專利名稱：利用mosfet的導通電阻的過熱保護感應的系統和方法
技術領域：
本發明主要涉及電源，更具體而言涉及在電源中用于過熱保護的控制器。
背景技術：
由于新設計要求具有更高處理器功率和更多功能，同時要求提供一種檢測可能發生的過熱狀態的機制，所以便攜式和桌面式電子設備的電源已經受到越來越多的關注和設計考慮。作為一種提高功率轉換效率的技術，被稱為脈寬調制(PWM)功率變換器的電源已經被廣泛應用于不同的電子產品中。
脈寬調制控制器生成帶有可變通斷(on-to-off)比的方波。調制有可變通斷比的脈寬能將大小可變的功率傳遞到負載，這將有效地減少了總功率的消耗，并提供了一種將功率傳遞到負載的有效技術。
一種典型地使用脈寬調制控制器的傳統功率變換器是一種DC-DC變換器，該變換器具有可調的降壓(step-down)電路，能為供給直流低壓總線，例如，3.3V、5V、和12V的總線進行同步整流。這種DC-DC變換器通過使用現有的開關設備來防止負載過流的狀態，消除了對分立式電流敏感電阻器的需要。但是，已知的溫度保護電路為了提供這種功能，需要使用一個分立組件。
因此，存在一種為電源提供過熱保護的需要，同時要將為電路增加更多特征的成本最小化，并且要將電路板的空間尺寸保持相對緊湊。
發明內容
本發明提供了一種為過熱保護使用功率型MOSFET導通電阻Rds_on的電源控制器。參數，導通電阻Rds_on，被用作由溫度決定的變量，該變量致使脈寬調制控制器在MOSFET過熱時斷開。脈寬調制控制器的MOSFET導通電阻Rds_on感應溫度，該溫度與預定溫度閾值相比較，其中脈寬調制控制器在感應的溫度超過預定溫度閾值時檢測到一過熱狀態。
廣義而言，本發明提供了一種用于過熱保護的脈寬調制控制器，該控制器包括具有第一端和第二端的Rp電阻；電壓比較器電路，該電壓比較器電路具有第一輸入端、第二輸入端、和輸出端，該電壓比較器電路的第一輸入端與Rp電阻的第二端相連；和MOSFET，該MOSFET在處于ON狀態時具有導通電阻Rds_on，該Rds_on具有第一端和第二端，Rds_on的第二端與電壓比較器電路的第二輸入端相連，該Rds_on感應溫度值并且該Rds_on的值隨著溫度值的變化波動；其中Rp電阻是與Rds_on的最大允許溫度相關的預定值，電壓比較器電路比較跨接在Rds_on的第一壓降Vb和跨接在Rp電阻的第二壓降Vc，當流經MOSFET Rds_on的電流Io等于或大于閾值電流Ip時，若第二壓降Vc比第一壓降Vb大，則電壓比較器電路生成過熱輸出信號。
有利地，本發明為電源控制器提供了附加功能而產生很少或不需要額外的成本。此外，本發明也顯著減少了提供溫度感應組件所需的電路板空間大小。
通過以下說明、所附權利要求和附圖，本發明的這些和其它實施方式、特征、方面和優點將變得更容易理解。
圖1是一個簡化框圖，說明了依照本發明的用于過熱保護的脈寬調制控制器。
圖2A是一個電路圖，說明了依照本發明的電路中MOSFET的符號；圖2B是電路圖，說明了依照本發明當MOSFET轉換成ON時MOSFET的等效電路；圖2C是電路圖，說明了依照本發明當MOSFET轉換成OFF時MOSFET的等效電路。
圖3是一個電路圖，說明了依照本發明的用于過熱保護的脈寬調制控制器的第一實施方式，該脈寬調制控制器使用上側Q1 MOSFETRds_on，而下側Q2 MOSFET處于OFF狀態。
圖4是一個電路圖，說明了依照本發明的用于過熱保護的脈寬調制控制器的第二實施方式，該脈寬調制控制器使用下側Q2 MOSFETRds_on，而上側MOSFET處于OFF狀態。
圖5是一個電路圖，說明了依照本發明的應用單一放大器的用于過熱保護的脈寬調制控制器的第三實施方式。
圖6是一個流程圖，說明了依照本發明，在第一實施方式所述的通過使用上側Q1 MOSFET導通電阻Rds_on作為溫度感應元件來在電源中提供過熱保護的過程。
圖7是一個流程圖，說明了依照本發明，在第二實施方式所述的通過使用下側Q2 MOSFET導通電阻Rds_on作為溫度感應元件來在電源中提供過熱保護的過程。
