專利名稱：一種突波吸收器的制作方法
技術領域：
本實用新型是關于一種吸收器，特別是指一種突波吸收器。
背景技術：
突波吸收器為一種電路保護組件，主要功能為保護電子電路免于遭受突波的干擾 與破壞，應用范圍包括信息、通訊及消費性電子產品。 一般來說產生突波的主要原因有兩 種一種是打雷閃電所產生的雷突波，而另一種是由電路開閉所造成的開閉突波。雷突波是 自然界所產生的，因此如果要設計電路，必須在容易產生打雷的地區使用，所以加入適當的 保護是有必要的；而開閉突波是電路導通的瞬間所產生的突波，當突波產生時，若電子電路 如果沒有突波保護，那么電路就容易因開閉突波而產生誤動作，甚至可能會導致電路因過 載而損壞，或因為長時間受到突波的干擾而使電子產品壽命降低。 請參閱圖l，其為運用現有突波吸收器的電源供應器的電路圖。如圖所示，電源供 應器包含一變壓器T，其具有一一次側繞組Np與一二次側繞組Ns，一次側繞組Np的一端耦接 一輸入端Vrc，以接收輸入電源， 一次側繞組NP的另一端耦接一開關Q，開關Q透過一電阻R 耦接于接地端。變壓器T的二次側繞組Ns的一端耦接一整流器D的一端， 一電容C耦接于 整流器D的另一端與二次側繞組Ns的另一端之間，電容C。亦耦接于電源供應器的輸出端， 電源供應器的輸出端用于提供一輸出電壓V。。控制器1依據電阻R所產生的一感測訊號而 產生一控制訊號，以控制開關Q的導通與關閉，進而控制變壓器T，以調整輸出電壓V。。輸 入端Vrc更耦接控制器1以提供電源至控制器1。 由于開關Q會時常切換，如此即會在開關Q的汲極產生高壓突波，當此電壓突波發
生時，若無適當方式抑制則開關Q將會受到過高的電壓突波而損壞開關Q，又或者突波的能
量影響開關Q的正常頻率響應效能，而造成功率損失加大，因而使得開關Q的溫度提升，則
開關Q的可靠度下降，導致整體電路運作的功率因素惡化。基于上述因素， 一突波吸收器5
耦接于輸入端Vee與開關Q的汲極，以用于消除開關Q所產生的突波。突波吸收器5用于將突波導引至電源端，以消除突波。然而，由于突波所有產生的
能量全部經由突波吸收器5導引至電源端，又因突波吸收器5具有一定內阻，所以流經突波
吸收器5的較大的電流會轉換成較高的溫度，如此會造成較高的功率損失，使得有效的功
率下降，也因為突波吸收器5本體的溫度上升而會致使突波吸收器5的可靠度下降。現今，
電子產品發展相當快速且功能相當廣泛，如此功率越來越大且體積越來越小，所以工作頻
率越來越廣，且頻率越來越高，因此傳統的突波吸收器必須加大功率才足以應付所需，但相
對其無效功率損耗會越來越高，如此即不符合現今節能訴求，而切耗費電源。 因此，本實用新型即在針對上述問題而提出一種突波吸收器，不僅可改善突波吸
收器無效功率損耗及本身溫度升高的缺點，又可增加消除突波的效能與其可靠度，以解決
上述問題。
發明內容本實用新型的目的之一，在于提供一種突波吸收器，其通過由增設一第三接腳而與 其它電子組件配合，以有效消除高壓突波，以降低突波吸收器本身的溫度并增加其可靠度。 本實用新型的目的之二，在于提供一種突波吸收器，其通過由整合第一二極管與 第二二極管而為單一電子組件，如此可減小用于電子基板中所占用的體積，以改善電路設 計應用以及加工的容易度。 為實現本實用新型的目的及解決其技術問題是通過以下技術方案來實現的。
本實用新型所述的一種突波吸收器，其包含有一第一二極管，具有一第一接腳； 一第二二極管，連接于該第一二極管，且具有一第二接腳；以及一第三接腳，設置于該第 一二極管與該第二二極管的接合處。 本實用新型的有益效果是本實用新型通過由于第一二極管與第二二極管的接合 處設置第三接腳，其可利于直接導引突波能量，而可降低突波吸收器本身的溫度，如此即可 提升突波吸收器的可靠度。
