一種泄放電路、泄放芯片和核磁共振測井儀的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種泄放電路、芯片和核磁共振測井儀，包括：隔離變壓器次級第一輸出繞組第二輸出端與JFET管漏極相連并通過第一電容與第一和第二MOSFET管源極相連。第二輸出繞組第一輸出端與第一輸出繞組第二輸出端相連。第二輸出繞組第二輸出端與JFET管柵極、第三MOSFET管源極相連，通過第二電容與JFET管漏極相連。第三輸出繞組第一輸出端與第三MOSFET管源極、JFET管柵極相連。第三輸出繞組第二輸出端與第三MOSFET管柵極相連。第三MOSFET管漏極與JFET管漏極相連；第一MOSFET管漏極與天線相連。本發明方案能夠有效抑制高溫環境下儀器探頭振鈴和死區時間，保證較高的儀器分辨率和信噪比。
【專利說明】
一種泄放電路、泄放芯片和核磁共振測井儀
技術領域
[0001]本發明涉及高溫測井技術領域，尤其涉及一種泄放電路、泄放芯片和核磁共振測井儀。
【背景技術】
[0002]隨著易開采的石油資源的減少，油田的勘探開發深度正在不斷加深，部分高溫高壓井下溫度已經超過相關所有商業化核磁共振測井儀的最高耐溫指標。當前采用收發一體探頭的核磁共振測井儀(包含哈利伯頓的MRIL-P，MRIL-XL和貝克休斯的MREX系列儀器)均需要采用泄放電路模塊，用以快速消除高壓激勵之后天線殘存的能量，減小儀器的死區時間，從而減小儀器回波間隔以提高儀器測量分辨率。當前核磁共振測井儀泄放模塊多采用高壓體娃MOSFET等軟開關進行設計，此方案在高于175攝氏度時，會因體硅工藝的溫度極限導致軟開關導通電阻增大，導通維持時間變短，導致泄放電路性能的下降或失效，而反復開通和關閉泄放電路模塊，會導致探頭阻抗變化引入振蕩信號，從而極大增加了高溫環境下核磁共振測井儀的振鈴和死區時間，并有可能導致儀器功放電路因泄放功能的失效而損毀。
【發明內容】
[0003]為了解決上述問題，本發明提出了一種泄放電路、泄放芯片和核磁共振測井儀，能夠使得核磁共振測井儀在200攝氏度的高溫下長時間連續工作，并能夠有效抑制高溫環境下儀器探頭的振鈴和死區時間，保證了高溫核磁共振測井儀在高溫環境下的較高的儀器分辨率和信噪比。
[0004]為了達到上述目的，本發明提出了一種泄放電路，該電路包括:隔離變壓器、第一金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET管、第二 MOSFET管、第三MOSFET管、結晶型場效應晶體管JFET管、第一電容、第二電容、第一二極管、第二二極管和第三二極管。
[0005]其中，隔離變壓器包括第一變壓器和第二變壓器;第一變壓器包括第一輸入繞組、第一輸出繞組和第二輸出繞組;第二變壓器包括第二輸入繞組和第三輸出繞組。
[0006]第一輸入繞組和第二輸入繞組均與輸入電源和泄放控制信號輸出端相連。
[0007]第一輸出繞組的第一輸出端與第一二極管的正極相連，第一二極管的負極與第一MOSFET管和第二 MOSFET管的柵極相連。
[0008]第一輸出繞組的第二輸出端與JFET管的漏極相連，并通過第一電容與第一MOSFET管和第二 MOSFET管的源極相連。
[0009]第二輸出繞組的第一輸出端與第一輸出繞組的第二輸出端相連。
[0010]第二輸出繞組的第二輸出端與第二二極管的負極相連，第二二極管的正極與JFET管的柵極相連;并與第三MOSFET管的源極相連，第二二極管的正極通過第二電容與JFET管的漏極相連。
[0011]第三輸出繞組的第一輸出端與第三MOSFET管的源極相連，并與JFET管的柵極相連。
[0012]第三輸出繞組的第二輸出端與第三二極管的正極相連，第三二極管的負極與第三MOSFET管的柵極相連。
[0013]第三MOSFET管的漏極與JFET管的漏極相連;第一MOSFET管的漏極與天線相連;第二 MOSFET管的漏極接地。
[0014]可選地，泄放控制信號包括:泄放開啟信號和泄放關閉信號。
