專利名稱：一種新型igbt模塊的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種IGBT (絕緣柵雙極晶閘管)模塊。
背景技術：
SVG采用自換相橋式電壓型變流電路為基本電路，通過電抗器或變壓器并聯在電網上，通過調節橋式電路交流側輸出電壓相對系統電壓的相位和幅值，迅速吸收或發出滿足要求的無功電流，實現快速動態無功補償的目的。自換相橋式電壓型變流電路中采用了絕緣柵雙極晶閘管(Insulated-Gate Bipolar Transistor—IGBT)構成鏈式逆變器。IGBT綜合了 GTR和MOSFET的優點，具有更高的耐壓和通流能力，并可同時保持開關頻率高的特點。工程中采用的IGBT模塊通常指IGBT及其輔助器件與其保護和驅動電路封裝集成，也稱作智能IGBT (Intelligent IGBT)。溫升保護控制是IGBT的一項重要考核指標，常用的檢測方法為IGBT模塊外貼熱敏電阻的方式，該方式的缺點是溫度信號檢測不準確，存在誤差。
發明內容為解決現有技術中存在的上述問題，本實用新型提供一種能有效地測量功率模塊的穩態殼溫的新型IGBT模塊，其所采取的技術方案為該模塊包括陶瓷基板、以及固定在陶瓷基板上的硅片和連接片，硅片通過連線與連接片相連接，陶瓷基板上還固定有溫度傳感器，以上各元件采用硅膠封裝在一起。本實用新型將用于測量模塊殼溫的溫度傳感器(NTC)直接封裝在模塊內的陶瓷基板上，免受外界電磁干擾，避免對溫度信號的干擾，NTC與IGBT位于同一陶瓷基板上,模塊內使用隔離用硅膠填充，滿足隔離電壓的要求，可大大簡化模塊殼溫的測量過程，實現精確溫度測量和溫度保護的功能。
圖I為本實用新型的結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖和具體實施例對本實用新型進行詳細描述。如圖I所示，陶瓷基板I上固定硅片2、連接片3和溫度傳感器5，硅片2通過連線4與連接片3相連接，以上各元件采用隔離用硅膠封裝在一起。
權利要求1. 一種新型IGBT模塊，包括陶瓷基板(I)、以及固定在陶瓷基板(I)上的硅片(2)和連接片(3)，硅片(2)通過連線(4)與連接片(3)相連接，其特征在于陶瓷基板(I)上還固定有溫度傳感器(5)，以上各元件采用硅膠封裝在一起。
專利摘要本實用新型公開了一種新型IGBT模塊，包括陶瓷基板、以及固定在陶瓷基板上的硅片和連接片，硅片通過連線與連接片相連接，陶瓷基板上還固定有溫度傳感器，以上各元件采用硅膠封裝在一起。本實用新型將溫度傳感器封裝在IGBT模塊內，免受外界電磁干擾，避免對溫度信號的干擾，溫度傳感器NTC與IGBT位于同一陶瓷基板上，實現精確溫度測量和溫度保護的功能。
文檔編號H02M1/00GK202586720SQ20122010533
公開日2012年12月5日 申請日期2012年3月20日 優先權日2012年3月20日
發明者申寧, 康長路, 楊山, 宋岳文, 王德強 申請人:山東泰開電力電子有限公司