Euv光刻用反射型掩模基板的制造方法

專利名稱：Euv光刻用反射型掩模基板的制造方法
技術領域：
本發明涉及半導體制造等中使用的EUV(Extreme Ultra Violet 遠紫外)光刻用反射型掩模基板(下面，在本說明書中稱作“EUV掩模基板”)的制造方法。
背景技術：
以往，在半導體產業中，作為在Si襯底等上形成由微細圖案構成的集成電路時必不可少的微細圖案的轉印技術，使用的是采用可見光或紫外光的光刻法。但是，半導體器件的微細化不斷加快，正逐漸接近現有的曝光極限。進行曝光時，圖案的解析度極限是曝光波長的1/2左右，即使使用浸沒法，圖案的解析度極限也只是曝光波長的1/4左右，可以預見即使使用ArF激光(193歷)的浸沒法，極限也在45nm左右。于是，作為45nm以下的曝光技術，采用波長比ArF激光更短的EUV光的曝光技術、即EUV光刻被寄予厚望。EUV光是指軟X射線區域或真空紫外線區域的波長的光線，具體是指波長10 20nm左右、特別是 13. 5nm士 0. 3nm左右的光線。EUV光容易被各種物質吸收且折射率趨近于1，因此無法使用現有的采用可見光或紫外光的光刻這樣的折射光學系統。因此，EUV光刻中使用反射光學系統、即反射型光掩模和反射鏡。掩模基板是光掩模制造中使用的圖案形成前的層疊體。反射型光掩模用掩模基板具有在玻璃等襯底上依次形成有反射EUV光的反射層和吸收EUV光的吸收層的結構。作為反射層，通常使用通過交替層疊高折射率層和低折射率層而提高了對層表面照射光線時的光線反射率、更具體是對層表面照射EUV光時的光線反射率的多層反射膜。吸收層使用的是對EUV光的吸收系數高的材料，具體使用例如以Cr或Ta為主要成分的材料(例如參照專利文獻2及3)。多層反射膜及吸收層采用離子束濺射法或磁控濺射法在玻璃襯底的光學面上成膜。形成多層反射膜及吸收層時，通過保持構件來保持玻璃襯底。作為玻璃襯底的保持構件，包括機械性吸盤(Chuck)和靜電吸盤，從起塵的角度考慮，優選采用通過靜電吸盤進行吸附保持的方式。靜電吸盤的吸附方式大致分為單極方式和雙極方式。單極型是保持施加單極電壓的機構，將等離子體等作為接地來吸附襯底。另一方面，雙極型在靜電吸盤內可保持同時對正極 負極施加電壓的機構，或者可保持單極及地線機構，在沒有等離子體等接地時也可保持襯底。作為吸附玻璃襯底進行保持的構件采用靜電吸盤時，由于作為吸附保持對象的玻璃襯底除極小一部分以外均為絕緣體，因此大多數為雙極型靜電吸盤。靜電吸盤大致分為利用因電介質材料的不同而在襯底和靜電吸盤間產生的電荷進行吸附的庫侖力型，以及除了所述電荷以外還利用了從電介質膜漏出的電流和電極表面的微小凹凸距離的差異所產生的吸附力的約翰遜 拉別克力型。庫侖力型由于漏出的電流少，因此具備傳導電流對襯底所造成的破壞和損傷可減輕的優點，但也存在所施加的電壓大于約翰遜·拉別克力型的缺點。雙極型中，除了所述吸附機構以外，還通過其電極配置產生從電場強度弱的位置吸引至電場強度強的位置的梯度(gradient)力。將其稱為電介質吸引力。EUV掩模基板的制造工序中使用的玻璃襯底的尺寸要比半導體器件的制造工序中使用的硅晶片的尺寸大得多，其質量也大得多，因此要求發揮出比硅晶片用靜電吸盤強得多的吸附力。所以，以吸附保持玻璃襯底為目的使用的靜電吸盤必須能夠利用梯度力發揮強吸附力。專利文獻1中揭示了通過高效地產生梯度力而能夠利用強吸附力來保持玻璃襯底的靜電吸盤。專利文獻1中記載，作為通過靜電吸盤保持玻璃襯底時的其它問題有對襯底造成損傷的微小顆粒及其它異物如果以夾在襯底和靜電吸盤間的方式被吸附，則該力會使異物對成為吸盤面的電介質層表面造成損傷，其結果是，引發電介質層的平坦度或電絕緣性不良等各種問題。專利文獻1記載的靜電吸盤，在電極的上方設置被吸附襯底，藉此提高靜電吸盤的吸附力，另外，電極采用耐磨耗性優良的鈦、含鈦化合物、氧化鈦或氮化鈦或碳化鈦等導電性陶瓷，可維持與被吸附襯底的接觸的耐久性和不易受到顆粒等異物的磨損的強度。但是，如專利文獻1記載的靜電吸盤那樣，將由陶瓷材料形成的電極作為吸盤面， 使玻璃襯底吸附于該吸盤面時，如果在玻璃襯底和吸盤面之間夾雜了顆粒等異物，則會對玻璃襯底表面或吸盤面、或同時對兩者造成損傷，進一步生成更大的顆粒。此時在吸盤面產生的損傷會成為對之后所接觸的玻璃襯底繼續轉移損傷的源頭，大大地妨礙低起塵化。專利文獻1中記載了可維持不易受到顆粒等異物的磨損的強度，但事實上在玻璃襯底和吸盤面之間夾雜顆粒等異物會對玻璃襯底表面或吸盤面、或同時對兩者造成損傷。由于是微小的損傷，因此以往不成為問題，但對用于EUV掩模基板的制造工序的玻璃襯底的表面狀態的要求非常嚴格，即使是這種微小的損傷也可能會產生問題。專利文獻1 日本專利特開2006-66857號公報專利文獻2 美國公開公報2007-160874號公報專利文獻3 美國公開公報2009-011341號公報發明的揭示為了解決上述現有技術中存在的問題，本發明的目的是提供靜電吸盤和玻璃襯底之間因夾雜顆粒等異物而對玻璃襯底表面及吸盤面造成損傷這一情況的發生得到抑制的 EUV掩模基板的制造方法。為了實現所述目的，本發明提供如下EUVL用反射型掩模基板的制造方法，該方法是用靜電吸盤吸附保持玻璃襯底，通過濺射法在所述玻璃襯底上至少依次形成反射EUV光的反射層及吸收EUV光的吸收層的EUV光刻(EUVL)用反射型掩模基板的制造方法，該方法的特征在于，所述靜電吸盤在主體上依次具備由有機高分子膜形成的下部電介質層、由導電性材料形成的電極部及由有機高分子膜形成的上部電介質層，所述電極部包括正電極和負電極。本發明還提供如下EUVL用反射型掩模基板的制造方法，該方法是用靜電吸盤吸附保持玻璃襯底，通過濺射法在所述玻璃襯底上形成反射EUV光的反射層以及在該反射層的上層形成吸收EUV光的吸收層的EUV光刻(EUVL)用反射型掩模基板的制造方法，該方法的特征在于，至少在形成所述反射層及所述吸收層時，所述靜電吸盤在主體的玻璃襯底的吸附面側依次具備由有機高分子膜形成的下部電介質層、由導電性材料形成的電極部及由有機高分子膜形成的上部電介質層，所述電極部包括正電極和負電極。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，所述靜電吸盤的所述下部電介質層可含2層以上的有機高分子膜。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，所述靜電吸盤的所述上部電介質層可含2層以上的有機高分子膜。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，較好是所述靜電吸盤的所述下部電介質層及所述上部電介質層的絕緣擊穿耐壓在3. OkV以上。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，較好是所述靜電吸盤的所述下部電介質層及所述上部電介質層的抗拉強度在50MPa以上。