專利名稱：用于開關電功率的電子部件的制作方法
用于開關電功率的電子部件描述置量呈現了一種用于開關電功率的電子部件。這樣的電子部件可例如配置為半橋電路，以用作各種應用領域中的反相器和變頻器。這包括用于同步機、異步機、磁阻電機、永磁電機或作為馬達和發電機的類似物的操作的電子部件(例如見DE-A-40 27 969或DE-A-4230 510)。由此,例如，WO 2004/110123 Al描述的電子部件具有兩個電源條(power supplybars)、總線條、設置在電源條之間的半導體開關、以及設置在電源條上方并橋接電源條的電容。 操作具有變頻器的電機(尤其是交變場電機)是已知的。通常，該變頻器包括半橋裝置，該半橋裝置的數量與和它相連接的電機的相數對應，且該半橋裝置可從驅動電子設備接收控制信號。根據電機是作為馬達還是作為發電機，對電機輸入功率、以達到所需的速度或所需的轉矩，或者從電機獲取功率并將其轉換成用于下游負載的所需量和相位置。尤其在具有高速開關變頻器或反相器時，輸入功率和輸出功率的開關邊沿處將出現高的過沖脈沖或負脈沖電壓峰。由于過電壓脈沖的出現，電子部件中采用的半導體開關的介電強度遠大于它們的操作介電強度。這將顯著増加部件的成本。DE 198 26 731示出了用于開關功率的半橋部件的示例，該部件設置在包含電絕緣冷卻液體的殼體中。該半橋部件的結構為緊湊設置，使得所需的冷卻液體的體積較小。US 5，671，134示出了另ー種類型的反相器単元，其每個開關組件具有自己的電容裝置，且每例電容裝置都沒有設置在高電壓電勢和低電壓電勢之間。US 5，493，472示出的電子部件中，使用兩個螺栓將電容裝置安裝到電源線上。這兩個螺栓插入到電容裝置的兩個獨立的孔中，從而將電容裝置與電源條連接。電容裝置具有兩個繞組，其通過線纜彼此相互連接，以及通過螺栓與電源條連接。US 6，249，448描述的電源設備中，將電容分組設置在電源條之間。所使用的開關并聯設置。DE 199 10 787 Al描述了用于エ業卡車中三相馬達的反相器，其中，每種情況下，操作功率晶體管以在正的和負的DC電壓之間的橋的分支中生成三相AC輸出電壓，以及在每種情況下，在一個電流線處分接相AC電壓。另外，晶體管與冷卻體連接，電容電池與DC電壓電勢連接。DE 298 19 349 Ul描述了半導體電路裝置，尤其是具有低中間電路電壓的大電流轉換器。在該情況中，第一布局層(arrangement level)設有動カ單元,第二布局層位于第一布局層以上，設有中間電路組件。潛在問是頁與以上所引用的現有技術相比，此處所呈現的部件是為了改善其操作特性，使其制備更加經濟，結構更加緊湊。由此還可用于移動應用(例如，汽車領域)。
發明內容
述方案中提供了一種用于開關電功率的電子部件，該電子部件包括兩個彼此間隔開的導體條、以及設置在兩個導體條之間的半導體開關，通過控制輸入驅動該半導體開關，從而通過總線條在功率輸出處提供電功率。至少ー個導體跡線，其所具有的電勢不同于導體條的電勢。電容裝置設置在兩個導體條之間。半導體開關和導體條和總線條與沉積在襯底上的電導體連接。在每種情況中，襯底在它的至少兩個邊緣區域中具有電導體，該電導體具有的電勢實質上彼此相對應。半導體開關、導體條、負載/總線條、和/或電容裝置設置在襯底的ー側上，該襯底在其另ー側上具有與導體條電連接的電勢導體(傳導表面)。導體能夠包括線和傳導表面，諸如導體條和負載/總線條。優點、變形和配置該結構使得具有不同電勢的導體能夠與非常低的寄生電感電容性連接。而且，在 該方式中，可獲得尤其緊湊的設置，使得以前方案中的封裝密度無法與之相比。而且，甚至開關過程中脈沖持續時間在10到1000納秒范圍內的電壓脈沖峰值、以及在幾十瓦特到幾千瓦特范圍中的開關電容(switching capacities)顯著減少。從而顯著增加了抗干擾性能。歸因于所描述的裝置，去柱/來自半導體開關的功率傳輸線和用作備份電容的電容裝置具有非常低的感應系數。