專利名稱：電平移動電路以及開關電源裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及在電路方面高耐壓化的電平移動電路，例如涉及適用于驅動電路的電平移動電路，該驅動電路對構成開關電源裝置的開關元件進行接通、關斷驅動。
背景技術：
作為變換直流輸入電壓來輸出不同電位的直流電壓的電路，具有開關穩壓器方式的DC-DC變換器。在該DC-DC變換器中存在ー種DC-DC變換器，其具備對電感器(線圈) 施加從電池等直流電源供給的直流電壓來流過電流，在線圈中積蓄能量的驅動用開關元件；在該驅動用開關元件被關斷的能量釋放期間對線圈的電流進行整流的整流元件；以及對上述驅動用開關元件進行接通、關斷控制的控制電路。目前，在開關穩壓器方式的DC-DC變換器中，具有作為使電感器中流過電流的驅動用開關元件而使用P溝道MOSFET(絕緣柵極型電場效應晶體管)的類型和使用N溝道 MOSFET的類型。在作為驅動用開關元件而使用P溝道MOS晶體管吋，P溝道MOS晶體管與同一尺寸的N溝道MOS晶體管相比驅動カ小，因此，當増大元件尺寸并與對其進行驅動的控制電路安裝在同一半導體芯片中進行半導體集成電路化吋，存在導致芯片尺寸増大的不良情況。另ー方面，在作為驅動用開關元件而使用N溝道MOS晶體管吋，當使用與P溝道 MOS晶體管情況下的柵極驅動信號相同振幅的信號來進行驅動時，輸出電壓會降低閾值電壓的量。因此，一般采用在驅動開關元件的電路的最后級設置電平移動電路以及自舉 (bootstrap)電路來提高N溝道MOS晶體管的柵極電壓的方法。圖5表示了現有的電平移動電路的一例。圖5的電平移動電路，將輸入級21的逆變器的電源電壓設為Vddl-GND，將設置在該逆變器的后級的鎖存電路22的電源電壓設為Vdd2-GND (其中Vdd2 > Vddl)，設輸出級23的逆變器的電源電壓為Vdd2_GND，由此，將 Vddl-GND的振幅的信號電平移動到Vdd2-GND的振幅的信號然后進行輸出。在驅動DC-DC 變換器的開關元件的電路中使用的電平移動電路中，輸出級23的逆變器的低側的電源電壓(接地電位)成為電位根據動作狀態而變動的浮動地(floating ground)FGND。在圖5所示的電平移動電路中，因為在構成鎖存電路22以及輸出級23的MOS晶體管Mpl MP3以及Mn3的柵極端子上施加Vdd2 GND的電壓，所以當電源電壓Vdd2高于 P溝道MOS晶體管的耐壓吋，元件有可能被損壞。為了避免該不良情況，作為晶體管Mpl Mp3以及Mn3，使用使柵極氧化膜比平常厚等進行了高耐壓化的元件即可。但是，在高耐壓的晶體管和通常的耐壓的晶體管共存的半導體集成電路的制造エ 藝中，需要形成兩種厚度的柵極氧化膜，所以具有使用的掩模的數量以及エ序數増加而導致成本升高的問題。此外，根據既有的制造エ藝，有時沒有高耐壓MOS晶體管的エ序，在不得不使用這樣的エ藝進行制造吋，存在無法裝配電平移動電路自身的問題。已近提出了為了高耐壓化，在P溝道MOS晶體管和N溝道MOS晶體管之間連接用于緩和被施加的電壓的晶體管的發明(例如專利文獻1)。但是，本發明與專利文獻1中記
3載的發明的不同點在于成為前提的條件以及課題的解決方式不同。專利文獻1日本特開平7-074616號公報
發明內容
