直流斷路器電路、降低并調節直流母線電壓的方法及電源的制作方法
【專利摘要】總的來講，本公開提供直流斷路器電路、通過使用DC斷路器電路降低并調節電源中的直流母線電壓的方法及電源。所述斷路器電路可包括被配置成將電源的輸入級電路耦合到所述電源的輸出級電路并向所述輸出級電路提供經調節的DC母線電壓的斷路器開關，所述DC母線電壓的電平基于所述斷路器開關的開關狀態。所述斷路器電路還可以包括控制電路，所述控制電路被配置成生成門控信號以控制所述斷路器開關的所述開關狀態，所述門控信號基于所述DC母線電壓與高壓閾值和低壓閾值的比較，使得所述DC母線電壓的幅度被調節到設定點和峰間紋波。
【專利說明】直流斷路器電路、降低并調節直流母線電壓的方法及電源
【技術領域】
[0001]本公開涉及電源，更具體地講，涉及具有提供降低的且經調節的DC母線電壓(DClink voltage)的DC斷路器開關電路的電源。
【背景技術】
[0002]現有的電源通常在電源的輸入級采用整流器電路(例如全橋整流器)以將交流(AC)正弦波輸入變換成整流正弦波。整流正弦波可用于為電容器充電，以生成直流(DC)母線電壓，從而驅動電源的輸出級，例如反相器/變換器電路。然而，DC母線電壓通常接近AC峰值電壓，而AC峰值電壓的幅度可能相對較高。這可導致增大的開關損耗、噪音和待機(空載)功耗。還可能需要使用相對更昂貴的高壓部件以及沖擊/浪涌(inrush/surge)電流控制和電路保護部件，諸如保險絲和熱敏電阻，這會增加電源的總體成本。
【發明內容】
[0003]在一個示例中，提供一種直流(DC)斷路器電路，包括:斷路器開關，所述斷路器開關被配置成將電源的輸入級電路耦合到所述電源的輸出級電路，并向所述輸出級電路提供經調節的DC母線電壓，所述DC母線電壓的電平基于所述斷路器開關的開關狀態；控制電路，所述控制電路被配置成生成門控信號以控制所述斷路器開關的所述開關狀態，所述門控信號基于所述DC母線電壓與高壓閾值的比較和所述DC母線電壓與低壓閾值的比較，使得所述DC母線電壓的幅度被調節到設定點和峰間紋波；并且所述控制電路還被配置成生成所述門控信號，使得所述斷路器開關狀態變化與所述輸入級電路提供的電壓的頻率同步，以提供所述斷路器開關的零電壓切換(ZVS)情況。
[0004]在另一示例中，提供一種降低并調節電源中的DC母線電壓的方法，所述方法包括:通過斷路器開關將電源的輸入級電路耦合到所述電源的輸出級電路；將所述斷路器開關配置為向所述輸出級電路提供DC母線電壓，所述DC母線電壓的電平基于所述斷路器開關的開關狀態；生成門控信號以控制所述斷路器開關的所述開關狀態，所述門控信號基于所述DC母線電壓與高壓閾值的比較和所述DC母線電壓與低壓閾值的比較，使得所述DC母線電壓的幅度被調節到設定點和峰間紋波；以及為所述門控信號定時，使得所述斷路器開關狀態變化提供所述斷路器開關的零電壓切換(ZVS)情況。
[0005]在另一示例中，提供一種電源系統，包括:輸入級電路，所述輸入級電路被配置成接受輸入電壓；輸出級電路，所述輸出級電路被配置成提供輸出電壓；斷路器開關，所述斷路器開關被配置成將所述輸入級電路耦合到所述輸出級電路并向所述輸出級電路提供經調節的DC母線電壓，所述DC母線電壓的電平基于所述斷路器開關的開關狀態；以及控制電路，所述控制電路被配置成生成門控信號以控制所述斷路器開關的所述開關狀態，所述門控信號基于所述DC母線電壓與高壓閾值的比較和所述DC母線電壓與低壓閾值的比較，使得所述DC母線電壓的幅度被調節到設定點和峰間紋波。【專利附圖】
【附圖說明】
