生成2064字節(jié)的數(shù)據(jù)塊，包含2048字節(jié)的用戶數(shù)據(jù)和16字節(jié)的額外信息。以字節(jié)為單位對數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，并且將它順序排列到第0到第(N-1)列。下一步，將其中排列有數(shù)據(jù)的N字節(jié)列排列到第0到第(M-1)行，以生成數(shù)據(jù)塊。
K×(M×N)矩陣塊生成單元310生成一個(gè)矩陣塊，它是K個(gè)(M×N)塊的堆棧，其中，由(M×N)數(shù)據(jù)塊生成單元300生成的多個(gè)(M×N)塊根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸順序排列在K行中。第一碼字生成單元320將2K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到矩陣塊的(K×M)字節(jié)的每列。結(jié)果，N個(gè)數(shù)據(jù)列中的每一列具有K×(M+2)字節(jié)的碼字。第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字是通過對每列的(K×M)個(gè)數(shù)據(jù)M1、M2、…、M(K×M)應(yīng)用預(yù)定操作函數(shù)h1而獲得的奇偶字(P0)，并且因此表示為h1(M1，M2，...，M(K×M))。在此，第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字，即奇偶部分(P0)的長度等于2×K。
第二碼字生成單元330將P字節(jié)的第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到矩陣塊的N字節(jié)的每行，以在K×(M+2)行的每行中生成(N+P)的第二碼字。第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字是通過對每行的N個(gè)數(shù)據(jù)N1、N2、…、N(n)應(yīng)用預(yù)定操作函數(shù)h2而獲得的奇偶字(PI)，并且因此表示為h2(N1，N2，...，N(n))。在此，第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字，即奇偶部分(PI)的長度等于預(yù)定數(shù)目P。
將數(shù)據(jù)通過第二碼字生成單元330的結(jié)果是獲得(K×M+2K)×(N+P)。雖然在圖3中沒有示出，為了將來自第二碼字生成單元330的結(jié)果轉(zhuǎn)換為可寫入到光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，可以進(jìn)一步包括寫入格式生成單元，通過在每列中將第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字的2字節(jié)插入到M字節(jié)的每行之下，生成(K×(M+2)×(N+P))的格式。
在參照圖3的上面描述中，可以對ECC碼塊中的參數(shù)K、M、N和P進(jìn)行調(diào)整，以得到適當(dāng)?shù)腅CC塊長度來適合于比一般DVD更小的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)如小型盤的最內(nèi)圓周。小型盤的最內(nèi)圓周建議為大約50mm或更小，大約是一般DVD最內(nèi)圓周的三分之一?？梢詫CC碼塊中的參數(shù)K、M、N和P進(jìn)行調(diào)整，從而碼長不大于小型盤的最內(nèi)圓周。當(dāng)確定參數(shù)K、M、N和P時(shí)，需要考慮一個(gè)區(qū)域的用戶數(shù)據(jù)容量為2048字節(jié)，以容易進(jìn)行數(shù)字處理。根據(jù)上面考慮，建議使用例如M＝12、N＝172、K＝8和P＝10或者M(jìn)＝24、N＝86、K＝8和P＝10的(K×(M+2)×(N+P))ECC塊，即(8×(12+2)×(172+10))ECC塊或(8×(24+2)×(86+10))ECC塊。
圖4A和4B示出本發(fā)明的ECC塊格式的實(shí)施例。圖4A的ECC塊是根據(jù)圖3所示方法構(gòu)造的((K×M+K×2)×(N+P))ECC塊，其中，M＝12、N＝172、K＝8并且P＝10。圖4A的ECC塊格式是在由如上所述的寫入格式生成單元進(jìn)行處理之前。
圖4B示出圖4A的ECC塊在進(jìn)行轉(zhuǎn)換以寫入到光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)之后，也就是在由寫入格式生成單元進(jìn)行處理之后的格式。通過寫入格式生成單元進(jìn)行過處理的圖4B的ECC塊是通過從加到每列的16字節(jié)的奇偶字(PO)中分出2字節(jié)，并且將分出的2字節(jié)插入到12字節(jié)的每行之后而獲得的。
圖5A和5B示出本發(fā)明的另一ECC塊格式。圖5A的ECC塊是在由如上所述的寫入格式生成單元進(jìn)行處理之前的((K×M+K×2)×(N+P))ECC塊，其中，M＝24、N＝86、K＝8并且P＝10。
圖5B示出圖5A的ECC塊在進(jìn)行轉(zhuǎn)換以寫入到光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)之后，也就是在由寫入格式生成單元進(jìn)行處理之后的格式。通過寫入格式生成單元進(jìn)行過處理的圖5B的ECC塊是通過從加到每列的16字節(jié)的奇偶字(PO)中分離出2字節(jié)，并且將分離出的2字節(jié)插入到24字節(jié)的每行之后而獲得的。
使用上述方法和裝置生成的ECC塊在通過上述寫入格式生成單元進(jìn)行適當(dāng)轉(zhuǎn)換之后，寫入到小型光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，如小型盤。
根據(jù)本發(fā)明，形成比傳統(tǒng)DVD具有更少扇區(qū)但是具有相等用于奇偶字的存儲(chǔ)容量(或糾錯(cuò)校驗(yàn)工作)的ECC塊。因此，與傳統(tǒng)DVD相比，本發(fā)明的ECC塊提供比小型光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)的最內(nèi)圓周更小的碼長和改善的糾錯(cuò)能力。
圖6是本發(fā)明的圖4B ECC塊與用于一般DVD的傳統(tǒng)ECC塊之間的糾錯(cuò)性能比較圖。從圖6可以看出，當(dāng)應(yīng)用本發(fā)明的ECC塊時(shí)，糾錯(cuò)能力得到大大提高。
如上所述，本發(fā)明的ECC塊提供比小型光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)的最內(nèi)圓周更小的ECC長度和改善的數(shù)據(jù)讀取糾錯(cuò)能力。