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，較好是所述靜電吸盤的所述下部電介質層及所述上部電介質層的拉伸伸長率在40 %以上。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，較好是所述靜電吸盤的所述下部電介質層及所述上部電介質層的拉伸彈性率在1. OGPa以上。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，較好是所述靜電吸盤的所述下部電介質層及所述上部電介質層包括選自聚酰亞胺膜、聚烯烴類材料膜、有機硅膜、聚氯乙烯膜及聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的至少1層有機高分子膜。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，較好是所述靜電吸盤的所述下部電介質層的厚度為所述上部電介質層的厚度的2倍以上。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，較好是所述靜電吸盤的所述上部電介質層的厚度為10 500 μ m。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，較好是所述靜電吸盤在所述上部電介質層的吸附面側具備用于減少與被吸附保持的玻璃襯底的接觸面積的突起部。較好是所述突起部通過蝕刻等上部電介質層表面的凹凸加工形成，較好是所述凹凸加工后的上部電介質層的厚度為10 50 μ m。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，較好是所述靜電吸盤的所述突起部的高度為5 25 μ m。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，較好是所述靜電吸盤的所述突起部與被吸附保持的玻璃襯底的接觸面積合計為所述上部電介質層的表面積的0. 1 25. 0%。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，較好是所述靜電吸盤的所述正電極及所述負電極分別具有梳齒型的形狀，各梳齒以隔開空隙鄰接的方式配置。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，較好是所述靜電吸盤的所述電極部的厚度在10 μ m以下。本發明的EUVL用反射型掩模基板的制造方法中，較好是在所述玻璃襯底的被吸附保持于所述靜電吸盤的一側的表面設置有導電膜。
利用本發明的EUV掩模基板的制造方法，可抑制靜電吸盤和玻璃襯底之間因夾雜顆粒等異物而造成的對玻璃襯底表面及吸盤面的損傷的發生。另一方面，用于玻璃襯底的吸附保持的靜電吸盤從上部電介質層至下部電介質層具備足夠的可塑性和強度，因此發揮吸附力的該結構沒有受損之虞。此外，由于上部電介質層非常薄，因此可在無損裝置的穩定運轉的電壓下使靜電吸盤工作。另外，通過在上部電介質層的吸附面側具有突起部，將靜電吸盤和玻璃襯底之間的顆粒等異物的夾雜部位限定于僅在凸部，這樣可抑制因夾雜異物而造成的損傷的發生。附圖的簡單說明

圖1是表示本發明的EUV掩模基板的制造方法中采用的靜電吸盤的一個構成例的側視圖。圖2是圖1所示的靜電吸盤IOA的俯視圖。圖3是表示本發明的靜電吸盤的另一構成例的側視圖。圖4是圖3所示的靜電吸盤IOB的俯視圖。圖5是表示采用圖1所示的靜電吸盤IOA吸附保持玻璃襯底的狀態的側視圖。實施發明的最佳方式以下，參照附圖對本發明進行說明。圖1是表示本發明的EUV掩模基板的制造方法中采用的靜電吸盤的一個構成例的側視圖。圖1所示的靜電吸盤IOA具備在主體11上，即主體的吸附面側依次設置了由有機高分子膜形成的下部電介質層3、由導電性材料形成的電極部2及由有機高分子膜形成的上部電介質層1的結構。靜電吸盤的各構成如下所述。[主體]對于靜電吸盤IOA中的主體11無特別限定，作為靜電吸盤的主體(或基材，或基盤)，可從公知結構中適當選擇。作為該公知結構的具體例，可例舉例如由氧化鋁(Al2O3)、 氧化釔(Y2O3)、氧化硅(SiO2)、氧化鋯(&02)、氧化鎂(MgO)、富鋁紅柱石(3A1203 -2Si02)等絕緣性良好的陶瓷材料形成的主體，或在鋁、鉬、鎢、鋼、不銹鋼、黃銅、鎳等金屬材料制基材上設置了絕緣層的主體。作為在金屬材料制基材上設置的絕緣層的構成材料，可例示所述陶瓷材料。[電極部]構成電極部的材料可采用導電性良好的材料，具體可采用體積電阻率在 5Χ10_6Ωπι以下的材料。滿足這一條件的材料中，導電性良好的金屬材料、具體為金、銅、招， 由于可將電極部薄層化，且通過后述的步驟易于形成所希望的形狀的電極圖案，因此優選。其中，從導電性良好的角度出發，更好是金及銅，從價廉的角度出發，特好是銅。靜電吸盤IOA用于玻璃襯底的吸附保持，因此是電極部包括正電極和負電極的雙極型靜電吸盤。這里，對于正電極和負電極形成的電極圖案無特別限定，可在雙極型靜電吸盤的領域內選擇公知的各種電極圖案。但從高效地產生梯度力、藉此可利用強大的吸附力保持玻璃襯底的角度考慮，優選例如象專利文獻1中記載的靜電吸盤那樣的正電極及負電極分別具有梳齒型的形狀、各梳齒隔開空隙鄰接而配置的電極圖案(參照圖2)。圖2為圖 1所示的靜電吸盤IOA的俯視圖，優選的電極圖案以透視圖表示。圖2中，符號22及23表示的是貫通下部電介質層及主體的孔，安裝了將正電極及負電極與外部電源連接的外部電源端子(未圖示)。圖2中，對于電極圖案的各部分的尺寸無特別限定，但可根據靜電吸盤的尺寸來適當選擇。例如吸盤面的直徑為13cm時，存在于吸盤面的外緣附近的梳齒型的寬度為5mm， 高為7mm，構成梳齒型的帶狀部分的寬度為1mm。靜電吸盤IOA中，電極部的厚度較好為10 μ m以下。電極部的厚度因形成于電極部上的上部電介質層的厚度而異，但如果電極部的厚度超過10 μ m，則在靜電吸盤的吸盤面會出現與電極部的圖案對應的凹凸，恐怕會導致吸附力的下降或吸附力的不均一。電極部的厚度更好為2 μ m以下，進一步更好為1 μ m以下。但是，電極部的厚度如果小于1 μ m,則絕緣擊穿耐壓下降，可塑性減弱，因此變形時易破損。從這點考慮，電極部的厚度較好為0. 1 μ m以上，更好為0. 3 μ m以上，進一步更好為0. 5μπι以上。為了確保平坦度及電阻的均一性，電極部的厚度的偏差最好在該電極部的厚度的平均值的士 10%以內。靜電吸盤IOA中，對于電極部的形成方法無特別限定，可根據構成電極部的材料及電極圖案適當選擇合適的方法。例如，以銅為構成材料形成圖2所示的電極圖案時，可通過濺射法在下部電介質層3上形成所希望的厚度的銅的薄膜后，通過蝕刻法將該薄膜加工成所希望的電極圖案。此外，也可以在下部電介質層3上配置了所希望的形狀的掩模的狀態下進行濺射而形成電極圖案。[下部電介質層、上部電介質層]如圖1所示，靜電吸盤IOA形成為電極部2被由有機高分子膜形成的下部電介質層3和上部電介質層1夾持的三明治結構。