[0006]隨著以下【具體實施方式】的闡述并參考附圖，要求保護的主題的實施例的特征和優點將變得顯而易見，在附圖中，類似的數字示出類似的部件，并且其中:
[0007]圖1不出符合本公開的一個不例性實施例的頂層系統圖；
[0008]圖2示出符合本公開的一個示例性實施例的框圖；
[0009]圖3示出符合本公開的一個示例性實施例的電路圖；
[0010]圖4示出與符合本公開的一個示例性實施例相關的電壓波形；
[0011]圖5示出與符合本公開的一個示例性實施例相關的電壓波形；
[0012]圖6示出符合本公開的另一個示例性實施例的電路圖；
[0013]圖7示出符合本公開的另一個示例性實施例的電路圖；
[0014]圖8示出與符合本公開的另一個示例性實施例相關的電壓波形；
[0015]圖9示出符合本公開的另一個示例性實施例的電路圖；以及
[0016]圖10示出符合本公開的示例性實施例的操作流程圖。
[0017]雖然下面的【具體實施方式】將參照示例性實施例進行，但是這些實施例的多個替代形式、修改形式和變型對于本領域技術人員來說將是清楚的。
【具體實施方式】
[0018]總的來講，本公開提供通過使用DC斷路器開關電路來降低并調節電源中的DC母線電壓的電路、系統和方法。DC斷路器開關電路可被配置成降低電源的輸入級與電源的輸出級之間的DC母線電壓，這將在下文更詳細地加以描述。在一些實施例中，電源可以為被配置成例如將第一電平的AC輸入電壓變換成第二電平的DC輸出電壓的開關模式電源。電源的輸入級可包括整流器電路，而電源的輸出級可包括反相器/變換器電路。可以提高的精度調節后的降低的DC母線電壓，可允許使用具有提高的效率、更小的尺寸和更低的成本的較低額定電壓部件。降低的DC母線電壓還使得在待機運行期間的功耗變低。DC斷路器開關電路還可以被配置成通過響應于過熱、過電壓或過電流情況而斷開或在負載開關或電源管理系統的控制下斷開，來為電源及相關的負載提供沖擊/浪涌電流控制和保護。
[0019]圖1示出符合本公開的一個示例性實施例的頂層系統100圖。電源102顯示為包括被配置成接受輸入電壓Vin的輸入級104和被配置成生成輸出電壓Vout的輸出級108。輸出電壓Vout可以是輸入電壓Vin的變換形式或電壓電平轉換形式。DC斷路器電路106將輸入級104耦合到輸出級108，并被配置成降低并調節電源102的輸入級與輸出級之間的DC母線電壓，這將在下文更詳細地加以描述。
[0020]圖2示出符合本公開的一個示例性實施例的框圖。電源102以開關模式電源的示例構造更詳細地示出。輸入級104顯示為包括濾波器電路202和整流器電路204，濾波器電路202可以為電磁干擾(EMI)濾波器，整流器電路204可以被配置成對AC輸入電壓Vin進行整流以提供整流電壓Vab214。整流器電路可以為全橋整流器、同步整流器、無橋整流器或任何其他合適的整流器電路，其中一些例子將在下文示出。DC斷路器電路106可被配置成生成降低的且經調節的整流電壓Vdc-1 ink216，該整流電壓Vdc-1 ink216被提供給DC母線電容器206。這種電壓降低在圖4中示出，圖4顯示了整流正弦波Vab214以及(使用DC斷路器得到的)降低的電壓Vdc-link216與(在不使用DC斷路器電路的情況下得到的)更常規的Vdc-link402的比較。在一些應用中，的范圍可達數百伏或更高，因而，通過使用DC斷路器可顯著降低Vdc-1ink (例如，約幾百伏或更高)。