盡管本發(fā)明是參照其優(yōu)選實(shí)施例來具體描述的，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對其進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)的各種修改。
權(quán)利要求
1.一種生成糾錯(cuò)碼塊的方法，包括以字節(jié)為單位對數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行處理，并且將經(jīng)過處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)排列為第0到第(N-1)列和第0到第(M-1)行，以形成(M×N)數(shù)據(jù)塊；根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸順序?qū)⒍鄠€(gè)(M×N)數(shù)據(jù)塊排列在K行中，以形成矩陣塊；將2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到N列中的每一列，其中每列包含(K×M)字節(jié)，以形成((K×M)+2×K)字節(jié)的第一碼字；以及將P字節(jié)的第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到((K×M)+2×K)行中的每一行，其中每行包含N字節(jié)，以形成(N+P)字節(jié)的第二碼字。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字是通過對每列的數(shù)據(jù)應(yīng)用預(yù)定操作函數(shù)h1而獲得的，表示為h1(M1，M2，...，M(K×M))，其中，M1、M2、…、M(K×M)表示每列的數(shù)據(jù)，并且第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字的長度為2×K字節(jié)。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字是通過對每行的數(shù)據(jù)應(yīng)用預(yù)定操作函數(shù)h2而獲得的，表示為h2(N1，N2，...，N(n))，其中，N1、N2、…、N(n)表示每行的數(shù)據(jù)，并且第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字的長度為P字節(jié)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在(M×N)數(shù)據(jù)塊中，M為12字節(jié)，并且N為172字節(jié)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，K等于8。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在(M×N)數(shù)據(jù)塊中，M為24字節(jié)，并且N為86字節(jié)。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，M＝12、N＝172、K＝8并且P＝10。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，M＝24、N＝86、K＝8并且P＝10。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，(M×N)數(shù)據(jù)塊包含2064字節(jié)，由2048字節(jié)的用戶數(shù)據(jù)和預(yù)定附加信息組成。
10.一種以用于光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)的適當(dāng)寫入格式生成糾錯(cuò)碼塊的方法，包括以字節(jié)為單位對數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行處理，并且將經(jīng)過處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)排列為第0到第(N-1)列和第0到第(M-1)行，以形成(M×N)數(shù)據(jù)塊；根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸順序?qū)⒍鄠€(gè)(M×N)數(shù)據(jù)塊排列在K行中，以形成矩陣塊；將2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到N列中的每一列，其中每列包含(K×M)字節(jié)，以形成((K×M)+2×K)字節(jié)的第一碼字；將P字節(jié)的第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到((K×M)+2×K)行中的每一行，其中每行包含N字節(jié)，以形成(N+P)字節(jié)的第二碼字；以及從每列的2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字中分出2字節(jié)，并且將所分出的2字節(jié)加到(K×M)行中的每一行之后，以形成K×(M+2)×(N+P)的寫入塊格式。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字是通過對每列的數(shù)據(jù)應(yīng)用預(yù)定操作函數(shù)h1而獲得的，表示為h1(M1，M2，...，M(K×M))，其中，M1、M2、…、M(K×M)表示每列的數(shù)據(jù)，并且第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字的長度為2×K字節(jié)。
12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字是通過對每行的數(shù)據(jù)應(yīng)用預(yù)定操作函數(shù)h2而獲得的，表示為h2(N1，N2，...，N(n))，其中，N1、N2、…、N(n)表示每行的數(shù)據(jù)，并且第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字的長度為P字節(jié)。
13.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，在(M×N)數(shù)據(jù)塊中，M為12字節(jié)，并且N為172字節(jié)。
14.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，K等于8。
15.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，在(M×N)數(shù)據(jù)塊中，M為24字節(jié)，并且N為86字節(jié)。