C電容電容c2電容電容D整流器NP一次側繞組Ns二次側繞組Q開關R電阻R2電阻T變壓器v0輸出電壓vcc輸入端
具體實施方式為使對本實用新型的結構特征及所達成的功效有更進一步的了解與認識，用以較 佳的實施例及配合詳細的說明，說明如下 首先，請參閱圖2，為本實用新型突波吸收器運用于電源供應器的一較佳實施例的 電路圖。如圖所示，電源供應器包含變壓器T，其具有一次側繞組Np與二次側繞組K，一次 側繞組NP耦接輸入端Vcc以接收輸入電源，以在二次側繞組Ns提供輸出電壓V。。變壓器T 的二次側繞組Ns耦接整流器D與電容Q，電容Q用于過濾輸出電壓V。。此外， 一次側繞組 NP耦接開關Q，開關Q透過電阻R耦接于接地端控制器1，以依據電阻R所產生的感測訊號 而產生控制訊號，以控制開關Q的導通與關閉，進而控制變壓器T，以調整輸出電壓V。。輸 入端Vrc更耦接控制器1以提供電源至控制器1。 此外，開關Q的汲極與輸入端V①之間耦接本實用新型的突波吸收器10，以用于消 除開關Q所產生的高壓突波。本實用新型的突波吸收器10具有三只接腳，以通過由第三接 腳連接于一電阻R2與一電容C2，而電阻R2與電容C2并耦接于輸入端Vrc。由于電容C2位于 高頻狀態下時可視為短路，故突波吸收器io可將大部分的突波能量用較低的損耗引導至 輸入端Vrc，如此即可降低發生在突波吸收器10上的損耗，因而可大幅降低突波吸收器10的 溫度，進而可提高突波吸收器10的可靠度。電容C2的電容值可依據整體電路的需求而調 整，所以運用本實用新型的突波吸收器10比現有突波吸收器具有較大的適用范圍，亦可提 高整體電路的有效功率因素。另外，因本實用新型的突波吸收器IO為單一電子組件，且因 具有較低的本體溫度，所以可作成插件式封裝(DIP)型式之外，亦可封裝成貼片包裝(SMD) 型式，而更進一步降低突波吸收器10所占的體積。 請參閱圖3，為本實用新型突波吸收器的一較佳實施例的電路圖。如圖所示，本實 用新型的突波吸收器10包含一第一二極管12、一第一接腳13、一第二二極管16、一第二接 腳18與一第三接腳19。第一接腳13連接于第一二極管12的正極，第二接腳18連接于第 二二極管16的正極，而第一二極管12的負極連接于第二二極管16的負極。第三接腳19 耦接于第一二極管12與第二二極管16的接合處。第二二極管16的較佳實施例可為一瞬 時電壓二極管(Transient Voltage Su卯ressor， TVS)，又或者第一二極管12可為瞬時電 壓二極管。 請參閱圖4，為本實用新型突波吸收器的第一較佳實施例的結構圖。如圖所示，本 實用新型的突波吸收器10的第一二極管12包含一 P極121與一 N極123，第二二極管16 包含一P極161與一N極163，第一二極管12與第二二極管16的P極121、 161即為正極， N極123、 163為負極。第一二極管12的N極123與第二二極管16的N極163相連接，即第一二極管12的負極連接于第二二極管16的負極。第一接腳13連接于第一二極管12的P 極121，第二接腳18連接于第二二極管16的P極161。第三接腳19設置于第一二極管12 的N極123與第二二極管16的N極163的接合處。