專(zhuān)利名稱(chēng)：：自振蕩的復(fù)合變壓器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及能保證在電子變換器結(jié)構(gòu)中使用的自激振蕩器的工作以保持所使用的一個(gè)或幾個(gè)開(kāi)關(guān)裝置周期地導(dǎo)通，或是為了實(shí)現(xiàn)在輸入端電位和輸出端電位之間尋求的適合于所述的變換器的調(diào)整。大多數(shù)按現(xiàn)有技術(shù)使用的這類(lèi)裝置分別如所附的附圖1和圖2所示。此處的附圖1表示最早使用的實(shí)現(xiàn)方式。所謂的“阻塞振蕩器”類(lèi)的此種實(shí)現(xiàn)方式要使用半導(dǎo)體器件4，在其負(fù)載電極4a與其公共電極4c之間存在的間隔被使用作為開(kāi)關(guān)裝置，能夠通過(guò)繞在磁路2上的初級(jí)2a保證斷開(kāi)由連接在公共端子1a和1b之間的供電電源供給的電流。半導(dǎo)體器件4的周期性導(dǎo)通通過(guò)所謂“反應(yīng)”的次級(jí)2b得到保證。該次級(jí)相對(duì)于初級(jí)2a同軸地繞制，向所述的半導(dǎo)體器件的控制電極4b送出一個(gè)能保證負(fù)載電極4a和公共電極4c之間存在的間隔的周期性導(dǎo)通的幅度和相位適當(dāng)?shù)男盘?hào)。相對(duì)于初級(jí)2a同樣地同軸繞制的次級(jí)2c向輸出負(fù)載3供電，并以負(fù)載3所要求的電壓實(shí)現(xiàn)對(duì)公共端子1a和1b間的適當(dāng)電位的調(diào)整。特別是和次級(jí)2c的端子并聯(lián)安裝的電容器5能夠糾正磁路2的漏電感的有害作用。對(duì)于某些應(yīng)用來(lái)說(shuō)，適當(dāng)選擇電容器5的大小，在半導(dǎo)體器件4進(jìn)行電流斷開(kāi)的頻率和初級(jí)2a的電感和電容器5的電容聯(lián)合組成的振蕩電路的固有頻率之間諧振時(shí)形成的過(guò)電壓下運(yùn)行可能是很有好處的。使用現(xiàn)有裝置，想要利用這樣一種諧振的作用，無(wú)論是所謂“串聯(lián)”的或是所謂“并聯(lián)”的，都是不現(xiàn)實(shí)的。事實(shí)上，控制的次級(jí)2b吸收的能量被強(qiáng)耦合到初級(jí)2a和次級(jí)2c，引起很大的衰減，結(jié)果造成諧振時(shí)過(guò)電壓系數(shù)Q的突降。在這些情況下，次級(jí)2b的能量吸收阻止在負(fù)載3的端子間建立任何引人注意的過(guò)電壓。為此原因，在需要使用串聯(lián)或并聯(lián)諧振的各種應(yīng)用中，必須要有另外一種裝置。此處的附圖2表示出了這另一種裝置，它的某些改進(jìn)之處已在特別是Nilssen的各項(xiàng)專(zhuān)利中作了說(shuō)明。在這種型號(hào)的裝置中，控制次級(jí)2b被一個(gè)電流變換器所代替。該變換器被繞在一個(gè)獨(dú)立磁路6上，而其初級(jí)6a和繞在主磁路2上的初級(jí)2a作串聯(lián)安裝。相對(duì)于初級(jí)6a同軸繞制的次級(jí)6b，代替次級(jí)2b送出一個(gè)幅度和相位適當(dāng)?shù)?、能夠保證控制半導(dǎo)體器件4的周期性導(dǎo)通的信號(hào)。此裝置通過(guò)將主變壓器2的磁路和控制變壓器6的磁路隔離開(kāi)來(lái)，阻止為控制開(kāi)關(guān)裝置4而提取的能量對(duì)繞制在磁路2上的各個(gè)線(xiàn)圈繞組的過(guò)壓系數(shù)的任何影響。因而這樣使得可以適當(dāng)利用其磁路2可能是底座的串聯(lián)諧振或并聯(lián)諧振。