圖8是一個原理圖，說明了依照本發明的非隔離式DC-DC降壓變換器。
圖9是一個原理圖，說明了依照本發明利用脈寬調制控制器的示例性設計實現的降壓變換器。
附圖中使用附圖標記或名稱來表示其中的特定組件、方面或特征，其中在一個以上附圖中的相同的附圖標記表示其中所示的相同組件、方面或特征。
具體實施例方式
參考圖1，顯示了一個說明用于過熱保護的脈寬調制控制器100的簡化框圖。該脈寬調制控制器包括MOSFET Q1 110、Rp電阻120、和控制器130，其中MOSFET 110具有漏極端子111、柵極端子112和源極端子113。在負載電流恒定的條件下，跨接在MOSFET 110的，漏極端子111和源極端子113之間的壓降是導通電阻Rds_on的函數。導通電阻，Rds_on的值將作為溫度的函數發生變化。以另一種方式表達，該導通電阻Rds_on參數是由溫度決定的變量。節點a 114和節點b 115之間的分段示出了跨接漏極端子111和源極端子113的壓降。
圖2B中顯示了當功率MOSFET 110轉換成ON(即，開關閉合)時圖1所示的MOSFET Q1 110的等效電路。如圖2B中所示，110可以用電阻，Rds_on 200來表示。也就是說，節點a 114和節點b 115之間的分段實際上變成導通電阻Rds_on 200。該Rds_on 200的電阻值通常是一個很小的數目。MOSFET Q1 110中的導通電阻Rds_on 200可以既提供過流保護功能又提供過熱保護功能。圖2C顯示了當MOSFET110變成OFF(即，開關打開)時MOSFET 110的等效電路，由帶有打開的開關202的Rds_on 200來表示。
圖3是一個電路圖，示出了通過使用上側Q1 MOSFET Rds_on而下側Q2 MOSFET處于OFF狀態的，用于過熱保護的脈寬調制控制器400的第一實施方式。控制器400包括上側Q1 MOSFET導通電阻Rds_on 310、Rp電阻320、恒定電流源330、電壓輸入端VIN340、電壓比較器350、三極管360、電感器370、電容器380、負載390、下側Q2 MOSFET 410、接地415、二極管D 420，和接地425。由于上側Q1MOSFET導通電阻Rds_on 310的值隨溫度變化波動，所以控制器400通過使用上側Q1 MOSFET導通電阻Rds_on 310作為溫度感應裝置來提供過熱保護。過熱保護特征是上側Q1 MOSFET導通電阻Rds_on 310和Rp電阻320，和它們各自的電流，Io 375和Ip1之間的相互作用的函數，其中若假設電壓比較器350是一個理想的電壓比較器，其非反相端和反相端具有無限的輸入阻抗的情況下，Ip1＝Iocs，且其中Ip代表Io的閾值電流。當電流Io 375等于或大于預定電流閾值Ip時若節點325上的壓降Vc大于節點305上的Vb，則脈寬調制控制器400觸發一個過熱保護信號。Ip的閾值根據以下參數確定Rp、Iocs、和Rds_on。這些參數當中，參數Rds_on作為溫度的函數變化。溫度波動將影響Ip的設定點。當溫度上升時，Ip的值變小。當溫度下降時，Ip的值變大。這個特征是電源中溫度保護所期望的。節點b 115處電壓Vb 305是跨接導通電阻Rds_on 310的，即，節點a 114和節點b 115之間的壓降的函數。這個電壓可以在數學上如下表達Vb＝VIN-Io*Rds_on。節點c116處的電壓Vc 325可以在數學上如下表達Vc＝VIN-Iocs*Rp。因為參數Rds_on 310是由溫度決定的變量，Rds_on 310的值的變化將反過來影響壓降Vb 305的值。當控制器400中的溫度波動時，參數Rp電阻320被重新計算以響應Rds_on 310的值的變化，則壓降Vc 325的值也將改變。
電壓比較器IC 350將壓降Vc 325與壓降Vb 305相比較，以確定過熱狀態是否被觸發。如果在Io≥Ip時Vc＞Vb，則過熱狀態被觸發。這將導致以下等式Ip＝(Rp*Iocs/Rds_on)。
