干刻裝置的制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種干刻裝置，屬于顯示技術領域，其可至少部分解決現有的干刻裝置中下部電極上的冷卻氣體通孔會影響基板上圖形的成形效果的問題。本實用新型的干刻裝置，用于在基板上刻蝕形成圖形，所述干刻裝置至少包括下部電極，所述下部電極開設有多個用于供冷卻氣體流通的冷卻氣體通孔，多個所述冷卻氣體通孔沿所述下部電極的邊沿區域排列且僅排列為一圈。本實用新型的干刻裝置中，冷卻氣體通孔不會影響基板上圖形的成形效果，保證了基板上圖形的成形效果。
【專利說明】
干刻裝置
技術領域
[0001]本實用新型屬于顯示技術領域，具體涉及一種干刻裝置。
【背景技術】
[0002]現有的干法刻蝕裝置(以下簡稱干刻裝置)，通常包括上部電極和下部電極，其中一個作為陽極，一個作為陰極。通過上部電極或下部電極向刻蝕腔室內通入反應氣體，利用反應氣體和通過施加電壓生成的等離子體反應產生原子和原子團，原子和原子團與淀積在基板上的物質反應生成揮發性物質，從而進行刻蝕。
[0003]目前，干刻裝置廣泛使用的方式是上部電極接地，下部電極在反應過程中承載待刻蝕的基板。在反應過程中，通常還需要通過下部電極的冷卻氣體通孔向基板背面吹流冷卻氣體，防止基板在工藝過程中出現膜層灼傷的現象。圖1為現有技術中的干刻裝置中的下部電極的結構示意圖，如圖1所示，下部電極的整個電極面開設有多個供冷卻氣體流通的冷卻氣體通孔6，冷卻氣體通孔6成圈狀地密密麻麻地分布著，以便對基板進行均勻地冷卻。
[0004]發明人發現現有技術中的干刻裝置至少存在如下問題:
[0005]由于供冷卻氣體流通的冷卻氣體通孔的存在，在基板進行刻蝕工藝的過程中，冷卻氣體通孔的周圍將產生電磁波，電磁波配合離子濺射將形成電磁場，導致冷卻氣體通孔對應的區域的刻蝕速率與設定的刻蝕速率不一致，影響基板上圖形的成形效果。
[0006]因此，設計一種能夠避免因冷卻氣體通孔對應的區域的刻蝕速率不一致、影響基板上圖形的成形效果的干刻裝置，成為目前亟待解決的技術問題。
【實用新型內容】
[0007]本實用新型為了至少部分解決上述技術問題提供一種干刻裝置，該干刻裝置能夠避免因冷卻氣體通孔對應的區域的刻蝕速率不一致、導致基板上圖形的成形效果較差的問題。
[0008]解決本實用新型技術問題所采用的技術方案是:提供一種干刻裝置，用于在基板上刻蝕形成圖形，所述干刻裝置至少包括下部電極，其特征在于，所述下部電極開設有多個用于供冷卻氣體流通的冷卻氣體通孔，多個所述冷卻氣體通孔沿所述下部電極的邊沿區域排列且僅排列為一圈。
[0009]優選的是，所述冷卻氣體通孔沿所述下部電極的邊沿區域均勻、間隔分布。
[0010]優選的是，所述下部電極的水平截面為對稱圖形，所述下部電極在對稱線的區域還開設有用于供冷卻氣體流通的冷卻氣體通孔。
[0011 ]優選的是，所述冷卻氣體通孔沿所述對稱線均勻、間隔分布。
[0012]優選的是，所述對稱線包括橫向對稱線和/或豎向對稱線。
[0013]優選的是，所述冷卻氣體通孔分布的密度為每10厘米長度內分布至少5個。
[0014]優選的是，所述下部電極還開設有多個插孔，所述插孔用于供支撐柱伸出所述下部電極或縮回所述下部電極的內部，伸出所述下部電極的所述支撐柱用于支撐待刻蝕的基板。
[0015]優選的是，所述插孔僅分布在所述下部電極的邊沿區域和對稱線的區域。
[0016]優選的是，所述冷卻氣體為氦氣。
[0017]優選的是，還包括上部電極，所述上部電極與所述下部電極正對設置，所述上部電極開設有供反應氣體流通的反應氣體通孔。
[0018]本實用新型的干刻裝置中，通過調整下部電極供冷卻氣體流通的冷卻氣體通孔的分布狀況，使得多個冷卻氣體通孔沿下部電極的邊沿區域排列且僅排列為一圈，由于基板的邊沿區域通常不形成有效圖形，因此，冷卻氣體通孔對應的區域的刻蝕速率即使不一致也不會影響基板上圖形的成形，從而保證基板上圖形的成
[0019]形效果;相應的，還可以同時在基板對應著無需形成圖形的中線
[0020]等區域形成冷卻氣體通孔。
【附圖說明】
[0021]圖1為現有技術干刻裝置中的下部電極的結構示意圖；
[0022]圖2為本實用新型的實施例1的干刻裝置的局部剖示圖；
[0023]圖3為圖2中下部電極的結構示意圖；
[0024]圖4為實施例2的干刻裝置中下部電極的結構示意圖。