[0015]第一輸入繞組的第一輸入端與輸入電源相連;第一輸入繞組的第二輸入端與泄放開啟信號的輸出端相連。
[0016]第二輸入繞組的第一輸入端與輸入電源相連;第二輸入繞組的第二輸入端與泄放關閉信號的輸出端相連。
[0017]可選地，該泄放電路還包括控制電阻;控制電阻的一端與JFET管的源極相連，另一端與第一 MOSFET管和第二 MOSFET管的柵極相連。
[0018]可選地，輸入電源為VCC電源;VCC電源是指市電通過交流-直流AC-DC變換，并進行一次降壓后獲得的電壓。
[0019]可選地，第一二極管為高壓防反向二極管、第二二極管和第三二極管均為高壓二極管。
[0020]可選地，第一電容和第二電容均為高溫高壓貼片陶瓷電容COG電容。
[0021 ] 可選地，高溫高壓COG電容電的高溫閾值為200度。
[0022]可選地，第一 MOSFET管、第二 MOSFET管和第三MOSFET管均采用通過碳化硅材料半導體SIC工藝高溫封裝的MOSFET管。
[0023]可選地，第一 MOSFET管、第二 MOSFET管和第三MOSFET管滿足225度的結溫需求。
[0024]為了達到上述目的，本發明還提出了一種泄放芯片，包括所述的泄放電路。
[0025]為了達到上述目的，本發明還提出了一種核磁共振測井儀，包括所述的泄放電路，或包括所述的泄放芯片。
[0026]與現有技術相比，本發明包括:隔離變壓器、第一金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET管、第二 MOSFET管、第三MOSFET管、JFET管、第一電容、第二電容、第一二極管、第二二極管和第三二極管。其中，隔離變壓器包括第一變壓器和第二變壓器;第一變壓器包括第一輸入繞組、第一輸出繞組和第二輸出繞組;第二變壓器包括第二輸入繞組和第三輸出繞組。第一輸入繞組和第二輸入繞組均與輸入電源和泄放控制信號輸出端相連。第一輸出繞組的第一輸出端與第一二極管的正極相連，第一二極管的負極與第一MOSFET管和第二MOSFET管的柵極相連。第一輸出繞組的第二輸出端與JFET管的漏極相連，并通過第一電容與第一 MOSFET管和第二 MOSFET管的源極相連。第二輸出繞組的第一輸出端與第一輸出繞組的第二輸出端相連。第二輸出繞組的第二輸出端與第二二極管的負極相連，第二二極管的正極與JFET管的柵極相連;并與第三MOSFET管的源極相連，第二二極管的正極通過第二電容與JFET管的漏極相連。第三輸出繞組的第一輸出端與第三MOSFET管的源極相連，并與JFET管的柵極相連。第三輸出繞組的第二輸出端與第三二極管的正極相連，第三二極管的負極與第三MOSFET管的柵極相連。第三MOSFET管的漏極與JFET管的漏極相連;第一 MOSFET管的漏極與天線相連;第二 MOSFET管的漏極接地。通過本發明的方案，能夠使得核磁共振測井儀在200攝氏度的高溫下長時間連續工作，并能夠有效抑制高溫環境下儀器探頭的振鈴和死區時間，保證了高溫核磁共振測井儀在高溫環境下的較高的儀器分辨率和信噪比。
【附圖說明】
[0027]下面對本發明實施例中的附圖進行說明，實施例中的附圖是用于對本發明的進一步理解，與說明書一起用于解釋本發明，并不構成對本發明保護范圍的限制。
[0028]圖1為相關的核磁共振測井儀的結構圖；
[0029]圖2為相關的核磁共振測井儀中的泄放電路框圖；
[0030]圖3為相關的核磁共振測井儀中的泄放電路控制原理圖；
[0031 ]圖4為本發明實施例的泄放電路控制原理圖；
[0032]圖5為本發明實施例的泄放芯片結構組成框圖；
[0033]圖6為本發明實施例的核磁共振測井儀結構組成框圖。
【具體實施方式】
[0034]為了便于本領域技術人員的理解，下面結合附圖對本發明作進一步的描述，并不能用來限制本發明的保護范圍。
