內建增強型金氧半場效晶體管的功率晶體管芯片及其應用電路的制作方法

專利名稱：內建增強型金氧半場效晶體管的功率晶體管芯片及其應用電路的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種電壓調節器(Voltage Regulator)電路，且特別涉及一種內建增 強型金氧半場效晶體管(Enhancement Mode MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor,簡稱Enhancement ModeMOSFET)的功率晶體管芯片及應用此芯片的交/直流 電壓轉換電路。
背景技術：
隨著半導體科技的快速演進，使得例如電腦及其周邊數字產品等也日益地更 新。在電腦及其周邊數字產品的應用集成電路(Integrated Circuit，簡稱IC)中，由于 半導體工藝的快速變化，造成集成電路電源的更多樣化需求，以致應用如升壓器(Boost Converter)、降壓器(Buck Converter)等各種不同組合的電壓調節器電路，來滿足各種集 成電路的不同電源需求，也成為能否提供多樣化數字產品的極重要因素之一。在各種電壓 調節器電路中，交/直流電壓轉換電路(AC/DC Voltage Converter)由于能將一般市售的 交流電源轉換為所需穩定的直流電源輸出，因而廣泛地作為電壓調節器電路的前級電路使 用。請參考圖1所示，其為公知的一種交/直流電壓轉換電路圖，圖中顯示，交/直 流電壓轉換電路10包括橋式整流電路11、功率晶體管芯片12、脈寬調變(Pulse Width Modulation，簡稱PWM)電路13、啟動(Start Up)電路14、變壓器電路15、濾波與回授電路 16與工作電源電路17。其中，脈寬調變電路13用以依據輸出的直流電源Vo的回授電壓大 小，來產生調變的脈寬調變信號，從而控制并輸出穩定的直流電源Vo。然而，脈寬調變電路 13通常需依賴低壓直流電源來驅動，而交/直流電壓轉換電路10啟始時，并無可供脈寬調 變電路13工作所需的直流電源，因而應用圖中的啟動電路14與工作電源電路17，來接續提 供其運作所需的電源。交/直流電壓轉換電路10啟始時，橋式整流電路11的輸出端會輸出具有漣波的 直流電源，因此，即可通過組成啟動電路14的電阻引入脈寬調變電路13中，以作為其啟始 運作的電源。之后，脈寬調變電路13即得以開始正常工作，以依據輸出的直流電源Vo的回 授電壓大小，來產生調變的脈寬調變信號，從而控制功率晶體管芯片12的功率晶體管的啟 閉時間長短，進而輸出穩定的直流電源Vo。在交/直流電壓轉換電路10啟動并輸出穩定的 直流電源Vo后，連接變壓器電路15的工作電源電路17，即可接手提供較為穩定的工作電 源，使脈寬調變電路13可以更為穩定地工作。前述作法雖可使交/直流電壓轉換電路10正常地工作，然而，當電路穩定工 作后，啟動電路14應可功成身退但卻仍處于其原始狀態，于工作效能而言，不免有所缺 失。因此，乃如圖2與圖3所示地，以耗盡型金氧半場效晶體管(Deletion Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，簡稱 D印letion M0SFET) 221 與 331 來取代，并 通過脈寬調變電路23或33輸出的啟動信號st，來分別切斷耗盡型金氧半場效晶體管221與331的運作，以節省功率的消耗。圖2與圖3不同的是，耗盡型金氧半場效晶體管221與331，分別整合于功率晶體 管芯片22與脈寬調變電路33的芯片中。然而，無論采用何種方式，應用耗盡型金氧半場效 晶體管221或331，來作為啟動電路的交/直流電壓轉換電路，其芯片的制造過程，都會因為 耗盡型金氧半場效晶體管221或331所增加的通道(N通道或P通道)工藝，使得其芯片的 工藝更為復雜。此外，采用與前述不同整合方式的交/直流電壓轉換電路，例如美國專利第 6，972，971號、第5，014，178號以及第5，285，369號等，雖可因應不同的設計需求，來將啟 動電路、脈寬調變電路與功率晶體管等，分別整合于具有兩芯片電路的系統芯片中，或甚至 整合于同一芯片電路中，然而其仍無法提供脈寬調變電路電源電壓不足的檢測(brown-out detection)，故亦顯得還有所不足。