圖4是說明用于過熱保護的脈寬調制控制器450的第二實施方式的電路圖，其在下側Q2 MOSFET處于ON狀態并且上側MOSFET處于OFF狀態時使用下側MOSFET的Rds_on。控制器450包括上側Q1MOSFET 440、下側Q2 MOSFET導通電阻Rds_on 455、Rp電阻485、恒定電流源480、電壓輸入端VIN490、放大器A 460、電阻RA465、電阻466RA、電壓比較器470、三極管475、電感器370、電容器380、和負載390。當Q2 MOSFET 455處于ON狀態時，Q2 MOSFET 455被模擬為電阻Rds_on 455。當負載電流，Io 452流經Q2 MOSFET Rds_on455時，其在節點452處生成一個負電壓Va 495。節點452被連接到電阻RA466和具有反饋電阻RA465的放大器A 460。節點453處的電壓Vb 496承載相對于電壓Va 495的相反的信號極性，作為放大器A 460提供的一對一變換比率的函數，如以下數學等式所示Vb＝-Va＝-(-Io*Rds_on)＝Io*Rds_on。換句話說，放大器A 460是一個增益為負1的放大器。電流，Iocs 482由電流源480產生。當前的Iocs 482生成一個跨接電阻Rp 485的壓降，Vc 497，也就是，Vc＝Iocs*Rp。IC 470是比較電壓Vb 496和電壓Vc 497的電壓比較器。如果在Io≥Ip時Vb＞Vc，則過熱保護被觸發，這產生以下等式Ip＝(Rp*Iocs)/Rds_on。
上側Q1 MOSFET Rds_on 310為圖3中的Q1 MOSFET 310提供過熱保護的同時，它也為Q2 MOSFET 410提供過熱保護。類似地，下側Q2 MOSFET Rds_on 455為圖4中的Q2 MOSFET 455提供過熱保護的同時，它也為Q1 MOSFET 440提供過熱保護。
圖5所示的原理電路說明了用于過熱保護的脈寬調制控制器500的第三實施例，其中僅僅需要單個放大器。在此實施方式中，如圖4中所示的放大器A 460無需使電路500能夠為使用Q2’s Rds_on 455的脈寬調制控制器500提供過熱保護能力。
圖6是一個流程圖，說明了通過將上側Q1 MOSFET導通電阻Rds_on 310作為溫度感應元件使用來在電源300或400中提供過熱保護的過程600。在步驟610，過程600通過利用最大允許溫度重新選擇上側Q1 MOSFET Rds_on 310的值，為電源300或400預置溫度保護閾值，Tp。Tp通過以下等式與Ip相關Tp=Ip2·Rds_ON·θja+Ta]]>
其中θja是變換因子，且Ta是計算Tp時的參考環境溫度。那么，相應的Ip可以這樣得到Ip=Tp-TaRds_ON·θja]]>在確定上側Q1 MOSFET Rds_on 310的值時，要考慮一個減額因子和一個相應溫度因子來調整上側Q1 MOSFET Rds_on 310的值。在重新選擇了上側Q1 MOSFET Rds_on 310的值之后，Rp 320的值被重新計算以反映相對于上側Q1 MOSFET Rds_on 310值的Rp 320的相應變化，其中Rp＝(Ip*Rds_on)/Iocs并且Vc＝VIN-(Iocs*Rp)，這樣就使Ip表示Io的預定閾值。節點c 325處的壓降可以在數學上如下表示Vc＝VIN-(Iocs*Rp)。在步驟630，MOSFET Rds_on 310為過熱保護感應節點b 115處的電壓Vb 305。上側Q1 MOSFET Rds_on 310的值是一個由溫度決定的變量，其對應感應溫度的變化波動。可選地，上側Q1 MOSFET Rds_on 310也為過流保護感應跨接漏極端子和節點b 115處的源極端子的壓降Vb 325。在步驟640，電壓比較器350將預置溫度閾值與由上側Q1 MOSFET Rds_on 310感應到的溫度相比較，以確定過熱保護條件是否已經被觸發。如果感應溫度沒有超過溫度保護閾值，可表示為Vc≤Vb，那么過程400返回步驟430，來進一步感應溫度以檢測過熱狀態是否存在。但是，如果上側Q1 MOSFET Rds_on 310感應到超過過熱保護閾值的溫度，那么過程600在步驟650觸發過熱保護信號，可在數學上表示為當Io≥Ip時Vc＞Vb，其中Ip＝(Rp*Iocs/Rds_on)。