另ー個重要的優點是部件的模塊化結構，從而可根據各個需要對電子部件進行無憂擴展或調整。該設置還可獲得非常低的斷電過電壓。因此，可以更好地使用半導體阻斷電壓。另夕卜，平坦的結構成為可能，既可以采用鍵合(所謂的無封裝)半導體，也可采用封裝的標準半導體組件(例如TO封裝的組件)進行設計。還可能與芯片薄膜電容簡單適配。使用直接銅鍵合(DCB)襯底具有同樣的一系列優點。DCB襯底具有絕緣體,例如陶瓷,諸如Al2O3 (氧化招)或AlN (氮化招),純銅沉積在該絕緣體上，并在高溫熔融和擴散過程中堅固膠合到陶瓷絕緣體上。首先，對于功率電子部件而言，Al2O3 (24ff/mK))或AlN (130到180W/mK)的高熱傳導性、銅涂層的高熱容量和熱延散性(可具有100-900 u m的相對厚的設計)都具有優勢。沉積的例如未封裝的硅芯片的機械應カ負荷較低，因為與基于金屬或塑料的襯底相比，其熱膨脹系數(Al2O3為7. Ippm/K,A1N為4. lppm/K)與功率半導體開關的娃(4ppm/K)更為適配。還可采用碳化硅或氮化硅作為襯底。作為替代，還可使用在每種情況中同時在兩面上支撐絕緣層(例如玻璃)的鋁襯底。在每種情況中，一層銅或一層其它的電導體(例如鋁)沉積到絕緣層上。除了以上所述的襯底的變形，還可采用有機塑料。該塑料可包含聚こ烯(PE)、聚氯こ烯(PVC)、對苯ニ甲酸こニ酯(PET)或こニ醇改性的聚對苯ニ甲酸こニ酯(PETG)、聚萘ニ甲酸こニ酯(PEN)、丙烯腈-丁ニ烯-苯こ烯共聚物(ABS)、聚こ烯醇縮丁醛(PVB)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚酰亞胺(PI)、聚こ烯醇(PVA)、聚苯こ烯(PS)、聚こ烯基苯酚(PVP)、聚丙烯(PP)、聚碳酸酯(PC)或它們的衍生物中的ー種或多種。使用高純銅作為傳導和接觸金屬可以獲得非常高的電流輸運性能。銅表面采用鎳和鎳/金拋光，還可設有阻焊。DCB的下側用于接觸負極條。本結構實現了高速開關，從而使得開關損失達到最小。此處通常可獲得每開關操作為100到200ns。該結構同時適用于MOSFET反相器和IGBT反相器。因為一方面電容裝置在空間上和電學上放置得非常接近接觸區域，另ー方面電容裝置在空間上和電學上放置得非常接近半導體開關，因此很難出現將導致明顯干擾感應分量的線部分。而且，地電勢和電流輸運線和組件之間的空間間隔最小。這允許實現非常短的開關時間。實際上，因為該配置，感應寄生分量本質上與襯底的厚度有夫，襯底的ー側上設置地電勢，另ー側上設置電流輸運線。多個依據本發明的部件彼此相鄰設置可進ー步獲得短的開關時間，電容裝置和部件的低線路電感可以避免相鄰部件的干擾脈沖(串擾)。電容裝置的每個或一些可設置在ー個導體條與總線條之間。一個導體條可設置大致與其它的導體條和/或總線條平行。
電容裝置和導體條和總線條的尺寸可相對彼此設置，以使得電容裝置不會伸出導體條和總線條之外，其中通過設置導體條和總線條比電容裝置高出20%到30%來實現電容裝置不會伸出導體條和總線條之外。電勢導體(傳導表面)可接觸冷卻裝置或集成冷卻裝置。半導體開關以及與該半導體開關連接的電氣或電子組件可彼此連接在一起，以使得它們可設置在由電勢導體限定的平面(傳導表面)和由導體條和總線條的ー側限定的平面之間，后ー個平面遠離電勢導體(傳導表面)。在優選實施例中，由場效應晶體管(FET)或由具有絕緣柵極端的雙極晶體管(IGBT)形成半導體開關。具體而言，可采用具有與晶體管并聯連接的集成續流ニ極管或其它外接續流ニ極管的M0SFET。這些外接續流ニ極管優選地以與半導體開關相同的方式設置，并設置在它們ー個導體條的緊鄰處。半導體可具有大面積接觸點，該接觸點具有貴金屬涂層。因此，它們可通過多個相鄰設置的接觸線(例如鍵合線)與導體(導體表面)/導體條/總線條電連接。