專利名稱：變頻器可控硅整流控制裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及可控硅整流控制電路，尤其涉及變頻器可控硅整流控制裝置。 技術背景變頻器的驅動控制技術已經成為一種成熟的控制技術，在國內電機控制領域內被廣泛采用。現最常用的變頻器的輸入基本為交流輸入，通過整流將交流轉變為直流再進行逆變，為了輸出電壓的穩定，以在直流間要有濾波電容來進行平波，由于現在采用的濾波電容為電解電容，電解電容在正常情況下的使用壽命基本為12000小時，這也是變頻器使用一斷時間后故障高發的部件，直接影響整機的壽命。由于電容兩端電壓不能突變，所以在剛通電時，要先對直流母線進行預充電，通常的做法是采用二極管整流的預充電及可控硅半控橋整流的預充電二種形式，二極管整流的預充電還可分為交流預充電和直流預充電兩種。由于變頻器容量的增加和電壓等級的升高，對內部元件的要求越來越高，對預充電的形式和內部電容的使用也提出更高的要求。實用新型內容本實用新型的目的在于，克服現有技術的不足之處，提供一種變頻器可控硅整流控制裝置，既可以實現生產成本低，又可以確保控制安全可靠。本實用新型所述的變頻器可控硅整流控制裝置，包括有輸入電源、電阻RF、可控硅 !"4、可控硅Tl、可控硅T2、可控硅T3、電容Cl、電阻R1、母線輸出DC+、可控硅、電容Cn、電阻 1 、母線輸出DC-、可控硅觸發控制模塊和控制電源組成。輸入電源為交流三相電源輸入，輸入電源中的一相輸入端和母線輸出DC+之間設置有電阻RF和可控硅T4，電阻RF的一端和可控硅T4的陽極相連。輸入電源的另一相連接到可控硅Tl，可控硅Tl在連接到母線輸出 DC+之間，連接設置有可控硅T2、可控硅T3、電容Cl和電阻Rl，可控硅Tl又連接可控硅，可控硅T2又連接可控硅，可控硅T3又連接可控硅，電容Cl又連接到電容Cn，電阻Rl又連接到電阻1 ，可控硅、電容Cn和電阻1 在連接到母線輸出DC-的同時，又連接到與輸入電源相連接的可控硅觸發控制模塊，可控硅觸發控制模塊連接到控制電源。本實用新型包括串接在三相交流輸入其中任一相輸入端和母線輸出DC+之間的一個電阻RF和一個可控硅T4， 電阻RF的一端和可控硅T4的陽極相連接。一個過零檢測與可控硅輸出控制的控制模塊。 三相相位檢測的可控硅控制模塊的一個輸入端連接三相交流電源的輸入，另一個輸入端與電源模塊相連，三相相位檢測的可控硅控制模塊的一個輸出端與三相交流半控橋的可控硅的觸發極相連，另一個輸出與預充電回路的可控硅觸發極相連。本實用新型所述的變頻器可控硅整流控制裝置，整體結構簡單，生產成本較低，性能穩定，在有效實現現有功能的情況下可以延長設備的使用壽命，減少故障率。本實用新型與現有技術相比，增加了預充電回路的可控制性，并整流可控硅觸發控制模塊，過零觸發通過硬件直接產生，減少控制系統產生誤觸發的現象，并且不占用控制MCU的資源，不用進行軟件編程與調試，控制安全可靠。
附圖1是本實用新型所述變頻器可控硅整流控制裝置的電路布置結構示意圖。 1 一輸入電源 2—電阻RF 3—可控硅T4 4一母線輸出DC+ 5—可控硅Tl 6—可控硅 T2 7—可控硅T3 8—電容Cl 9一電阻Rl 10—可控硅 11 一電容Cn 12—電阻foi 13—母線輸出DC- 14—可控硅觸發控制模塊15—控制電源。
具體實施方式