[0035]在高溫測井作業中，核磁共振測井儀一般采用CPMG脈沖序列進行核磁激勵信號的發射和回波信號采集，核磁共振測井儀的基本組成結構如圖1所示，由于測井儀受制于電纜供電和井下高溫惡劣環境的原因，通常采用激勵發射和回波信號接收一體化探頭設計，發射機采用高壓小電流進行激勵發射，接收機采用高靈敏度前置放大器進行回波信號的接收，通過收發雙工切換電路，實時控制儀器的發射和接收。地層中流體的回波信號非常微弱，通常只有幾十個納伏到數微伏，而激勵發射通常需要數千伏高壓，因此必須將探頭天線上殘余能量在較短時間內泄放干凈，才能保證在回波接收時回波信號的完整性。
[0036]但通常核磁共振測井儀采用的都是傳統體硅工藝的金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET管來對天線激勵殘余能量進行快速泄放，典型的泄放電路框圖如圖2所示，其控制原理圖如圖3所示，在相關的泄放控制方案中，控制信號通過事件控制板產生泄放開和關的信號，兩個控制信號經過功率放大電路進行功率放大之后，通過泄放電路的隔離變壓器進行作差，產生開啟的正脈沖和關閉的負脈沖。此電路采用一對P溝道和N溝道低壓MOSFET管分別控制連接天線兩端的高壓MOSFET管的GS級(柵源極)電容的充放電，從而實現泄放功能的開啟和關閉。由于體硅工藝(bulk SI)M0SFET管均存在寄生體二極管，在高溫環境中(尤其是高于175度時)，M0SFET管的DS極(漏源極)漏電流Idss呈幾何級增大，這樣會導致高壓MOSFET管的GS極電容電壓急劇下降至MOSFET管的米勒平臺之下，導致高壓MOSFET管無法維持正常的導通時間，影響了泄放電路高溫泄放效果。其中，該米勒平臺是指維持MOSFET管或JFET管的DS極導通時，GS極需要保持住的電壓水平。泄放能力的下降會直接導致天線殘余能量無法在儀器規定的時間內泄放完全，導致儀器死區時間增加，儀器回波間隔時間會大幅度增加，從而影響儀器對地層中短弛豫流體的測量。而因泄放電路是連接至天線的兩端，反復開啟泄放電路會引起天線端阻抗的變化，反而會對諧振電路引入新的振蕩干擾，導致回波接收時間窗內回波信號受到干擾。
[0037]綜上所述可知，當前的核磁共振測井儀的泄放電路中采用低壓一對N，P溝道體硅MOSFET和高溫二極管作為維持高壓MOSFET導通和關斷的電路設計，此設計在高于175攝氏度時會極大縮短維持高壓管的導通時間，從而增加了儀器的死時間和探頭上的振鈴。并且體硅工藝的高壓MOSFET管會在高溫狀態下產生閂鎖效應，且導通電阻會在高溫環境下加大，降低了泄放的效果，增加了探頭上的振鈴和電子噪聲，并可能導致泄放電路的失效引起更嚴重的儀器損壞。基于上述問題，本發明實施例方案提出了如圖4所示的泄放電路，該泄放電路能夠突破高溫下泄放時間的限制，保證了儀器在高溫環境下的泄放效率，能夠使得核磁共振測井儀在200攝氏度的高溫下長時間連續工作，并能夠有效抑制高溫環境下儀器探頭的振鈴和死區時間，保證了高溫核磁共振測井儀在高溫環境下的較高的儀器分辨率和信噪比。
[0038]為了達到上述目的，本發明提出了一種泄放電路I，該電路包括:隔離變壓器01、第一 MOSFET 管 02、第二 MOSFET 管 03、第三 MOSFET 管 04、JFET 管 05、第一電容 06、第二電容 07、第一二極管08、第二二極管09和第三二極管10。
[0039]其中，隔離變壓器01包括第一變壓器011和第二變壓器012;第一變壓器011包括第一輸入繞組0111、第一輸出繞組0112和第二輸出繞組0113;第二變壓器012包括第二輸入繞組0121和第三輸出繞組0122。
[0040]第一輸入繞組0111和第二輸入繞組0121均與輸入電源和泄放控制信號輸出端相連。
[0041]可選地，泄放控制信號包括:泄放開啟信號和泄放關閉信號。
[0042]第一輸入繞組0112的第一輸入端01121與輸入電源相連;第一輸入繞組0112的第二輸入端01122與泄放開啟信號的輸出端相連。
[0043]第二輸入繞組0121的第一輸入端01211與輸入電源相連;第二輸入繞組0121的第二輸入端01212與泄放關閉信號的輸出端相連。
[0044]第一輸出繞組0112的第一輸出端01121與第一二極管08的正極相連，第一二極管08的負極與第一 MOSFET管02和第二 MOSFET管03的柵極相連。