具有用于耦連半橋的中間電路的部件可設置在ー個或兩個導體條的側邊上，該導體條遠離電勢傳導表面，該中間電路具有其它的電容。電容裝置可具有薄膜電容。后者用于形成低感應整流電路。電子部件可具有虛擬橫截面，其同時與半導體開關對的兩個半導體開關相交。在虛擬橫截面中，第一虛擬橫截面區域小于第二虛擬橫截面區域的近似一半，第一虛擬橫截面區域由電勢不同于電勢傳導表面的電勢的傳導表面來劃界，第二虛擬橫截面區域由電勢傳導表面以及通過位于襯底上的導體條的側邊限定的平面來劃界。該措施將導體條(正極條和/或負極條)和總線條之間的電感減少至可能的最少級另U。從而還可最小化干擾。兩個導體條和總線條可通過電絕緣襯底來彼此堅固機械連接在一起。襯底還可用于接納導體跡線，以用于輸出控制信號至半導體、以用于接納其它有效組件或無源組件、或者以用于將測試或測量點引出部件。該襯底還可用于接納半導體開關的各個控制輸入與用于連接到驅動設備的端ロ之間的連接線。襯底還設有開孔，設置開孔的尺寸，以使得直接沉積在導體條或襯底上的半導體(晶體管和ニ極管)至少暴露在它們的接觸點下。從而沒有増加半導體的有效整體高度以及襯底的有效整體高度。相反地，半導體可在相同的層與導體條直接連接，至少在它們的ー些連接點處與之連接。因此襯底同時用于導體條彼此之間的機械連接以及電カ線布線。襯底可在驅動線路中具有用于半導體開關的限流電阻，這些(柵)電阻設置在各個控制輸入和用于連接到驅動機構的端ロ之間。電子部件可具有至少兩個半導體開關，其串聯連接以形成半橋。每個半導體開關具有控制輸入，以用于連接到驅動設備。第一半導體開關通過它的漏極端與高電壓電勢連接。第二半導體開關通過它的源極端與低電壓電勢連接。為了形成輸出，每個第一半導體開關的源端分別與各個第二半導體開關的漏極端連接。至少ー個電容裝置設置在高電壓電勢與低電壓電勢之間。設置各個第一半導體開關的漏極端在與高電壓電勢連接的常規第一金屬導體上。設置各個第二半導體開關的漏極端在形成輸出的常規第二金屬導體上。在該情況中，設置第二導體與第一導體相鄰，但彼此間隔開。每個第二半導體開關通過它的源極端與第三金屬導體連接，該第三金屬導體與低電壓電勢連接，并設置其與第一和第二導體相鄰但間隔分開。
通過下面的描述并結合附圖，其它的特點、性質、優點以及可能的變形對于本領域技術人員而言是顯而易見的。
圖I描繪了電子部件的示意電路圖；圖2a描繪了依據圖I中的示意電路圖的電子部件的實施例沿圖2b中的A_A線的示意截面視圖；圖2b描繪了依據圖2a的電子部件的示意平面視圖。
具體實施例方式圖I中描繪的電子部件10為半橋電路，其包括三對并聯連接的N溝道MOSFET12a、12b、12c，以用作半導體開關。每兩個MOSFET 14，22; 16，24; 18，26串聯連接，并構成一對M0SFET。每對中的第一 MOSFET 14; 16; 18的漏極端D與高電壓電勢Vdd連接，每對中的第二 MOSFET 22; 24; 26的源極端S與低電勢Vss連接。在該情況中，為了形成輸出A，每個第一 MOSFET的源極端S與每個第二 MOSFET的漏極端D彼此連接。ー個控制輸入El ;E2分別輸入至第一 MOSFET組14; 16; 18和第二 MOSFET組22; 24; 26，其中通過柵電阻36; 38; 40和44; 46; 48分別驅動各個MOFET的柵極端G。將每個半導體開關配置為具有自由輪ニ極管(free-wheeling diode) Di的M0SFET，該自由輪ニ極管Di設置在功率端D和S之間，它作為所謂的“體ニ極管”通過在相同的半導體元件上與各個半導體開關集成而形成。作為該方式的替代，設置獨立的ニ極管直接與MOSFET相鄰。在高和低電壓電勢Vdd和Vss之間設置備用電容裝置，通過多個彼此并聯的備用電容52a，52b, 52c構成該電容裝置。以下將進ー步詳細地描述該電容裝置的配置。通過兩個輸入El和E2提供開關頻率達到或超過IOOkHz的控制信號(例如脈寬可調控制信號)來驅動各個MOSFET組。