[0021]降低的DC母線電壓216然后可提供給輸出級108，輸出級108可包括反相器/變換器電路208(其可以包括開關和脈沖寬度調制(PWM)控制電路)、變壓器210、光耦合器218以及輸出整流器和濾波器212，以產生所需的輸出電壓Vout。在一些實施例中，可通過光耦合器(例如，光隔離器)218從輸出Vout向后提供反饋控制給反相器/變換器電路208，以調整反相器/變換器調制(例如，頻率和/或脈沖寬度)，從而實現或維持所需的輸出電壓電平。
[0022]圖3示出符合本公開的一個示例性實施例的電路圖。更詳細地顯示了 DC斷路器和相關的控制電路106，并參考圖5所示的電壓波形對電路的運行進行闡釋。耦合在整流器204與DC母線電容器Cdcl206之間的開關Sdc304在VAB214的每個周期期間選擇性斷開和閉合，以調節Vdc-link216的電壓范圍以及用于其他目的，如下文所闡釋。在一些實施例中，在電源輕載或空載情況下，開關Sdc304可跳過開/關周期(脈沖)以進一步減少功率耗散。在一些實施例中，開關Sdc304可包括金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)開關。
[0023]節點A與B之間的整流電壓VW14可以是相對高的電壓(例如，幾百伏)，可以通過分壓電阻網絡306 (或其他合適的衰減電路)衰減到與控制邏輯電路處理兼容的電壓電平(例如，在5伏或更低的范圍內)，以供DC斷路器和相關控制電路106使用。將衰減后的電壓提供給差分電路310以產生參考接地的衰減后的整流電壓C502。也可以處于相對高壓的Vdc-link216通過分壓電阻網絡308 (或其他合適的衰減電路)相似地衰減到衰減后的Vdc-1 ink524并提供給比較器326和328。
[0024]比較器326將衰減后的Vdc-1 ink524與低壓參考信號VrefL506進行比較，而比較器328將衰減后的Vdc-link524與高壓參考信號vRefH504進行比較。電壓參考信號504、506可被選擇為將所生成的Vdc-1ink信號216的滯環控制的上閾值和下閾值限定在所需的設定點和容差范圍(例如，與Vab214相比幅度和峰間電壓均降低)。比較器326、328的輸出為門控信號J508和K510，門控信號J508和K510標記VAB214上升沿上的關注區域，該區域將對應于所生成的Vdc-1ink信號216的電壓紋波。
[0025]比較器312將衰減后的整流電壓C502與衰減后的Vdc_link524進行比較以生成門控信號D512，該門控信號D512對應于其中VAB214大于Vdc_link216的區域。在信號D512從低電平變為高電平時，通過反相器313和比較器314生成單觸發(one shot)信號E514。生成該單觸發信號E514以有利于信號處理。該信號E514與J508 —起(一旦兩信號變高后)為觸發器(flip-flop)SREF320生成接通信號F516，其通過限定接通開關Sdc304所需的時間來向DC斷路器電路106提供提高的精度的同步功能，并因而實現在Sdc304接通時的零電壓切換(ZVS)。控制信號K510通過信號D512被門控，以通過觸發器SREF320為Sdc304生成切斷信號。信號F516和L518分別用作觸發器SREF320的設置和重置控制信號，以生成門驅動信號G520。
[0026]由“與”門(AND gate) 322通過負載開關控制信號M對門驅動信號G520進行門控。在正常運行期間，負載開關控制信號M為高電平，并且控制信號G520得以通過，以生成用于控制Sdc開關304的控制信號H522。在控制信號H522為高電平時，Sdc開關304閉合，從而允許DC母線電容器206充電。在控制信號H522回到低狀態時，Sdc開關304斷開。Sdc開關304以此方式進行的倒換將Vdc-1ink信號216調節并限制到由閾值電壓參考信號504、506限定的范圍。在一些實施例中，門驅動電路(未不出)可用于將信號H522變換成適于Sdc304的門驅動信號。