[0025]其中，附圖標記為:
[0026]1、上部電極;2、下部電極;3、插孔;4、支撐柱;5、基板;6、冷卻氣體通孔。
【具體實施方式】
[0027]為使本領域技術人員更好地理解本實用新型的技術方案，下面結合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細描述。
[0028]實施例1:
[0029]本實施例提供一種干刻裝置，用于在基板上刻蝕形成圖形，該干刻裝置包括下部電極，下部電極開設有多個用于供冷卻氣體流通的冷卻氣體通孔，多個冷卻氣體通孔沿下部電極的邊沿區域排列且僅排列為一圈。
[0030]圖2為本實施例的干刻裝置的局部剖視圖，圖3為圖2中下部電極的結構示意圖，如圖2、圖3所不，干刻裝置包括正對設置的上部電極I和下部電極2。其中的下部電極2開設有多個用于供冷卻氣體流通的冷卻氣體通孔6。具體的，冷卻氣體通孔6沿下部電極2的邊沿區域排列且僅排列為一圈，并且冷卻氣體通孔6沿邊沿區域均勻、間隔分布。這里所說的邊沿區域是指下部電極2最外環的、對應著不形成基板圖形的區域。
[0031]相比現有的下部電極，本實施例的下部電極2僅在邊沿區域開設用于供冷卻氣體流通的冷卻氣體通孔6，而未在下部電極2的其他區域開設冷卻氣體通孔6。也就是說，下部電極對應基板上可能形成圖形的中間區域均未開設冷卻氣體通孔6，而僅在對應基板上確定未形成圖形的區域開設冷卻氣體通孔6，因此能確切避免冷卻氣體通孔對刻蝕造成的影響。
[0032]為了保證對基板的冷卻效果，相比現有的下部電極，本實施例的下部電極2增大了冷卻氣體通孔6分布的密度。例如，現有的下部電極中通常每20厘米長度內分布5個冷卻氣體通孔，本實施例的下部電極2每10厘米長度內分布至少5個冷卻氣體通孔6，這樣，雖然本實施例的下部電極冷卻氣體通孔6的分布區域減小，但是鑒于其增大的密度，保證了足夠的冷卻氣體通入量，因此保證了相當的冷卻效果。
[0033]優選的是，這里通過冷卻氣體通孔6的冷卻氣體為氦氣，能夠提供較好的冷卻效果O
[0034]從圖2、圖3可見，下部電極2上還開設有多個插孔3，插孔3內設置有支撐柱4。支撐柱4可從下部電極2上開設的多個插孔3伸出下部電極2或縮回下部電極2的內部，伸出下部電極2的支撐柱4用于支撐待刻蝕的基板5。這里的插孔3可以分布在下部電極2的邊沿區域和對稱線的區域，插孔3還用于供冷卻氣體流通以冷卻待刻蝕的基板5。相應的，在支撐柱4插入插孔3時，冷卻氣體依然能夠穿過插孔3，從而實現插孔3與冷卻氣體通孔6共同用于流通冷卻氣體、以對基板5進行冷卻，提高冷卻效果。
[0035]此外，為實現向干刻裝置內部通入反應氣體，本實施例的干刻裝置的上部電極I開設有供反應氣體流通的反應氣體通孔。
[0036]本實施例的干刻裝置中，下部電極僅在邊沿區域開設用于供冷卻氣體流通的冷卻氣體通孔，而邊沿區域在對應的基板的區域無需刻蝕形成圖形，這樣，避免了冷卻氣體通孔對應的區域可能造成的刻蝕速率不一致而影響基板上圖形的成形效果；同時，相比現有的下部電極，本實施例中的下部電極上冷卻氣體通孔的分布密度增大，能夠保證對基板的冷卻效果。
[0037]實施例2:
[0038]本實施例提供一種干刻裝置，其與實施例1不同的是:本實施例中干刻裝置的下部電極在邊沿區域開設冷卻氣體通孔的基礎上，還在對稱線的區域開設有冷卻氣體通孔。
[0039]如圖4所示，下部電極2的水平截面為對稱圖形，下部電極2在沿對稱線的區域還開設有用于供冷卻氣體流通的冷卻氣體通孔6，并且，冷卻氣體通孔6沿對稱線均勻、間隔分布。
[0040]這里的對稱線包括橫向對稱線和/或豎向對稱線。在具體運用過程中，開設沿下部電極2的橫向對稱線分布冷卻氣體通孔6、還是沿下部電極2的豎向對稱線分布冷卻氣體通孔6，主要根據基板5的圖形分布而定。基本原則在于，基板5的對稱線所在的位置通常不形成圖形，在下部電極2上對應基板5的對稱線的位置開設冷卻氣體通孔6，不會影響基板5上圖形的成形效果，保證了基板5上圖形的成形效果。