[0045]第一輸出繞組0112的第二輸出端01122與JFET管05的漏極相連，并通過第一電容06與第一 MOSFET管02和第二 MOSFET管03的源極相連。
[0046]第二輸出繞組0113的第一輸出端01131與第一輸出繞組0112的第二輸出端01122相連。
[0047]第二輸出繞組0113的第二輸出端01132與第二二極管09的負極相連，第二二極管09的正極與JFET管05的柵極相連;并與第三MOSFET管04的源極相連，第二二極管09的正極通過第二電容07與JFET管05的漏極相連。
[0048]第三輸出繞組0122的第一輸出端01221與第三MOSFET管04的源極相連，并與JFET管05的柵極相連。
[0049]第三輸出繞組0122的第二輸出端01222與第三二極管10的正極相連，第三二極管10的負極與第三MOSFET管04的柵極相連。
[0050]第三MOSFET管04的漏極與JFET管05的漏極相連;第一 MOSFET管02的漏極與天線相連;第二 MOSFET管03的漏極接地。
[0051]本發明實施例方案的輔助泄放電路最大的特點是控制電路采用了JFET替代了原有的MOSFET管，由于JFET沒有寄生體二極管，在高溫環境下DS極關閉狀態下漏電流極小，從而能使高壓MOSFET管的GS極兩端電容的電壓維持在米勒平臺之上較長的時間，從而提高了泄放時間。本發明實施例的泄放電路的工作原理如下所述:
[0052]隔離變壓器01將控制信號與高壓泄放電路相隔離，防止高壓串入前級控制信號之中，該控制信號包括泄放開啟信號和泄放關閉信號。第一變壓器Oll(Tl)初級的第二輸入端01122接泄放開啟信號，第一輸入端01121接輸入電源，用以提高控制信號的驅動能力，可選地，該輸入電源可以為VCC電源;VCC電源是指市電通過交流-直流AC-DC變換，并進行一次降壓后獲得的電壓。第一變壓器Oll(Tl)次級的第一輸出繞組0112通過第一二極管08(D1)向高壓MOSFET管第一 MOSFET管02 (Ql)和第二 MOSFET管03 (Q2)的GS極間電容及匹配電容第一電容07(C1)進行充電，可選地，第一二極管OS(Dl)為高壓防反向二極管，只允許GS極電容正向充電，并用于維持GS極間的電荷。可選地，第一電容06(C1)為高溫高壓貼片陶瓷電容COG電容。并且該高溫高壓COG電容電的高溫閾值為200度。可選地，該泄放電路還包括控制電阻11;控制電阻11的一端與JFET管05的源極相連，另一端與第一MOSFET管02和第二MOSFET管03的柵極相連。該控制電阻Il(Rl)是為了控制GS極電容充電速度以調節高壓MOSFET的開通時間。這樣第一MOSFET管02(Q1)和第二MOSFET管03(Q2)的GS極及第一電容06(C1)上的電荷只能通過JFET管05(Q3)的DS極進行泄放，而第一變壓器Oll(Tl)的另一組次級繞組第二輸出繞組0113在泄放開啟信號到來后，會通過高壓二極管第二二極管09(D2)對JFET管05(Q3)的GS極電容，即第二電容07(C2)進行反向充電，將JFET管05(Q3)的GS極維持在較大的負壓之下，從而維持JFET管05(Q3)處于截止狀態，可選地，為保證高溫下的性能，第二電容07(C2)也需要采用200度COG電容。由于高溫下JFET管的Idss電流和高壓二極管的反向漏電流都極小，所以第一 MOSFET管02(Q1)和第二 MOSFET管03(Q2)的GS極電壓得以較長時間維持在米勒平臺導通電壓之上，泄放時間可以得以較長時間維持。
[0053 ]泄放關閉信號到來時，會通過第二變壓器012 (T2)的次級第三輸出繞組0122，經過高壓二極管第三二極管10(D3)將第三MOSFET管04(Q4)的GS極進行充電，從而導通第三MOSFET管04 (Q4)的DS極，第三MOSFET管04 (Q4)的導通會迅速釋放掉第二電容07 (C2)及JFET管05(Q3)的GS極上的電荷，從而使JFET管05(Q3)的DS極處于導通狀態，JFET管05(Q3)的DS極被導通后，會迅速釋放掉第一電容06(C1)、第一 MOSFET管02(Q1)和第二 MOSFET管03(Q2)的GS極電荷，從而使第一MOSFET管02(Q1)和第二MOSFET管03(Q2)的GS極電壓迅速低于MOSFET管的米勒平臺電壓，從而使第一 MOSFET管02 (Ql)和第二 MOSFET管03 (Q2)迅速關閉。