利用該結構，可抑制靜電吸盤和玻璃襯底之間夾雜顆粒等異物而對玻璃襯底表面及成為吸盤面的上部電介質層表面造成損傷這一情況的發生。即，即使在成為吸盤面的上部電介質層和玻璃襯底間夾雜了顆粒等異物的情況下，利用由有機高分子膜形成的上部電介質層及下部電介質層的柔軟性，可將玻璃襯底和電介質層的界面的異物露出控制在最小限度。藉此，可抑制對玻璃襯底表面及成為吸盤面的上部電介質層表面造成損傷這一情況的發生。以下，將抑制對玻璃襯底表面及成為吸盤面的上部電介質層表面造成損傷這一情況的發生的作用稱為“抑制異物所造成的損傷的作用”。現有技術的靜電吸盤雖然也存在形成于電極上的由有機高分子膜構成成為吸盤面的電介質層的結構，但如果增加形成于電極上的電介質層的厚度，則吸附力下降，因此對電介質層的厚度有限制。所以，在靜電吸盤和玻璃襯底之間夾雜有顆粒等異物的情況下，無法利用電介質層的柔軟性來抑制玻璃襯底和電介質層的界面的異物露出，不能夠發揮出抑制異物所造成的損傷的作用。采用靜電吸盤IOA時，與現有技術的靜電吸盤同樣對于上部電介質層1的厚度存在限制，但形成了電極部2被由有機高分子膜形成的下部電介質層3和上部電介質層1夾持的三明治結構。藉此，可利用下部電介質層3和上部電介質層1的柔軟性將玻璃襯底和電介質層的界面的異物露出控制在最小限度，所以能夠在吸附力不下降的條件下發揮抑制異物所造成的損傷的作用。
而且，由于即使增加下部電介質層3的厚度靜電吸盤的吸附力也不會下降，因此通過增加下部電介質層3的厚度可更有效地發揮抑制異物所造成的損傷的作用。圖1中，上部電介質層1及下部電介質層3顯示為單一的層(有機高分子膜)，但并不限定于此，也可分別由2層以上的有機高分子膜來構成。上部電介質層1及下部電介質層3由2層以上的有機高分子膜構成時，可具備各有機高分子膜所具備的不同的功能。例如，上部電介質層由2層有機高分子膜構成，與電極部連接一側的有機高分子膜作為粘接性優良的有機高分子膜，可提高與電極部的粘接性， 同時成為吸盤面的一側的有機高分子膜作為柔軟性良好的有機高分子膜，還可提高抑制異物所造成的損傷的作用。另外，下部電介質層由3層有機高分子膜構成，與電極部連接一側的有機高分子膜及與主體連接一側的有機高分子膜作為粘接性良好的有機高分子膜，可提高與電極部及主體的粘接性，同時兩者之間的有機高分子膜作為柔軟性良好的有機高分子膜，還可提高抑制異物所造成的損傷的作用。構成上部電介質層1及下部電介質層3的有機高分子膜最好滿足下述特性。上部電介質層1及下部電介質層3要求在靜電吸盤使用時不因施加高電壓而出現絕緣擊穿。因此，上部電介質層1及下部電介質層3的絕緣擊穿耐壓較好在3. OkV以上，更好在5. OkV以上，進一步更好在6. OkV以上。上部電介質層1及/或下部電介質層3由2層以上的有機高分子膜構成時，構成各層的有機高分子膜最好分別具備以上所述的絕緣擊穿耐壓。構成成為吸盤面的上部電介質層1的有機高分子膜如果因為與吸附保持于靜電吸盤的玻璃襯底的摩擦而出現破損，則會成為顆粒的產生源，因此要求構成上部電介質層1 的有機高分子膜對于和吸附保持于靜電吸盤的玻璃襯底的摩擦具有足夠的強度。因此，構成上部電介質層1的有機高分子膜的抗拉強度較好在50MPa以上，更好在200MPa以上，進一步更好在400MPa以上。基于同樣的理由，構成上部電介質層1的有機高分子膜的拉伸伸長率較好在20% 以上，更好在30%以上，進一步更好在40%以上。上部電介質層1由2層以上的有機高分子膜構成時，構成各層的有機高分子膜最好分別具備以上所述的抗拉強度和拉伸伸長率。對于構成下層電介質層3的有機高分子膜，為了在靜電吸盤使用時不破損，也要求其具備足夠的抗拉強度及拉伸伸長率。因此，構成下部電介質層3的有機高分子膜的抗拉強度較好在50MPa以上，更好在200MPa以上，進一步更好在400MPa以上。構成下部電介質層3的有機高分子膜的拉伸伸長率較好在20%以上，更好在30%以上，進一步更好在 40%以上。下部電介質層1由2層以上的有機高分子膜構成時，構成各層的有機高分子膜最好分別具備以上所述的抗拉強度和拉伸伸長率。構成上部電介質層1及下部電介質層3的有機高分子膜由于發揮抑制異物所造成的損傷的作用，因此要求其具備柔軟性。對于成為吸盤面的上部電介質層1，為了提高與吸附保持的玻璃襯底的密合性，要求其具備彈性及可塑性使得咬合入層的異物不會在與玻璃襯底的界面露出。因此，構成上部電介質層1及下部電介質層3的有機高分子膜的拉伸彈性率較好在1. OGPa以上，更好在3. OGPa以上，進一步更好在7. 5GPa以上。
上部電介質層1及/或下部電介質層3由2層以上的有機高分子膜構成時，構成各層的有機高分子膜最好分別具備以上所述的拉伸彈性率。作為滿足所述特性的有機高分子膜，可例舉聚酰亞胺膜、聚乙烯及聚丙烯等聚烯烴類材料膜、有機硅膜、聚氯乙烯膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯膜等。其中，聚酰亞胺膜的以上所述的各種特性俱佳，因此優選。如上所述，靜電吸盤IOA形成為電極部被由有機高分子膜形成的下部電介質層和上部電介質層夾持的三明治結構，藉此發揮抑制異物所造成的損傷的作用，由于增加下部電介質層的厚度也不會使靜電吸盤的吸附力下降，可發揮抑制異物所造成的損傷的作用， 因此優選。因此，下部電介質層的厚度較好為上部電介質層的厚度的2倍以上，更好為3倍以上，進一步更好為3. 5倍以上。另外，下部電介質層的厚度較好為上部電介質層的厚度的 20倍以下，特好為18倍以下。如上所述，如果增加上部電介質層的厚度則吸附力下降，因此對于上部電介質層的厚度有限制。所以，上部電介質層的厚度較好為500 μ m以下，更好為100 μ m以下，進一步更好為50 μ m以下。上部電介質層越薄吸附力越強，但如果上部電介質層過于薄，則上部電介質層可能會發生絕緣擊穿，出現可能發生膜破損等問題。因此，上部電介質層的厚度較好為10 μ m 以上，更好為15 μ m以上，進一步更好為20 μ m以上，再進一步更好為25 μ m以上。下部電介質層的厚度在50 μ m以上時，可發揮抑制異物所造成的損傷的作用，厚度更好為80 μ m以上，進一步更好為100 μ m以上。如上所述，即使增加下部電介質層的厚度，靜電吸盤的吸附力也不會下降，但如果下部電介質層過于厚，則恐怕下部電介質層的平面度會下降。如上所述，電極部優選為厚度在10 μ m以下的薄膜，因此如果作為電極部的下層的下部電介質層的平面度下降，則恐怕電極部會變形而對靜電吸盤的性能造成不良影響。另外，如果下部電介質層的平面度下降， 則不僅電極部，恐怕上部電介質層的平面度、即靜電吸盤的吸盤面的平面度也會下降。吸盤面的平面度下降，則恐怕吸附力會降低，吸附力也會不均。因此，下部電介質層的厚度較好在500 μ m以下，更好為300 μ m以下，進一步更好在200 μ m以下。靜電吸盤的吸盤面的平面度較好在5μπι以下，更好在3μπι以下，進一步更好在 2μπι以下。吸盤面的平面度例如可用三維測定儀進行測定。為了獲得良好的吸盤面的平坦度，下部電介質層及上部電介質層任何一方的厚度分布(厚度的最大值和最小值的差)優選均在5 μ m以下。上部電介質層及下部電介質層的厚度合計為60 1000 μ m時，可同時實現抑制異物所造成的損傷的作用的發揮及靜電吸盤所要求的其它特性(吸附力、吸盤面的平面度等)，因此優選，更好為65 1000 μ m,進一步更好為75 800 μ m,再進一步更好為100 600μπι，特好為150 500μπι。另外，上部電介質層和下部電介質層的厚度差為50 800 μ m,特好為100 300 μ m,下部電介質層優選比上部電介質層厚。對于在主體上形成下部電介質層的方法及在電極部上形成上部電介質層的方法無特別限定。由于下部電介質層及上部電介質層由有機高分子膜形成，因此可預先制作所希望的厚度的有機高分子膜，用粘接劑或通過熱熔融將制得的膜貼附在主體上或電極部。 另外，也可在主體上或電極部上直接形成有機高分子膜。