[0027]門控信號E514提供Sdc開關304的切換時間與VAB214頻率的同步，從而能夠在Sdc開關304上實現零電壓切換(ZVS)。零電壓切換(其中，例如，當M0SFTET開關斷開和閉合時，該開關的漏-源極電壓基本上為零伏)可避免切換損耗，并降低(例如，如果Sdc304在Vab高于Cdcl206兩端的電壓時接通)對DC母線電容器Cdcl206的電應力。
[0028]可提供負載開關控制信號M以取代控制信號G520并驅使Sdc開關304斷開(例如，作為DC電路斷路器運行)。這可用于在出現外部感測到的過電流情況、過電壓情況、過溫情況和/或其他瞬態情況時向電源和/或負載提供保護并可消除對保險絲、熱敏電阻、壓敏電阻等的需要。在一些實施例中，負載開關控制信號M還可用于控制沖擊電流。在一些實施例中，負載開關控制信號M可遵循先進的電源管理通信協議并可由計算機系統和電源控制器提供。
[0029]Sdc開關304在圖3中顯示為耦合在整流器204的低側(B)與地之間。然而，在一些實施例中，開關可耦合在整流器204的高側(A)與DC母線電容器206的高側之間。
[0030]圖6示出符合本公開的另一個示例性實施例的電路圖。在可適于較低功率應用的該實施例中，開關Sdc304可包括形成同步整流器構造的背對背M0SFET602，以將輸入正弦波的負電壓相位濾除并因而取代二極管橋整流器的操作。通過消除二極管橋整流器，與各二極管的典型正向偏置相關的0.7伏壓降可得以避免，總共節省1.4伏。DC斷路器電路106的其余部分如之前所述運行。
[0031]圖7示出符合本公開的另一個示例性實施例的電路圖。在該實施例中，開關Sdc304可包括形成同步整流器構造的一對背對背M0SFET702 (S2-S4和S1-S3)，該配置還在圖9中更詳細地示出。參考圖8中所示的電壓波形對DC斷路器電路106的運行加以闡釋。相對較高電壓的信號Vab和Vdc-1ink如之前所述通過分壓電阻網絡(在該圖中未示出)而衰減到與控制邏輯電路處理相兼容的電壓電平。
[0032]比較器704將衰減后的Vdc-1 ink814與低壓參考信號816進行比較，而比較器706將衰減后的Vdc-link814與高壓參考信號812進行比較。電壓參考信號812、816可被選擇為將生成的Vdc-1ink信號216的上下閾值限定到所需的設定點和范圍(例如，與Vab相比降低)。比較器704、706的輸出為門控信號J822和K824，門控信號J822和K824標記在Vab的上升沿上的關注區域，該區域將對應于所生成的Vdc-1ink信號216的電壓設定點和范圍。
[0033]生成衰減后的電壓差C=A_B802和D=B_A804并通過二極管DL和DN合并以形成整流電壓波形N810。C信號802還用于生成與其中C802為正(并且D804為負)的區域對應的門控信號E=VPL806。D信號804還用于生成與其中C802為負(并且D804為正)的區域對應的門控信號F=VPN808。
[0034]比較器708將整流電壓波形N810與衰減后的Vdc_l ink進行比較以生成門控信號P818，該門控信號P818對應于其中VAB214大于Vdc-link216的區域。通過反相器714和比較器716基于信號P818的上升沿(從低到高)生成單觸發脈沖L820以有利于信號處理。通過限定Sdc702的低側開關(S2或S4)可以接通的時間，該門控信號L820與J822 —起通過“與”門718來為DC斷路器電路106提供同步接通信號R828，從而實現接通時的零電壓切換(ZVS)以及降低對CdcL的電應力。控制信號K824通過信號P818被門控，從而為Sdc開關702中的S2或S4生成關斷控制信號Q826。觸發器710用于分別通過R828 (設置)和Q826 (重置)為Sdc開關702中的S2和S4生成控制信號G830。