由于本實用新型的突波吸收器10的第 三接腳19設置于第一二極管12與第二二極管16的接合處，且因第一二極管12與第二二 極管16產生熱能的主要位置為PN極的接面，所以本實用新型突波吸收器10的第三接腳19 可有效導引出第一二極管12與第二二極管16所產生的熱能，而降低溫度，如此突波吸收器 10即會因為溫度下降，而提高其可靠度。 請參閱圖5，為本實用新型突波吸收器的第二較佳實施例的結構圖。如圖所示，此 實施例與上一實施例的不同之處在于此實施例的突波吸收器10更包含一散熱層38，其連 接于第一二極管12的N極123與第二二極管16的N極163，而第三接腳19連接于散熱層 38，如此可通過由散熱層38更提高突波吸收器10的散熱效果。散熱層38可為一散熱片。 請參閱圖6，為本實用新型突波吸收器的第三較佳實施例的結構圖。如圖所示，本 實用新型的突波吸收器10的第一二極管12與第二二極管16包含一 N型井127、一第一 P 型摻雜區125與一第二 P型摻雜區165。第一 P型摻雜區125與第二 P型摻雜區165位于 N型井127且相互間隔。第一接腳13連接于第一P型摻雜區125，第二接腳18連接于第二 P型摻雜區165，第三接腳19連接于N型井127。 請參閱圖7，為本實用新型突波吸收器的第四較佳實施例的結構圖。請一并參閱圖
6，如圖所示，此實施例不同于圖6實施例之處在于此實施例更具有一散熱層40，其設置于N
型井127，而第三接腳19連接于散熱層40，以利于突波吸收器10散熱。 請參閱圖8，為本實用新型突波吸收器的另一較佳實施例的電路圖。請一并參閱圖
3，如圖所示，此實施例不同于圖3實施例之處在于此實施例的突波吸收器10的第一二極管
12的正極與第二二極管16的正極相連接，且第三接腳19設置于第一二極管12與第二二極
管12接合處。 請參閱圖9，為本實用新型突波吸收器的第五較佳實施例的結構圖。請一并參閱 圖4，如圖所示，此實施例不同于圖4實施例之處在于此實施例將第一二極管12的P極121 與第二二極管16的P極161相連接，也就是第一二極管12的正極連接第二二極管16的正 極。第一接腳13連接于第一二極管12的N極123，第二接腳18連接于第二二極管16的N 極163。第三接腳19設置于第一二極管12的P極121與第二二極管16的P極161的接合 處。 請參閱圖IO，為本實用新型突波吸收器的第六較佳實施例的結構圖。請一并參閱
圖5，如圖所示，此實施例不同于圖5實施例之處在于此實施例第一二極管12的P極121與
第二二極管16的P極161連接散熱層38。第一接腳13連接于第一二極管12的N極123，
第二接腳18連接于第二二極管18的N極163，第三接腳19設連接于散熱層38。 請參閱圖ll，為本實用新型突波吸收器的第七較佳實施例的結構圖。請一并參閱
圖6，如圖所示，此實施例不同于圖6實施例之處在于此實施例的第一二極管12與第二二
極管16包含一 P型井128、一第一 N型摻雜區129與第二 N型摻雜區169，第一 N型摻雜區
129與第二 N型摻雜區169位于P型井128并相互間隔。第一接腳13連接于第一 N型摻雜
區129，第二接腳18連接于第二N型摻雜區169，第三接腳19連接于P型井128。 請參閱圖12為本實用新型突波吸收器的第八較佳實施例的結構圖。請一并參閱CN 201450324 U
圖ll，如圖所示，此實施例不同于圖11實施例之處在于此實施例增加一散熱層40，其連接
在P型井128，而第三接腳19設置于散熱層40，以利于突波吸收器10散熱。 綜上所述，本實用新型突波吸收器包含第一二極管、第二二極管與第三接腳，第三
