一種逆變器的制造方法
【專利摘要】一種逆變器，包括主電路以及控制電路，所述控制電路包括波形發生電路，所述主電路通過正相連接的二極管D1連接第一比較器，所述波形發生電路通過正相連接的二極管D2連接第一比較器，所述主電路通過反相連接的二極管D3連接第二比較器，所述波形發生電路通過反相連接的二極管D4連接第二比較器，所述第一比較電路通過第一運放電路控制逆變電路的開關T1與開關T4，所述第二比較電路通過第二運放電路控制逆變電路的開關T2與開關T3。它將逆變器的反饋電路引入控制電路中，同時對開關的驅動信號進行了電氣隔離，保證了驅動信號的互補性，提高了整個電路的穩定性，同時降低了功耗，提高了系統的效率。
【專利說明】
一種逆變器
技術領域
[0001]本實用新型涉及電力供電設備領域，尤其涉及一種逆變器。
【背景技術】
[0002]逆變器是將直流電轉換為交流電的一種電學設備。為了能夠得到穩定的輸出電壓或者電流，采用獨立的spmi控制對逆變器中的開關進行控制，為了提高電路的穩定性會增加一個反饋回路，然而反饋回路的增加導致了功耗的提高，同時對于逆變器的穩定性并沒有顯著效果，逆變器中的開關并不能保證死區時間的穩定，所謂死區時間為所有開關均處于斷開狀態的時間段。
【實用新型內容】
[0003]為了解決上述技術問題，本實用新型提出一種逆變器，它將逆變器的反饋電路引入控制電路中，同時對開關的驅動信號進行了電氣隔離，保證了驅動信號的互補性，提高了整個電路的穩定性，同時降低了功耗，提高了系統的效率。
[0004]為了實現上述目的，本實用新型的技術方案為:
[0005]—種逆變器，包括主電路以及控制電路，所述控制電路包括波形發生電路，所述主電路通過正相連接的二極管Dl連接第一比較器，所述波形發生電路通過正相連接的二極管D2連接第一比較器，所述主電路通過反相連接的二極管D3連接第二比較器，所述波形發生電路通過反相連接的二極管D4連接第二比較器，所述第一比較電路通過第一運放電路控制逆變電路的開關Tl與開關T4，所述第二比較電路通過第二運放電路控制逆變電路的開關T2與開關T3。
[0006]所述主電路包括直流電源，所述直流電源通過輸入濾波電路連接半導體開關Tl，所述半導體開關Tl串聯連接半導體開關T2，所述半導體開關T2連接直流電源的負極，所述直流電源通過輸入濾波電路連接半導體開關T3，所述半導體開關T3串聯連接半導體開關T4，所述半導體開關T4連接直流電源的負極，所述半導體開關Tl與半導體T2之間的節點通過串聯連接的電感LI與電阻Rl連接半導體開關T3與半導體T3之間的節點，所述半導體開關Tl與半導體開關T4為同步半導體開關，所述半導體開關T2與半導體開關T3為同步半導體開關，所述半導體開關Tl與半導體開關T2不能同時處于導通狀態，所述半導體開關Tl、半導體開關T2、半導體開關T3以及半導體開關T4均由控制電路控制，所述電感LI與電阻Rl之間的節點通過電容Cl連接主電路輸出端。
[0007]所述波形發生電路包括直流電壓源V，所述直流電壓源V的正極半導體開關Ql，所述半導體開關Ql串聯連接半導體開關Q2，所述半導體開關Q2連接直流電源的負極，所述直流電源通過輸入濾波電路連接半導體開關Q3，所述半導體開關Q3串聯連接半導體開關Q4，所述半導體開關Q4連接直流電源的負極，所述半導體開關Ql與半導體開關Q4為同步半導體開關，所述半導體開關Q2與半導體開關Q3為同步半導體開關，所述半導體開關Ql與半導體開關Q2不能同時處于導通狀態，所述半導體開關Q1、半導體開關Q2、半導體開關Q3以及半導體開關Q4均由DSP控制器控制。