發明內容
有鑒于此，本發明的目的是提供一種功率晶體管芯片及應用此芯片的交/直流電 壓轉換電路，其使用增強型金氧半場效晶體管，搭配兩串聯電阻所構成的分壓電路，來作為 啟動電路，并將增強型金氧半場效晶體管內建于功率晶體管芯片中。因此，不僅不會增加額 外的掩模與工藝，還可簡化工藝、節省成本，更能同時提供電源電壓不足的檢測功能。為達上述及其他目的，本發明提供一種內建增強型金氧半場效晶體管的功率晶體 管芯片，可適用于交/直流電壓轉換電路。此功率晶體管芯片包括第一接腳、第二接腳、第 三接腳、第四接腳、第五接腳、功率晶體管與增強型金氧半場效晶體管。其中，功率晶體管用 以作為交/直流電壓轉換電路的功率開關，其具有第一源/漏極、第二源/漏極與功率晶體 管柵極。第一源/漏極耦接第一接腳，第二源/漏極耦接第二接腳，功率晶體管柵極耦接第 三接腳。增強型金氧半場效晶體管用以作為交/直流電壓轉換電路的啟動電路，其具有第 三源/漏極、第四源/漏極與增強型金氧半場效晶體管柵極，第三源/漏極耦接第一接腳， 第四源/漏極耦接第四接腳，增強型金氧半場效晶體管柵極耦接第五接腳。本發明另提供一種交/直流電壓轉換電路，可將輸入的交流電源轉換為穩定的直 流電源輸出。此交/直流電壓轉換電路除應用前述的內建增強型金氧半場效晶體管的功率 晶體管芯片外，更包括整流電路、分壓電路、脈寬調變電路、變壓器電路、濾波與回授電路 及工作電源電路。其中，整流電路可為橋式整流電路，其具有電源輸入端與整流輸出端，電源輸入端 用以接收輸入的交流電源。分壓電路可包括第一電阻與第二電阻，第一電阻的兩端分別耦 接橋式整流電路的整流輸出端與增強型金氧半場效晶體管柵極；第二電阻的兩端，分別耦 接增強型金氧半場效晶體管柵極與橋式整流電路輸出的直流電源接地端。變壓器電路具有 主線圈、次線圈與副線圈，主線圈的一端耦接橋式整流電路的整流輸出端、另一端耦接功率 晶體管芯片的第一接腳，也就是耦接功率晶體管的第一源/漏極與增強型金氧半場效晶體 管的第三源/漏極。脈寬調變電路具有啟動電源控制端、工作電源端、脈寬調變信號輸出端與電流檢 測端，啟動電源控制端耦接功率晶體管芯片的第五接腳，也就是增強型金氧半場效晶體管 柵極，以控制增強型金氧半場效晶體管的啟閉，并通過串聯的第一電阻與第二電阻的分壓，作為電源電壓不足的檢測。工作電源端耦接功率晶體管芯片的第四接腳，也就是增強型金 氧半場效晶體管的第四源/漏極，以接收增強型金氧半場效晶體管輸出的啟動電源。脈寬 調變信號輸出端耦接功率晶體管芯片的第三接腳，也就是功率晶體管柵極，用以依據回授 電壓的大小，來輸出調變直流電源的脈寬調變信號。電流檢測端耦接功率晶體管芯片的第 二接腳，也就是功率晶體管的第二源/漏極，用以檢測流經功率晶體管的電流。工作電源電路耦接變壓器電路的副線圈與脈寬調變電路的工作電源端，用以在脈 寬調變電路切斷增強型金氧半場效晶體管輸出的啟動電源后，持續提供脈寬調變電路工作 所需的電源。濾波與回授電路則耦接變壓器電路的次線圈，用以濾波并輸出穩定的直流電 源、以及提供脈寬調變電路調變所需的回授電壓。本發明又提供一種內建增強型金氧半場效晶體管的功率晶體管芯片，可適用于交 /直流電壓轉換電路。