這樣一個(gè)裝置的缺點(diǎn)是它牽扯到要添加一個(gè)補(bǔ)充磁路6和與其相聯(lián)的變壓器，這大大加重了其成本并顯著增大了這樣裝配的變換器的體積。按照本發(fā)明的該裝置可以免除在按照附圖1和附圖2建造的裝置的使用中所遇到的缺點(diǎn)。此處的附圖3表示所述的裝置的一般實(shí)現(xiàn)方式。如果這種實(shí)現(xiàn)方式初看似乎是附圖2表示的裝置的復(fù)制品的話(huà)，那么這僅是表面現(xiàn)象，因?yàn)槎咴诒举|(zhì)上是不同的。事實(shí)上，如果此裝置的各基本功能繼續(xù)如上面所述，這就是說(shuō)，繞制在磁路2’上的主變壓器能保證很好地傳送被轉(zhuǎn)換到輸出負(fù)載3的能量，而繞制在磁路6’上的附屬變壓器則始終控制著半導(dǎo)體器件4周期性地導(dǎo)通，相反，在這里表示出的按照本發(fā)明的裝置中，電路2’和6’不再是磁性無(wú)關(guān)的。因此，由于電路2’和6’不再是磁性無(wú)關(guān)的，它們或者被耦合，或者完全合在一起。在外觀(guān)上這時(shí)可以想象此裝置又回復(fù)到了附圖1所表示的裝置。在這種情況下，又重新面對(duì)前面提到過(guò)的缺點(diǎn)。事實(shí)上，這時(shí)可以認(rèn)為初級(jí)2’a和6’a是合在一起而次級(jí)6’b和次級(jí)2b相對(duì)應(yīng)。并不如此，因?yàn)橐拱凑毡景l(fā)明的裝置工作，關(guān)鍵是要使主變壓器的初級(jí)2a產(chǎn)生的磁力線(xiàn)沿著和附加變壓器的初級(jí)6’b產(chǎn)生的磁力線(xiàn)所沿軌跡幾乎垂直的軌跡移動(dòng)。這意味著，一方面，兩相比較，線(xiàn)圈繞組2’a和2’c是同軸地繞制在磁路2’上，而另一方面，兩相比較，線(xiàn)圈繞組6’a和6’b是同軸地繞制在同一個(gè)磁路2’上，或者在被耦合到磁路2’的附加磁路6’上，使如此構(gòu)成的各個(gè)變壓器中的每一個(gè)發(fā)出的磁通量沿幾乎垂直的方向相交。這樣，與附圖1表示的裝置中所產(chǎn)生的不同，如果組成磁路2’的材料的分子和組成磁路6’的分子同時(shí)被初級(jí)2’a和6’a的合并磁場(chǎng)所激勵(lì)，這兩個(gè)磁場(chǎng)之間的磁相互作用仍然可以忽略，因?yàn)槔碚撋嫌捎诤退鼈兿鄬?duì)的角度的正常狀態(tài)使它們相互抵消。在這些情況下很明顯，所述的控制變壓器的次級(jí)6’b不再能減小可被繞在磁路2’上的任何一個(gè)線(xiàn)圈繞組的電感，這由利用能夠提供這種例如和電容器5相聯(lián)的電感的串聯(lián)或并聯(lián)諧振的可能性表現(xiàn)出來(lái)。附圖4表示按照本發(fā)明的裝置的實(shí)際實(shí)現(xiàn)的第二種方式。按照此實(shí)現(xiàn)方式，作為本發(fā)明的目的的該裝置，被應(yīng)用于一種使用所述的“電容半橋式”的結(jié)構(gòu)的變換器，這種結(jié)構(gòu)的有源分支由串聯(lián)安裝的兩個(gè)半導(dǎo)體器件4’和4”構(gòu)成，而其無(wú)源分支則由兩個(gè)串聯(lián)安裝的電容器8a和8b構(gòu)成。分別屬于橋電路的每個(gè)所述的分支的中心點(diǎn)1c和1d借助于在從其上取出能量加到與其并聯(lián)連接的輸出負(fù)載3上的各個(gè)端子之間包含有上述控制變壓器的初級(jí)7a、電感7d、和電容器5’的串聯(lián)電路相互進(jìn)行連接。電感7d的值被計(jì)算得使在此電感和電容器5’之間構(gòu)成一個(gè)其諧振頻率接近于半導(dǎo)體器件4’和4”所達(dá)到的電流的開(kāi)關(guān)頻率的串聯(lián)振蕩電路。此開(kāi)關(guān)由耦合到初級(jí)7a的次級(jí)7b和7c分別向控制電極4’b和控制電極4”b送出一個(gè)適當(dāng)幅度和相位的信號(hào)、交替周期地進(jìn)行控制。