16.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，M＝12、N＝172、K＝8并且P＝10。
17.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，M＝24、N＝86、K＝8并且P＝10。
18.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，(M×N)數(shù)據(jù)塊包含2064字節(jié)，由2048字節(jié)的用戶數(shù)據(jù)和預(yù)定附加信息組成。
19.一種包含通過如下步驟生成的糾錯(cuò)碼塊的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)以字節(jié)為單位對數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行處理，并且將經(jīng)過處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)排列為第0到第(N-1)列和第0到第(M-1)行，以形成(M×N)數(shù)據(jù)塊；根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸順序?qū)⒍鄠€(gè)(M×N)數(shù)據(jù)塊排列在K行中，以形成矩陣塊；將2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到N列中的每一列，其中每列包含(K×M)字節(jié)，以形成((K×M)+2×K)字節(jié)的第一碼字；將P字節(jié)的第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到((K×M)+2×K)行中的每一行，其中每行包含N字節(jié)，以形成(N+P)字節(jié)的第二碼字；以及從每列的2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字中分出2字節(jié)，并且將所分出的2字節(jié)加到(K×M)行中的每一行之后，以形成K×(M+2)×(N+P)的寫入塊格式。
20.如權(quán)利要求19所述的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，具有50mm或更小的最內(nèi)圓周。
21.如權(quán)利要求19所述的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，為小型盤。
22.如權(quán)利要求19所述的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字是通過對每列的數(shù)據(jù)應(yīng)用預(yù)定操作函數(shù)h1而獲得的，表示為h1(M1，M2，...，M(K×M))，其中，M1、M2、…、M(K×M)表示每列的數(shù)據(jù)，并且第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字的長度為2×K字節(jié)。
23.如權(quán)利要求19所述的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字是通過對每行的數(shù)據(jù)應(yīng)用預(yù)定操作函數(shù)h2而獲得的，表示為h2(N1，N2，...，N(n))，其中，N1、N2、…、N(n)表示每行的數(shù)據(jù)，并且第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字的長度為P字節(jié)。
24.如權(quán)利要求19所述的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，在(M×N)數(shù)據(jù)塊中，M為12字節(jié)，并且N為172字節(jié)。
25.如權(quán)利要求19所述的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，K等于8。
26.如權(quán)利要求19所述的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，在(M×N)數(shù)據(jù)塊中，M為24字節(jié)，并且N為86字節(jié)。
27.如權(quán)利要求19所述的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，M＝12、N＝172、K＝8并且P＝10。
28.如權(quán)利要求19所述的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，M＝24、N＝86、K＝8并且P＝10。
29.如權(quán)利要求19所述的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，(M×N)數(shù)據(jù)塊包含2064字節(jié)，由2048字節(jié)的用戶數(shù)據(jù)和預(yù)定附加信息組成。
30.一種生成糾錯(cuò)碼塊的裝置，該裝置包括數(shù)據(jù)塊生成單元，以字節(jié)為單位對數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行處理，并且將經(jīng)過處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)排列為第0到第(N-1)列和第0到第(M-1)行，以形成(M×N)數(shù)據(jù)塊；矩陣塊生成單元，根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸順序?qū)⒍鄠€(gè)(M×N)數(shù)據(jù)塊排列在K行中，以形成矩陣塊；第一碼字生成單元，將2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到N列中的每一列，其中每列包含(K×M)字節(jié)，以形成((K×M)+2×K)字節(jié)的第一碼字；以及第二碼字生成單元，將P字節(jié)的第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到((K×M)+2×K)行中的每一行，其中每行包含N字節(jié)，以形成(N+P)字節(jié)的第二碼字。
31.如權(quán)利要求30所述的裝置，其中，第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字是通過對每列的數(shù)據(jù)應(yīng)用預(yù)定操作函數(shù)h1而獲得的，表示為h1(M1，M2，...，M(K×M))，其中，M1、M2、…、M(K×M)表示每列的數(shù)據(jù)，并且第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字的長度為2×K字節(jié)。