本發明著眼于上述的課題，目的在于提供ー種技木，能夠不使用高耐壓エ藝地實現在電路方面高耐壓化的電平移動電路。本發明為了達成上述目的，提供一種電平移動電路，其具有電平變換單元以及輸出級，該電平變換單元具有在供給第一電源電壓的第一電源電壓端子和接地點之間串聯連接的第一導電型MOS晶體管以及第ニ導電型MOS晶體管，接收在低于所述第一電源電壓的第二電壓和接地電位之間變化的第一振幅的信號，變換為以所述第一電源電壓為基準的第 ニ振幅的信號，上述輸出級具有在所述第一電源電壓端子與供給低于第一電源電壓高于所述接地電位的第三電壓的第三電壓端子之間串聯連接的第一導電型MOS晶體管以及第ニ 導電型MOS晶體管，與所述電平變換單元的輸出節點連接，在該電平移動電路中，在上述電平變換單元的所述第一導電型MOS晶體管和所述第二導電型MOS晶體管之間，以串聯形式連接柵極端子與所述第三電壓端子連接的第一導電型MOS晶體管。根據以上的結構，當電平變換單元的輸出節點的電位降低到第三電壓端子的電壓附近吋，柵極端子與第三電壓端子連接的第一導電型MOS晶體管截止，由此，可以避免對構成電平變換單元以及輸出級的CMOS逆變器的第一導電型MOS晶體管施加耐壓以上的電壓。在此，希望所述電平變換單元是具備具有在所述第一電源電壓端子與接地點之間串聯連接的P溝道型MOS晶體管以及N溝道型MOS晶體管的第一逆變電路、和具有在所述第一電源電壓端子和接地點之間串聯連接的P溝道型MOS晶體管以及N溝道型MOS晶體管的第二逆變電路，在所述第一以及第ニ逆變電路的輸出節點上相互交叉耦合另一逆變電路的P溝道型MOS晶體管的柵極端子的鎖存電路，所述輸出級是具有在所述第一電源電壓端子和所述第三電壓端子之間串聯連接的P溝道型MOS晶體管以及N溝道型MOS晶體管的 CMOS逆變器，在所述第一以及第ニ逆變電路的P溝道型MOS晶體管和N溝道型MOS晶體管之間，分別以串聯方式連接了將柵極端子連接在所述第三電壓端子上的P溝道型MOS晶體管。根據以上的結構，當鎖存電路的某一個電位低的輸出節點的電位降低到第三電壓端子的電壓附近吋，柵極端子與第三電壓端子連接的P溝道型MOS晶體管截止，由此可以避免對構成鎖存電路以及輸出級的CMOS逆變器的P溝道型MOS晶體管施加耐壓以上的電壓。 此外，因為通過觸發器(flip-flop)型的鎖存電路構成電平變換單元，所以針對輸入信號的變化的輸出信號的響應變快。此外，希望在所述第一電源電壓端子和所述第三電壓端子之間，與所述第一以及第二逆變電路的各P溝道型MOS晶體管形成串聯地，分別連接了 N溝道型MOS晶體管，該N 溝道型MOS晶體管在柵極端子上施加與所述各P溝道型MOS晶體管中對應的晶體管的柵極電壓相同的電壓。由此，能夠防止經由為了高耐壓化而設置的MOS晶體管的源極漏極間的寄生電容使構成鎖存電路的CMOS逆變器的輸入輸出節點的電位大幅度降低，能夠避免對構成鎖存電路以及輸出級的CMOS逆變器的P溝道型MOS晶體管施加耐壓以上的電壓。
并且，希望提供一種開關電源裝置，其具備在輸入直流電壓的電壓輸入端子和連接有負載的輸出端子之間連接的電感器；在所述電感器中間歇地流過電流的驅動用開關元件；生成頻率根據來自輸出側的反饋電壓而變化的恒定脈沖寬度的驅動脈沖、或脈沖寬度根據反饋電壓而變化的恒定頻率的驅動脈沖，來生成對所述驅動用開關元件進行接通、關斷控制的控制信號的開關控制電路；以及根據所述控制信號對所述驅動用開關元件進行接通、關斷驅動的驅動電路，輸出與輸入電壓不同電位的電壓，在該開關電源裝置中，通過N溝道型MOS晶體管構成所述驅動用開關元件，在所述開關控制電路和所述驅動電路之間，設置有對所述控制信號進行電平移動然后提供給所述驅動電路的、具有權利要求2或3所述的結構的電平移動電路。由此，在作為使電感器中流過電流的驅動用開關元件使用了 N溝道型MOS晶體管時，可以通過使用電平移動電路進行電平移動后的信號使驅動用開關元件成為充分接通狀態，并且可以避免對構成電平移動電路的MOS晶體管施加耐壓以上的電壓。并且，希望所述第三電壓端子是連接所述電感器的一個端子的端子，在該端子和向所述電平移動電路的輸出級以及驅動電路供給所述第一電源電壓的電源電壓端子之間連接電容器。由此，能夠使向電平移動電路的輸出級以及驅動電路供給的電源電壓與逆變器的一個端子的電壓聯動地變化，不會對電平移動電路的輸出級以及驅動電路施加預定電位差以上的電壓。根據本發明，具有能夠不使用高耐壓工藝地實現在電路方面高耐壓化的電平移動電路的效果。