[0008]所述半導體開關Tl、半導體開關T2、半導體開關T3以及半導體開關T4均為三極管或者MOS管。
[0009]所述半導體開關Q1、半導體開關Q2、半導體開關Q3以及半導體開關Q4均為三極管或者MOS管。
[0010]還包括保護電路，所述保護電路連接主電路，所述保護電路包括過壓保護電路與過流保護電路。
[0011 ]本實用新型的有益效果為:
[0012]1、通過四個二極管將波形信號與主電路采集的信號進行斬波并采用比較器進行比較，從而利用運放電路進行運放，再驅動主電路的開關，能夠有效的保證全橋式開關中，Tl與T4的同步，T2與T3的同步，以及保證了 T1(T4)與T2(T3)驅動信號的在同一時間不導通，以及在某個時間段Τ1(Τ4)與Τ2(Τ3)是同時關斷的。
[00?3] 2、米用半導體開關能夠有效的降低功耗，提尚效率。
[0014]3、增設了過壓保護電路與過流保護電路，能夠有效的保證電路的安全性。
【附圖說明】
[0015]圖1波形發生電路以及控制電路；
[0016]圖2主電路以及控制電路。
【具體實施方式】
[0017]為了更好的了解本實用新型的技術方案，下面結合附圖對本實用新型作進一步說明。
[0018]如圖1與圖2所示，一種逆變器，包括主電路以及控制電路，所述控制電路包括波形發生電路，所述變壓濾波電路通過正相連接的二極管Dl連接第一比較器，所述波形發生電路通過正相連接的二極管D2連接第一比較器，所述變壓濾波電路通過反相連接的二極管D3連接第二比較器，所述波形發生電路通過反相連接的二極管D4連接第二比較器，所述第一比較電路通過第一運放電路控制逆變電路的開關Tl與開關Τ4，所述第二比較電路通過第二運放電路控制逆變電路的開關Τ2與開關Τ3。
[0019]如圖2所示，所述主電路包括直流電源，所述直流電源通過輸入濾波電路連接半導體開關Tl，所述半導體開關Tl串聯連接半導體開關Τ2，所述半導體開關Τ2連接直流電源的負極，所述直流電源通過輸入濾波電路連接半導體開關Τ3，所述半導體開關Τ3串聯連接半導體開關Τ4，所述半導體開關Τ4連接直流電源的負極，所述半導體開關Tl與半導體Τ2之間的節點通過串聯連接的電感LI與電阻Rl連接半導體開關Τ3與半導體Τ3之間的節點，所述半導體開關Tl與半導體開關Τ4為同步半導體開關，所述半導體開關Τ2與半導體開關Τ3為同步半導體開關，所述半導體開關Tl與半導體開關Τ2不能同時處于導通狀態，所述半導體開關Tl、半導體開關Τ2、半導體開關Τ3以及半導體開關Τ4均由控制電路控制，所述電感LI與電阻Rl之間的節點通過電容Cl連接主電路輸出端。
[0020]如圖1所示，所述波形發生電路包括直流電壓源Ε，所述直流電壓源E的正極半導體開關Ql，所述半導體開關Ql串聯連接半導體開關Q2，所述半導體開關Q2連接直流電源的負極，所述直流電源通過輸入濾波電路連接半導體開關Q3，所述半導體開關Q3串聯連接半導體開關Q4，所述半導體開關Q4連接直流電源的負極，所述半導體開關Ql與半導體開關Q4為同步半導體開關，所述半導體開關Q2與半導體開關Q3為同步半導體開關，所述半導體開關Ql與半導體開關Q2不能同時處于導通狀態，所述半導體開關Q1、半導體開關Q2、半導體開關Q3以及半導體開關Q4均由DSP控制器控制，所述電感LI與電阻Rl之間的節點為輸出端。直流電壓源E的負極接地。
[0021]所述半導體開關Tl、半導體開關T2、半導體開關T3以及半導體開關T4均為三極管或者MOS管。