此功率晶體管芯片具有第一型半導體基底；在第一型半導體基底下 方，配置有第一型漏極接觸區；在第一型半導體基底上，配置有第一個第二型阱及第三個第 二型阱，第一個第二型阱及第三個第二型阱側邊的第一型半導體基底上，分別配置有第二 個第二型阱及第四個第二型阱；第一個第二型阱與第二個第二型阱間的第一型半導體基底 上，配置有第一個柵極區；第三個第二型阱與第四個第二型阱間的第一型半導體基底上，配 置有第二個柵極區；第一個第二型阱上，配置有第一個第二型阱接觸區，第一個第二型阱接 觸區側邊的第一個第二型阱上，配置有第一個第一型源極區；第二個第二型阱上，配置有第 二個第二型阱接觸區，第二個第二型阱接觸區側邊的第二個第二型阱上，配置有第二個第 一型源極區；第三個第二型阱上，配置有第三個第二型阱接觸區，第三個第二型阱接觸區側 邊的第三個第二型阱上，配置有第三個第一型源極區；第四個第二型阱上，配置有第四個第 二型阱接觸區，第四個第二型阱接觸區側邊的第四個第二型阱上，則配置有第四個第一型 源極區。綜上所述，本發明所提供的一種功率晶體管芯片及應用此芯片的交/直流電壓轉 換電路，由于使用增強型金氧半場效晶體管搭配兩串聯電阻所構成的分壓電路來作為啟動 電路，因而可于交/直流電壓轉換電路穩定工作后，切斷增強型金氧半場效晶體管的運作， 并同時能提供脈寬調變電路電源電壓不足的檢測。此外，由于將增強型金氧半場效晶體管 內建于功率晶體管芯片之中，而增強型金氧半場效晶體管可利用功率晶體管的相同工藝來 制作，故不會增加額外的掩模與工藝，進而可簡化工藝、節省成本。為讓本發明的上述和其他目的、特征、和優點能更明顯易懂，下文特以優選實施 例，并結合附圖，作詳細說明如下。


圖1顯示了公知的一種交/直流電壓轉換電路圖。圖2顯示了公知的一種應用耗盡型金氧半場效晶體管作為啟動電路的交/直流電 壓轉換電路簡圖。圖3顯示了圖2的另一種實施方式。圖4顯示了根據本發明優選實施例的一種交/直流電壓轉換電路圖。圖5顯示了圖4的功率晶體管芯片的結構示意圖。
具體實施例方式請參考圖4所示，其為根據本發明優選實施例的一種交/直流電壓轉換電路圖，此 交/直流電壓轉換電路40可將電源輸入端411輸入的交流電源Vin，轉換為穩定的直流電 源Vo后輸出。圖中，交/直流電壓轉換電路40包括例如是橋式整流電路41的整流電路、 功率晶體管芯片42、脈寬調變電路43、變壓器電路45、濾波與回授電路46與工作電源電路 47等功能方塊，以及構成分壓電路44而提供串聯分壓的電阻48、49。如圖所示，功率晶體管芯片42具有第一接腳421、第二接腳422、第三接腳423、第 四接腳424、第五接腳425、功率晶體管426與增強型金氧半場效晶體管427。因此，此芯片 將作為交/直流電壓轉換電路40的啟動電路用的增強型金氧半場效晶體管427，整合內建 于功率晶體管芯片42中，以達到簡化交/直流電壓轉換電路40所使用芯片的工藝的目的。圖中，功率晶體管426與增強型金氧半場效晶體管427，雖然是以N型金氧半場效 晶體管與N型增強型金氧半場效晶體管為例，并于功率晶體管芯片42中，同時內建連接功 率晶體管426的柵極的電阻428，然而本領域技術人員應知，亦可采用P型金氧半場效晶體 管或P型增強型金氧半場效晶體管等不同型式的晶體管。另外，內建的電阻428亦可選擇 性地整合于脈寬調變電路43的芯片中，而無須包含于此功率晶體管芯片42內。其中，功率晶體管426用以作為交/直流電壓轉換電路40的功率開關，其具有耦 接功率晶體管芯片42第一接腳421的第一源/漏極、耦接功率晶體管芯片42第二接腳422 的第二源/漏極與經由電阻428耦接功率晶體管芯片42第三接腳423的功率晶體管柵極。 增強型金氧半場效晶體管427具有耦接功率晶體管芯片42第一接腳421的第三源/漏極、 耦接功率晶體管芯片42第四接腳424的第四源/漏極與耦接功率晶體管芯片42第五接腳 425的增強型金氧半場效晶體管柵極。