圖1是表示適合于使用本發明的電平移動電路的開關穩壓器方式的DC-DC變換器的概要結構的電路結構圖。圖2是表示本發明的電平移動電路的第一實施例的電路圖。圖3是表示第一實施例的電平移動電路中的電位變化的說明圖。圖4是表示本發明的電平移動電路的第二實施例的電路圖。圖5是表示現有的電平移動電路的一例的電路圖。符號說明10開關控制電路；20電平移動電路；21輸入級；23輸出級；22鎖存電路；31、32驅動電路；Ll線圈(電感器)；Cl濾波用電容器；Ml驅動用開關元件；M2同步整流用開關元件
具體實施例方式以下根據
本發明的優選的實施方式。圖1表示適合于使用本發明的電平移動電路的開關穩壓器方式的DC-DC變換器的概要結構。該實施方式的DC-DC變換器具備作為電感器的線圈Ll ；連接在施加直流輸入電壓Vin的電壓輸入端子IN和上述線圈Ll的一個端子之間，向線圈Ll流入驅動電流的高側的驅動用開關元件Ml ；在線圈Ll的一個端子和接地點之間連接的低側的整流用開關元件M2;在上述線圈Ll的另一端子(輸出端子OUT)與接地點之間連接的濾波用電容器Cl。在該實施方式的DC-DC變換器中，驅動用開關元件Ml以及整流用開關元件M2由N溝道MOS晶體管構成。此外，本實施方式的DC-DC變換器具備生成對上述開關元件Ml、M2進行接通(ON)、關斷(OFF)控制的控制信號P1、P2的開關控制電路10 ；對該開關控制電路10生成的控制信號中的對高側的元件進行接通、關斷的控制信號Pl進行電平移動的電平移動電路20 ；接收電平移動后的信號，生成并輸出開關元件Ml的柵極驅動信號GPl的驅動器31 ；接收開關控制電路10生成的控制信號中的對低側的元件進行接通、關斷的控制信號P2，生成并輸出開關元件M2的柵極驅動信號GP2的驅動器32。并且，在驅動器31的電源電壓端子之間連接了電容器C2。由此，在連接了線圈Ll的浮動節點NO的電位變動時，驅動器31的電源電壓Vdd2關聯地變化，由此不會對驅動器31施加預定的電位差(例如5V)以上的電壓。雖然沒有特別的限定，但構成DC-DC變換器的電路以及元件中的開關控制電路10、電平移動電路20、驅動器31、32以及開關元件M1、M2在半導體芯片上形成，構成為半導體集成電路(電源控制用IC)，線圈Ll和電容器Cl可以作為外接元件，與在該IC上設置的外部端子連接。在該實施方式的DC-DC變換器中，通過開關控制電路10生成使開關元件Ml和M2互補地接通、關斷的控制信號P1、P2，在正常狀態下當驅動用開關元件Ml被接通時，對線圈Ll施加直流輸入電壓Vin，流過向輸出端子OUT的電流，對濾波用電容器Cl進行充電。此外，當驅動用開關元件Ml被關斷時，改為將整流用開關元件M2接通，經由該接通的整流用開關元件M2在線圈Ll中流過電流。并且，在PFM (脈沖頻率調制)控制方式中，開關控制電路10接受來自輸出側的反饋電壓VFB，使輸入到開關元件Ml的控制端子(柵極端子)的驅動脈沖GPl的脈沖寬度恒定，根據輸出電壓控制開關頻率，由此產生使直流輸入電壓Vin降壓后的預定電位的直流輸出電壓Vout。此外，在PWM (脈沖寬度調制)控制方式中，開關控制電路10接受來自輸出側的反饋電壓VFB，根據輸出電壓控制在開關元件Ml的控制端子(柵極端子)上輸入的恒定頻率的驅動脈沖GPl的脈沖寬度，由此產生使直流輸入電壓Vin降壓后的預定電位的直流輸出電壓Vout0雖然在圖1的DC-DC變換器中直接向開關控制電路10輸入了輸出電壓Vout，但是還可以設置在輸出端子OUT與接地點之間串聯連接的、通過電阻比對輸出電壓Vout進行分壓的串聯形式的電阻，將通過該電阻分壓后的電壓作為反饋電壓VFB向開關控制電路10輸入。