[0054]按照此原理設計的高溫輔助泄放電路，泄放時間可以在200攝氏度下維持4ms以上，由于體硅工藝的高壓MOSFET管在高于180度時會產生閂鎖效應的風險，在本發明實施例中，根據高溫電子材料的擊穿電壓(breakdown voltage)和結溫之間關系曲線，需要更換常規泄放用體硅高壓MOSFET管，選用碳化硅材料半導體SIC工藝高溫封裝的MOSFET管，能夠滿足225度的結溫需求。
[0055]可選地，第一 MOSFET管02、第二 MOSFET管03和第三MOSFET管04均采用通過SIC工藝高溫封裝的MOSFET管。
[0056]為了達到上述目的，本發明還提出了一種泄放芯片2，包括所述的泄放電路I，如圖5所示。
[0057]為了達到上述目的，本發明還提出了一種核磁共振測井儀3，包括所述的泄放電路I，或包括所述的泄放芯片2，如圖6所示。
[0058]與現有技術相比，本發明包括:隔離變壓器、第一金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET管、第二 MOSFET管、第三MOSFET管、JFET管、第一電容、第二電容、第一二極管、第二二極管和第三二極管。其中，隔離變壓器包括第一變壓器和第二變壓器;第一變壓器包括第一輸入繞組、第一輸出繞組和第二輸出繞組;第二變壓器包括第二輸入繞組和第三輸出繞組。第一輸入繞組的第一輸入端與輸入電源相連;第一輸入繞組的第二輸入端與泄放開啟信號的輸出端相連。第二輸入繞組的第一輸入端與輸入電源相連;第二輸入繞組的第二輸入端與泄放關閉信號的輸出端相連。第一輸出繞組的第一輸出端與第一二極管的正極相連，第一二極管的負極與第一 MOSFET管和第二 MOSFET管的柵極相連。第一輸出繞組的第二輸出端與JFET管的漏極相連，并通過第一電容與第一 MOSFET管和第二 MOSFET管的源極相連。第二輸出繞組的第一輸出端與第一輸出繞組的第二輸出端相連。第二輸出繞組的第二輸出端與第二二極管的負極相連，第二二極管的正極與JFET管的柵極相連；并與第三MOSFET管的源極相連，第二二極管的正極通過第二電容與JFET管的漏極相連。第三輸出繞組的第一輸出端與第三MOSFET管的源極相連，并與JFET管的柵極相連。第三輸出繞組的第二輸出端與第三二極管的正極相連，第三二極管的負極與第三MOSFET管的柵極相連。第三MOSFET管的漏極與JFET管的漏極相連;第一 MOSFET管的漏極與天線相連;第二 MOSFET管的漏極接地。通過本發明的方案，能夠使得核磁共振測井儀在200攝氏度的高溫下長時間連續工作，并能夠有效抑制高溫環境下儀器探頭的振鈴和死區時間，保證了高溫核磁共振測井儀在高溫環境下的較高的儀器分辨率和信噪比。
[0059]本發明實施例方案具有以下優勢:
[0060]1、由于高溫環境下體硅工藝的MOSFET寄生的體二極管PN節反向漏電增大，會過快降低維持高壓MOSFET管導通的GS極電容的電平，從而減小了維持泄放電路的導通狀態的時間，導致高溫泄放效果的下降，而高溫JFET在高溫下具備極低的漏電，且不具備寄生體二極管，本發明實施例方案將其替代高溫控制MOSFET管，能夠長時間維持住高壓MOSFET管的GS極間電平，從而保證了泄放電路持續泄放的時間和性能。
[0061 ] 2、采用高溫SIC高壓MOSFET管替代傳統體硅高壓MOSFET管，有效降低了高溫下泄放模塊對地導通電阻，從而更快將天線殘余能量泄放至地，并消除了因體硅器件高溫閂鎖效應引起的泄放失效隱患，保證了高溫環境下核磁測井儀的可靠性。