如果分別由初級(jí)7a和電感7d產(chǎn)生的磁力線(xiàn)沿幾乎垂直的方向，從對(duì)端子1a和1b加上電壓開(kāi)始，以及在由一個(gè)這里未圖示畫(huà)出的裝置啟動(dòng)振蕩之后，該電路可以進(jìn)入運(yùn)行，并按照所謂的“能量傳遞”方式向負(fù)載3送出如此轉(zhuǎn)換的能量。此處的附圖4a表示前面的裝置的一個(gè)方案。其中的電感7d被連接在端子1e和1d之間，被耦合到次級(jí)7e，并按照所述的“電壓傳遞”方式向負(fù)載3送去轉(zhuǎn)換的能量。一個(gè)和次級(jí)7e并聯(lián)安裝的電容器5”可以在連接到負(fù)載3的各端于間和次級(jí)7e構(gòu)成一個(gè)并聯(lián)振蕩電路。此處的附圖5表示杯體9a被連結(jié)到第二個(gè)一樣的杯體而能構(gòu)成磁路7的從上面看的視圖。此視圖的剖面線(xiàn)區(qū)可以看見(jiàn)兩個(gè)杯體處的公共接合平面。在安裝杯體時(shí)，這些杯體在為此預(yù)先規(guī)定的環(huán)形槽中可以裝插一個(gè)繞線(xiàn)骨架。杯體9a和它的對(duì)應(yīng)物一樣，被配備有一個(gè)中心圓柱形洞12。此處的附圖6表示被安裝的杯體9a和9b的剖面圖，其各剖面線(xiàn)區(qū)使接合的部分和平面顯露出來(lái)。在這些杯體的邊上有一個(gè)材料缺口，它可以構(gòu)成一個(gè)大的氣隙11，能改善適合于電感7d的過(guò)電壓系數(shù)Q。電感7d被繞制在安裝于杯體9a和9b之間的骨架10上。在特別情況下，氣隙11可以用一個(gè)緊貼上述接合平面的薄墊片來(lái)代替。這樣，如此制造的電感7d可以和電容器5’或5”聯(lián)合組成一個(gè)串聯(lián)或并聯(lián)的振蕩電路，在諧振時(shí)表現(xiàn)出優(yōu)異的過(guò)電壓性能。按照此種實(shí)現(xiàn)方式，上述的控制變壓器及其各繞組7a、7b和7c適合用一種環(huán)形繞制法，僅需一次或數(shù)次將絕緣線(xiàn)在橫穿過(guò)構(gòu)成杯體9a和9b的材料的圓柱形細(xì)長(zhǎng)孔12中通過(guò)。在圖6上又發(fā)現(xiàn)，為了畫(huà)圖清晰繞組7a、7b和7c只需在細(xì)長(zhǎng)孔12中通過(guò)一次，再分別通到在附圖4上被指出的各輸出端子4’b和1c、1e和1c、1b和4”b即可。同樣此處的附圖5在中心細(xì)長(zhǎng)孔12的右部顯露出了對(duì)應(yīng)于線(xiàn)圈繞組7a、7b和7c的導(dǎo)線(xiàn)的部分。這樣組成的變壓器和上面說(shuō)明的完全一致。事實(shí)上，如果應(yīng)用安培定律，可以確認(rèn)，電感7d產(chǎn)生的磁場(chǎng)和初級(jí)7a產(chǎn)生的磁場(chǎng)明顯地是垂直的，并且在如此組成的磁路7未達(dá)嚴(yán)重飽和時(shí)上述兩個(gè)磁場(chǎng)間的相互作用是最小的。在磁路7飽和的情況下，也就是說(shuō)，當(dāng)表現(xiàn)出上述的串聯(lián)或并聯(lián)諧振時(shí)，記錄下的磁現(xiàn)象表現(xiàn)出對(duì)開(kāi)關(guān)裝置4’和4”的控制有利的一種特性。事實(shí)上，磁性材料飽和時(shí)的這種特性會(huì)使分別周期性地加到控制電極4’b和4”b上的脈沖寬度下降。在這種極端情況下，這會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體器件4’和4”的自動(dòng)保護(hù)，因?yàn)樵陔姌O4’a和4’c之間以及電極4”a和4”c之間在向關(guān)閉和開(kāi)啟轉(zhuǎn)換時(shí)，觀(guān)察到電壓/電流恢復(fù)的最小區(qū)域，這使得所述的“交叉導(dǎo)通”現(xiàn)象造成破壞的危險(xiǎn)變得極不可能。