開關控制電路10在PFM控制方式下，通過將反饋電壓VFB與預定的參考電壓進行比較來生成PFM脈沖的比較器構成，此外，在PWM控制方式下，通過生成與反饋電壓VFB和成為基準的電壓的電位差成比例的電壓的誤差放大器、生成預定的頻率的三角波的波形生成電路、將所述誤差放大器的輸出與三角波進行比較來生成PWM脈沖的比較器等構成。圖2表示了本發明的電平移動電路的第一實施例。該實施例的電平移動電路由以下各部構成由CMOS逆變器構成的輸入級21、設置在逆變器的后級的鎖存電路22、由CMOS逆變器構成的輸出級23。并且，通過把輸入級的CMOS逆變器21的電源電壓設為Vddl-GND，將逆變器21的后級的鎖存電路22的電源電壓設為Vdd2-GND (其中，Vdd2 > Vddl)，將輸出級23的CMOS逆變器的電源電壓設為Vdd2_FGND，把Vddl-GND的振幅的信號電平移動到Vdd2-FGND的振幅的信號后輸出。在用于驅動上述圖1那樣的結構的DC-DC變換器的高側的開關元件Ml的電路中使用的電平移動電路中，因為連接了線圈的節點NO的電位變動，所以輸出級23的CMOS逆變器的低側的電源電壓(接地電位)成為根據動作狀態而電位變動的浮動地FGND。本實施例的電平移動電路22具備在供給電源電壓Vdd2的電源電壓端子和接地點GND之間串聯連接的P溝道MOS晶體管Mpl、Mp4以及N溝道MOS晶體管Mnl ；同樣在電源電壓端子和接地點GND之間串聯連接的P溝道MOS晶體管Mp2、MP5以及N溝道MOS晶體管Mn2。并且，在MOS晶體管Mpl的漏極端子上連接MOS晶體管Mp2的柵極端子，此外在MOS晶體管Mp2的漏極端子上連接MOS晶體管Mpl的柵極端子。上述串聯方式的P溝道MOS晶體管Mp 1和N溝道MOS晶體管Mn 1、P溝道MOS晶體管Mpl和N溝道MOS晶體管Mn分別構成CMOS逆變器，通過把這兩個COMS逆變器各自的輸出節點與另一 CMOS逆變器的P溝道MOS晶體管的柵極端子交叉耦合，作為觸發器型的鎖存電路進行動作。在P溝道MOS晶體管Mp 1和N溝道MOS晶體管Mn 1之間連接的P溝道MOS晶體管Mp4以及在P溝道MOS晶體管Mp2和N溝道MOS晶體管Mn2之間連接的P溝道MOS晶體管Mp5，各自的柵極端子與所述浮動地FGND連接。然后，參照圖3說明如上那樣構成的圖2的電平移動電路的動作。首先，考慮向電平移動電路的輸入信號IN為低電平(GND)的情況。此時，N溝道MOS晶體管Mnl為導通狀態，Mn2為截止狀態，所以Mpl與Mp4的連接節點附的電位Vnl低于電源電壓Vdd2，由此使P溝道MOS晶體管Mp2導通，Mp2與Mp5的連接節點N2的電位Vn2成為高電平(Vdd2)。從該狀態開始，在輸入信號IN如圖3㈧那樣從低電平(GND)向高電平(Vddl)變化時，N溝道MOS晶體管Mnl從導通狀態向截止狀態遷移，另一方面，Mn2從截止狀態向接通狀態遷移。于是，節點N2的電位Vn2開始從高電平(Vdd2)向低電平(GND)降低(節點m的電位Vnl開始上升)。此時，在圖5所示的現有的電平移動電路那樣，沒有中級的P溝道MOS晶體管Mp4以及Mp5的電平移動電路中，在圖3(B)中如虛線所示，節點N2的電位Vn2從高電平(Vdd2)降低到低電平(GND)。另一方面，本實施例的電平移動電路在P溝道MOS晶體管Mp2與N溝道MOS晶體管Mn2之間連接了 P溝道MOS晶體管Mp5，所以當節點N2的電位Vn2降低到比浮動地FGND高Mp5的閾值電壓Vthp的電位(FGND+Vthp)時，P溝道MOS晶體管Mp5成為截止狀態，所以節點N2的電位Vn2不會成為FGND+Vthp以下。因此，如果Vdd2-FGND間電壓在P溝道MOS晶體管Mpl以及Mp3的耐壓以下，則不會損壞Mpl以及Mp3的柵極絕緣膜。此外同樣地，如果FGND-GND間電壓在P溝道MOS晶體管Mp5的耐壓以下，則也不會損壞Mp5的柵極絕緣膜。