專利名稱：晶體管驅動用厚膜器的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種電力技術中用于驅動晶體管(MOSFET管或IGBT管)的厚膜器。
目前在電力技術和電機驅動技術中，已大量使用了功率場效應管(MOSFET)及IGBT管，而用于這些晶體管的驅動技術，其驅動器在輸入／輸出信號之間大多具有電的聯系，當輸入和輸出之間不共地時難以實現驅動，且抗共模干擾性能差。
本實用新型的目的在于克服上述現有技術中的不足之處而提供一種輸入／輸出信號間采用雙重絕緣、不存在電的聯系。抗共模干擾性能好的晶體管驅動用厚膜器。
本實用新型的目的可以通過以下措施來達到本實用新型包括由振蕩器D1、電容C1和電阻R1、R2組成的振蕩電路與高頻變壓器T1相聯接構成的驅動電壓產生端，其特征在于將高頻變壓器T1的輸出端串聯晶體管V1、并聯電容C2后與光電耦合器E1的一次級串聯，信號輸入端⑥與光電耦合器E1的初級端串聯，光電耦合器E1的另一次級端與末級放大器D2串聯后并聯一晶體管V2構成輸出端⑤。
圖1為本實用新型電路結構示意本實用新型下面將結合(附圖)實施例作進一步詳述在圖1中，振蕩器D1與電容C1、電阻R1、R2聯接組成振蕩電路，該振蕩電路與高頻變壓器T1相聯接構成驅動電壓產生端，即振蕩電路在任何時候均保證有驅動電壓產生并將其輸出到高頻變壓器T1上；高頻變壓器T1串聯晶體管V1、并聯電容C2后的輸出端與光電耦合器E1的一次級串聯，信號輸入端⑥與光電耦合器E1的初級端串聯，光電耦合器E1的另一次級端與末級放大器D2串聯構成輸出端⑤，放大器D2并聯一晶體管V2，這樣即構成本實用新型所設計的厚膜器，并經環氧樹脂封裝后成為一可單獨使用的器件，其信號工作頻率達D、C～1MHZ。本實用新型工作原理如下首先使振蕩電路始終保證有驅動電壓產生，振蕩器D1產生100K的高頻振蕩，將此驅動電壓輸出到高頻變壓器T1，該驅動電壓是否允許從變壓器T1輸出，則受輸入端⑥的輸入信號控制，輸入信號并不影響驅動電壓的產生，而僅僅對驅動電壓的輸出予以控制，當輸入信號從輸入端⑥輸入后，該信號經光電耦合器E1隔離，再由光電耦合器E1輸出的驅動電壓推動末級放大器D2并產生輸出驅動信號，該輸出驅動信號由V2保持在MOSFET管或IGBT管需要的＋15V上。
本實用新型相比現有技術具有如下優點由于在高頻變壓器T1隔離絕緣的基礎上再加上采用光電耦合器E1隔離，因而在輸入／輸出信號間不存在電的聯系，其抗共模干擾性能好。
權利要求1.一種晶體管驅動用厚膜器，包括由振蕩器D1、電容C1和電阻R1、R2組成的振蕩電路與高頻變壓器T1相聯接構成的驅動電壓產生端，其特征在于將高頻變壓器T1的輸出端串聯晶體管V1，并聯電容C2后與光電耦合器E1的一次級串聯，信號輸入端⑥與光電耦合器E1的初級端串聯，光電耦合器E1的另一次級端與末級放大器D2串聯后并聯一晶體管V2構成輸出端⑤。
專利摘要本實用新型是一種晶體管(MOSFET管或IGBT管)驅動用厚膜器；現有晶體管驅動用厚膜器，在輸入/輸出信號間存在電的聯系，搞共模干擾性能差；本實用新型的特征是將高頻變壓器T1的輸出端與光電耦合器E1的一次級串聯，信號輸入端與光電耦合器E1的初級端串聯，光電耦合器E1的另一次級端與末級放大器D2串聯構成輸出端；本實用新型適用于電力和電機驅動技術中對晶體管的驅動用。
文檔編號H02M1/08GK2183047SQ9323974
公開日1994年11月16日 申請日期1993年12月11日 優先權日1993年12月11日
發明者趙宗政 申請人:趙宗政