另外，由電阻48、49所構成的分壓電路44，用以從整流輸出端412取得分壓，來供 應給增強型金氧半場效晶體管柵極；增強型金氧半場效晶體管柵極耦接于串聯的電阻48、 49的串聯端，電阻48的另一端耦接橋式整流電路41的整流輸出端412，電阻49的另一端 則耦接橋式整流電路41輸出的直流電源的接地端。當交/直流電壓轉換電路40啟始時，橋式整流電路41自其電源輸入端411接收 輸入的交流電源Vin，經全波整流后自其整流輸出端412輸出具有漣波的直流電源，再經一 端與整流輸出端412耦接的變壓器電路45的主線圈451，到達另一端所耦接的功率晶體管 芯片42的第一接腳421，也就是增強型金氧半場效晶體管427的第三源/漏極與功率晶體 管426的第一源/漏極。為了提供脈寬調變電路43啟始運作的電源，脈寬調變電路43的工作電源端432 耦接至功率晶體管芯片42的第四接腳424，也就是增強型金氧半場效晶體管427的第四源 /漏極，脈寬調變電路43的啟動電源控制端431則耦接至功率晶體管芯片42的第五接腳 425，也就是增強型金氧半場效晶體管柵極。此時，由于脈寬調變電路43的啟動電源控制端 431并未被拉低為低準位，使得增強型金氧半場效晶體管427，因柵極受串聯電阻48、49的 分壓的驅動而導通。因此，乃將橋式整流電路41輸出的具有漣波的直流電源，傳送至增強 型金氧半場效晶體管427的第四源/漏極。于是，脈寬調變電路43即通過與增強型金氧半場效晶體管427的第四源/漏極耦 接的工作電源端432，來取得啟始運作的電源而開始工作。之外，并依據交/直流電壓轉換
8電路40輸出的直流電源Vo的回授電壓大小，來產生調變的脈寬調變信號自其脈寬調變信 號輸出端433輸出，再經與其耦接的功率晶體管芯片42的第三接腳423及電阻428，傳送至 功率晶體管芯片42的功率晶體管柵極，從而控制功率晶體管426的啟閉時間長短，并配合 耦接功率晶體管芯片42的第二接腳422、用以檢測流經功率晶體管426的電流的電流檢測 端434，來調整脈寬調變信號的脈寬，使交/直流電壓轉換電路40可以輸出穩定的直流電源 Vo。當脈寬調變電路43開始工作后，變壓器電路45的次線圈452即會感應電壓，并經 與其耦接的濾波與回授電路46的濾波，而輸出穩定的直流電源Vo。脈寬調變電路43調變 所需參考的回授電壓，則通過圖中濾波與回授電路46的發光二極體461與光晶體管435的 隔離檢測而得。另外，變壓器電路45的副線圈453也會同時感應電壓，并經由與其耦接的工作電 源電路47的濾波，而傳送至脈寬調變電路43的工作電源端432。此時，由于工作電源電路 47所提供的穩定工作電源，已能供應脈寬調變電路43更為穩定地工作所需，因此，脈寬調 變電路43乃將其啟動電源控制端431的電位，拉低至足以切斷增強型金氧半場效晶體管 427，但又同時還能提供脈寬調變電路43的電源電壓不足檢測的準位，以通過切斷增強型 金氧半場效晶體管427的運作，來關閉經由增強型金氧半場效晶體管427傳送的啟動電源， 同時，并通過降低后的串聯電阻48、49的分壓，來作為電源電壓不足的檢測。如此，即可避 免在輸入的交流電源Vin的電壓過低時，脈寬調變電路43縱使以全時方式工作，所輸出的 直流電源Vo仍無法達到規格的情形產生。之后，便由工作電源電路47所提供的穩定工作 電源，來持續地提供脈寬調變電路43工作所需的電源，以節省交/直流電壓轉換電路40的 功率消耗。請參考圖5所示，其為根據本發明優選實施例的一種內建增強型金氧半場效晶體 管的功率晶體管芯片的結構示意圖。圖中，以N型半導體作為第一型半導體，且以P型半導 體作為第二型半導體，以構成N型金氧半場效晶體管為例，反之，如以P型半導體作為第一 型半導體，而以N型半導體作為第二型半導體時，則將形成由P型金氧半場效晶體管所構成 的功率晶體管芯片。如圖所示，此功率晶體管芯片42具有第一型半導體基底50，第一型半導體基底50 下方配置有第一型漏極接觸區55，以作為功率晶體管426與增強型金氧半場效晶體管427 的漏極，第一型半導體基底50上并配置有第二型阱51、52、53與54。