然后，在輸入信號IN從高電平(Vddl)向低電平(GND)變化時，N溝道MOS晶體管Mnl從截止狀態向導通狀態遷移，另一方面，Mn2從導通狀態向截止狀態遷移。于是，節點m的電位Vnl開始從高電平(Vdd2)向低電平(GND)降低。此外，節點N2的電位Vn2開始從(FGND+Vthp)向 Vdd2 上升。然后，當節點m的電位Vnl降低到比浮動地FGND高Mp4的閾值電壓Vthp的電位(FGND+Vthp)時，P溝道MOS晶體管Mp4成為截止狀態，所以節點附的電位Vnl不會成為FGND+Vthp 以下。因此，如果Vdd2_FGND間電壓在P溝道MOS晶體管Mp2的耐壓以下，則不會損壞Mp2的柵極絕緣膜。此外同樣地，如果FGND-GND間電壓在P溝道MOS晶體管Mp4的耐壓以下，則也不會損壞Mp4的柵極絕緣膜。圖4表示了本發明電平移動電路的第二實施例。在圖2所示的第一實施例的電平移動電路中，為了具有耐壓需要某種程度地增大MOS晶體管Mp4、Mp5的尺寸。但是，當增大Mp4、Mp5的尺寸時，源極漏極間的寄生電容Cs4、Cs5也變大。并且，當寄生電容Cs4、Cs5大時，在N溝道MOS晶體管Mnl或Mn2導通時，經由該寄生電容向節點N1、N2傳遞Mnl、Mn2的漏極電壓的變化，拉低節點N1、N2的電位Vnl、Vn2，對P溝道MOS晶體管Mpl Mp3施加了耐壓以上的電壓，有可能損壞柵極絕緣膜。因此，在第二實施例的電平移動電路中，如圖4所示，在節點m與浮動地FGND之間連接了 N溝道MOS晶體管Mn4，此外在節點N2與浮動地FGND之間連接了 N溝道MOS晶體管Mn5。并且，在Mn4的柵極端子上施加與Mpl的柵極電壓相同的節點N2的電位Vn2，使其與Mpl互補地導通、截止，并且在Mn5的柵極端子上施加與Mp2的柵極電壓相同的節點附的電位Vnl，使其與Mp2互補地導通、截止。在該實施例中，例如在節點N2的電位Vn2變低時，Mpl導通，節點附的電位Vnl成為Vdd2，所以使新追加的N溝道MOS晶體管Mn5成為導通狀態，可以使節點N2的電位Vn2成為與浮動地FGND相同的電位。由此，可以避免經由Mp5的源極漏極間的寄生電容Cs5向節點N2傳遞N溝道MOS晶體管Mn2的漏極電壓的變化，拉低節點N2的電位Vn2的情況。即，可以防止對Mpl Mp3施加耐壓以上的電壓。此外，同樣地，在節點m的電位Vnl變低時，Mp2導通，節點N2的電位Vn2成為Vdd2，所以使新追加的N溝道MOS晶體管Mn4成為導通狀態，可以使節點附的電位Vnl成為與浮動地FGND相同的電位。由此，可以避免經由Mp4的源極漏極間的寄生電容Cs4向節點m傳遞N溝道MOS晶體管Mnl的漏極電壓的變化，拉低節點m的電位Vnl的情況。以上根據實施方式具體說明了本發明的發明人做出的發明，但是本發明不限于上述的實施方式。例如，在上述實施方式中說明了作為電平移動電路的輸入級使用CMOS逆變器的例子，但是輸入級不限于CMOS逆變器，還可以使用差動放大電路等，還可以根據前級的電路形式省略輸入級。此外，在以上的說明中，說明了將本發明用于降壓型的DC-DC變換器的電平移動電路的例子，但是本發明不限于此，還可以作為升壓型或產生負電壓的反相型的DC-DC變換器等的電平移動電路來使用。并且，本發明的電平移動電路不限于開關穩壓器方式的DC-DC變換器的開關驅動電路，還可以用于接地電平以及電源電壓電位不同的電路間的邏輯信號的傳遞單元。
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權利要求