圖3是表示本發明的EUV掩模基板的制造方法中采用的靜電吸盤的另一構成例的側視圖。圖3所示的靜電吸盤IOB在形成為電極部2被由有機高分子膜形成的下部電介質層3及上部電介質層1夾持的三明治結構這一點上與圖1所示的靜電吸盤IOA相同，但對上部電介質層1的吸附面側施以凹凸加工而具備突起部5。通過具備該突起部5，與被吸附保持的玻璃襯底的接觸面積減少。利用該構成，可將靜電吸盤和玻璃襯底之間的顆粒等異物的夾雜部位限定于僅在凸部，即使有異物夾在凸面，也能夠抑制對玻璃襯底表面及成為吸盤面的上部電介質層表面造成損傷這一情況的發生。所述突起部的高度必須是相對于吸盤主體的平坦度明顯的尺寸，較好為5μπι以上，更好為10 μ m以上。突起部5的高度較好為50 μ m以下，更好為25 μ m以下，進一步更好為20 μ m以下。另外，突起部的個數較好為3個以上，更好為5個以上。突起部的個數較好為15000 個以下，更好為4000個以下。各突起部優選在上部電介質層的吸附面大致均等地形成。所述突起部與被吸附保持的玻璃襯底的接觸面積合計為所述上部電介質層的表面積的0. 1 25. 0%，特好為0. 5 5%。所述突起部優選通過上部電介質層表面的凹凸加工來形成，具體可例示用胼進行的濕法蝕刻等。實施本發明的EUV掩模基板的制造方法時，吸附保持EUV掩模基板用玻璃襯底的背面側(相對于形成反射膜及吸收層的光學面的背面側)，但EUV掩模基板用玻璃襯底也會出現在玻璃襯底的背面側產生損傷的問題。以上構成的靜電吸盤由于發揮抑制異物所造成的損傷的作用，因此適用于吸附保持對于背面側的損傷有嚴格要求的EUV掩模基板用玻璃襯底。本發明的EUV掩模基板的制造方法中，在用以上構成的靜電吸盤吸附保持的玻璃襯底上，更具體來講是玻璃襯底的光學面上通過濺射法至少依次形成反射EUV光的反射層及吸收EUV光的吸收層。EUV掩模基板用玻璃襯底被要求具備低熱膨脹系數。具體來講，22°C下的熱膨脹系數較好為 0 士 0. 1 X10—7°C，更好為 0 士 0.05 X10—7°C，進一步更好為 0 士 0.03 X10—7°c。因此，EUV掩模基板用玻璃襯底采用具備低熱膨脹系數的玻璃、例如SiO2-TiO2類玻璃或有β 石英固溶體析出的結晶化玻璃或石英玻璃。另外，要求EUV掩模基板用玻璃襯底的平滑性及平坦度優良。具體來講，具有表面粗糙度(rms)在0. 15nm以下的平滑的表面和IOOnm以下的平坦度時，圖案形成后的光掩模可獲得高反射率和轉印精度，所以優選。另外，要求EUV掩模基板用玻璃襯底對于用于掩模基板或圖案形成后的光掩模的清洗等的清洗液的耐受性良好。EUV掩模基板用玻璃襯底的大小和厚度等可根據掩模的設計值等適當決定。優選在EUV掩模基板用玻璃襯底的背面側形成導電膜。采用以上所述結構的靜電吸盤時，也可直接吸附保持背面側未形成有導電膜的玻璃襯底。但是，利用靜電吸盤直接吸附保持既是絕緣體又是電介質的玻璃襯底時，必須施加高電壓，因此玻璃襯底可能會發生絕緣擊穿。所以，優選在利用靜電吸盤被吸附保持的玻璃襯底的背面側形成導電膜。在玻璃襯底的背面側形成導電膜時，選擇構成材料的電導率及厚度使得薄膜電阻達到100Ω/ □以下。作為導電膜的構成材料，可從公知的文獻中記載的材料中廣泛地選擇。例如，可采用日本專利特表2003-501823號公報中記載的高介電常數涂層，具體為由硅、TiN、鉬、鉻、TaSi形成的涂層。但是，優選形成CrN膜作為導電膜，因為該導電膜表面的表面粗糙度小，所以與吸盤面的密合性良好，并且該導電膜的薄膜電阻低，所以吸力良好。導電膜的厚度例如可以是10 lOOOnm。導電膜可采用例如磁控濺射法、離子束濺射法之類的濺射法或CVD法、真空蒸鍍法、電鍍法等公知的成膜方法來形成。對于EUV掩模基板的反射層所特別要求的特性是高EUV光線反射率。具體來說， 對反射層表面以6度的入射角度照射EUV光的波長區域的光線時，波長13. 5nm附近的光線反射率的最大值較好是在60%以上，更好是在65%以上。此外，即使是在反射層上設置有保護層的情況下，波長13. 5nm附近的光線反射率的最大值也較好是在60%以上，更好是在 65%以上。因為可實現高EUV光線反射率，所以通常使用使高折射率層和低折射率層交替層疊多次而得的多層反射膜作為反射層。形成反射層的多層反射膜中，高折射率層廣泛使用 Mo，低折射率層廣泛使用Si。即，Mo/Si多層反射膜是最常規的。但是，多層反射膜不限定于此，也可使用Ru/Si多層反射膜、Mo/Be多層反射膜、Mo化合物/Si化合物多層反射膜、 Si/Mo/Ru多層反射膜、Si/Mo/Ru/Mo多層反射膜、Si/Ru/Mo/Ru多層反射膜。構成多層反射膜的各層的膜厚和層的重復次數可根據所用的膜材料和多層反射膜所要求的EUV波長區域的峰值反射率來適當選擇。以Mo/Si多層反射膜為例，要制成EUV 波長區域的峰值反射率在60%以上的多層反射層時，只要將膜厚2. 3士0. Inm的Mo層和膜厚4. 5士0. Inm的Si層以30 60的重復次數依次層疊即可。還有，構成多層反射膜的各層可采用磁控濺射法、離子束濺射法等周知的成膜方法形成為所要的厚度。例如，采用離子束濺射法形成Mo/Si多層反射膜的情況下，較好是使用Mo靶作為靶材，使用Ar氣體(氣壓1. 3 X 10 2. 7 X I(T2Pa)作為濺射氣體，在離子加速電壓300 1500V、成膜速度0. 03 0. 30nm/秒的條件下，按照厚度達到2. 3nm的條件形成Mo膜，接著使用Si靶作為靶材，使用Ar氣體(氣壓1. 3 X KT2Pa 2. 7 X I(T2Pa)作為濺射氣體，在離子加速電壓300 1500V、成膜速度0. 03 0. 30nm/秒的條件下，按照厚度達到4. 5nm的條件形成Si膜。將上述步驟作為1個周期，進行40 50個周期的Mo膜和 Si膜的層疊，藉此形成Mo/Si多層反射膜。反射層為多層反射膜的情況下，為防止該多層反射膜的表面被氧化，較好是該多層反射膜的最上層是不易被氧化的材料的層。不易被氧化的材料的層起到反射層的蓋層 (cap layer)的作用。作為起到蓋層的作用的不易被氧化的材料的層的具體例子，可例示 Si層。形成反射層的多層反射膜是Mo/S i多層反射膜的情況下，通過以Si層作為最上層， 可使該最上層起到蓋層的作用。此時，蓋層的膜厚較好是11 士2nm。對于吸收層所特別要求的特性是EUV光線反射率極低。具體來說，對吸收層表面照射EUV光的波長區域的光線時，波長13. 5nm附近的最大光線反射率較好是在0. 5%以下， 更好是在0. 以下。為實現上述特性，優選由EUV光的吸收系數高的材料構成，較好是由以鉭(Ta)為主成分的材料形成。