[0022]所述半導體開關Q1、半導體開關Q2、半導體開關Q3以及半導體開關Q4均為三極管或者MOS管。
[0023]還包括保護電路，所述保護電路連接主電路，所述保護電路包括過壓保護電路與過流保護電路。
[0024]上述雖然結合附圖對本實用新型的【具體實施方式】進行了描述，但并非對本實用新型保護范圍的限制，所屬領域技術人員應該明白，在本實用新型的技術方案的基礎上，本領域技術人員不需要付出創造性勞動即可做出的各種修改或變形仍在本實用新型的保護范圍以內。
【主權項】
1.一種逆變器，其特征是，包括主電路以及控制電路，所述控制電路包括波形發生電路，所述主電路通過正相連接的二極管Dl連接第一比較器，所述波形發生電路通過正相連接的二極管D2連接第一比較器，所述主電路通過反相連接的二極管D3連接第二比較器，所述波形發生電路通過反相連接的二極管D4連接第二比較器，所述第一比較電路通過第一運放電路控制逆變電路的半導體開關Tl與半導體開關T4，所述第二比較電路通過第二運放電路控制逆變電路的半導體開關T2與半導體開關T3。2.根據權利要求1所述的一種逆變器，其特征是，所述主電路包括直流電源，所述直流電源通過輸入濾波電路連接半導體開關Tl，所述半導體開關Tl串聯連接半導體開關T2，所述半導體開關T2連接直流電源的負極，所述直流電源通過輸入濾波電路連接半導體開關T3，所述半導體開關T3串聯連接半導體開關T4，所述半導體開關T4連接直流電源的負極，所述半導體開關Tl與半導體T2之間的節點通過串聯連接的電感LI與電阻Rl連接半導體開關T3與半導體T3之間的節點，所述半導體開關Tl與半導體開關T4為同步半導體開關，所述半導體開關T2與半導體開關T3為同步半導體開關，所述半導體開關Tl與半導體開關T2不能同時處于導通狀態，所述半導體開關Tl、半導體開關T2、半導體開關T3以及半導體開關T4均由控制電路控制，所述電感LI與電阻Rl之間的節點通過電容Cl連接主電路輸出端。3.根據權利要求2所述的一種逆變器，其特征是，所述波形發生電路包括直流電壓源V，所述直流電壓源V的正極半導體開關Ql，所述半導體開關Ql串聯連接半導體開關Q2，所述半導體開關Q2連接直流電源的負極，所述直流電源通過輸入濾波電路連接半導體開關Q3，所述半導體開關Q3串聯連接半導體開關Q4，所述半導體開關Q4連接直流電源的負極，所述半導體開關Ql與半導體開關Q4為同步半導體開關，所述半導體開關Q2與半導體開關Q3為同步半導體開關，所述半導體開關Ql與半導體開關Q2不能同時處于導通狀態，所述半導體開關Q1、半導體開關Q2、半導體開關Q3以及半導體開關Q4均由DSP控制器控制。4.根據權利要求1-3任一所述的一種逆變器，其特征是，所述半導體開關Tl、半導體開關T2、半導體開關T3以及半導體開關T4均為三極管或者MOS管。5.根據權利要求1-3任一所述的一種逆變器，其特征是，所述半導體開關Q1、半導體開關Q2、半導體開關Q3以及半導體開關Q4均為三極管或者MOS管。6.根據權利要求4所述的一種逆變器，其特征是，還包括保護電路，所述保護電路連接主電路，所述保護電路包括過壓保護電路與過流保護電路。
【文檔編號】H02M7/537GK205544993SQ201620099532
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年1月29日
【發明人】盧永利, 孔得永, 宋慶建, 李強, 姜林起, 盧永峰, 丁兆民
【申請人】濟南山開電力設備有限公司