中壓變頻柜功率單元的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種變頻柜用功率單元結構，具體是一種使用風冷散熱器進行熱交換的中壓變頻柜功率單元。
【背景技術】
[0002]在中壓變頻柜中，功率單元部分都是獨立于柜體的結構，柜內發熱器件及功率單元部分都是通過風機完成熱交換，從而達到散熱的目的；作為中壓變頻柜的核心，功率單元設計時一般都是只將IGBT模塊和整流橋進行冷卻，其他部件如電容、母排由于相對于IGBT模塊發熱量小而不進行散熱考慮。
[0003]而實際運行情況下，現場運行條件復雜多變加上變頻柜結構密閉，使得IGBT模塊的熱量不能被完全帶走，功率單元內部發熱量逐漸累積，同時功率單元內部其他器件如疊層母排、電容也會發熱，當熱量累積到一定程度時將會影響直流支撐電容的性能，甚至損壞器件。
【發明內容】
[0004]本實用新型所要解決的技術問題是，在傳統功率單元使用風冷散熱條件下，解決主要損耗部分(IGBT模塊和整流橋)同時進行散熱處理，使得功率單元內部形成強迫風冷，降低母排、電容器件本體的熱量及減少功率器件損壞的中壓變頻柜功率單元。
[0005]為了解決上述技術問題，本實用新型的中壓變頻柜功率單元，包括殼體，殼體由隔板分隔成左右兩個腔體，其中一個腔室為功率單元室，功率單元室上方安裝TGBT模塊和整流單元，TGBT模塊和整流單元下方設置有散熱器，TGBT模塊上安裝有復合母排，復合母排上安裝吸收電容，另外一個腔室內安裝支撐電容，支撐電容上方安裝控制電路板。
[0006]所述支撐電容的一側還設置有控制變壓器。
[0007]采用上述的結構后，當把功率單元投放在中壓變頻柜內部時，由于A、B、C三相是從上到下安裝布置，只需要在頂部安裝風機，即可以在變頻柜內部形成循環風路，在IGBT模塊和整流橋風冷的條件下，其他部件包括電容、母排等也可以通過循環風冷進行熱交換；由此實現了功率單元內部形成強迫風冷，降低母排、電容器件本體的熱量及減少功率器件損壞的目的，其結構緊湊、安裝方便，并使功率單元內部器件散熱更加有效，使風中壓變頻柜內部形成風冷循環，減少了功率單元器件損壞，降低了公司現場維護成本。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實用新型中壓變頻柜功率單元的立體結構示意圖。
【具體實施方式】
[0009]下面結合附圖和【具體實施方式】，對本實用新型的中壓變頻柜功率單元作進一步詳細說明。
[0010]如圖所示，本實用新型的中壓變頻柜功率單元，包括殼體1，殼體I由隔板分為左右兩個腔室，其中一個腔室為功率單元室，功率單元室上方安裝TGBT模塊2和整流單元3，TGBT模塊2上安裝有復合母排7，復合母排7上安裝吸收電容8，TGBT模塊2和整流單元3下方設置有散熱器4，散熱器4用于IGBT模塊和整流單元的熱交換，同時整個右腔室的散熱也主要靠散熱器進行熱交換；另外一個腔室內安裝支撐電容5，也就是說將支撐電容5與主要損耗器件隔開；支撐電容5上方安裝控制電路板6，支撐電容5的一側還設置有控制變壓器9 ;當把功率單元投放在中壓變頻柜內部時，由于A、B、C三相是從上到下安裝布置，只需要在頂部安裝風機，即可以再變頻柜內部形成循環風路，在IGBT模塊和整流橋風冷的條件下，其他部件包括電容、母排等也可以通過循環風冷進行熱交換。
【主權項】
1.一種中壓變頻柜功率單元，其特征在于:包括殼體(1)，所述殼體(I)由隔板分隔成左右兩個腔體，其中一個腔室為功率單元室，功率單元室上方安裝TGBT模塊(2)和整流單元(3)，TGBT模塊(2)和整流單元(3)下方設置有散熱器(4)，TGBT模塊(2)上安裝有復合母排(7)，復合母排(7)上安裝吸收電容(8)，另外一個腔室內安裝支撐電容(5)，支撐電容(5 )上方安裝控制電路板(6 )。
2.按照權利要求1所述的中壓變頻柜功率單元，其特征在于:所述支撐電容(5)的一側還設置有控制變壓器(9)。
【專利摘要】本實用新型公開了一種變頻柜用功率單元結構，具體是一種使用風冷散熱器進行熱交換的中壓變頻柜功率單元。它包括殼體，殼體由隔板分隔成左右兩個腔體，其中一個腔室為功率單元室，功率單元室上方安裝TGBT模塊和整流單元，TGBT模塊和整流單元下方設置有散熱器，TGBT模塊上安裝有復合母排，復合母排上安裝吸收電容，另外一個腔室內安裝支撐電容，支撐電容上方安裝控制電路板。采用上述的結構后，實現了功率單元內部形成強迫風冷，降低母排、電容器件本體的熱量及減少功率器件損壞的目的，其結構緊湊、安裝方便，并使功率單元內部器件散熱更加有效，使風中壓變頻柜內部形成風冷循環，減少了功率單元器件損壞，降低了公司現場維護成本。
【IPC分類】H02M1-00, H05K7-20
【公開號】CN204304765
【申請號】CN201420859846
【發明人】陳兵, 宋軍會, 周峰
【申請人】江蘇大全箱變科技有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2014年12月30日