[0035]由“與”門712通過負載開關控制信號M對控制信號G830與進行門控。在正常運行期間，負載開關控制信號M為高電平，并且控制信號G830得以通過，以生成控制信號H832。門控信號P818被分路，利用信號VPL806和VPN808對控制信號H832進行門控，以生成分別對應于Vab的交替正負相位的交替控制信號VPdc834和VNdc836。VPdc834和VNdc836交替地閉合Sdc開關702的開關S2和S4以控制DC母線電容器206的充電，使得Vdc-1ink信號216被調節到由閾值電壓參考信號812、816限定的范圍。
[0036]負載開關控制信號M以與之前結合圖3的電路所述的相似方式運行。
[0037]圖9示出符合本公開的另一個示例性實施例的電路圖。無橋整流器構造902顯示為同步橋整流器702的替代形式。在該實施例中，二極管Dl和D3替代開關SI和S3，可以降低電路具體實施的成本，代價是與二極管相關的附加正向偏置電壓降。
[0038]圖10示出符合本公開的示例性實施例的操作1000的流程圖。在操作1010處，通過一個或多個斷路器開關將電源的輸入級電路耦合到電源的輸出級電路。在操作1020處，將斷路器開關配置成向輸出級電路提供DC母線電壓，DC母線電壓的電平基于斷路器開關的開關狀態。在操作1030處，生成門控信號以控制斷路器開關的開關狀態，門控信號基于衰減后的DC母線電壓與高壓閾值的比較以及衰減后的DC母線電壓與低壓閾值的比較，使得DC母線電壓的幅度被調節到設定點。在操作1040處，對門控信號定時，使得斷路器開關狀態變化提供斷路器開關的零電壓切換(ZVS)情況。
[0039]因此，本公開提供用于具有DC斷路器開關電路的電源的裝置、方法和系統，該DC斷路器開關電路提供降低的且經調節的DC母線電壓。以下例子屬于另外的實施例。
[0040]根據一個方面，提供了 一種直流(DC)斷路器電路。該DC斷路器電路可包括斷路器開關，該斷路器開關被配置成將電源的輸入級電路耦合到電源的輸出級電路并向輸出級電路提供經調節的DC母線電壓，DC母線電壓的電平基于斷路器開關的開關狀態。該例子的DC斷路器電路還可以包括控制電路，該控制電路被配置成生成門控信號以控制斷路器開關的開關狀態，門控信號基于DC母線電源與高壓閾值的比較和DC母線電源與低壓閾值的比較，使得DC母線電壓的幅度被調節到設定點和峰間紋波。該例子的控制電路還可以被配置成生成所述門控信號，使得斷路器開關狀態變化與輸入級電路提供的電壓的頻率同步，以提供斷路器開關的零電壓切換(ZVS)情況。
[0041]根據另一方面，提供了一種方法。該方法可包括通過斷路器開關將電源的輸入級電路耦合到電源的輸出級電路。該例子的方法還可以包括將斷路器開關配置成向輸出級電路提供DC母線電壓，DC母線電壓的電平基于斷路器開關的開關狀態。該例子的方法還可以包括生成門控信號以控制斷路器開關的開關狀態，門控信號基于DC母線電壓與高壓閾值額比較DC母線電壓與低壓閾值的比較，使得DC母線電壓的幅度被調節到設定點和峰間紋波。該例子的方法還可以包括對門控信號定時，使得斷路器開關狀態變化提供斷路器開關的零電壓切換(ZVS)情況。