如圖2a、2b所示，電子部件10在平面視圖中大致具有矩形結構。在長邊的兩個邊沿區域中，每種情況中襯底58在它的(圖2a中的上部)側邊上具有電導體58a、58b，兩者具有彼此相互對應的電勢。這兩個電導體58a、58b的每個分別與兩個長邊上的具有角度的導體條(conductor bar)60、62接觸，導體條60、62中的姆個覆蓋襯底58,并延伸至冷卻體66以與冷卻體66連接，例如通過螺接、鉚接、釬焊或焊接的方式連接。導體條60、62以及冷卻體66具有對應的(低)電勢Vss。設置在導體條60、62之間的半導體開關14，22; 16, 24; 18, 26通過控制輸入El，E2驅動，以通過總線條(bus bas) 64輸出電功率，從而將電功率從電子部件10引出。設置在兩個導體條60、62之間的還有電容裝置，該電容裝置由備用電容52a, 52b, 52c構成。在本實施例中，備用電容52a, 52b, 52c沿導體條62設置。半導體開關14，22; 16，24; 18，26以及導體條60、62連同總線條64均與沉積在襯底58上的電導表面連接。電容裝置沒有設計在導體條60、62和總線條64的上方。相反地，電容裝置由與導體條60、62連接的塊狀薄膜電容52a，52b, 52c形成。薄膜電容52a，52b, 52c的整體高度小于導體條的高度。薄膜電容52a，52b, 52c沿導體條彼此相鄰設置。
半導體開關14，22; 16，24; 18，26以及導體條60、62連同總線條64和電容裝置均設置在襯底58的ー側(圖2a、2b中的上側)上。另ー側(圖2a、2b中的下側)上，襯底58具有與導體條60、62電連接的電勢傳導(potential-conducting)表面58f。襯底58的下側上的電勢傳導表面58f也由多個部分組成，如所描繪的。它與冷卻體66電接觸和化學接觸，且同樣具有導體條60、62的電勢。第一 MOSFET 14; 16; 18通過它們的漏極端D與共同的第一金屬導體跡線(track)58d電連接，從而與高電壓電勢Vdd連接。導體跡線58d由銅制成，或由類似的具有優良導電和導熱性能的導體制成，而且像所有其它導體跡線一祥，導體跡線58d位于襯底58上。在沒有描繪的示例實施例中，導體條可同樣設置在導體跡線58d上。其它地或替代地，還可設有電導定距螺栓。第二 MOSFET 22; 24; 26通過它們的漏極端D以及通過金屬導體跡線58c與金屬總線條64電連接，以形成輸出A，其中總線條64設置在第一和第二導體條60、62之間并與其彼此間隔開。總線條64在截面上具有近似矩形的外形，并采用與第一和第二導體條60、62相同的材料制成。在每種情況下第二 MOSFET 22; 24; 26通過它們的源極端S以及通過鍵合線82或其它用于傳輸電流的導體與常規金屬導體條60連接，從而與低電壓電勢Vss連接，其中導體條60與總線條64相鄰設置并與其彼此間隔開。與第二 MOSFET類似，第一 MOSFET 14; 16; 18在每種情況中通過它們的源極端S以及通過多個鍵合線80或其它用于傳輸電流的連接器與總線條64連接。在每種情況中，導體跡線58g和58h分別從兩個輸入El和E2分別連接到柵電阻36; 38; 40和44; 46; 48 (見圖I和圖2b)，這些柵電阻同樣設置在襯底上，并在此處配置為SMD組件(表面安裝器件)。在每種情況中，鍵合線72將柵電阻36; 38; 40和44; 46; 48分別連接到MOSFET的控制輸入G。半導體開關通過襯底58與冷卻裝置熱連接，該冷卻裝置通過設有冷卻肋的冷卻體66形成。配置冷卻體66與冷卻設備(例如，液體冷卻(水，油，空氣或類似物))接觸。本示例中的電容裝置一點也沒有超出導體條和/或總線條之外。推薦地，通過設置導體條和/或總線條的高度超過電容裝置的高度的約20%到30%來實現上述的電容裝置一點也沒有超出導體條和/或總線條之外。