32.如權(quán)利要求30所述的裝置，其中，第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字是通過對每行的數(shù)據(jù)應(yīng)用預(yù)定操作函數(shù)h2而獲得的，表示為h2(N1，N2，...，N(n))，其中，N1、N2、…、N(n)表示每行的數(shù)據(jù)，并且第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字的長度為P字節(jié)。
33.如權(quán)利要求30所述的裝置，其中，在(M×N)數(shù)據(jù)塊中，M為12字節(jié)，并且N為172字節(jié)。
34.如權(quán)利要求30所述的裝置，其中，K等于8。
35.如權(quán)利要求30所述的裝置，其中，在(M×N)數(shù)據(jù)塊中，M為24字節(jié)，并且N為86字節(jié)。
36.如權(quán)利要求30所述的裝置，其中，M＝12、N＝172、K＝8并且P＝10。
37.如權(quán)利要求30所述的裝置，其中，M＝24、N＝86、K＝8并且P＝10。
38.如權(quán)利要求30所述的裝置，其中，(M×N)數(shù)據(jù)塊包含2064字節(jié)，由2048字節(jié)的用戶數(shù)據(jù)和預(yù)定附加信息組成。
39.一種以用于光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)的適當(dāng)寫入格式生成糾錯(cuò)碼塊的裝置，該裝置包括數(shù)據(jù)塊生成單元，以字節(jié)為單位對數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行處理，并且將經(jīng)過處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)排列為第0到第(N-1)列和第0到第(M-1)行，以形成(M×N)數(shù)據(jù)塊；矩陣塊生成單元，根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸順序?qū)⒍鄠€(gè)(M×N)數(shù)據(jù)塊排列在K行中，以形成矩陣塊；第一碼字生成單元，將2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到N列中的每一列，其中每列包含(K×M)字節(jié)，以形成((K×M)+2×K)字節(jié)的第一碼字；第二碼字生成單元，將P字節(jié)的第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到((K×M)+2×K)行中的每一行，其中每行包含N字節(jié)，以形成(N+P)字節(jié)的第二碼字；以及寫入格式生成單元，從每列的2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字中分出2字節(jié)，并且將所分出的2字節(jié)加到(K×M)行中的每一行之后，以形成K×(M+2)×(N+P)的寫入塊格式。
40.如權(quán)利要求39所述的裝置，其中，第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字是通過對每列的數(shù)據(jù)應(yīng)用預(yù)定操作函數(shù)h1而獲得的，表示為h1(M1，M2，...，M(K×M))，其中，M1、M2、…、M(K×M)表示每列的數(shù)據(jù)，并且第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字的長度為2×K字節(jié)。
41.如權(quán)利要求39所述的裝置，其中，第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字是通過對每行的數(shù)據(jù)應(yīng)用預(yù)定操作函數(shù)h2而獲得的，表示為h2(N1，N2，...，N(n))，其中，N1、N2、…、N(n)表示每行的數(shù)據(jù)，并且第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字的長度為P字節(jié)。
42.如權(quán)利要求39所述的裝置，其中，在(M×N)數(shù)據(jù)塊中，M為12字節(jié)，并且N為172字節(jié)。
43.如權(quán)利要求39所述的裝置，其中，K等于8。
44.如權(quán)利要求39所述的裝置，其中，在(M×N)數(shù)據(jù)塊中，M為24字節(jié)，并且N為86字節(jié)。
45.如權(quán)利要求39所述的裝置，其中，M＝12、N＝172、K＝8并且P＝10。
46.如權(quán)利要求39所述的裝置，其中，M＝24、N＝86、K＝8并且P＝10。
47.如權(quán)利要求39所述的裝置，其中，(M×N)數(shù)據(jù)塊包含2064字節(jié)，由2048字節(jié)的用戶數(shù)據(jù)和預(yù)定附加信息組成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種糾錯(cuò)碼(ECC)塊生成方法和裝置以及包含使用該裝置和方法生成的ECC碼塊的光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)。該ECC塊生成方法包括以字節(jié)為單位對數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)進(jìn)行處理，并且將經(jīng)過處理的數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)排列為第0到第(N－1)列和第0到第(M－1)行，以形成(M×N)數(shù)據(jù)塊；根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸順序?qū)⒍鄠€(gè)(M×N)數(shù)據(jù)塊排列在K行中，以形成矩陣塊；將2×K字節(jié)的第一糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到N列中的每一列，其中每列包含(K×M)字節(jié)，以形成((K×M)+2×K)字節(jié)的第一碼字；將P字節(jié)的第二糾錯(cuò)校驗(yàn)字加到((K×M)+2×K)行中的每一行，其中每行包含N字節(jié)，以形成(N+P)字節(jié)的第二碼字。該糾錯(cuò)碼塊具有比小型光學(xué)存儲(chǔ)介質(zhì)的最內(nèi)圓周更小的ECC長度和改善的數(shù)據(jù)讀取糾錯(cuò)能力。
文檔編號H03M13/29GK1430225SQ0215044
公開日2003年7月16日 申請日期2002年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2002年1月3日
發(fā)明者韓聲休, 李胤雨, 柳相鉉, 朱泳姙, 黃盛 申請人:三星電子株式會(huì)社