多整流橋并聯的均流控制電路結構的制作方法
【專利摘要】一種多整流橋并聯的均流控制電路結構，用于對相互并聯的可控硅整流橋之間進行均流控制，其特征是：包括延時控制模塊，用于對所控制的可控硅進行觸發導通的移相延時控制；和振蕩模塊，用于產生和輸出對應可控硅的觸發脈沖信號；所述延時控制模塊的輸出端與所述振蕩模塊的啟動控制端連接，所述延時控制模塊設有相互并聯的多路通過開關連接的阻容模塊，用于組合設置多種延時選擇。本實用新型不但能使得兩套或多套整流橋并聯均流，而且能使所有并聯的橋臂之間均流，可以針對每個可控硅的控制角進行不同的延時處理，完全不受可控硅元件的導通特性的影響，在生產調試和現場調試中均可以很方便地進行調整，均流系數達到了0.9以上。
【專利說明】多整流橋并聯的均流控制電路結構
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及發電機勵磁控制系統，具體說是一種多整流橋并聯的均流控制電路結構。
【背景技術】
[0002]目前同步電機勵磁多采用可控硅靜止勵磁，在勵磁系統需要輸出較大電流時按照規定至少是兩套可控硅整流橋并聯運行，以保證在退出一路整流橋情況下另一路整流橋仍能滿足發電機的各種運行工況。在水輪發電機或部分汽輪發電機自并勵勵磁系統中的勵磁電流很大(幾百至幾千安)的情況下，多套整流橋之間的均流問題顯得比較突出。按照國家標準兩套整流橋并聯運行要求均流系數要求在0.85以上，目前流行的主要解決方案是:
[0003]1、選擇可控硅元件的導通特性，使其盡可能一致.[0004]2、利用線路電阻、斷路器電阻、接觸器電阻使其均流。
[0005]3、在整流橋串聯電抗器的方法均流。
[0006]4、改變某一套整流橋控制角的方法均流。
[0007]上述方案的實施有以下缺點:
[0008]第I方案最為簡單，由于可控硅元件導通時的電參數存在很大的分散性，即使勵磁設備廠家在生產時精心挑選了導通特性盡可能一致的可控硅元件，但是設備運行中由于損壞而更換的可控硅元件特性不可能與廠家生產時的相一致，所以均流系數大為下降，滿足不了國家標準的要求。
[0009]第2、第3方案存在較大的盲目性和較大的耗能問題，尤其是第3方案不但增加了設備，還加大了耗能。
[0010]第4方案雖然效果較為理想，但是調節器必須采用微處理器才能實現，但是存在最大的問題是只能使正向或負向電流均流，而不能使所有并聯的橋臂之間均流。若電流傳感器設定在整流橋輸出正向則只能均流正向電流，負向則不能均流。同時微機的調節器還存在后觸發整流橋所引起的第二次換流且持續時間過長的問題。還有若整流橋之間控制角差異較大，在換相之間有可能出現一個整流橋承擔全部電流的情況。由模擬電路構成的調節器很難達到要求。
【發明內容】
[0011]本實用新型所要解決的技術問題是解決上述現有技術中的問題，提供一種多整流橋并聯的均流控制電路結構。
[0012]所述多整流橋并聯的均流控制電路結構，用于對相互并聯的可控硅整流橋之間進行均流控制，其特征是:包括延時控制模塊，用于對所控制的可控硅進行觸發導通的移相延時控制；和振蕩模塊，用于產生和輸出對應可控娃的觸發脈沖信號；所述延時控制模塊的輸出端與所述振蕩模塊的啟動控制端連接，所述延時控制模塊設有相互并聯的多路通過開關連接的阻容模塊，用于組合設置多種延時選擇。[0013]作為實施例,所述阻容模塊是電容元件或電阻元件。
[0014]作為優化方案，所述均流控制電路在所述振蕩模塊的輸出連接有放大模塊和雜波吸收模塊，所述雜波吸收模塊的一對輸出端分別連接該均流控制電路所控制的可控硅的陰極和控制極。
[0015]作為進一步的優化方案，所述放大模塊輸出一路信號到狀態指示模塊，用于顯示脈沖狀態。
[0016]作為優化方案，所述延時控制模塊的輸入端連接有隔離模塊，用于與控制端信號隔離。
[0017]本實用新型可以針對整流橋中每一相可控硅的觸發脈沖進行延時調整，不但能使得兩套或多套整流橋并聯均流，而且能使所有并聯的橋臂之間均流，可以針對每個可控硅的控制角進行不同的延時處理，完全不受可控硅元件的導通特性的影響，在生產調試和現場調試中均可以很方便地進行調整，均流系數達到了 0.9以上，這樣不僅保證了整流橋與整流橋之間的均流，更主要的是保證了同一個整流橋臂之間的均流。基本上克服了【背景技術】中所述四種均流方案的缺點。。對于勵磁調節器來說在現場無需更改軟件，給用戶以及調試人員調試帶來了極大的方便。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0018]圖1是本實用新型電路結構示意圖及實施例，