作為該吸收層，可例舉以下述比例含有Ta、B、Si及氮(N)的層(TaBSiN膜)。B的含有率為Iat %以上但低于^it %，較好為1 4. ^it %，更好為1.5 4at%。Si的含有率為1 25at%，較好為1 20at%，更好為2 12at%。Ta 及 N 的組成比(Ta N)為 8 1 1 1。Ta的含有率較好為50 90at %，更好為60 80at %。N的含有率較好為5 30at %，更好為10 25at %。以上的組成的吸收層的結晶狀態為非晶態，表面平滑性良好。所述組成的吸收層的表面粗糙度為0. 5nm rms以下。吸收層表面的表面粗糙度如果較大，則形成于吸收層的圖案的邊緣粗糙度增大，圖案的尺寸精度變差。隨著圖案變得微細，邊緣粗糙度的影響變得顯著，因此要求吸收層的表面平滑。如果吸收層表面的表面粗糙度為0. 5nm rms以下，則吸收層表面足夠平滑，因此不會因邊緣粗糙度的影響而導致圖案的尺寸精度變差。吸收層表面的表面粗糙度更好是 0. 4nm rms以下，進一步更好是在0. 3nm rms以下。吸收層由于為以上所述的構成，所以作為蝕刻氣體使用氯系氣體實施干法蝕刻時的蝕刻速度快，與反射層(在反射層上生成緩沖層時為緩沖層)的蝕刻選擇比在10以上。 本說明書中，可用下式算出蝕刻選擇比。蝕刻選擇比=(吸收層的蝕刻速度)/(反射層(在反射層上生成緩沖層時為緩沖層)的蝕刻速度)蝕刻選擇比優選在10以上，更好在11以上，進一步更好為12以上。吸收層的厚度較好為50 lOOnm。以上構成的吸收層可采用磁控濺射法或離子束濺射法這樣的濺射法等周知的成膜方法形成。采用磁控濺射法時，可通過下述(1) (3) 的方法來形成吸收層。(1)使用Ta靶、B靶及Si靶，在經Ar稀釋的氮(N2)氣氛中使這些靶同時放電，藉此形成吸收層15。(2)使用TaB化合物靶及Si靶，在經Ar稀釋的N2氣氛中使這些靶同時放電而形成吸收層。(3)使用TaBSi化合物靶，在經Ar稀釋的隊氣氛中使該三元素一體化的靶放電而形成吸收層。以上的方法中，使2個以上的靶同時放電的方法((1)、(2))通過調節各靶的投入功率，可控制所形成的吸收層的組成。其中的( 及(3)的方法因為可避免放電的不穩定化及膜組成或膜厚不均，因此優選，特好的是⑶的方法。1~動5丨化合物靶的組成為1^ = 50 94站％，5丨=5 30站％， B = 1 20at%時，能夠避免放電的不穩定化及膜組成或膜厚不均，因此特別優選。通過以上例示的方法形成吸收層時，具體可按照以下的成膜條件來實施。使用了 TaB化合物靶及Si靶的方法(2)濺射氣體Ar和N2的混合氣體(N2氣體濃度3 80體積％、較好是5 30體積％、 更好是8 15體積％，氣壓1. OXKT1Pa 10 X lO—Pa、較好是1. OXKT1Pa 5X10^^、 更好是 1. OX KT1Pa 3 X I(T1Pa)投入功率(針對各個靶)30 1000W，較好是50 750W，更好是80 500W
成膜速度2. 0 60nm/秒，較好是3. 5 45nm/秒，更好是5 30nm/秒使用了 TaBSi化合物靶的方法(3)濺射氣體Ar和N2的混合氣體(N2氣體濃度3 80體積％、較好是5 30體積％、 更好是8 15體積％，氣壓1. OXKT1Pa 10 X lO—Pa、較好是1. OXKT1Pa 5X10^^、 更好是 1. OX KT1Pa 3 X I(T1Pa)投入功率30 1000W，較好是50 750W，更好是80 500W成膜速度2. 0 60nm/秒，較好是3. 5 45nm/秒，更好是5 30nm/秒制造EUV掩模基板時，還可形成反射層及吸收層以外的各種功能層。作為該功能層的具體例，可例舉形成圖案時以防止反射層受損為目的根據需要在反射層和吸收層之間形成的緩沖層、以提高掩模圖案的檢查時的對比度為目的而在吸收層上根據需要形成的低反射層(掩模圖案的檢查光波長區域內的低反射層)等。緩沖層是通過蝕刻工序、通常為干法蝕刻工序在吸收層上形成圖案時以保護反射層免受蝕刻工序的破壞為目的而設置的。因此，作為緩沖層的材質，可選擇不易受吸收層的蝕刻工序的影響、即蝕刻速度比吸收層的蝕刻速度慢且不易被該蝕刻工序破壞的物質。作為滿足該條件的物質，可例示例如Al及其氮化物、Ru及Ru化合物(RuB、RuSi等)及Si02、 Si3N4^Al2O3或它們的混合物。其中，優選Ru及Ru化合物(RuB, RuSi等)及SiO20另外，基于防止膜應力增大的理由，緩沖層中最好不含Ta及Cr。緩沖層中的Ta、 Cr的含有率都在5at%以下，特好是3at%以下，最好是不含Ta及Cr。緩沖層的厚度為1 60nm，特好為1 10nm。緩沖層可采用磁控濺射法、離子束濺射法等周知的成膜方法形成。通過磁控濺射法形成Ru膜時，優選采用Ru靶作為靶材，作為濺射氣體使用Ar氣體(氣壓1. O X lO^Pa IOX 10-1 )，在投入電壓為30V 1500V、成膜速度為0. 02 1. Onm/秒的條件下形成厚度 2 5nm的膜。制作EUV掩模時，在吸收層形成圖案后，檢查該圖案是否按照設計而形成。該掩模圖案的檢查中，使用通常采用257nm左右的光作為檢查光的檢查機。S卩，利用該257nm左右的光的反射率的差值，具體來講是在吸收層因圖案形成而被除去后露出的面的反射率和未因圖案形成而被除去的殘留的吸收層表面的反射率的差值來進行檢查。這里，前者為反射層表面(或形成于反射層上的緩沖層的表面)。因此，如果反射層表面(或形成于反射層上的緩沖層的表面)對于檢查光波長的光的反射率和吸收層表面對于檢查光波長的光的反射率的差值小，則檢查時的對比度變差，無法進行準確的檢查。作為吸收層的優選例，以上所述的TaBSiN膜的EUV光線反射率極低，具有作為EUV 掩模基板的吸收層的良好特性，但從檢查光波長區域內的角度來看，光線反射率未必足夠低。其結果是，檢查光波長區域的吸收層表面的反射率和反射層表面(或形成于反射層上的緩沖層的表面)的反射率的差值變小，存在不能夠充分獲得檢查時的對比度的可能性。 如果無法充分獲得檢查時的對比度，則在掩模檢查時無法充分判別圖案的缺陷，不能夠進行準確的缺陷檢查。通過在吸收層上形成檢查光波長區域內的低反射層，使得檢查時的對比度趨好， 換言之，檢查光波長區域內的光線反射率變得極低。