圖7是一個流程圖，說明了在控制器450中通過將下側Q2MOSFET導通電阻Rds_on 455作為溫度感應元件使用來提供過熱保護的過程700。在步驟710，過程700通過利用最大允許溫度重新選擇下側Q2 MOSFET Rds_on 455的值，為控制器450預置溫度保護閾值。在確定下側Q2 MOSFET Rds_on 455的值時，要考慮減額因子和相應溫度因子來調整下側Q2 MOSFET Rds_on 455的值。在重新選擇了下側Q2 MOSFET Rds_on 455的值之后，Rp 485的值被重新計算以反映對應下側Q2 MOSFET Rds_on 455值的Rp 485的相應變化，其中Rp＝(Ip*Rds_on)/Iocs并且Vc＝VIN-(Iocs*Rp)，這樣就使Ip表示Io的預定閾值。節點496處壓降Vb可以在數學上如下表達為
Vb＝-Va＝-(-Io*Rds_on)＝Io*Rds_on。在步驟730，下側Q2 MOSFETRds_on 455為過熱保護在節點a 495感應跨接Q2 MOSFET Rds_on 455的漏極端子和源極端子的壓降。下側Q2 MOSFET Rds_on 455的值是一個由溫度決定的變量，其對應感應溫度的變化波動。可選地，下側Q2 MOSFET Rds_on 455也為過流保護在節點Va 495處感應跨接Q2MOSFET Rds_on 455的漏極端子和源極端子的壓降。在步驟740，電壓比較器470將預置的溫度閾值與由下側Q2 MOSFET Rds_on 455感應到的溫度進行比較，以確定過熱保護條件是否已經被觸發。如果感應溫度沒超過溫度保護閾值，可表示為Vb≤Vc，那么過程700返回步驟730，來進一步感應溫度以檢測過熱條件是否存在。但是，如果下側Q2 MOSFET Rds_on 455感應到超過過熱保護閾值的溫度，那么過程700在步驟750觸發對控制器450的過熱保護，在數學上表示為當Io＝Ip時Vb＞Vc，其中Ip＝(Rp*Iocs/Rds_on)。
對于本發明的一種適當應用是在非隔離DC-DC電源中，其也被稱為非隔離負載點(POL)電源。在非隔離DC-DC電源當中，具有過流保護(OCP)功能的脈寬調制控制器經常被選為具有嵌入的對跨接MOSFET Rds_on的壓降進行感應的實現選擇。
參考圖8，顯示了一個說明非隔離DC-DC降壓變換器800的原理圖。非隔離DC-DC降壓變換器800包括脈寬調制控制器810、第一MOSFET Q1 820、第二MOSFET Q2 830，和負載840。負載電流在一部分時間內流經電力開關Q1 820和Q2 830，導致跨接電力開關Q1 820和Q2 830的壓降。如果負載電流是一個恒定值，則跨接電力開關Q1 820和Q2 830的壓降將隨著導通電阻Rds_on變化。該壓降大小的波動將對應MOSFET溫度。可以預置一個電壓閾值，以在如果溫度超過該電壓閾值時下觸發過熱保護信號。
圖9是說明依照本發明的用脈寬調制控制器的實例設計實現的降壓變換器900的原理圖。在此實施方式中，該脈寬調制控制器通過將Q1半導體管910的MOSFET Rds_on作為電流感應元件使用來提供過流保護。通過感應在MOSFET Q1 910變成ON時流經MOSFET Q1910上側的電流，脈寬調制控制器的一個特定管腳用于過流保護。假設電流恒定的情況下，跨接MOSFET Q1 910，從漏極端子到源極端子的壓降，是Rds_on的函數。為了確定電流保護閾值，Ip，其可以由以下公式來表示Ip=Rp*IocsRds_on]]>等式(1)Rp電阻920被連接到MOSFET漏極端子的上端。在一個典型的規范中，該參數值可以按以下這樣賦值在4.5V門驅動電壓，11A和25℃下，Iocs＝200μA，Rds_on＝11.5mΩ。如果設定Ip＝11A，則根據等式(1)計算出Rp為632.5Ωohm。