其中，第二型阱52位于第二型阱51的側邊，第二型阱54則位于第二型阱53的側 邊，第二型阱51、52、53或54上，分別配置有第二型阱接觸區511、521、531或541，第二型阱 接觸區511、521、531或541側邊的第二型阱51、52、53或54上，分別配置有第一型源極區 512、522、532或542，以分別作為功率晶體管426或增強型金氧半場效晶體管427的源極。 此外，第二型阱51與52間的第一型半導體基底50上，配置有柵極區56，第二型阱53與54 間的第一型半導體基底50上，則配置有柵極區57。柵極區56與57例如是由多晶硅導體所 構成，以分別作為功率晶體管426或增強型金氧半場效晶體管427的柵極。綜上所述，由于根據本實施例所提供的內建增強型金氧半場效晶體管的功率晶體 管芯片42，是將增強型金氧半場效晶體管427內建于功率晶體管芯片42之中，且因增強型 金氧半場效晶體管427與功率晶體管426間，均具有類似的摻雜結構，故可以使用相同的工藝來制作，而不會增加額外的掩模與工藝，進而可達成簡化工藝、節省成本的目的。另外，通 過增強型金氧半場效晶體管搭配兩串聯電阻所構成的分壓電路來作為啟動電路，則可于交 /直流電壓轉換電路穩定工作后，切斷增強型金氧半場效晶體管的運作時，還能保留脈寬調 變電路電源電壓不足的檢測功能，即時地反映輸入的交流電源Vin電壓不足的情形。
雖然本發明已以優選實施例揭露如上，然其并非用以限定本發明，任何本領域技 術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內所作的各種更動與修改，也在本發明的范圍以內。 因此，本發明的保護范圍應以所附權利要求的范圍為準。
權利要求
一種內建增強型金氧半場效晶體管的功率晶體管芯片，適用于交/直流電壓轉換電路，包括第一接腳；第二接腳；第三接腳；第四接腳；第五接腳；功率晶體管，用以作為所述交/直流電壓轉換電路的功率開關，具有第一源/漏極、第二源/漏極與功率晶體管柵極，所述第一源/漏極耦接所述第一接腳，所述第二源/漏極耦接所述第二接腳，所述功率晶體管柵極耦接所述第三接腳；以及增強型金氧半場效晶體管，用以作為所述交/直流電壓轉換電路的啟動電路，具有第三源/漏極、第四源/漏極與增強型金氧半場效晶體管柵極，所述第三源/漏極耦接所述第一接腳，所述第四源/漏極耦接所述第四接腳，所述增強型金氧半場效晶體管柵極耦接所述第五接腳。
2.如權利要求1所述的功率晶體管芯片，還包括介于所述功率晶體管柵極與所述第三 接腳間的電阻。
3.如權利要求1所述的功率晶體管芯片，其中所述功率晶體管為N型金氧半場效晶體管。
4.如權利要求1所述的功率晶體管芯片，其中所述增強型金氧半場效晶體管為N型增 強型金氧半場效晶體管。
5.一種交/直流電壓轉換電路，適用于將交流電源轉換為穩定的直流電源，包括功率晶體管，用以作為所述交/直流電壓轉換電路的功率開關，具有第一源/漏極、第 二源/漏極與功率晶體管柵極；增強型金氧半場效晶體管，用以作為所述交/直流電壓轉換電路的啟動電路，具有第 三源/漏極、第四源/漏極與增強型金氧半場效晶體管柵極，所述第三源/漏極耦接所述第 一源/漏極；整流電路，具有電源輸入端與整流輸出端，所述電源輸入端用以接收所述交流電源； 分壓電路，用以自所述整流輸出端取得分壓供應給所述增強型金氧半場效晶體管柵極；變壓器電路，具有主線圈與次線圈，所述主線圈的一端耦接所述整流輸出端、另一端受 所述功率晶體管的控制，以便可以通過所述次線圈的輸出來產生所述直流電源；以及脈寬調變電路，具有啟動電源控制端、工作電源端與脈寬調變信號輸出端，所述脈寬調 變信號輸出端耦接所述功率晶體管柵極，以控制所述功率晶體管的啟閉，所述工作電源端 耦接所述第四源/漏極，以接收經由所述增強型金氧半場效晶體管傳送的啟動電源，所述 啟動電源控制端耦接所述增強型金氧半場效晶體管柵極與所述分壓電路，以在所述脈寬調 變電路啟動后，關閉所述增強型金氧半場效晶體管。
