本發明涉及電子,尤其涉及一種保護電路。
背景技術:
1、為了抑制信號線間出現的高壓脈沖干擾,現有的措施一般是在兩根信號線之間布置tvs管,當tvs管兩端經受瞬間的高能量沖擊時,它能以極高的速度使其阻抗驟然降低,同時吸收一個大電流,將其兩端間的電壓箝位在一個預定的數值上,從而確保后面的電路元件免受瞬態高能量的沖擊而損壞。其缺陷在于:會明顯增加兩線之間的漏電流,從而對信號和/或電路造成影響。
技術實現思路
1、為克服上述缺陷,本發明旨在提供一種適用于兩根信號線之間的保護電路,不會明顯增大兩線之間的漏電流,能夠有效的避免漏電流對信號和/或電路造成影響。
2、為實現上述目的,本發明采用的技術方案如下:
3、適用于兩根信號線之間的保護電路,所述兩根信號線中均串接有第一n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管,所述第一n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管的源極、漏極串接在信號線中,第一n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管的柵極通過限流元件連接源極,第一n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管的柵極連接分壓元件的一端,所述分壓元件的另一端連接單向導通元件的電流流入端,所述單向導通元件的電流流出端連接另一根信號線。
4、進一步的,所述第一n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管反串聯第二n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管,所述第二n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管的柵極連接第一n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管的柵極,第二n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管的源極連接第一n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管的源極。
5、作為一種優選的,所述分壓元件為穩壓二極管,所述穩壓二極管的陰極連接第一n溝道耗盡型mosfet管的柵極,穩壓二極管的陽極連接單向導通元件的電流流入端。
6、優選的,所述單向導通元件為二極管,所述二極管的陽極連接分壓元件,二極管的陰極連接另一根信號線。
7、優選的,所述限流元件為電阻。
8、作為另一種優選的,所述分壓元件為n溝道增強型mosfet管,所述第一n溝道耗盡型mosfet管的柵極連接所述n溝道增強型mosfet管的漏極和柵極,所述n溝道增強型mosfet管的源極連接單向導通元件的電流流入端。
9、優選的,所述單向導通元件為二極管,所述二極管的陽極連接分壓元件,二極管的陰極連接另一根信號線。
10、優選的,所述限流元件為電阻。
11、優選的,所述二極管的反向擊穿電壓大于所述信號線的輸出電壓的最大值。
12、優選的,所述電阻不小于100kω。
13、本發明的工作原理:n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管、限流元件、分壓元件、單向導通元件構成一個單向箝位穩壓單元。從n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管源極輸出的電壓,相對于單向導通元件的電流流出端,會被箝位在某一特定值范圍內,因此對于連接在n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管源極與單向導通元件的電流流出端之間的組件或電路,可以實現過壓保護。
14、本發明的有益效果如下:
15、1、本發明在過壓保護觸發階段,輸入端的過電壓會降落在對應的n溝道耗盡型mosfet(或n溝道jfet)的漏-源兩端,以發熱的形式耗散掉,不會明顯增大兩線之間的漏電流,其漏電流可通過限流電阻限制在納安級或微安級。
16、2、利用n溝道耗盡型mosfet的常閉特性,只需選擇滿足導通電阻需求的mosfet即可,不會改變原電路的電路特性。
17、3、本發明能夠實現單向和/或雙向保護。
1.適用于兩根信號線之間的保護電路,其特征在于:所述兩根信號線中均串接有第一n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管,所述第一n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管的源極、漏極串接在信號線中,第一n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管的柵極通過限流元件連接源極,第一n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管的柵極連接分壓元件的一端,所述分壓元件的另一端連接單向導通元件的電流流入端,所述單向導通元件的電流流出端連接另一根信號線。
2.根據權利要求1所述的適用于兩根信號線之間的保護電路,其特征在于:所述第一n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管反串聯第二n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管,所述第二n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管的柵極連接第一n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管的柵極,第二n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管的源極連接第一n溝道耗盡型mosfet管或n溝道jfet管的源極。
3.根據權利要求1或2所述的適用于兩根信號線之間的保護電路,其特征在于:所述分壓元件為穩壓二極管,所述穩壓二極管的陰極連接第一n溝道耗盡型mosfet管的柵極,穩壓二極管的陰極連接單向導通元件的電流流入端。
4.根據權利要求3所述的適用于兩根信號線之間的保護電路,其特征在于:所述單向導通元件為二極管,所述二極管的陽極連接分壓元件,二極管的陰極連接另一根信號線。
5.根據權利要求4所述的適用于兩根信號線之間的保護電路,其特征在于:所述限流元件為電阻。
6.根據權利要求1或2所述的適用于兩根信號線之間的保護電路,其特征在于:所述分壓元件為n溝道增強型mosfet管,所述第一n溝道耗盡型mosfet管的柵極連接所述n溝道增強型mosfet管的漏極和柵極,所述n溝道增強型mosfet管的源極連接單向導通元件的電流流入端。
7.根據權利要求6所述的適用于兩根信號線之間的保護電路,其特征在于:所述單向導通元件為二極管,所述二極管的陽極連接分壓元件,二極管的陰極連接另一根信號線。
8.根據權利要求7所述的適用于兩根信號線之間的保護電路,其特征在于:所述限流元件為電阻。
9.根據權利要求4或7所述的適用于兩根信號線之間的保護電路,其特征在于:所述二極管的反向擊穿電壓大于所述信號線的輸出電壓的最大值。
10.根據權利要求5或8所述的適用于兩根信號線之間的保護電路,其特征在于:所述電阻不小于100kω。