一種mosfet線性直流穩壓的輸出電路的制作方法
【技術領域】
[0001 ]本發明屬于電路的技術領域，具體涉及一種MOSFET線性直流穩壓的輸出電路。
【背景技術】
[0002]目前，電路中所使用的傳統的三極管電子濾波器電路和LM7812穩壓芯片，輸入電壓比較低，當輸入電壓高于30V，此電路就不能再使用。
【發明內容】
[0003]本發明主要解決的技術問題是提供一種MOSFET線性直流穩壓的輸出電路，在保持原有的功能下，通過各元器件，實現了寬電壓輸入，解決了當輸入電壓高于30V，此電路就不能再使用的問題，其具有工作電壓范圍寬、縮小PCB設計時所占用的面積以及器件更好選型等優點。
[0004]為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是:提供了一種MOSFET線性直流穩壓的輸出電路，包括第一電容、第二電容、電阻、穩壓管以及MOSFET管，所述的第一電容連接在電路的輸入端和輸出端之間，所述的第二電容連接在第一電容與電路的輸出端之間，所述的電阻與穩壓管串聯連接后再與第一電容并聯連接，所述的MOSFET管包括柵極、源極和漏極，所述的MOSFET管的柵極與電路的輸出端相連接，所述的MOSFET管的源極分別與電阻和穩壓管相連接，所述的MOSFET管的漏極與電路的輸入端相連接。
[0005]在本發明一個較佳實施例中，所述的第一電容和第二電容均采用電解電容。
在本發明一個較佳實施例中，所述的MOSFET管采用N型MOSFET管，其型號為IRF640，所述的MOSFET管的柵極電壓始終高于源極的電壓。
[0006]在本發明一個較佳實施例中，所述的電路的輸入端的電壓范圍寬為15-100VDC。
[0007]在本發明一個較佳實施例中，所述的電路的輸入端的電壓為48VDC。
[0008]在本發明一個較佳實施例中，所述的電路的輸出端的電壓為12VDC。
[0009]本發明的有益效果是:本發明的MOSFET線性直流穩壓的輸出電路，在保持原有的功能下，通過各元器件，實現了寬電壓輸入，解決了當輸入電壓高于30V，此電路就不能再使用的問題，其具有工作電壓范圍寬、縮小PCB設計時所占用的面積以及器件更好選型等優點。
【附圖說明】
[0010]為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其它的附圖，其中:
圖1是本發明MOSFET線性直流穩壓的輸出電路的一較佳實施例的電路圖。
【具體實施方式】
[0011]下面將對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅是本發明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0012I如圖1所示，本發明實施例包括:
一種MOSFET線性直流穩壓的輸出電路，包括第一電容Cl、第二電容C2、電阻Rl、穩壓管ZDI以及MOSFET管Ql，所述的第一電容Cl連接在電路的輸入端和輸出端之間，所述的第二電容C2連接在第一電容Cl與電路的輸出端之間，所述的電阻Rl與穩壓管ZDl串聯連接后再與第一電容Cl并聯連接，所述的MOSFET管Ql包括柵極G、源極S和漏極D，所述的MOSFET管Ql的柵極G與電路的輸出端相連接，所述的MOSFET管Ql的源極S分別與電阻Rl和穩壓管ZDl相連接，所述的MOSFET管Ql的漏極D與電路的輸入端相連接。
[0013]上述中，所述的電路的輸入端的電壓范圍寬為15-100VDC。本實施例中，所述的電路的輸入端的電壓為48 VDC;所述的電路的輸出端的電壓為12 VDC。
[0014]其中，所述的第一電容Cl和第二電容C2均采用電解電容;所述的MOSFET管Ql采用N型MOSFET管，其型號為IRF640，所述的MOSFET管Ql的柵極電壓始終高于源極的電壓。
具體地，電阻Rl為6.8K電阻、穩壓管ZDl為15V穩壓管、MOSFET管Ql為IRF640、第一電容Cl為22Uf/100V電解電容、第一電容C2為47Uf/25V電解電容。