以該目的形成的低反射層在檢查光波長區域內的光線照射至該低反射層表面時，該檢查光波長區域內的最大光線反射率較好在15%以下，更好在10%以下，進一步更好在5%以下。檢查光波長區域內的最大光線反射率如果在15%以下，則該檢查時的對比度趨好。具體來講，反射層表面(或形成于反射層上的緩沖層的表面)的反射光(檢查光波長區域內的反射光)和低反射層表面的反射光(檢查光波長區域內的反射光)的對比度達到 40%以上。本說明書中，對比度可采用下式求得。對比度(％) = ((R2-R1) / (RJR1)) XlOO這里，R2為反射層表面(或形成于反射層上的緩沖層的表面)的反射率(檢查光波長下的反射率)，R1為低反射層表面的反射率(檢查光波長下的反射率)。本發明中，以上式表示的對比度更好為45%以上，進一步更好為60%以上，特好為80%以上。為了實現以上特性，低反射層優選由檢查光的波長的折射率低于吸收層的材料構成，其結晶狀態最好為非晶態。作為該低反射層的具體例，可例舉以下述比例含有Ta、B、Si及氧(0)的層(低反射層(TaBSiO))。B的含有率為Iat %以上但低于^it %，較好為1 4. ^it %，更好為1.5 4at%。Si的含有率為1 25at %，較好為1 20at %，更好為2 IOat %。Ta及0的組成比(Ta 0)為7 2 1 2，較好為7 2 1 1，更好為 2 1 1 1。作為低反射層的具體例，可例舉以下述比例含有Ta、B、Si、0及N的層(低反射層 (TaBSiON))οB的含有率為Iat %以上但低于^it %，較好為1 4. ^it %，更好為2 4. Oat %。
Si的含有率為1 25at %，較好為1 20at %，更好為2 IOat %。Ta和0及N的組成比(Ta (0+N))為7 2 1 2，較好為7 2 1 1，更好為2 1 1 1。低反射層(TaBSiO)、(TaBSiON)由于為上述構成，因此其結晶狀態為非晶態，表面平滑性良好。具體來講，低反射層(TaBSiO)、(TaBSiON)表面的表面粗糙度為0. 5nm rms以下。如上所述，為了防止邊緣粗糙度的影響所導致的圖案的尺寸精度變差，要求吸收層表面平滑。由于低反射層形成于吸收層上，因此基于同樣的理由，也要求其表面平滑。如果低反射層表面的表面粗糙度為0. 5nm rms以下，則低反射層表面足夠平滑，因此不會因邊緣粗糙度的影響而導致圖案的尺寸精度變差。低反射層表面的表面粗糙度更好是0. 4nm rms以下，進一步更好是0. 3nm rms以下。在吸收層上形成低反射層時，吸收層和低反射層的合計厚度較好為55 130nm。 另外，低反射層的厚度如果大于吸收層的厚度，則恐怕吸收層的EUV光吸收特性會下降，因此優選低反射層的厚度小于吸收層的厚度。所以，低反射層的厚度較好為5 30nm，更好為 10 20nm。低反射層(TaBSiO)、(TaBSiON)可采用磁控濺射法或離子束濺射法這樣的濺射法等周知的成膜方法形成。采用磁控濺射法時，可通過下述(1) (3)的方法來形成低反射層 CTaBSiO)。(1)使用Ta靶、B靶及Si靶，在經氬氣(Ar)稀釋的氧(O2)氣氛中使這些靶同時放電，藉此形成低反射層(TaBSiO)。(2)使用TaB化合物靶及Si靶，在經氬氣稀釋的氧氣氛中使這些靶同時放電而形成低反射層(TaBSiO)。(3)使用TaBSi化合物靶，在經氬氣稀釋的氧氣氛中使該三元素一體化的靶放電而形成低反射層(TaBSiO)。以上的方法中，使2個以上的靶同時放電的方法((1)、(2))通過調節各靶的投入功率，可控制所形成的低反射層(TaBSiO)的組成。其中的( 及(3)的方法因為可避免放電的不穩定化及膜組成或膜厚不均，因此優選，特好的是⑶的方法。1~動5丨化合物靶的組成為1^ = 50 94站％，5丨=5 30站％， B = 1 20at%時，能夠避免放電的不穩定化及膜組成或膜厚不均，因此特別優選。形成低反射層(TaBSiO)時，也可用經氬氣稀釋的氧 氮混合氣體氣氛替代經氬氣稀釋的氧氣氛來實施與上述同樣的步驟。通過以上的方法形成低反射層(TaBSiO)時，具體可按照以下的成膜條件來實施。使用了 TaB化合物靶及Si靶的方法(2)濺射氣體Ar和&的混合氣體(O2氣體濃度3 80體積％、較好是5 30體積％、 更好是8 15體積％，氣壓1. OXKT1Pa 10 X lO—Pa、較好是1. OXKT1Pa 5X10^^、 更好是 1. OX KT1Pa 3 X I(T1Pa)投入功率(針對各個靶)30 1000W，較好是50 750W，更好是80 500W成膜速度2. 0 60nm/秒，較好是3. 5 45nm/秒，更好是5 30nm/秒使用了 TaBSi化合物靶的方法(3)濺射氣體Ar和&的混合氣體(O2氣體濃度3 80體積％、較好是5 30體積％、 更好是8 15體積％，氣壓1. OXKT1Pa 10 X lO—Pa、較好是1. OXKT1Pa 5X10^^、 更好是 1. OX KT1Pa 3 X I(T1Pa)投入功率30 1000W，較好是50 750W，更好是80 500W成膜速度2. 0 50nm/秒，較好是2. 5 35nm/秒，更好是5 25nm/秒通過以上的方法形成低反射層(TaBSiON)時，具體可按照以下的成膜條件來實施。使用了 TaB化合物靶及Si靶的方法(2)濺射氣體Ar和&和N2的混合氣體(O2氣體濃度5 30體積％ ,N2氣體濃度5 30體積％，較好是&氣體濃度6 25體積％、N2氣體濃度6 25體積％，更好是仏氣體濃度10 20體積％、N2氣體濃度15 25體積％，氣壓1. OX KT2Pa 10 X l(T2Pa、較好是 1.0X KT2I^a 5Xl(T2Pa、更好是 1.0X KT2I^a 3 X I(T2Pa)投入功率(針對各個靶)30 1000W，較好是50 750W，更好是80 500W成膜速度2. 0 50nm/秒，較好是2. 5 35nm/秒，更好是5 25nm/秒使用了 TaBSi化合物靶的方法(3)濺射氣體Ar和&和N2的混合氣體(O2氣體濃度5 30體積％ ,N2氣體濃度5 30體積％，較好是&氣體濃度6 25體積％、N2氣體濃度6 25體積％，更好是仏氣體濃度10 20體積％、N2氣體濃度15 25體積％，氣壓1. OX KT2Pa 10 X l(T2Pa、較好是
1.0X KT2I^a 5Xl(T2Pa、更好是 1.0X KT2I^a 3 X I(T2Pa) 投入功率30 1000W，較好是50 750W，更好是80 500W 成膜速度2. 0 50nm/秒，較好是2. 5 35nm/秒，更好是5 25nm/秒最好在吸收層上形成低反射層是因為圖案的檢查光的波長和EUV光的波長不同的緣故。因此，作為圖案的檢查光使用EUV光(13.5nm附近)時，無需在吸收層上形成低反射層。檢查光的波長存在隨著圖案尺寸的減小向短波長側位移的傾向，將來可能會位移至 193nm、甚至13. 5nm。檢查光的波長為13. 5nm時，無需在吸收層上形成低反射層。