[0041]這是由于，在刻蝕過程中，為了提高制備效率，通常在同一構圖工藝中形成多個具有獨立顯示功能的子板的同一層圖形。例如，在一塊包括多個子板圖形的基板5中，如果各子板規律分布(例如子板為方形、多個子板呈矩形分布)且相鄰子板之間未形成圖形的區域對應著基板5橫向的中線區域，則沿下部電極2的橫向對稱線開設冷卻氣體通孔6;如果相鄰子板之間未形成圖形的區域對應著基板5豎向的中線區域，則沿下部電極2的豎向對稱線開設冷卻氣體通孔6;如果相鄰子板之間未形成圖形的區域對應著基板5的橫向中線和豎向中線均是其對稱線，則沿下部電極2的橫向對稱線和豎向對稱線均開設冷卻氣體通孔6。
[0042]為了提高對基板的冷卻效果，位于對稱線區域的冷卻氣體通孔6分布的密度為:每10厘米長度內分布至少5個。
[0043]容易理解的是，下部電極2除邊沿區域分布的冷卻氣體通孔6，在其內部分布的冷卻氣體通孔6可以形成為多條平行于橫向中線的橫向直線或多條平行于縱向中線的縱向直線，并不限定為中線，只要冷卻氣體通孔6對應基板上的區域無需刻蝕形成圖形即可。在實際應用過程中可根據待刻蝕的基板選用不同的下部電極來對應，以期獲得較好的刻蝕效果和冷卻效果。
[0044]同樣，本實施例中下部電極2還開設有多個插孔3，插孔3分布在下部電極2的邊沿區域和對稱線的區域。例如，在某一尺寸的下部電極中，可以開設16個插孔3，其中在下部電極2的邊沿區域分布12個，在下部電極2的對稱線區域分布4個。這樣，不僅能夠簡化下部電極2的結構，還保證了對基板5的支撐效果。
[0045]本實施例的干刻裝置中，下部電極僅在邊沿區域和對稱線的區域開設用于供冷卻氣體流通的冷卻氣體通孔，并且，冷卻氣體通孔在對應基板的區域無需刻蝕形成圖形，這樣，冷卻氣體通孔對應的區域的刻蝕速率不一致不會影響基板上圖形的成形效果，保證了基板上圖形的成形效果；同時，相比現有的下部電極，本實施例中的下部電極上冷卻氣體通孔的分布密度增大，能夠保證對基板的冷卻效果。
[0046]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本實用新型的原理而采用的示例性實施方式，然而本實用新型并不局限于此。對于本領域內的普通技術人員而言，在不脫離本實用新型的精神和實質的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種干刻裝置，用于在基板上刻蝕形成圖形，所述干刻裝置至少包括下部電極，其特征在于，所述下部電極開設有多個用于供冷卻氣體流通的冷卻氣體通孔，多個所述冷卻氣體通孔沿所述下部電極的邊沿區域排列且僅排列為一圈。2.根據權利要求1所述的干刻裝置，其特征在于，所述冷卻氣體通孔沿所述下部電極的邊沿區域均勻、間隔分布。3.根據權利要求1所述的干刻裝置，其特征在于，所述下部電極的水平截面為對稱圖形，所述下部電極在對稱線的區域還開設有用于供冷卻氣體流通的冷卻氣體通孔。4.根據權利要求3所述的干刻裝置，其特征在于，所述冷卻氣體通孔沿所述對稱線均勾、間隔分布。5.根據權利要求3所述的干刻裝置，其特征在于，所述對稱線包括橫向對稱線和/或豎向對稱線。6.根據權利要求3所述的干刻裝置，其特征在于，所述冷卻氣體通孔分布的密度為每10厘米長度內分布至少5個。7.根據權利要求1所述的干刻裝置，其特征在于，所述下部電極還開設有多個插孔，所述插孔用于供支撐柱伸出所述下部電極或縮回所述下部電極的內部，伸出所述下部電極的所述支撐柱用于支撐待刻蝕的基板。8.根據權利要求7所述的干刻裝置，其特征在于，所述插孔僅分布在所述下部電極的邊沿區域和對稱線的區域。9.根據權利要求1-8任一所述的干刻裝置，其特征在于，所述冷卻氣體為氦氣。10.根據權利要求1-8任一所述的干刻裝置，其特征在于，還包括上部電極，所述上部電極與所述下部電極正對設置，所述上部電極開設有供反應氣體流通的反應氣體通孔。
【文檔編號】H01L21/67GK205680662SQ201620475931
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年5月23日 公開號201620475931.1, CN 201620475931, CN 205680662 U, CN 205680662U, CN-U-205680662, CN201620475931, CN201620475931.1, CN205680662 U, CN205680662U
【發明人】李淳東, 李知勛, 陳兵
【申請人】鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司, 京東方科技集團股份有限公司