6.如權利要求5所述的交/直流電壓轉換電路，其中所述脈寬調變電路還通過所述分 壓電路提供的分壓，以作為電源電壓不足的檢測。
7.如權利要求5所述的交/直流電壓轉換電路，還包括濾波與回授電路，耦接所述變壓器電路的所述次線圈，用以濾波并輸出所述直流電源及提供回授電壓，而所述脈寬調變電 路則依據所述回授電壓的大小，來輸出調變所述直流電源的脈寬調變信號。
8.如權利要求5所述的交/直流電壓轉換電路，還包括工作電源電路且所述變壓器電 路還具有副線圈，所述工作電源電路耦接所述變壓器電路的所述副線圈及所述脈寬調變電 路的所述工作電源端，用以在所述脈寬調變電路切斷所述啟動電源后，持續提供所述脈寬 調變電路工作所需的電源。
9.如權利要求5所述的交/直流電壓轉換電路，其中所述功率晶體管為N型金氧半場 效晶體管。
10.如權利要求5所述的交/直流電壓轉換電路，其中所述增強型金氧半場效晶體管為 N型增強型金氧半場效晶體管。
11.如權利要求5所述的交/直流電壓轉換電路，其中所述功率晶體管及所述增強型金 氧半場效晶體管整合于芯片中。
12.如權利要求11所述的交/直流電壓轉換電路，其中還包括介于所述功率晶體管柵 極與所述脈寬調變信號輸出端間的電阻，與所述功率晶體管及所述增強型金氧半場效晶體 管整合于同一芯片中。
13.一種內建增強型金氧半場效晶體管的功率晶體管芯片，適用于交/直流電壓轉換 電路，包括第一型半導體基底；第一型漏極接觸區，配置于所述第一型半導體基底下方； 第一個第二型阱，配置于所述第一型半導體基底上； 第一個第二型阱接觸區，配置于所述第一個第二型阱上；第一個第一型源極區，配置于所述第一個第二型阱接觸區側邊的所述第一個第二型阱上；第二個第二型阱，配置于所述第一個第二型阱側邊的所述第一型半導體基底上； 第二個第二型阱接觸區，配置于所述第二個第二型阱上；第二個第一型源極區，配置于所述第二個第二型阱接觸區側邊的所述第二個第二型阱上；第一個柵極區，配置于所述第一個第二型阱與所述第二個第二型阱間的所述第一型半 導體基底上；第三個第二型阱，配置于所述第一型半導體基底上； 第三個第二型阱接觸區，配置于所述第三個第二型阱上；第三個第一型源極區，配置于所述第三個第二型阱接觸區側邊的所述第三個算二型阱上；第四個第二型阱，配置于所述第三個第二型阱側邊的所述第一型半導體基底上； 第四個第二型阱接觸區，配置于所述第四個第二型阱上；第四個第一型源極區，配置于所述第四個第二型阱接觸區側邊的所述第四個第二型阱 上；以及第二個柵極區，配置于所述第三個第二型阱與所述第四個第二型阱間的所述第一型半 導體基底上。
14.如權利要求13所述的功率晶體管芯片，其中所述第一型為P型半導體、而所述第二 型為N型半導體。
15.如權利要求13所述的功率晶體管芯片，其中所述第一型為N型半導體、而所述第二 型為P型半導體。
全文摘要
一種內建增強型金氧半場效晶體管的功率晶體管芯片及其應用電路，使用增強型金氧半場效晶體管搭配兩串聯電阻，來作為交/直流電壓轉換電路的啟動電路，以在交/直流電壓轉換電路的脈寬調變電路開始正常工作后，可以關閉啟動電路的運作，并同時提供脈寬調變電路電源電壓不足的檢測。此外，增強型金氧半場效晶體管還內建于功率晶體管芯片中，由于增強型金氧半場效晶體管可采用功率晶體管的相同工藝來制作，故不會增加額外的掩模與工藝，而可簡化工藝、節省成本。
文檔編號H02M7/04GK101887895SQ20091014091
公開日2010年11月17日 申請日期2009年5月12日 優先權日2009年5月12日
發明者張光銘, 黃志豐 申請人:立锜科技股份有限公司