實施例以下，采用實施例對本發明進行進一步說明。(實施例1)實施例1中，使用圖1、2所示的靜電吸盤IOA0靜電吸盤IOA按照以下步驟制得。在氧化鋁制主體11上使厚125 μ m的聚酰亞胺膜加熱熔融而形成下部電介質層3。為了連接電極部2和外部電源，貫通圖2所示的電極孔22及23，利用該電極孔22 及23，下部電介質層3及主體11與外部電極端子連接。在下部電介質層3上通過濺射法形成厚1 μ m的銅薄膜后，介以所要形狀的掩模進行蝕刻，藉此形成具有圖2所示的電極圖案的電極部2。然后，在電極部2上使厚50 μ m的聚酰亞胺膜加熱熔融而形成上部電介質層1。即使在加熱熔融后該聚酰亞胺膜的厚度也無變化。用于上部電介質層1及下部電介質層3的聚酰亞胺膜的物性等如下所述。絕緣擊穿電壓6. 8kV抗拉強度520MPa拉伸伸長率42%拉伸彈性率9. IGPa相對于上部電介質層厚度的下部電介質層厚度的倍率125 μ m/50 μ m = 2. 5靜電吸盤的吸盤面是直徑13cm的圓形。如圖5所示，用通過以上方法制成的靜電吸盤IOA吸附保持EUV掩模基板用玻璃襯底，在該玻璃襯底上通過濺射法依次形成了反射EUV光的反射層、緩沖層和吸收EUV光的吸收層。玻璃襯底30是以S^2為主成分的零膨脹玻璃，22°C下的熱膨脹系數為0/°C。在玻璃襯底30的吸附保持面側形成導電膜40。導電膜40的薄膜電阻率為 90 Ω / □，為厚70nm的氮化鉻(CrN)膜。在靜電吸盤的電極間電壓為1000V、壓力為2.0X10_4托的真空中以30rpm使靜電吸盤旋轉的同時將其保持2小時。在吸附保持前后測定玻璃襯底的吸附保持面的缺陷數。具體來講，用市場上銷售的缺陷檢查裝置(激光技術(Lasertec)公司制M1350)以142mm見方的檢查范圍檢測200nm 以上的缺陷數。其結果是，吸附保持后增加的缺陷數為1. OX IO3個。按照與上述同樣的步驟重復玻璃襯底的吸附保持10次，靜電吸盤的吸附力未見下降。
(實施例2)實施例2中使用了圖3所示的靜電吸盤10B。靜電吸盤IOB如下制得實施上述靜電吸盤IOA的制作步驟后，在上部電介質層1放置具有所要的凹凸圖案的掩模，用胼進行濕法蝕刻，形成突起部5。突起部的圖案如圖4所示，將突起部的總表面積調整為進行濕法蝕刻前的上部電介質層1的表面積的1%。另外，突起部的高度為lOym。因此，無突起部處的上部電介質層1的厚度為40 μ m。采用制得的靜電吸盤10B，與實施例1同樣地實施玻璃襯底的吸附保持。吸附保持后增加的缺陷數為1. OX IO2個。與實施例1同樣，重復玻璃襯底的吸附保持10次，靜電吸盤的吸附力未見下降。(實施例3)實施例3中使用了下部電介質層及上部電介質層由2片聚酰亞胺膜制得的圖1、2 所示的靜電吸盤IOA0靜電吸盤IOA按照以下步驟制得。在氧化鋁制主體11上使2片厚125 μ m的聚酰亞胺膜重疊并加熱熔融而形成下部電介質層3。2片膜重疊厚度達到2倍的理由是為了增加厚度從而提高機械耐久性。為了連接電極部2和外部電源，貫通圖2所示的電極孔22及23，利用該電極孔22 及23，下部電介質層3及主體11與外部電極端子連接。在下部電介質層3上通過濺射法形成厚1 μ m的銅薄膜后，介以所要形狀的掩模進行蝕刻，藉此形成具有圖2所示的電極圖案的電極部2。 然后，在電極部2上使2片厚7. 5 μ m的聚酰亞胺膜重疊并加熱熔融而形成上部電介質層1。2片膜重疊的理由是為了獲得所要的上部電介質層的厚度。用于上部電介質層1及下部電介質層3的聚酰亞胺膜的物性如下所述。絕緣擊穿電壓6. 8kV抗拉強度520MPa拉伸伸長率42%拉伸彈性率9. IGPa相對于上部電介質層厚度的下部電介質層厚度的倍率250 μ m/15 μ m = 16. 7靜電吸盤的吸盤面是直徑13cm的圓形。(比較例1)使用以Al2O3為吸附保持面的現有的靜電吸盤，即圖1的靜電吸盤IOA中電介質層 1、3和主體11作為一體的Al2O3制得的吸盤，與實施例同樣地實施了玻璃襯底的吸附保持。 吸附保持后增加的缺陷數為1.0X104個，得到了相對于實施例1要差1個數量級、相對于實施例2要差2個數量級的不良結果。(比較例2)制作從實施例1的結構中除去了下部電介質層3的靜電吸盤。與實施例1同樣地實施了玻璃襯底的吸附保持。重復玻璃襯底的吸附保持10次后吸附力消失。由于靜電吸盤和玻璃襯底之間夾有顆粒等異物，在作為上部電介質層1的聚酰亞胺膜上開孔，電極部 2和導電膜40出現完全或不完全的短路，導致電勢差消失或發生異常放電，因此吸附力消失。通過10次吸附保持操作吸附力就消失的靜電吸盤事實上無法實用化。(比較例3)
制作從實施例2的結構中除去了下部電介質層3的靜電吸盤。與實施例2同樣地實施了玻璃襯底的吸附保持。重復玻璃襯底的吸附保持10次后吸附力消失。由于靜電吸盤和玻璃襯底之間夾有顆粒等異物，在作為上部電介質層1的聚酰亞胺膜上開孔，電極部 2和導電膜40出現完全或不完全的短路，導致電勢差消失或發生異常放電，因此吸附力消失。通過10次吸附保持操作吸附力就消失的靜電吸盤事實上無法實用化。由實施例1 2和比較例1 3相比可明確，本發明的靜電吸盤可實用化且不易起塵。(實施例4)本實施例中，按照以下步驟制作EUV掩模基板。采用實施例1使用的靜電吸盤IOA吸附保持玻璃襯底。玻璃襯底是以SW2為主成分的零膨脹玻璃，22°C下的熱膨脹系數為0/°C。在玻璃襯底的吸附保持面側形成導電膜。 導電膜的薄膜電阻率為90Ω/ □，為厚70nm的氮化鉻(CrN)膜。采用離子束濺射法在玻璃襯底的光學面上交替地形成Mo膜和Si膜，將此作為1 個周期，重復50個周期，藉此形成合計膜厚340nm( (2. 3nm+4. 5nm) X 50)的Mo/Si多層反射膜。Mo膜及Si膜的成膜條件如下所述。Mo膜的成膜條件革巴Mo革巴濺射氣體Ar氣(氣壓0. 02Pa)電壓700V成膜速度0. 064nm/秒膜厚2.3nmSi膜的成膜條件靶Si靶(摻雜有硼)濺射氣體Ar氣(氣壓0. 02Pa)電壓700V成膜速度0. 077nm/秒膜厚4.5nm然后，在Mo/Si多層反射膜上通過離子束濺射法形成作為緩沖層的Ru層。緩沖層的形成條件如下所述。革巴Ru革巴濺射氣體Ar氣(氣壓0. 02Pa)電壓700V成膜速度0. 052nm/秒膜厚2. 5nm接著，用磁控濺射法在保護層上形成作為吸收層的TaBSiN層。TaBSiN層的成膜條件如下所述。TaBSiN層的成膜條件IE TaBSi 化合物靴(組成比Ta 80at%, B IOat%，Si IOat% )