此外，如果要求杯體9a和9b的接合平面適當(dāng)磨光，可以考慮將構(gòu)成上述控制變壓器的各線(xiàn)圈繞組7a、7b和7c那時(shí)實(shí)際上繞到一個(gè)沒(méi)有泄漏的磁芯上這一還可以改善半導(dǎo)體器件4’和4”的交替的周期轉(zhuǎn)換和排除所述的“交叉導(dǎo)通”的危險(xiǎn)的解決辦法。此處的附圖7表示本發(fā)明的目標(biāo)裝置的另一種實(shí)現(xiàn)方式。按照此種實(shí)現(xiàn)方式，磁路2可簡(jiǎn)化為單獨(dú)一個(gè)杯體9a，由于其大的空氣隙能進(jìn)一步改善電感7d的品質(zhì)因數(shù)并排除其飽和限制。至于上述的控制變壓器，除了構(gòu)成它的磁路和表現(xiàn)出最少漏磁的ABCD部分的單塊磁芯要符合之外沒(méi)有什么變化。附圖8表示出實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的的裝置的第三種實(shí)現(xiàn)方式。按照此種實(shí)現(xiàn)方式，磁路7由一個(gè)中空的鐵氧體管構(gòu)成，其中心的圓柱形開(kāi)孔12’準(zhǔn)許線(xiàn)圈繞組7a、7b和7c通過(guò)。在此情況下，其縱向截面用點(diǎn)線(xiàn)標(biāo)出的電感7d被成層地繞到鐵氧體圓柱的外表面上成為緊密相連的圈。這一解決辦法在如此構(gòu)成的電感7b產(chǎn)生一個(gè)和線(xiàn)圈繞組7a產(chǎn)生的場(chǎng)明顯垂直的場(chǎng)這一意義上，和以前的解決辦法是完全一樣的。另一方面，如此構(gòu)成的電感7b具有一個(gè)幾乎無(wú)限大的氣隙，能保證高的品質(zhì)因數(shù)，而上述的控制變壓器及其線(xiàn)圈繞組7a、7b和7c被繞在一個(gè)有著用剖面線(xiàn)表示的矩形A’B’C’D’截面的磁芯上。此種實(shí)現(xiàn)方式極為省錢(qián)，特別是對(duì)可噴型(jetables)小型變換器的制造有利。附圖8表示一種與前面的大體相同的實(shí)現(xiàn)方式，差別只是加有第二根中空的或?qū)嵭牡暮凸?相連接的鐵氧體管7’，對(duì)于某些應(yīng)用，這管有再將磁通量關(guān)閉而避免散布到空間的優(yōu)點(diǎn)。按照此種實(shí)現(xiàn)方式，關(guān)系到電感7d的氣隙這時(shí)由其線(xiàn)圈繞組的厚度本身決定。按照此種實(shí)現(xiàn)方式，假定管子7’是中空的，很明顯此管能容納該控制變壓器及其繞組7a、7b和7c。另一方面，也有可能利用管子7和7’中的一根或另一根的圓柱形細(xì)長(zhǎng)孔，以便構(gòu)成一個(gè)或幾個(gè)使用按照本發(fā)明的裝置的變換器而可能需要的輔助電感。附圖9表示一種和前一種接近的實(shí)現(xiàn)方式。按照此種實(shí)現(xiàn)方式，電感7d的一部分繞在管7上，一部分繞在管7’上。在此情況下，構(gòu)成所述的控制變壓器的各個(gè)導(dǎo)體7a、7b和7c同時(shí)在管7的中心開(kāi)孔和管7’的中心開(kāi)口中通過(guò)，使得這些線(xiàn)圈繞組的各輸入端和各輸出端能設(shè)置于同一側(cè)。很明顯，這種解決辦法可以任意延伸，并且為了增大轉(zhuǎn)換功率可以添加一些鐵氧體管，直至將其連接成某種截面的一束。附圖10表示實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的的裝置的最后一個(gè)例子。此圖用剖面線(xiàn)表示出對(duì)應(yīng)于磁路7的一個(gè)鐵氧體圓柱形管的右邊部分。