現參照附圖1，結合實施例說明如下本實用新型所述的變頻器可控硅整流控制裝置，包括有輸入電源1、電阻RF2、可控硅"Γ4 3、可控硅Tl 4、可控硅T2 5、可控硅T3 6、電容Cl 7、電阻Rl 8、母線輸出DC+ 9、可控硅10、電容Cnll、電阻foi 12、母線輸出DC- 13、 可控硅觸發控制模塊14和控制電源15組成。輸入電源1為交流三相電源輸入，輸入電源 1中的一相輸入端和母線輸出DC+ 4之間設置有電阻RF2和可控硅T4 3，電阻RF2的一端和可控硅T4 3的陽極相連。輸入電源1的另一相連接到可控硅Tl 5，可控硅Tl 5在連接到母線輸出DC+ 4之間，連接設置有可控硅T2 6、可控硅T3 7、電容Cl 8和電阻Rl 9，可控硅Tl 5又連接可控硅10，可控硅T2 6又連接可控硅10，可控硅T3 7又連接可控硅10，電容Cl 8又連接到電容Cnll，電阻Rl 9又連接到電阻foi 12，可控硅10、電容Cn 11和電阻 Rn 12在連接到母線輸出DC- 13的同時，又連接到與輸入電源1相連接的可控硅觸發控制模塊14，可控硅觸發控制模塊14連接到控制電源15。本實用新型包括串接在三相交流輸入其中任一相輸入端和母線輸出DC+ 4之間的一個電阻RF2和一個可控硅T4 3，電阻RF2 的一端和可控硅T4 2的陽極相連接。一個過零檢測與可控硅輸出控制的控制模塊。三相相位檢測的可控硅控制模塊的一個輸入端連接三相交流電源的輸入，另一個輸入端與電源模塊相連，三相相位檢測的可控硅控制模塊的一個輸出端與三相交流半控橋的可控硅的觸發極相連，另一個輸出與預充電回路的可控硅觸發極相連。本實用新型所述的變頻器可控硅整流控制裝置，整體結構簡單，生產成本較低，性能穩定，在有效實現現有功能的情況下可以延長設備的使用壽命，減少故障率。本實用新型與現有技術相比，增加了預充電回路的可控制性，并整流可控硅觸發控制模塊，過零觸發通過硬件直接產生，減少控制系統產生誤觸發的現象，并且不占用控制MCU的資源，不用進行軟件編程與調試，控制安全可靠。
權利要求1.變頻器可控硅整流控制裝置，輸入電源(1)為交流三相電源輸入，其特征在于輸入電源(1)中的一相輸入端和母線輸出DC+ (4)之間設置有電阻RF (2)和可控硅T4 (3)， 電阻RF (2)的一端和可控硅T4 (3)的陽極相連；輸入電源(1)的另一相連接到可控硅Tl (5)，可控硅Tl (5)在連接到母線輸出DC+ (4)之間，連接設置有可控硅T2 (6)、可控硅T3 (7)、電容Cl (8)和電阻Rl (9)，可控硅Tl (5)又連接可控硅(10)，可控硅T2 (6)又連接可控硅(10)，可控硅T3 (7)又連接可控硅(10)，電容Cl (8)又連接到電容Cn (11)，電阻 Rl (9)又連接到電阻1 (12)，可控硅(10)、電容Cn (11)和電阻1 (12)在連接到母線輸出DC- (13)的同時，又連接到與輸入電源(1)相連接的可控硅觸發控制模塊(14)，可控硅觸發控制模塊(14)連接到控制電源(15)。
2.根據權利要求1所述的變頻器可控硅整流控制裝置，其特征在于串接在三相交流輸入其中任一相輸入端和母線輸出DC+ (4)之間的一個電阻RF (2)和一個可控硅T4 (3)， 電阻RF (2)的一端和可控硅T4 (2)的陽極相連接。
專利摘要變頻器可控硅整流控制裝置，包括有輸入電源、電阻RF、可控硅T4、可控硅T1、可控硅T2、可控硅T3、電容C1、電阻R1、母線輸出DC+、可控硅、電容Cn、電阻Rn、母線輸出DC-、可控硅觸發控制模塊和控制電源組成。輸入電源為交流三相電源輸入，輸入電源中的一相輸入端和母線輸出DC+之間設置有電阻RF和可控硅T4，電阻RF的一端和可控硅T4的陽極相連。輸入電源的另一相連接到可控硅T1，可控硅T1在連接到母線輸出DC+之間，連接設置有可控硅T2、可控硅T3、電容C1和電阻R1，可控硅T1又連接可控硅，可控硅T2又連接可控硅，可控硅T3又連接可控硅，電容C1又連接到電容Cn，電阻R1又連接到電阻Rn。本實用新型整體結構簡單，生產成本較低，性能穩定。
文檔編號H02M7/162GK202150809SQ20112025103
公開日2012年2月22日 申請日期2011年7月17日 優先權日2011年7月17日
發明者劉文士 申請人:劉文士