為了將本發明用于過熱保護，利用最大允許溫度重新選擇Rds_on的值。下面的實例說明了對Rp的計算。如果最大允許結溫度(juncion temperature)為175℃，其中減額因子為85％，則允許的結溫度為148℃。可以得到1.61的相應溫度因子以調整Rds_on，這樣就使Rds_on＝11.5mΩ×1.61(溫度因子)＝18.5mΩ。因此，Rp的值被重新計算，以生成1017Ω的值。
對于本領域普通技術人員來說很明顯的是，本發明可以被應用于不同的應用系統中，包括但不限于，具有同步整流功能的可調降壓/升壓控制器，單輸出的動態脈寬調制控制器，諸如在DDR存儲器電源中這樣的寬范圍輸入(wide-input)同步降/升壓控制器，用于VRM(或非VRM)應用的多相位交錯同步降壓變換器，低輸入高效能的同步降/升壓控制器，和N-通道MOSFET。
本領域的技術人員可以從上述說明中理解到，本發明實施方式的上位技術可以以多種形式來實現。例如，本領域的技術人員應該認識到，功率模塊可以包括功率變換裝置或電源。此外，卷線架(cord reelstand)可以被設計成不同構造，諸如多葉形狀(vanes-shape)的結構。因此，盡管本發明的實施方式已經聯系其特定實施方式說明，但本發明實施方式的真正范圍不應該被這樣限制，因為根據對以上附圖、說明書、和以下權利要求的研讀，無論是該說明明確提供的還是該說明隱含的其它修改對于本領域的技術人員來說都將變得很明顯。
權利要求
1.一種用于過熱保護的脈寬調制控制器，包括第一MOSFET，其在所述第一MOSFET處于ON狀態時具有導通電阻Rds_on，該Rds_on具有第一端和第二端，該Rds_on的電阻值根據溫度值的改變波動；具有第一端和第二端的Rp電阻，其中以所述MOSFET的最大允許溫度的函數計算所述Rp電阻的值；以及電壓比較器電路，該電壓比較器電路具有第一輸入端、第二輸入端、和輸出端，所述電壓比較器電路的所述第一輸入端被連接到所述Rp電阻，所述電壓比較器電路將跨接所述Rds_on的第一壓降與跨接所述Rp電阻的第二壓降相比較，當所述第二壓降大于所述第一壓降時所述電壓比較器電路生成一個過熱輸出信號。
2.如權利要求1所述的控制器，進一步包括被連接到所述Rp電阻的第二端的電流源，該電流源是恒定電流源。
3.如權利要求1所述的控制器，進一步包括被連接到所述Rp電阻的第一端和所述Rds_on的第一端的VIN電壓。
4.如權利要求1所述的控制器，其中所述導通電阻Rds_on也被用于感應過流狀態。
5.如權利要求1所述的控制器，進一步包括被連接到所述第一MOSFET的第二MOSFET，所述第一MOSFET為所述第一MOSFET和第二MOSFET兩者提供過熱保護。
6.如權利要求1所述的控制器，其中所述Rp電阻是根據所述Rds_on的最大允許溫度、減額因子，和相應溫度因子的預定值。
7.一種用于過熱保護的系統，包括具有第一端和第二端的Rp電阻；具有電壓比較器電路的控制器，該電壓比較器電路具有第一輸入端、第二輸入端、和輸出端，所述電壓比較器電路的第一輸入端被連接到所述Rp電阻的第二端；和在所述MOSFET處于ON狀態時具有導通電阻Rds_on的MOSFET，該Rds_on具有第一端和第二端，所述Rds_on的第二端被連接到所述電壓比較器電路的第二輸入端，所述Rds_on感應溫度值并且所述Rds_on的值根據該溫度值的變化波動。
8.如權利要求7所述的系統，其中所述Rp電阻是對應于所述Rds_on的最大允許溫度的預定值，所述電壓比較器電路將跨接所述Rds_on的第一壓降Vb與跨接所述Rp電阻的第二壓降Vc相比較，當流經MOSFET Rds_on的電流等于或大于閾值電流Ip時若所述第二壓降Vc大于所述第一壓降Vb，則所述電壓比較器電路生成過熱輸出信號。
9.如權利要求7所述的系統，其中所述控制器包括脈寬調制控制器。
10.如權利要求7所述的系統，進一步包括被連接到所述Rp電阻的第二端的電流源，Iocs，所述電流源Iocs是恒定電流源。
11.如權利要求7所述的系統，進一步包括VIN電壓，其被連接到所述Rp電阻的第一端和所述Rds_on的第一端之間。
