一種植入導電球結構的小功率整流元器件的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種植入導電球結構的小功率整流元器件，包括塑封環氧樹脂，塑封環氧樹脂內設置有引線框架A和位于引線框架A下方的引線框架B；引線框架A的下表面焊接有芯片且芯片的正極朝下，引線框架B的上表面且對應芯片的位置設置有導電球，導電球與芯片的正極點接觸以形成電流通路。本實用新型植入導電球，使得導電路徑更短，焊接更可靠，具有更好的導電和導熱性能，提升了產品的品質；且不再使用昂貴的金絲，大大降低了原材料成本；植入的導電球與芯片是點接觸，因此可生產尺寸很小的芯片，植球工藝簡單、成熟，對比金屬絲線焊接，其生產效率可提升8倍左右。
【專利說明】
一種植入導電球結構的小功率整流元器件
技術領域
[0001]本實用新型涉及一種植入導電球結構的小功率整流元器件，屬于半導體器件技術領域。
【背景技術】
[0002]小功率的二極管和整流橋半導體元器件，如:S0D123、S0D323、MB、和ABS等，芯片正極和引腳間一般有以下三種焊接連接方式:1、金屬絲線焊接連接，如圖2所示;2、引線框架疊加焊接的連接方式，如圖1所示，其中和芯片正極接觸的引線框架，通常有一個被擠壓形成的凸臺平面或被折彎形成的彎折平面，平面投影形狀一般為規則四邊形或圓形;3、跳片(Clip)焊接連接方式，跳片上也有一個和芯片正極接觸的平面部分，其形成方法和引線框架疊加連接方式類似。
[0003]金屬絲線焊接工藝，如S0D123和S0D523等。對小功率二極管或整流元器件來說，芯片尺寸一般小于30milX30mil，一般使用的是直徑Imil以下的金絲焊線。雖然，近年來出現了銅絲線和銀絲線，但是目前的生產工藝能力還不能提供Imil以下的銅絲線和銀絲線。并且金是一種稀有貴金屬，采用金絲線的焊接工藝，不僅生產原材料成本較高，而且生產工藝的效率也相對較低。
[0004]引線框架疊加和跳片焊接工藝，如:S0D123、MB、UMB等，由于引線框架沖壓制造工藝的局限性，和芯片正極接觸的平面(凸臺平面或彎折平面)，其長和寬或直徑尺寸不能小于0.3mm，否則，加工難度非常大，品質很不穩定，因此，采用引線框架疊加和跳片焊接工藝的生產企業，無法生產出高品質高良率30milX30mil以下小尺寸芯片的產品。30milX30mil的芯片，其正極有效焊接區域的長和寬非常接近0.3mm，如果與芯片正極接觸的平面的長和寬或直徑為0.3mm，那么與芯片接觸的引線框架平面很容易接觸到芯片邊緣的保護層，嚴重影響半導體元器件的品質。對比金屬絲線焊接工藝，雖然引線框架疊加和跳片焊接工藝生產設備比較簡單，生產效率較高，但很難生產小尺寸芯片的二極管和整流橋半導體器件，這就是小功率二極管幾乎都采用金屬絲焊接工藝的原因。
【實用新型內容】
[0005]本實用新型為了克服以上技術的不足，提供了一種植入導電球結構的小功率整流元器件，本實用新型所述小功率整流元器件是指整流元器件的芯片尺寸小于等于30mil X30milo
[0006]本實用新型克服其技術問題所采用的技術方案是:
[0007]—種植入導電球結構的小功率整流元器件，包括塑封環氧樹脂，塑封環氧樹脂內設置有引線框架A和位于引線框架A下方的引線框架B;引線框架A的下表面焊接有芯片且芯片的正極朝下，引線框架B的上表面且對應芯片的位置設置有導電球，導電球與芯片的正極點接觸以形成電流通路。
[0008]優選的，所述引線框架B的上表面通過設置一球冠狀凹坑或通孔以固定導電球。
[0009]本實用新型的有益效果是:
[0010]1、本實用新型通過導電球實現芯片正極與引線框架的連接，突破了支架沖壓凸點尺寸的限制，支架沖壓凸點的長和寬或直徑的最小尺寸為0.3_左右，如再要生產更小尺寸的凸點，工藝將很不穩定，加工難度非常大，尺寸和品質也很難保證。
[0011]2、對比金屬絲線焊接，本實用新型植入導電球，使得導電路徑更短，焊接更可靠，具有更好的導電和導熱性能，提升了產品的品質;且不再使用昂貴的金絲，大大降低了原材料成本。
[0012]3、本實用新型植入的導電球與芯片是點接觸，因此可生產尺寸很小的芯片，植球工藝簡單、成熟，對比金屬絲線焊接，其生產效率可提升8倍左右。
【附圖說明】
[0013]圖1是現有技術中采用引線框架疊加焊接工藝制造的整流元器件的結構示意圖。
[0014]圖2是現有技術中采用金屬絲線焊接工藝制造的整流元器件的結構示意圖。
[0015]圖3是本實用新型采用植球焊接工藝制造的整流元器件的結構示意圖。
[0016]圖4是本實用新型將導電球固定于凹坑內的結構示意圖。
[0017]圖中，1、引線框架A，2、引線框架B，3、塑封環氧樹脂，4、芯片，5、焊料，6、凸點，7、金屬絲線，8、導電球，22、凹坑或通孔。
【具體實施方式】
[0018]為了便于本領域人員更好的理解本實用新型，下面結合附圖和具體實施例對本實用新型做進一步詳細說明，下述僅是示例性的不限定本實用新型的保護范圍。
[0019]如圖3所示，本實用新型植入導電球結構的小功率整流元器件，包括塑封環氧樹脂3，塑封環氧樹脂3內設置有引線框架A I和位于引線框架A下方的引線框架B 2;引線框架AI的下表面通過焊料5焊接有芯片4且芯片的正極朝下，引線框架B 2的上表面且對應芯片的位置設置一球冠狀凹坑或通孔22，如圖4所示，凹坑或通孔22內沾涂上焊料5或助焊劑以固定導電球8，所述導電球8與芯片4的正極點接觸以形成電流通路。
[0020]以上僅描述了本實用新型的基本原理和優選實施方式，本領域人員可以根據上述描述作出許多變化和改進，這些變化和改進應該屬于本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種植入導電球結構的小功率整流元器件，其特征在于，包括塑封環氧樹脂(3)，塑封環氧樹脂(3)內設置有引線框架A(I)和位于引線框架A(I)下方的引線框架B(2);引線框架A(I)的下表面焊接有芯片(4)且芯片的正極朝下，引線框架B(2)的上表面且對應芯片的位置設置有導電球(8)，導電球(8)與芯片(4)的正極點接觸以形成電流通路。2.根據權利要求1所述的整流元器件，其特征在于，所述引線框架B(2)的上表面通過設置一球冠狀凹坑或通孔(22)以固定導電球(8)。
【文檔編號】H01L23/495GK205680678SQ201620576003
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月14日 公開號201620576003.4, CN 201620576003, CN 205680678 U, CN 205680678U, CN-U-205680678, CN201620576003, CN201620576003.4, CN205680678 U, CN205680678U
【發明人】孔凡偉, 朱坤恒, 段花山
【申請人】山東晶導微電子有限公司