這樣確保了部件的整體高度非常低(最小)。這樣做的結果是干擾輻射非常低。尤其重要的是通過部件的封裝來實現較低的干擾輻射，其中部件的封裝通過具有低電勢(Vss)的導體條60、62以及同樣具有低電勢(Vss)的冷卻裝置或與該冷卻裝置接觸的電勢傳導表面58f確定。除此之外，如果像通過本結構可以實現的那樣，設置在襯底上且具有的電勢不同于電勢傳導表面的電勢的組件與電勢傳導表面58f(以及導體跡線60，62)包圍ー個虛擬的橫截面區域，該虛擬的橫截面區域小于電勢傳導表面與導體條彼此包圍所形成的虛擬橫截面的近似一半的面積，在高速開關操作中，因感應所產生的干擾峰比較低。因為此處的電容裝置沒有按照現有技術(例如見DE 103 26 321 Al)中的慣例那樣設置在半橋的上方，而是設置在半橋的側邊，因此半橋的容性支持(capacitivesupport)具有較低的感應分量。不同于將半橋設置在電容裝置的橫向外側，電容裝置還可設置的半橋裝置的下方(襯底的另ー側上)，例如設置在冷卻體中和/或襯底中(還可部分嵌入)。在遠離電勢傳導表面的ー側上(即圖2b中的頂部上)，具有用于耦連半橋的中間電 路的部件可設置在導體條的ー個或兩個上，中間電路具有其它電容。此處并沒有描繪這些細節。
權利要求
1.一種用于開關電功率的電子部件(10)，其特征在于，包括 兩個彼此間隔開的導體條(60，62)，在所述兩個導體條(60，62)之間設有半導體開關(14，16，18，22，24，26)，通過控制輸入(El，E2)驅動所述半導體開關(14，16，18，22，24，26)，從而通過總線條(64)在功率輸出(A)處輸出電功率； 至少一個導體跡線(58c, 58d),具有的電勢不同于所述導體條(60，62)的電勢； 電容裝置，設置在所述兩個導體條(60，62)之間； 所述半導體開關(14，16，18，22，24，26)和所述導體條(60，62)和所述總線條(64)與沉積在襯底(58)上的電導體(58a，58b, 58c, 58d, 58e)連接； 所述襯底(58)在它的至少兩個邊緣區域中具有在每種情況下電勢彼此對應的電導體(58a, 58b)； 所述半導體開關(14，16，18，22，24，26)和所述導體條(60，62)、所述總線條(64)和/或所述電容裝置設置在所述襯底(58)的ー側上，所述襯底(58)在它的另ー側上具有與所述導體條(60，62)電連接的電勢導體(58f)。
2.根據權利要求I所述的電子部件(10)，其特征在于，所述電容裝置設置在所述導體條(60，62)中的ー個與所述總線條(64)之間。
3.根據權利要求I到2任一項所述的電子部件(10)，其特征在于，所述導體條中的一個設置得與所述導體條中的另ー個和/或所述總線條(64)平行。
4.根據權利要求I到3任一項所述的電子部件(10)，其特征在于，所述電容裝置(52a)至少部分在所述導體條(60，62)之上延伸和/或沒有伸出超過，或者在所述導體條(60，62)和所述總線條的上方伸出不超過所述電容裝置(52a)的高度的20%到30%。
5.根據權利要求I到4任一項所述的電子部件(10)，其特征在干，所述電勢傳導表面(58f)與冷卻裝置接觸或集成在所述冷卻裝置中形成。
6.根據權利要求I到5任一項所述的電子部件(10)，其特征在于，所述半導體開關(14，16，18，22，24，26)和與所述半導體開關相連的電氣或電子組件(36，38，40，44，46，48)彼此連接在一起，從而它們設置在通過所述電勢傳導表面(58f)限定的平面與通過所述導體條(60，62)的側邊和所述總線條(64)的側邊限定的且遠離所述電勢傳導表面(58f)的平面之間。
7.根據權利要求I到6任一項所述的電子部件(10)，其特征在干，由場效應晶體管(FET)或由具有絕緣柵極端的雙極晶體管(IGBT)形成所述半導體開關(14，16，18，22，24，26);其中，采用具有與晶體管并聯連接的集成自由輪ニ極管或其它外接自由輪ニ極管的MOSFET。