[0019]圖2是一套帶均流控制的三相整流橋電路。
[0020]圖中:I一延時控制模塊，2—振蕩模塊，3—隔離模塊，4一放大模塊，5—雜波吸收模塊，6—狀態指示模塊，7—均流控制模塊。
【具體實施方式】
[0021]下面結合附圖對本發明進一步說明:如圖2所示是一套可控硅整流橋的均流控制電路框圖，實際應用中會有兩套或多套相互并聯的可控硅整流橋，通過由本實用新型方案的拘留控制模塊7完成均流控制，每一個可控硅均有一組均流控制電路。
[0022]如圖1為一種均流控制電路的實施例，所述多整流橋并聯的均流控制電路結構，用于對相互并聯的可控硅整流橋之間進行均流控制，包括延時控制模塊1，用于對所控制的可控硅進行觸發導通的移相延時控制；和振蕩模塊2，用于產生和輸出對應可控硅的觸發脈沖信號；所述延時控制模塊I的輸出端與所述振蕩模塊2的啟動控制端連接，所述延時控制模塊I設有相互并聯的多路通過開關連接的阻容模塊，用于組合設置多種延時選擇。
[0023]作為實施例,所述阻容模塊是電容元件或電阻元件。
[0024]作為優化方案，所述均流控制電路在所述振蕩模塊2的輸出連接有放大模塊4和雜波吸收模塊5，所述雜波吸收模塊5的一對輸出端分別連接該均流控制電路所控制的可控硅的陰極和控制極。作為進一步的優化方案，所述放大模塊4輸出一路信號到狀態指示模塊6，用于顯示脈沖狀態。
[0025]作為優化方案，所述延時控制模塊I的輸入端連接有隔離模塊3，用于與控制端信
號隔離。
[0026]如圖1中實施例所示，控制端通過光耦隔離電路的隔離模塊3，將控制端的過零信號傳入，信號通過隔離模塊3還起到了整形和放大的作用，有效信號經過延時控制模塊I后，首先經過由不同的開關進行參數選擇的阻容網絡，使得輸出的信號需要經過預定的延時時間后才可以達到啟動延時控制t旲塊I的輸出所連接的振湯t旲塊2，啟動起振。如圖1實施例，延時控制模塊I使用了四組相互并聯的高品質精密電容分別通過電子開關的選擇接入電路，形成了 16種不同的選擇方案，以針對不同情況下的均流要求接入不同的延時參數組合，從而使振蕩模塊2在不同的延時時間后起振,輸出觸發脈沖信號。振蕩模塊2的輸出端通過耦合電容C9，將觸發信號輸出給放大模塊4，放大模塊4將觸發信號進行功率和電壓幅值的放大，并輸出兩路信號，一路經過雜波吸收模塊5連接到所控制的可控硅的陰極和控制極，另一路給狀態指示模塊6通過LED指示燈進行脈沖信號的同步顯示。
[0027]本實用新型可以針對每個可控硅的控制角進行不同的延時處理，完全不受可控硅元件的導通特性的影響，在生產調試和現場調試中均可以很方便地進行調整，均流系數達到了 0.9以上，這樣不僅保證了整流橋與整流橋之間的均流，更主要的是保證了同一個整流橋臂之間的均流。基本上克服了【背景技術】中所述的四種均流方案的缺點。
【權利要求】
1.一種多整流橋并聯的均流控制電路結構，用于對相互并聯的可控硅整流橋之間進行均流控制，其特征是: 包括延時控制模塊(I )，用于對所控制的可控硅進行觸發導通的移相延時控制； 和振蕩模塊(2 ),用于產生和輸出對應可控娃的觸發脈沖信號； 所述延時控制t旲塊(I)的輸出與所述振湯t旲塊(2)的啟動控制連接，所述延時控制模塊(I)設有相互并聯的多路通過開關連接的阻容模塊，用于組合設置多種延時選擇。
2.根據權利要求1所述的多整流橋并聯的均流控制電路結構，其特征是:所述阻容模塊是電容元件或電阻元件。
3.根據權利要求1所述的多整流橋并聯的均流控制電路結構，其特征是:所述均流控制電路在所述振蕩模塊(2)的輸出連接有放大模塊(4)和雜波吸收模塊(5)，所述雜波吸收模塊(5)的一對輸出端分別連接該均流控制電路所控制的可控硅的陰極和控制極。
4.根據權利要求3所述的多整流橋并聯的均流控制電路結構，其特征是:所述放大模塊(4)輸出一路信號到狀態指示模塊(6)，用于顯示脈沖狀態。
5.根據權利要求1所述的多整流橋并聯的均流控制電路結構，其特征是:所述延時控制模塊(I)的輸入端連接有隔離模塊(3)，用于與控制端信號隔離。
【文檔編號】H02P9/14GK203482131SQ201320620101
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2013年10月9日 優先權日:2013年10月9日
【發明者】高雄清, 趙月啟, 宋宴明, 胡海燕, 肖凱, 陳迅, 王愛麗 申請人:武漢陸水科技開發有限公司