此部分顯示出有兩個(gè)沿所述的管的軸線(xiàn)平行延伸的細(xì)長(zhǎng)孔14a和14b。和前面一樣，相應(yīng)于上述的控制變壓器的各個(gè)導(dǎo)線(xiàn)7a、7b和7c穿過(guò)這些腔進(jìn)行纏繞。至于電感7d則和前面一樣被繞到所述的鐵氧體管的外周表面，并且讓其右邊部分顯露出來(lái)，在此該右邊部分被表示為一個(gè)點(diǎn)線(xiàn)標(biāo)志的環(huán)形區(qū)。以上被說(shuō)明的按照本發(fā)明的該裝置可以糾正按照以往技術(shù)建造的各種裝置的缺點(diǎn)。事實(shí)上，此裝置以低廉的成本而能給予電感器7d以很好的品質(zhì)因數(shù)，無(wú)需為此添加能維持開(kāi)關(guān)裝置4’和4”交替地周期性導(dǎo)通的控制變壓器。另一方面，它可以被集成在所有的變換器上，這需要有一個(gè)或幾個(gè)半導(dǎo)體器件。此裝置這樣可以完全集成在所謂的“完全去磁積累”和“不完全去磁積累”類(lèi)型的一個(gè)半導(dǎo)體器件的、所謂的“推挽”、“不對(duì)稱(chēng)半橋式”和“電容半橋式”類(lèi)型的兩個(gè)半導(dǎo)體器件類(lèi)型的、所謂的“完全橋式”的四個(gè)半導(dǎo)體器件的類(lèi)型的，等等的各種結(jié)構(gòu)中。這樣，按照本發(fā)明的該裝置可以使用在一種至少需要四個(gè)按照所謂的“完全橋式”的方式作兩相運(yùn)用或三相運(yùn)用而使用的交換機(jī)裝置的變換器的結(jié)構(gòu)中。此裝置可以使用于所有型號(hào)的半導(dǎo)體器件，不管它們屬于按照所謂的“共發(fā)射極”方式安裝的或按照所謂的“共基極”方式安裝的所謂的雙極的晶體管、所謂的“MOSFET”晶體管、閘流晶體管、所謂的“IGBT”混合式晶體管。此裝置同樣可以使把不同性能的半導(dǎo)體器件組合起來(lái)的一種混合變換器結(jié)構(gòu)正常工作。如所當(dāng)然以及由前結(jié)果可知，本發(fā)明絕不限于已經(jīng)較為詳細(xì)地考察過(guò)的應(yīng)用方式和實(shí)現(xiàn)方式。相反，它包括所有各種變動(dòng)形式。權(quán)利要求1.至少要求有一個(gè)開(kāi)關(guān)裝置4’的能量轉(zhuǎn)換裝置，該開(kāi)關(guān)裝置4’能夠通過(guò)一個(gè)串聯(lián)電路保證切斷由連接在公共端子1a和1b之間的供電電源產(chǎn)生的電流，該串聯(lián)電路一方面包含有一個(gè)電感7d，從電感7d取出的轉(zhuǎn)換能量加到一個(gè)輸出負(fù)載3，另一方面包含有一個(gè)控制變壓器的初級(jí)7a，而該控制變壓器的一個(gè)或幾個(gè)次級(jí)向該所述的一個(gè)或幾個(gè)開(kāi)關(guān)裝置的該控制電極輸送能保證其交替的周期性導(dǎo)通的信號(hào)，其特征在于，電感7d和初級(jí)7a分別被繞在同一個(gè)磁路或獨(dú)立但有磁耦合的幾個(gè)磁路上，使得電感7d產(chǎn)生的場(chǎng)和初級(jí)7a產(chǎn)生的場(chǎng)沿明顯垂直的方向在磁性材料中相遇。2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，磁路7由兩個(gè)磁性材料杯體9a和9b構(gòu)成，它們形成一個(gè)凹槽，可以裝插骨架10，其上再繞上電感7d，而初級(jí)7a及其一個(gè)或幾個(gè)相關(guān)的次級(jí)被進(jìn)行環(huán)形纏繞穿過(guò)被安排貫穿該各所述的杯體的圓柱形開(kāi)口12。3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，在杯體9a和9b之間安置有一道空氣隙。