[0062]需要說明的是，以上所述的實施例僅是為了便于本領域的技術人員理解而已，并不用于限制本發明的保護范圍，在不脫離本發明的發明構思的前提下，本領域技術人員對本發明所做出的任何顯而易見的替換和改進等均在本發明的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種泄放電路，其特征在于，所述電路包括:隔離變壓器、第一金屬-氧化物半導體場效應晶體管MOSFET管、第二 MOSFET管、第三MOSFET管、結晶型場效應晶體管JFET管、第一電容、第二電容、第一二極管、第二二極管和第三二極管；其中，所述隔離變壓器包括第一變壓器和第二變壓器;所述第一變壓器包括第一輸入繞組、第一輸出繞組和第二輸出繞組;所述第二變壓器包括第二輸入繞組和第三輸出繞組；所述第一輸入繞組和所述第二輸入繞組均與輸入電源和泄放控制信號輸出端相連；所述第一輸出繞組的第一輸出端與所述第一二極管的正極相連，所述第一二極管的負極與所述第一 MOSFET管和第二 MOSFET管的柵極相連； 所述第一輸出繞組的第二輸出端與所述JFET管的漏極相連，并通過所述第一電容與所述第一 MOSFET管和第二 MOSFET管的源極相連； 所述第二輸出繞組的第一輸出端與所述第一輸出繞組的第二輸出端相連； 所述第二輸出繞組的第二輸出端與所述第二二極管的負極相連，所述第二二極管的正極與所述JFET管的柵極相連;并與所述第三MOSFET管的源極相連，所述第二二極管的正極通過所述第二電容與所述JFET管的漏極相連； 所述第三輸出繞組的第一輸出端與第三MOSFET管的源極相連，并與所述JFET管的柵極相連； 所述第三輸出繞組的第二輸出端與所述第三二極管的正極相連，所述第三二極管的負極與所述第三MOSFET管的柵極相連； 所述第三MOSFET管的漏極與所述JFET管的漏極相連;所述第一 MOSFET管的漏極與天線相連;所述第二 MOSFET管的漏極接地。2.如權利要求1所述的泄放電路，其特征在于，所述泄放控制信號包括:泄放開啟信號和泄放關閉信號； 所述第一輸入繞組的第一輸入端與所述輸入電源相連;所述第一輸入繞組的第二輸入端與泄放開啟信號的輸出端相連； 所述第二輸入繞組的第一輸入端與所述輸入電源相連;所述第二輸入繞組的第二輸入端與泄放關閉信號的輸出端相連。3.如權利要求1所述的泄放電路，其特征在于，所述泄放電路還包括控制電阻；所述控制電阻的一端與所述JFET管的源極相連，另一端與所述第一 MOSFET管和第二 MOSFET管的柵極相連。4.如權利要求1所述的泄放電路，其特征在于，所述輸入電源為VCC電源;所述VCC電源是指市電通過交流-直流AC-DC變換，并進行一次降壓后獲得的電壓。5.如權利要求1所述的泄放電路，其特征在于，所述第一二極管為高壓防反向二極管。6.如權利要求1所述的泄放電路，其特征在于，所述第一電容和所述第二電容均為高溫高壓貼片陶瓷電容COG電容。7.如權利要求1所述的泄放電路，其特征在于，所述第一MOSFET管、第二MOSFET管和第三MOSFET管均采用通過碳化硅材料半導體SIC工藝高溫封裝的MOSFET管。8.如權利要求7所述的泄放電路，其特征在于，所述第一MOSFET管、第二MOSFET管和第三MOSFET管滿足225度的結溫需求。9.一種泄放芯片，其特征在于，包括如權利要求1至8任意一項所述的泄放電路。10.—種核磁共振測井儀，其特征在于，包括如權利要求1至8任意一項所述的泄放電路，或包括如權利要求9所述的泄放芯片。
【文檔編號】E21B49/00GK106099880SQ201610580027
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年7月21日 公開號201610580027.1, CN 106099880 A, CN 106099880A, CN 201610580027, CN-A-106099880, CN106099880 A, CN106099880A, CN201610580027, CN201610580027.1
【發明人】王光偉, 宋公仆, 張嘉偉
【申請人】中國海洋石油總公司, 中海油田服務股份有限公司