接腳設置于第一二極管與第二二極管接合處，其可利于導引出突波能量，如此即可降低突
波吸收器本身的溫度，也可增加突波吸收器的可靠度，此外本實用新型的突波吸收器更可
增加散熱層，以提高散熱效果。 綜上所述，僅為本實用新型的一較佳實施例而已，并非用來限定本實用新型實施 的范圍，凡依本實用新型權利要求范圍所述的形狀、構造、特征及精神所為之均等變化與修 飾，均應包括于本實用新型的權利要求范圍內。
權利要求一種突波吸收器，其特征在于，其包含有一第一二極管，具有一第一接腳；一第二二極管，連接于該第一二極管，且具有一第二接腳；以及一第三接腳，設置于該第一二極管與該第二二極管的接合處。
2. 根據權利要求l所述的一種突波吸收器，其特征在于，其中該第一二極管或該第二二極管為一瞬時電壓二極管。
3. 根據權利要求l所述的一種突波吸收器，其特征在于，其中該第一二極管與該第二二極管分別包含一正極與一負極，且該第三接腳連接于該第一二極管的該負極與該第二二極管的該負極的接合處，該第一二極管的該第一接腳連接于該第一二極管的該正極，該第二二極管的該第二接腳連接于該第二二極管的該正極。
4. 根據權利要求l所述的一種突波吸收器，其特征在于，其中該第一二極管與該第二二極管分別包含一正極與一負極，且該第三接腳連接于該第一二極管的該正極與該第二二極管的該正極的接合處，該第一二極管的該第一接腳連接于該第一二極管的該負極，該第二二極管的該第二接腳連接于該第二二極管的該負極。
5. 根據權利要求1所述的一種突波吸收器，其特征在于，更包含一散熱層，連接于該第一二極管的一負極與該第二二極管的一負極，且該第三接腳與該散熱層相連接。
6. 根據權利要求1所述的一種突波吸收器，其特征在于，更包含一散熱層，連接于該第一二極管的一正極與該第二二極管的一正極，且該第三接腳與該散熱層相連接。
7. 根據權利要求l所述的一種突波吸收器，其特征在于，其中該第一二極管與該第二二極管包含一N型井，耦接該第三接腳；一第一 P型摻雜區，位于該N型井；以及一第二 P型摻雜區，位于該N型井并與該第一 P型摻雜區間隔。
8. 根據權利要求l所述的一種突波吸收器，其特征在于，其中該第一二極管與該第二二極管包含一P型井，耦接該第三接腳；一第一 N型摻雜區，位于該P型井；以及一第二 N型摻雜區，位于該P型井并與該第一 N型摻雜區間隔。
9. 根據權利要求l所述的一種突波吸收器，其特征在于，其中該第一二極管與該第二二極管包含一N型井；一散熱層，耦接于該N型井，并耦接該第三接腳；一第一 P型摻雜區，位于該N型井；以及一第二 P型摻雜區，位于該N型井，并與該第一 P型摻雜區間隔。
10. 根據權利要求1所述的一種突波吸收器，其特征在于，其中該第一二極管與該第二二極管包含一P型井；一散熱層，耦接于該P型井，并耦接該第三接腳；一第一 N型摻雜區，位于該P型井；以及一第二 N型摻雜區，位于該P型井，并與該第一 N型摻雜區間隔。
專利摘要本實用新型是關于一種突波吸收器，其包含一第一二極管、一第二二極管與一第三接腳，第一二極管具有一第一接腳，第二二極管連接于第一二極管，且具有一第二接接腳，第三接腳設置于第一二極管與第二二極管的接合處。本實用新型將第三接腳耦接于第一二極管與第二二極管接合處，其可有效引出突波能量，而有效降低突波吸收器本身的溫度，進而提升突波吸收器的可靠度。
文檔編號H02H9/04GK201450324SQ200920003840
公開日2010年5月5日 申請日期2009年2月9日 優先權日2009年2月9日
發明者廖哲杏 申請人:典亮科技有限公司