[0015]電路的輸入端輸入的是48V直流電經過電阻Rl、穩壓管ZDI穩壓在+15V，MOSFET管Ql的導通特性是當Vgs電壓達到+3V以上就開能導通，因N型MOSFET管的柵極(G)電壓始終是高于源極(S)的，所以源極S正常穩定輸出+ 12VDC，M0SFET管Ql工作在線性穩壓區，此時如果需要增加輸出電流需讓MOSFET管Ql有足夠的散熱條件。
[0016]本發明的MO S F E T線性直流穩壓的輸出電路與傳統的三極管電子濾波器電路和LM7812穩壓芯片技術相比較，其優點是:
1.輸入電壓范圍寬:15_100VDC，傳統的三極管電子濾波器電路和LM7812穩壓芯片電壓一般不超過30VDC;
2.傳統的三極管電子濾波器電路是電流放大型讓三極管工作放大區進行穩壓，基極需要較大的驅動電流，所以電阻Rl的阻值不能取的太大，功率也不能太小，相應電阻Rl上功率就增大，設計電路板時就占用PCB的空間就較大，如采用本發明的MOSFET線性直流穩壓方案是電壓驅動型讓MOSFET管Ql工作放大區進行穩壓，只需供給相應的電壓就能穩壓，所以電阻Rl的阻值可以取大，功率也可取小，設計電路板時相應的體積也縮小了；
3.高電壓小體積的MOSFET管Ql器件比三極管更好選擇。
[0017]綜上所述，本發明的MOSFET線性直流穩壓的輸出電路，在保持原有的功能下，通過各元器件，實現了寬電壓輸入，解決了當輸入電壓高于30V，此電路就不能再使用的問題，其具有工作電壓范圍寬、縮小PCB設計時所占用的面積以及器件更好選型等優點。
[0018]以上所述僅為本發明的實施例，并非因此限制本發明的專利范圍，凡是利用本發明說明書內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其它相關的技術領域，均同理包括在本發明的專利保護范圍內。
【主權項】
1.一種MOSFET線性直流穩壓的輸出電路，其特征在于，包括第一電容、第二電容、電阻、穩壓管以及MOSFET管，所述的第一電容連接在電路的輸入端和輸出端之間，所述的第二電容連接在第一電容與電路的輸出端之間，所述的電阻與穩壓管串聯連接后再與第一電容并聯連接，所述的MOSFET管包括柵極、源極和漏極，所述的MOSFET管的柵極與電路的輸出端相連接，所述的MOSFET管的源極分別與電阻和穩壓管相連接，所述的MOSFET管的漏極與電路的輸入端相連接。2.根據權利要求1所述的MOSFET線性直流穩壓的輸出電路，其特征在于，所述的第一電容和第二電容均采用電解電容。3.根據權利要求1所述的MOSFET線性直流穩壓的輸出電路，其特征在于，所述的MOSFET管采用N型MOSFET管，其型號為IRF640，所述的MOSFET管的柵極電壓始終高于源極的電壓。4.根據權利要求1所述的MOSFET線性直流穩壓的輸出電路，其特征在于，所述的電路的輸入端的電壓范圍寬為15-100VDC。5.根據權利要求4所述的MOSFET線性直流穩壓的輸出電路，其特征在于，所述的電路的輸入端的電壓為48VDC。6.根據權利要求5所述的MOSFET線性直流穩壓的輸出電路，其特征在于，所述的電路的輸出端的電壓為12VDC。
【專利摘要】本發明公開了一種MOSFET線性直流穩壓的輸出電路，包括第一電容、第二電容、電阻、穩壓管以及MOSFET管，所述的第一電容連接在電路的輸入端和輸出端之間，所述的第二電容連接在第一電容與電路的輸出端之間，所述的電阻與穩壓管串聯連接后再與第一電容并聯連接，所述的MOSFET管包括柵極、源極和漏極，所述的MOSFET管的柵極與電路的輸出端相連接，所述的MOSFET管的源極分別與電阻和穩壓管相連接，所述的MOSFET管的漏極與電路的輸入端相連接。通過上述方式，本發明的MOSFET線性直流穩壓的輸出電路，其具有工作電壓范圍寬、縮小PCB設計時所占用的面積以及器件更好選型等優點。
【IPC分類】H02M3/156
【公開號】CN105634278
【申請號】CN201610156320
【發明人】李紅全, 司紅磊, 李青海, 陳強
【申請人】江蘇峰谷源儲能技術研究院有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2016年3月21日