4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，空氣隙11僅被安置在杯體9a和9b的周邊上。5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，磁路7只由一個(gè)杯體9a構(gòu)成，杯體9a能容納電感7d，而初級(jí)7a及其一個(gè)或幾個(gè)相關(guān)的次級(jí)被進(jìn)行環(huán)形纏繞穿過(guò)被安排貫穿該所述的杯體的圓柱形開(kāi)口12。6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，磁路7由一個(gè)中空管構(gòu)成，在其周邊處繞有電感7d，而初級(jí)7a及其一個(gè)或幾個(gè)相關(guān)的次級(jí)被進(jìn)行環(huán)形纏繞穿過(guò)貫穿該所述的管子的該圓柱形細(xì)長(zhǎng)孔12。7.如權(quán)利要求6所述的裝置，其特征在于，在構(gòu)成磁路7的上述管子處連接有第二根磁性管7’。8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，穿過(guò)第二管7’的該中心細(xì)長(zhǎng)孔12”被用作進(jìn)行和初級(jí)7a及其一個(gè)或幾個(gè)次級(jí)有關(guān)的環(huán)形纏繞的通道。9.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，該第二管7’中能裝插相應(yīng)于電感7d的線(xiàn)圈繞組的一部分。10.如權(quán)利要求7、8和9所述的裝置，其特征在于，磁路2由一束和第二管7’類(lèi)似的磁性管構(gòu)成。11.如權(quán)利要求6、7、8、9和10所述的裝置，其特征在于，該初級(jí)7a及其一個(gè)或幾個(gè)相關(guān)次級(jí)被進(jìn)行一次環(huán)形纏繞，至少穿過(guò)兩個(gè)細(xì)長(zhǎng)孔12’和12”。12.如權(quán)利要求6、7、8、9和10所述的裝置，其特征在于，構(gòu)成磁路7的該磁性材料管至少配置有兩個(gè)沿平行于該所述的管子的軸線(xiàn)的軸線(xiàn)設(shè)置的細(xì)長(zhǎng)孔14a和14b，該所述的細(xì)長(zhǎng)孔能保證初級(jí)7a的環(huán)形纏繞以及與其相關(guān)的一個(gè)或幾個(gè)次級(jí)的環(huán)形纏繞。13.如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11和12的裝置其特征在于此一事實(shí)，即按照本發(fā)明的該裝置被使用在一種只需要一個(gè)開(kāi)關(guān)裝置4的變換器結(jié)構(gòu)中。14.如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6、7、9、10、11和12所述的裝置，其特征在于，按照本發(fā)明的該裝置被使用在一種需要兩個(gè)按照所謂的“推-挽”的方面、或者按照所謂的“不對(duì)稱(chēng)半橋式”的方式、或者再有按照所謂的“電容半橋式”的方式使用的開(kāi)關(guān)裝置的變換器結(jié)構(gòu)中。15.如權(quán)利要求1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11和12所述的裝置，其特征在于，按照本發(fā)明的該裝置被使用在一種至少需要四個(gè)在二相用法或三相用法下按照所謂的“完全橋式”的方式使用的開(kāi)關(guān)裝置的變換器結(jié)構(gòu)中。16.如權(quán)利要求13、14和15所述的裝置，其特征在于，該或該各開(kāi)關(guān)裝置4’和4”為按照所謂的“共發(fā)射極”方式安裝的所謂的“雙極”晶體管。