Sj-mos管電路的拓撲結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供一種SJ-MOS管電路的拓撲結構，包括第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102，以及快恢復二極管D1；第一SJ-MOS管Q101和第二SJ-MOS管Q102的柵極接在一起作為復合管的柵極；第一SJ-MOS管Q101的漏極連接快恢復二極管D1的陰極，并作為復合管的漏極；第一SJ-MOS管Q101的源極接第二SJ-MOS管Q102的源極；第二SJ-MOS管的漏極接快恢復二極管D1的陽極，并作為復合管的源極。本實用新型可避開原SJ-MOS寄生二極管反向恢復很差的問題，使得SJ-MOS管電路的拓撲結構的應用電路工作更穩定，SJ-MOS管不容易損壞。
【專利說明】
SJ-MOS管電路的拓撲結構
技術領域
[0001]本實用新型涉及SJ-MOS管，尤其是一種改進的SJ-MOS管電路的拓撲結構。
【背景技術】
[0002]目前使用SJ-MOS管(超結功率M0SFET)搭建的典型全橋電路如圖1所示;此電路在單個SJ-MOS管續流時，SJ-MOS管內寄生二極管的恢復速度不夠快，會存在SJ-MOS寄生二極管的反向恢復問題；
[0003]目前的SJ-MOS由于內部結構問題，寄生二極管反向恢復特性較差，反向恢復電流很大，di/dt，dv/dt耐性較差；引起寄生二極管做續流使用時，很容易損壞。
【發明內容】
[0004]針對現有技術中存在的不足，本實用新型提供一種SJ-MOS管電路的拓撲結構，用于替代圖1中的單個SJ-MOS管，解決SJ-MOS寄生二極管的反向恢復較差問題;本實用新型采用的技術方案是:
[0005]一種SJ-MOS管電路的拓撲結構，包括第一SJ-MOS管QlOl和第二SJ-MOS管Q102，以及快恢復二極管Dl;
[0006]第一SJ-MOS管QlOl和第二 SJ-MOS管Q102的柵極接在一起作為復合管的柵極;第一SJ-MOS管QlOl的漏極連接快恢復二極管Dl的陰極，并作為復合管的漏極；第一 SJ-MOS管QlOl的源極接第二 SJ-MOS管Q102的源極;第二 SJ-MOS管的漏極接快恢復二極管Dl的陽極，并作為復合管的源極。
[0007]進一步地，快恢復二極管Dl采用MUR30120。
[0008]本實用新型的優點在于:避開原SJ-MOS寄生二極管反向恢復很差的問題，使得SJ-MOS管電路的拓撲結構的應用電路工作更穩定，SJ-MOS管不容易損壞。
【附圖說明】
[0009]圖1為現有的全橋電路原理圖。
[0010]圖2為本實用新型的SJ-MOS管電路的拓撲結構示意圖。
【具體實施方式】
[0011 ]下面結合具體附圖和實施例對本實用新型作進一步說明。
[0012]本使用新型提出的SJ-MOS管電路的拓撲結構，如圖2所示，包括第一SJ-MOS管QlOl和第二SJ-MOS管Q102，以及快恢復二極管Dl;快恢復二極管Dl可采用MUR30120，或其它的耐壓達到數百伏以上的快恢復二極管；
[0013]第一SJ-MOS管QlOl和第二 SJ-MOS管Q102的柵極接在一起作為復合管的柵極;第一SJ-MOS管QlOl的漏極連接快恢復二極管Dl的陰極，并作為復合管的漏極；第一 SJ-MOS管QlOl的源極接第二 SJ-MOS管Q102的源極;第二 SJ-MOS管的漏極接快恢復二極管Dl的陽極，并作為復合管的源極。
[0014]快恢復二極管(簡稱FRD)是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PffM脈寬調制器、變頻器等電子電路中。快恢復二極管的內部結構與普通PN結二極管不同，它屬于PIN結型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區I，構成PIN硅片。因基區很薄，反向恢復電荷很小，所以快恢復二極管的反向恢復時間較短，正向壓降較低，反向擊穿電壓(耐壓值)較高。
[0015]將圖1中的SJ-MOS單管Ql、Q2、Q3、Q4全部用上述SJ-MOS管電路的拓撲結構構成的復合管代替；當復合管的柵極接高電平時，電流從QlOl，Q102流過;續流時Q102的寄生二極管反向阻斷，續流的電流從快恢復二極管Dl流過，如此可以解決SJ-MOS寄生二極管的反向恢復較差問題。
[0016]此SJ-MOS管電路的拓撲結構的核心在于關斷MOS管，需要續流時，提供旁路通道，阻斷SJ-MOS體內二極管的續流路徑;此應用可以延伸到半橋以及類似拓展電路。
【主權項】
1.一種SJ-MOS管電路的拓撲結構，其特征在于，包括第一 SJ-MOS管QlOl和第二 SJ-MOS管Q102，以及快恢復二極管Dl; 第一 SJ-MOS管QlOl和第二 SJ-MOS管Q102的柵極接在一起作為復合管的柵極;第一 SJ-MOS管QlOl的漏極連接快恢復二極管Dl的陰極，并作為復合管的漏極;第一 SJ-MOS管QlOl的源極接第二 SJ-MOS管Q102的源極;第二 SJ-MOS管的漏極接快恢復二極管Dl的陽極，并作為復合管的源極。2.如權利要求1所述的SJ-MOS管電路的拓撲結構，其特征在于； 快恢復二極管Dl采用MUR30120。
【文檔編號】H02M1/06GK205544903SQ201620074401
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年1月25日
【發明人】白玉明, 冷強, 張海濤
【申請人】無錫同方微電子有限公司