1.一種電平移動電路，其具有電平變換單元以及輸出級，上述電平變換單元具有在供給第一電源電壓的第一電源電壓端子和接地點之間串聯連接的第一導電型MOS晶體管以及第ニ導電型MOS晶體管，接收在低于所述第一電源電壓的第二電壓和接地電位之間變化的第一振幅的信號，變換為以所述第一電源電壓為基準的第二振幅的信號，上述輸出級具有在所述第一電源電壓端子與供給低于所述第一電源電壓高于所述接地電位的第三電壓的第三電壓端子之間串聯連接的第一導電型MOS晶體管以及第ニ導電型MOS晶體管，并且與所述電平變換單元的輸出節點連接，所述電平移動電路的特征在干，在所述電平變換單元的所述第一導電型MOS晶體管和所述第二導電型MOS晶體管之間，以串聯形式連接了柵極端子與所述第三電壓端子連接的第一導電型MOS晶體管。
2.根據權利要求1所述的電平移動電路，其特征在干，所述電平變換單元是鎖存電路，該鎖存電路具備具有在所述第一電源電壓端子和接地點之間串聯連接的P溝道型MOS晶體管以及N溝道型MOS晶體管的第一逆變電路、和具有在所述第一電源電壓端子和接地點之間串聯連接的P溝道型MOS晶體管以及N溝道型MOS 晶體管的第二逆變電路，在所述第一以及第ニ逆變電路的輸出節點上相互交叉耦合另一逆變電路的P溝道型MOS晶體管的柵極端子，所述輸出級是具有在所述第一電源電壓端子和所述第三電壓端子之間串聯連接的P 溝道型MOS晶體管以及N溝道型MOS晶體管的CMOS逆變器，在所述第一以及第ニ逆變電路的各P溝道型MOS晶體管和N溝道型MOS晶體管之間， 分別以串聯方式連接了柵極端子連接在所述第三電壓端子上的P溝道型MOS晶體管。
3.根據權利要求2所述的電平移動電路，其特征在干，在所述第一電源電壓端子和所述第三電壓端子之間，與所述第一以及第二逆變電路的各P溝道型MOS晶體管形成串聯地，分別連接了 N溝道型MOS晶體管，所述N溝道型MOS晶體管在柵極端子上施加與所述各P溝道型MOS晶體管中對應的晶體管的柵極電壓相同的電壓。
4.ー種開關電源裝置，其具備在輸入直流電壓的電壓輸入端子和連接負載的輸出端子之間連接的電感器；使所述電感器中間歇地流過電流的驅動用開關元件；生成頻率根據來自輸出側的反饋電壓而變化的恒定脈沖寬度的驅動脈沖、或脈沖寬度根據反饋電壓而變化的恒定頻率的驅動脈沖，來生成對所述驅動用開關元件進行接通、關斷控制的控制信號的開關控制電路；以及根據所述控制信號對所述驅動用開關元件進行接通、關斷驅動的驅動電路，所述開關電源裝置輸出與輸入電壓不同電位的電壓，所述開關電源裝置的特征在干，通過N溝道型MOS晶體管構成所述驅動用開關元件，在所述開關控制電路和所述驅動電路之間，設置有對所述控制信號進行電平移動然后提供給所述驅動電路的、具有權利要求2或3所述的結構的電平移動電路。
5.根據權利要求4所述的開關電源裝置，其特征在干，所述第三電壓端子是連接所述電感器的ー個端子的端子，在該端子和向所述電平移動電路的輸出級以及驅動電路供給所述第一電源電壓的電源電壓端子之間連接有電容器。
全文摘要
本發明提供電平移動電路以及開關電源裝置，能夠不使用高耐壓工藝地實現在電路方面高耐壓化的電平移動電路。電平移動電路具有鎖存電路(22)以及輸出級(23)，鎖存電路(22)具有一對CMOS逆變器，使一個逆變器的輸出節點與另一逆變器的P溝道型MOS晶體管的柵極端子交叉耦合，輸出級(23)由與該鎖存電路的某一個輸出節點連接的CMOS逆變器形成，在該電平移動電路中，在構成鎖存電路的一對CMOS逆變器的各P溝道型MOS晶體管(Mp1、Mp2)和N溝道型MOS晶體管(Mn1、Mn2)之間，分別以串聯形式設置了將柵極端子與施加了電源電壓和接地電位的中間電位的第三電壓端子(FGND)連接的P溝道型MOS晶體管(Mp4、Mp5)。
文檔編號H02M3/156GK102571067SQ20111043072
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月20日 優先權日2010年12月21日
發明者中島平裕 申請人:三美電機株式會社