濺射氣體=Ar和N2的混合氣體(Ar 86體積%,N2 14體積%，氣壓0. 3Pa)投入功率150W成膜速度0. 12nm/秒膜厚60nm接著，用磁控濺射法在吸收層上形成作為低反射層的TaBSiON層，藉此獲得襯底上依次設置了 Mo/Si多層反射膜、Ru層、TaBSiN層及TaBSiON層的EUV掩模基板。TaBSiON膜的成膜條件如下所述。TaBSiON層的成膜條件革巴TaBSi革巴(組成比Ta 80at%, B IOat%, Si IOat% )濺射氣體=Ar和N2和O2的混合氣體(Ar 60體積%,N2 20體積%,02 20體積%， 氣壓0. 3Pa)投入功率150W成膜速度0. 18nm/秒膜厚IOnm通過以上步驟制得的EUV掩模基板的缺陷少，確認其為適用于EUV掩模的掩模基板。(實施例5)本實施例中，除了作為玻璃襯底的吸附保持用靜電吸盤采用實施例2中使用的靜電吸盤IOB以外，實施與實施例4同樣的步驟，獲得襯底上依次設置了 Mo/Si多層反射膜、 Ru層、TaBSiN層及TaBSiON層的EUV掩模基板。所得EUV掩模基板的缺陷少，確認其為適用于EUV掩模的掩模基板。產業上利用的可能性本發明在玻璃襯底上形成被膜時，可利用靜電吸盤以足夠的吸附保持力保持玻璃襯底，且可抑制靜電吸盤和玻璃襯底之間因夾雜顆粒等異物而對玻璃襯底表面及吸盤面造成損傷這一情況的發生，因此最適合用于即使是出現微小的損傷也會成為很大問題的EUV 掩模基板的制造方法。這里引用2009年1月28日提出申請的日本專利申請2009-016283號、2009年11 月30日提出申請的日本專利申請2009-271597號及2009年12月14日提出申請的日本專利申請2009-282872號的說明書、權利要求書、附圖以及摘要的全部內容作為本發明的說明書的揭示。符號的說明1 上部電介質層2 電極部3:下部電介質層5 突起部10AU0B 靜電吸盤11 主體30 玻璃襯底40:導電膜
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權利要求
1.EUVL用反射型掩模基板的制造方法，該方法是用靜電吸盤吸附保持玻璃襯底，通過濺射法在所述玻璃襯底上至少依次形成反射EUV光的反射層及吸收EUV光的吸收層的EUV 光刻(EUVL)用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤在主體上依次具備由有機高分子膜形成的下部電介質層、 由導電性材料形成的電極部及由有機高分子膜形成的上部電介質層，所述電極部包括正電極和負電極。
2.EUVL用反射型掩模基板的制造方法，該方法是用靜電吸盤吸附保持玻璃襯底，通過濺射法在所述玻璃襯底上形成反射EUV光的反射層以及在該反射層的上層形成吸收EUV光的吸收層的EUV光刻(EUVL)用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，至少在形成所述反射層及所述吸收層時，所述靜電吸盤在主體的吸附面側依次具備由有機高分子膜形成的下部電介質層、由導電性材料形成的電極部及由有機高分子膜形成的上部電介質層，所述電極部包括正電極和負電極。
3.如權利要求1或2所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤的所述下部電介質層包含2層以上的有機高分子膜。
4.如權利要求1 3中任一項所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤的所述上部電介質層包含2層以上的有機高分子膜。
5.如權利要求1 4中任一項所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤的所述下部電介質層及所述上部電介質層的絕緣擊穿耐壓在3. OkV以上。
6.如權利要求1 5中任一項所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤的所述下部電介質層及所述上部電介質層的抗拉強度在50MPa以上。
7.如權利要求1 6中任一項所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤的所述下部電介質層及所述上部電介質層的拉伸伸長率在20 %以上。
8.如權利要求1 7中任一項所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤的所述下部電介質層及所述上部電介質層的拉伸彈性率在1. OGPa以上。
9.如權利要求1 8中任一項所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤的所述下部電介質層及所述上部電介質層包括選自聚酰亞胺膜、聚烯烴類材料膜、有機硅膜、聚氯乙烯膜及聚對苯二甲酸乙二醇酯膜的至少1層有機高分子膜。
10.如權利要求1 9中任一項所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤的所述下部電介質層的厚度為所述上部電介質層的厚度的2倍以上。
11.如權利要求1 10中任一項所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤的所述上部電介質層的厚度為10 500 μ m。
12.如權利要求1 11中任一項所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤在所述上部電介質層的吸附面側具備用于減少與被吸附保持的玻璃襯底的接觸面積的突起部。
13.如權利要求12所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤的所述突起部的高度為5 50 μ m。
14.如權利要求12或13所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤的所述突起部與被吸附保持的玻璃襯底的接觸面積合計為所述上部電介質的表面積的0. 1 25. 0%。
15.如權利要求1 14中任一項所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤的所述正電極及所述負電極分別具有梳齒型的形狀，各梳齒以隔開空隙鄰接的方式配置。
16.如權利要求1 15中任一項所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，所述靜電吸盤的所述電極部的厚度在10 μ m以下。
17.如權利要求1 16中任一項所述的EUVL用反射型掩模基板的制造方法，其特征在于，在所述玻璃襯底的被吸附保持于所述靜電吸盤的一側的表面設置有導電膜。
全文摘要
本發明提供靜電吸盤和玻璃襯底之間因夾雜顆粒等異物而對玻璃襯底表面或吸盤面造成損傷這一情況的發生得到抑制的EUV掩模基板的制造方法。該EUV掩模基板的制造方法的特征在于，吸附保持玻璃襯底的靜電吸盤在主體上依次具備由有機高分子膜形成的下部電介質層、由導電性材料形成的電極部及由有機高分子膜形成的上部電介質層，所述電極部包括正電極和負電極。
文檔編號H02N13/00GK102292807SQ201080005564
公開日2011年12月21日 申請日期2010年1月26日 優先權日2009年1月28日
發明者伊勢博利, 木下健 申請人:旭硝子株式會社