8.根據權利要求I到7任一項所述的電子部件(10)，其特征在于，所述半導體開關(14，16，18，22，24，26)具有帶貴金屬涂層的大面積接觸點。
9.根據權利要求I到8任一項所述的電子部件(10)，其特征在于，具有用于耦連半橋的中間電路的部件設置在遠離所述電勢傳導表面(58f)的所述導體條(60，62)的一個或兩個的側邊上，所述中間電路具有其它的電容。
10.根據權利要求I到9任一項所述的電子部件(10)，其特征在于，所述電容裝置具有薄膜電容(52a，52b, 52c)。
11.根據權利要求I到10任一項所述的電子部件(10)，其特征在干，設有虛擬橫截面，與半導體開關對(14，22; 16, 24; 18, 26)的兩個半導體開關(14，16，18，22，24，26)同時相交，第一虛擬橫截區域小于第二虛擬橫截區域的大約一半； 所述第一虛擬橫截區域由電勢不同于所述電勢傳導表面(58f)的電勢的所述傳導表面(58c, 58d, 58e, 58g, 58h)以及所述電勢傳導表面(58f)來劃界；以及 所述第二虛擬橫截區域由所述電勢傳導表面(58f)以及通過位于所述襯底上的所述導體條的側邊來限定的平面來劃界。
12.根據權利要求I到11任一項所述的電子部件(10)，其特征在干， 至少兩個半導體開關對(14，22; 16, 24; 18, 26)串聯連接以形成半橋(12a，12c, 12c)； 每個所述半導體開關對(14，22; 16, 24; 18, 26)具有用于連接到驅動設備的控制輸入(G)； 第一半導體開關(14，16，18)通過它的漏極端(D)與高電壓電勢(Vdd)連接； 第二半導體開關(22，24，26)通過它的源極端(S)與低電壓電勢(Vss)連接； 為了形成輸出(A)，每個第一半導體開關(14，16，18)的源極端(S)分別與各個第二半導體開關(22，24，26)的漏極端(D)連接；以及 至少ー個電容裝置設置在高電壓電勢與低電壓電勢(VDD，Vss)之間； 設置各個第一半導體開關(14，16，18)的漏極端(D)在與所述高電壓電勢(Vdd)連接的共同第一金屬導體上(58d)上； 設置各個第二半導體開關(22，24，26)的漏極端(D)在形成所述輸出(A)的共同第二金屬導體(58c)上，設置所述第二導體(58c)與所述第一導體(58d)相鄰，但彼此間隔開；每個第二半導體開關(22，24，26)通過它的源極端(S)與共同第三金屬導體(58b)連接，所述第三金屬導體(58b)與所述低電壓電勢(Vss)連接，并設置其與所述第一和第二導體(58c，58d)相鄰但間隔分開。
13.一種用于多相發電機的驅動設備的功率輸出級，其特征在于，針對所述發電機的每一相設有至少ー個依據以上權利要求任一項所述的電子部件(10)，至少沿所述發電機的周界或表面的一部分設置所述電子部件(10 )。
全文摘要
一種用于開關電功率的電子部件，具有兩個彼此間隔開的功率供給軌道，在功率供給軌道之間設有半導體開關，通過控制輸入驅動該半導體開關，從而通過總線條輸出電功率，所述半導體開關設置在電源輸出處。設置在兩個功率供給軌道之間的電容部件在該功率供給軌道的至少一部分長度上延伸。半導體開關和功率供給軌道和總線與和襯底適配的電導體連接。電容部件沒有明顯伸出超過功率供給軌道或總線。在它的至少兩個邊緣區域中，襯底在每種情況下具有電導體，該電導體具有彼此相對應的電勢。半導體開關、功率軌道、負載軌道和/或電容部件設置在襯底的一側上，在另一側上，襯底具有與功率軌道電連接的電勢傳導表面。
文檔編號H02M7/00GK102771040SQ201180008494
公開日2012年11月7日 申請日期2011年1月28日 優先權日2010年2月4日
發明者伯恩哈德·霍夫曼, 克雷梅爾·亞歷山大, 安德里亞斯·格魯恩德爾 申請人:康派克特動力有限公司