[0042]根據另一方面，提供了一種電源系統。該電源系統可包括被配置成接受輸入電壓的輸入級電路和被配置成提供輸出電壓的輸出級電路。該例子的電源系統還可以包括斷路器開關，它被配置成將輸入級電路耦合到輸出級電路并向輸出級電路提供經調節的DC母線電壓，DC母線電壓的電平基于斷路器開關的開關狀態。該例子的電源系統還可以包括控制電路，它被配置成生成門控信號以控制斷路器開關的開關狀態，門控信號基于DC母線電壓與高壓閾值的比較和DC母線電壓與低壓閾值的比較，使得DC母線電壓的幅度被調節到設定點和峰間紋波。
[0043]本文所述的方法的實施例可在包括一種或多種存儲介質的系統中具體實施，該存儲介質在其上單獨地或組合地存儲有在通過一個或多個處理器執行時執行該方法的指令。這里，處理器可包括例如系統CPU (例如，核心處理器)和/或可編程電路。因此，意圖是，根據本文所述的方法的操作可分布在多個物理裝置，諸如在多個不同物理位置的處理結構。另外，意圖是，方法的操作可單獨地或以子組合執行，如本領域的技術人員所理解。因此，不是每一流程圖的所有操作都需要執行，并且本公開明確地旨在能夠實現此類操作的所有子組合，如本領域的普通技術人員將會理解。
[0044]存儲介質可包括任何類型的有形介質，例如任何類型的磁盤(包括軟盤、光盤、壓縮光盤只讀存儲器(⑶-ROM)、可重寫光盤(⑶-RW)、數字通用光盤(DVD)和磁光盤)，半導體裝置(諸如只讀存儲器(ROM)、諸如動態和靜態隨機存取存儲器(RAM)的RAM、可擦可編程只讀存儲器(EPR0M)、電可擦可編程只讀存儲器(EEPR0M)、閃存、磁卡或光卡)或任何類型的適于存儲電子指令的介質。
[0045]如在本文的任何實施例中所用的“電路”可例如單獨地或以任何組合包括硬連接電路、可編程電路、狀態機電路和/或存儲由可編程電路執行的指令的固件。應用程序可體現為可在諸如主處理器的可編程電路或其他可編程電路上執行的編碼或指令。如在本文的任何實施例中所用的模塊可體現為電路。電路可體現為集成電路，諸如集成電路芯片。
[0046]本文中采用的術語和表達方式作為描述而非限制的術語使用，并且在使用這種術語和表達方式的過程中，不旨在排除示出和描述的特征(或其一部分)的任何等同物，并且認識到，各種修改形式可落入權利要求書的范圍內。因此，權利要求書旨在涵蓋所有這種等同物。已在本文中描述了各種特征、方面和實施例。這些特征、方面和實施例容許存在相互組合以及變形形式和修改形式，如本領域技術人員將理解的那樣。因此，應該認為本發明涵蓋這種組合、變形形式和修改形式。
【權利要求】
1.一種直流DC斷路器電路，包括: 斷路器開關，所述斷路器開關被配置成將電源的輸入級電路耦合到所述電源的輸出級電路，并向所述輸出級電路提供經調節的DC母線電壓，所述DC母線電壓的電平基于所述斷路器開關的開關狀態； 控制電路，所述控制電路被配置成生成門控信號以控制所述斷路器開關的所述開關狀態，所述門控信號基于所述DC母線電壓與高壓閾值的比較和所述DC母線電壓與低壓閾值的比較，使得所述DC母線電壓的幅度被調節到設定點和峰間紋波；并且 所述控制電路還被配置成生成所述門控信號，使得所述斷路器開關狀態變化與所述輸入級電路提供的電壓的頻率同步，以提供所述斷路器開關的零電壓切換ZVS情況。
2.根據權利要求1所述的DC斷路器電路，還包括:滯環控制電路，該滯環控制電路被配置成響應于與所述輸入級電路提供的所述電壓相關的噪音而限制所述斷路器開關的開關狀態變化。
3.根據權利要求1所述的DC斷路器電路，還包括:負載開關控制電路，該負載開關控制電路被配置成響應于檢測到過電流、過電壓或過溫情況而斷開所述斷路器開關。