17.如權(quán)利要求13、14和15所述的裝置，其特征在于，該或該各開(kāi)關(guān)裝置4’和4”為按照所謂的“共基極”方式安裝的所謂的“雙極”晶體管。18.如權(quán)利要求13、14和15所述的裝置，其特征在于，該或該各開(kāi)關(guān)裝置4’和4”為所謂的“MOSFET”晶體管。19.如權(quán)利要求13、14和15所述的裝置，其特征在于，該或該各開(kāi)關(guān)裝置4’和4”為閘流晶體管。20.如權(quán)利要求13、14和15所述的裝置，其特征在于，該或該各開(kāi)關(guān)裝置4’和4”為所謂的“IGBT”半導(dǎo)體器件。21如權(quán)利要求13、14和15所述的裝置，其特征在于，該或該各開(kāi)關(guān)裝置4’和4”適宜于各種不同的類(lèi)型。22如權(quán)利要求1至21的各權(quán)利要求所述的裝置，其特征在于，電感7d聯(lián)結(jié)電容器5’形成一個(gè)串聯(lián)振蕩電路，在其端子之間按照所謂的“能量傳遞”方式取出轉(zhuǎn)換的能量，該能量被送到輸出負(fù)載3。23如權(quán)利要求1至21的各權(quán)利要求所述的裝置，其特征在于，按照所謂的“電壓傳遞”方式向輸出負(fù)載3供電的一個(gè)線(xiàn)圈繞組7e被耦合到電感7d。24如權(quán)利要求23所述的裝置，其特征在于，線(xiàn)圈繞組7e和電容器5”相聯(lián)而在從其取出轉(zhuǎn)換能量送至輸出負(fù)載3的端子間形成有一個(gè)并聯(lián)振蕩電路。25通過(guò)將從直流源到具有一個(gè)控制電極(4b)的至少一個(gè)開(kāi)關(guān)(4)的電流斷開(kāi)的用于能量轉(zhuǎn)換器的控制變壓器，被轉(zhuǎn)換的能量被通過(guò)與一個(gè)負(fù)載(3)相連的電感(2′a)傳送給一個(gè)負(fù)載(3)，其特征在于它包括-在開(kāi)關(guān)裝置(4)與電感(2′a)之間串聯(lián)連接的初級(jí)繞組(6′a)；-與所述初級(jí)繞組相磁性耦合的次級(jí)繞組(6′b)，該次級(jí)繞組(6′b)連接在所述控制電極(4b)上并向所述開(kāi)關(guān)裝置(4)提供周期性導(dǎo)通的控制信號(hào)，所述電感(2′b)與所述控制變壓器的初級(jí)線(xiàn)路(6′a)被繞在被磁性耦合的磁路上，在所述磁路中的所述電感(2′a)和所述初級(jí)繞組(6′a)產(chǎn)生的磁場(chǎng)(2′c，6)基本上是互相垂直的。全文摘要本發(fā)明涉及使用其開(kāi)關(guān)裝置的周期性導(dǎo)通由一個(gè)控制變壓器保證實(shí)現(xiàn)的一種自激振蕩器的變換器。該控制變壓器的初級(jí)和保證向輸出負(fù)載傳遞轉(zhuǎn)換能量的電感作串聯(lián)連接。按照本發(fā)明的該裝置包含有在同一磁路(7)或各個(gè)耦合磁路上集中了電感(7d)和上述的集中了各該線(xiàn)圈繞組(7a、7b、7c)的控制變壓器,使得所述的該電感所產(chǎn)生的磁場(chǎng)和所述的該控制變壓器的初級(jí)所產(chǎn)生的磁場(chǎng)沿幾乎垂直的方向移動(dòng)。這樣的結(jié)構(gòu)可以使電感(7d)保持出色的過(guò)電壓系數(shù)。它在串聯(lián)或并聯(lián)的振蕩電路中可以得到利用。這種價(jià)廉的裝置適用于使用自激振蕩器的所有類(lèi)型的變換器。文檔編號(hào)H02M3/338GK1260083SQ9880555公開(kāi)日2000年7月12日申請(qǐng)日期1998年5月26日優(yōu)先權(quán)日1997年5月26日發(fā)明者享利·庫(kù)里?！さ旅谞柹暾?qǐng)人:H·B·工業(yè)公司,享利·庫(kù)里?！さ旅谞?