12.如權利要求7所述的系統，其中所述導通電阻Rds_on也被用于感應過流保護。
13.如權利要求7所述的系統，其中所述Rp值是相對于所述Rds_on的最大允許溫度、減額因子、和相應溫度因子計算出來的。
14.一種用于提供過熱保護電路的方法，包括通過由導通電阻Rds_on的最大允許溫度計算Rp電阻值來選擇預定的溫度閾值；當MOSFET處于ON狀態時，從該MOSFET的導通電阻Rds_on感應溫度值，所述Rds_on的值根據所述感應的溫度波動；以及將從所述導通電阻Rds_on感應的溫度值與預定的電壓閾值相比較；其中，如果所述感應的溫度大于所述預定的溫度閾值，則過熱保護被觸發。
15.如權利要求14所述的方法，其中所述Rp值是相對于所述Rds_on的最大允許溫度、減額因子、和相應溫度因子計算出來的。
16.如權利要求14所述的方法，其中，在所述比較步驟中，包括若在Io＝Ip時Vc＝Vb則觸發一個過熱，參數Vc表示跨接所述Rp電阻的壓降，參數Vb表示跨接所述Rds_on的壓降，電流Io表示流經所述Rds_on的電流，并且電流Ip1表示流經所述Rp電阻的電流。
17.如權利要求14所述的方法，其中所述壓降Vc＝VIN-Iocs*Rp。
18.如權利要求14所述的方法，其中所述壓降Vb＝VIN-Io*Rds_on。
19.一種用于過熱保護的脈寬調制控制器，包括下側MOSFET，該MOSFET在其處于ON狀態時具有導通電阻Rds_on，該Rds_on具有被連接到第一電壓Va的第一端和被連接接地的第二端，該Rds_on的電阻值根據溫度值的改變波動；具有第一端和連接接地的第二端的Rp電阻，該Rp電阻的值以所述MOSFET最大允許溫度的函數來計算；以及電壓比較器電路，該電壓比較器電路具有第一輸入端、第二輸入端、和輸出端；所述電壓比較器電路的第一輸入端被連接到所述MOSFETRds_on的第一端，用于接收第一壓降Va；所述電壓比較器的第二輸入端被連接到所述Rp電阻的第一端，用于接收第三壓降Vc；第二電壓Vb是Va的反向極性值；所述電壓比較器電路將所述第二壓降Vb與所述第三壓降Vc相比較，并且當所述第二壓降Vb大于所述第三壓降Vc時生成過熱輸出信號。
20.如權利要求19所述的控制器，進一步包括具有導通電阻Rds_on的上側MOSFET，其被連接到所述下側MOSFET。
21.如權利要求20所述的控制器，其中所述下側MOSFET Rds_on為所述下側MOSFET和所述上側MOSFET兩者提供過熱保護。
22.如權利要求19所述的控制器，進一步包括被連接到所述Rp電阻第一端的電流源，Iocs，該電流源Iocs是恒定電流源。
23.如權利要求19所述的控制器，進一步包括放大器A，該放大器連接在所述電壓比較器的第一輸入端和所述下側MOSFET Rds_on的第一端之間，該放大器A具有輸入端。
24.如權利要求23所述的控制器，進一步包括被連接到所述電壓比較器的第一輸入端和所述放大器A的輸入端之間的一個或多個電阻。
全文摘要
本發明公開了一種為過熱保護使用功率MOSFET導通電阻Rds_on的電源控制器。該脈寬調制控制器的MOSFET導通電阻Rds_on感應溫度，該溫度與預定溫度閾值相比較，其中當感應溫度超過了預定溫度閾值時該脈寬調制控制器檢測到過熱條件。脈寬調制控制器包括具有第一端和第二端的Rp電阻；電壓比較器電路，該電壓比較器電路具有第一輸入端、第二輸入端、和輸出端，該電壓比較器電路的第一輸入端連接到Rp電阻的第二端；和MOSFET，該MOSFET在其處于ON狀態時具有導通電阻Rds_on，該Rds_on具有第一端和第二端，該Rds_on的第二端連接到該電壓比較器電路的第二輸入端，該Rds_on感應溫度值，并且該Rds_on的值根據溫度值的變化波動。
文檔編號H02H5/00GK1741341SQ20051008905
公開日2006年3月1日 申請日期2005年8月3日 優先權日2004年8月3日
發明者H·黃, C·M·楊 申請人:雅達電子國際有限公司