4.根據權利要求1所述的DC斷路器電路，其中，所述斷路器開關為金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET或絕緣柵雙極型晶體管IGBT。
5.根據權利要求1所述的DC斷路器電路，其中，所述斷路器開關為同步橋整流器。
6.根據權利要求1所述的DC斷路器電路，其中，所述斷路器開關為無橋整流器。
7.一種降低并調節電源中的DC母線電壓的方法，所述方法包括: 通過斷路器開關將電源的輸入級電路耦合到所述電源的輸出級電路； 將所述斷路器開關配置為向所述輸出級電路提供DC母線電壓，所述DC母線電壓的電平基于所述斷路器開關的開關狀態； 生成門控信號以控制所述斷路器開關的所述開關狀態，所述門控信號基于所述DC母線電壓與高壓閾值的比較和所述DC母線電壓與低壓閾值的比較，使得所述DC母線電壓的幅度被調節到設定點和峰間紋波；以及 為所述門控信號定時，使得所述斷路器開關狀態變化提供所述斷路器開關的零電壓切換ZVS情況。
8.根據權利要求7所述的方法，還包括:響應于與所述輸入級電路提供的所述電壓相關的噪音，限制所述斷路器開關的開關狀態變化。
9.根據權利要求7所述的方法，還包括:響應于檢測到過電流、過電壓或過溫情況，斷開所述斷路器開關。
10.根據權利要求7所述的方法，其中，所述斷路器開關為金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET或絕緣柵雙極型晶體管IGBT。
11.根據權利要求7所述的方法，其中，所述斷路器開關為同步橋整流器。
12.根據權利要求7所述的方法，其中，所述斷路器開關為無橋整流器。
13.—種電源系統,包括: 輸入級電路，所述輸入級電路被配置成接受輸入電壓； 輸出級電路，所述輸出級電路被配置成提供輸出電壓； 斷路器開關，所述斷路器開關被配置成將所述輸入級電路耦合到所述輸出級電路并向所述輸出級電路提供經調節的DC母線電壓，所述DC母線電壓的電平基于所述斷路器開關的開關狀態；以及 控制電路，所述控制電路被配置成生成門控信號以控制所述斷路器開關的所述開關狀態，所述門控信號基于所述DC母線電壓與高壓閾值的比較和所述DC母線電壓與低壓閾值的比較，使得所述DC母線電壓的幅度被調節到設定點和峰間紋波。
14.根據權利要求13所述的電源系統，其中，所述控制電路還被配置成生成所述門控信號，使得所述斷路器開關狀態變化與所述輸入級電路提供的電壓的頻率同步，以提供所述斷路器開關的零電壓切換ZVS情況。
15.根據權利要求13所述的電源系統，還包括:滯環控制電路，該滯環控制電路被配置成響應于與所述輸入級電路提供的所述電壓相關的噪音而限制所述斷路器開關的開關狀態變化。
16.根據權利要求13所述的電源系統，還包括:負載開關控制電路，該負載開關控制電路被配置成響應于檢測到過電流、過電壓或過溫情況而斷開所述斷路器開關。
17.根據權利要求13所述的電源系統，其中，所述斷路器開關為金屬氧化物半導體場效應晶體管MOSFET或 絕緣柵雙極型晶體管IGBT。
18.根據權利要求13所述的電源系統，其中，所述斷路器開關為同步橋整流器。
19.根據權利要求13所述的電源系統，其中，所述斷路器開關為無橋整流器。
20.根據權利要求13所述的電源系統，其中，所述電源為開關模式電源并且所述輸入級電路包括電磁干擾EMI濾波器。
【文檔編號】H02M7/32GK103929075SQ201410014148
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年1月13日 優先權日:2013年1月11日
【發明者】Y（詹森）·郭 申請人:快捷半導體(蘇州)有限公司, 快捷半導體公司