集成電路器件的制作方法
【專利摘要】本公開涉及一種集成電路器件，包括：襯底；與所述襯底相鄰的集成電路裸片，所述集成電路裸片具有活性表面，與所述活性表面相反的后表面，以及在其中具有臺階的側壁，所述臺階限定了與所述后表面相鄰的較小周邊以及與所述活性表面相鄰的較大周邊；以及在所述集成電路裸片的所述后表面與所述襯底之間、并圍繞所述集成電路裸片的樹脂材料，所述樹脂材料緊靠著所述臺階、由所述臺階保持住并且不延伸超過所述臺階。
【專利說明】
集成電路器件
技術領域
[0001]本披露涉及電子器件領域，并且更具體地涉及半導體器件。
【背景技術】
[0002]在具有集成電路(IC)的電子器件中，IC通常安裝到電路板上。為了電耦接在電路板和IC之間的連接，通常對IC進行“封裝”。IC封裝通常提供用于物理地保護IC的小型封套并且提供用于耦接至電路板的接觸焊盤。在一些應用中，封裝的IC可以經由焊料凸塊耦接到電路板。
[0003]—種IC封裝方法包括將IC安裝到電路板上并經由多條鍵合接線將IC耦接至電路板。鍵合接線方法通常被認為是最成本有效且靈活的互連技術，并且用于組裝絕大多數半導體封裝體。
[0004]首先參照圖1，現在描述用于制作IC器件100的典型方法。該方法包括將晶片109安置在載體層104上。晶片109包括多個IC裸片105a-105c，每個IC裸片具有活性表面107和后表面108。活性表面107包括電路111。該方法包括用第一和第二劃切刀片101和102劃切晶片109以從活性表面107將該多個IC裸片105a-105c切割成單片。一旦被切割成單片，每個IC裸片105a-105c就被安裝到對應的電路板層103上，并且在IC裸片與對應的電路板層之間形成包封材料106。該方法還包括在IC裸片105a-105c與對應的電路板層103之間形成多條鍵合接線 11 Oa-1 I Ob。
【實用新型內容】
[0005]本公開的目的是提供一種集成電路器件，以至少部分地解決現有技術中的上述問題。
[0006]—般而言，一種方法用于制作IC器件。該方法可以包括將晶片劃切成多個IC裸片。每個IC裸片可以具有活性表面、與該活性表面相反的后表面以及在其中具有臺階的側壁，其中，該臺階限定了與該后表面相鄰的較小周邊以及與活性表面相鄰的較大周邊。該方法可以包括在每個IC裸片的后表面與對應的襯底之間、并圍繞每個IC裸片安置樹脂材料，從而使得該樹脂材料緊靠著該臺階并由該臺階保持住。有利地，該方法可以提供生產IC器件的改進的成品率。
[0007]具體而言，安置該樹脂材料可以包括將該樹脂材料安置成不延伸超過該臺階。該方法可以進一步包括在劃切之前將晶片安置在粘合劑載體層上、并且在劃切之后從粘合劑載體層中去除該多個IC裸片。
[0008]同樣，將該晶片安置在該粘合劑載體層上可以包括將該活性表面安置在該粘合劑載體層上。該方法還可以包括使用與這些IC裸片的后表面相鄰的圖像傳感器裝置來對準至少一個劃切刀片。該晶片可以包括在該多個IC裸片的相鄰裸片之間的多條劃片線，并且該圖像傳感器裝置可以感測這些劃片線。在一些實施例中，該圖像傳感器裝置可以包括紅外圖像傳感器裝置。
[0009]此外，劃切該晶片可以包括使用第一劃切刀片的第一部分劃切以及使用第二劃切刀片的第二部分劃切。該第一劃切刀片可以具有與該第二劃切刀片的厚度不同的厚度。
[0010]另一方面涉及一種IC器件。該IC器件可以包括襯底以及與該襯底相鄰的IC裸片。該IC裸片可以具有活性表面、與該活性表面相反的后表面以及其中具有臺階的側壁，其中，該臺階限定了與后表面相鄰的較小周邊以及與該活性表面相鄰的較大周邊。該IC器件可以包括在該IC裸片的后表面與該襯底之間、并圍繞該IC裸片的樹脂材料，該樹脂材料緊靠著該臺階、由該臺階保持住并且不延伸超過該臺階。
[0011]此外，該IC器件可以進一步包括在該襯底與該IC裸片之間延伸的多條鍵合接線。該活性表面可以包括電路。該較大周邊可以具有在該較小周邊的寬度的105%-125%范圍內的寬度。
[0012]有利地，嚴格地控制填角高度(S卩，從襯底到這些臺階和所測量的樹脂材料的高度)，由此防止樹脂材料污染/侵占活性表面和該多個鍵合焊盤。此外，IC器件說明性地包括在襯底的多條導電跡線與IC裸片的多個鍵合焊盤之間延伸的多條鍵合接線。有益地，由于填角高度受到控制，這些鍵合接線的形成不受樹脂材料影響。
【附圖說明】
[0013]圖1是根據現有技術的用于制作IC器件的方法的步驟的示意性側視圖。
[0014]圖2是根據現有技術的IC器件的示意性側視圖。
[0015]圖3是根據本披露的用于制作IC器件的方法的步驟的示意性側視圖。
[0016]圖4是根據本披露的IC器件的示意性側視圖。
[0017]圖5是根據本披露的用于制作IC器件的方法的流程圖。
[0018]圖6是根據本披露的用于制作IC器件的方法的更詳細的流程圖。
【具體實施方式】
[0019]現在將在下文中參照附圖更全面描述本披露，其中附圖示出了本實用新型的若干實施例。然而本披露可以以許多不同的形式來實施，并且不應當被解釋為限于在此所陳述的實施例。相反，提供這些實施例以使得本披露將是全面和完整的，并且將向本領域技術人員完全傳達本披露的范圍。貫穿全文相同的數字是指相同的元件。
[0020]現在參照圖3和圖4，現在描述根據本披露的IC器件10和用于制作IC器件的方法。IC器件10說明性地包括襯底(例如，電路板層或引線框部件)12、以及安裝在該襯底上的IC裸片11。在一些實施例中，該襯底包括電路板層12，該電路板層包括電介質層以及由該電介質層承載的多條導電跡線。IC裸片11說明性地包括活性表面14、與該活性表面相反的后表面15以及側壁16和17。活性表面14說明性地包括電路26以及多個鍵合鍵盤27a和27b。例如，電路26可以包括圖像感測電路。
[0021]每個側壁16-17具有臺階18-19，該臺階限定了與后表面15相鄰的較小周邊以及與活性表面14相鄰的較大周邊。盡管僅描繪了兩個側壁16-17，IC裸片11具有四個這種具有臺階18-19的側壁16-17。
[0022]換言之，跨后表面15的寬度和長度小于跨活性表面14的寬度和長度。具體而言，較大周邊可以分別具有在較小周邊的寬度和長度的105%-125%范圍內的寬度和長度。[0023 ] IC器件1說明性地包括在IC裸片11的后表面15與襯底12之間、并圍繞IC裸片的樹脂材料(例如，環氧樹脂材料)13，該樹脂材料緊靠著臺階18和19、由這些臺階保持住并且不延伸超過這些臺階。有利地，嚴格地控制填角高度(即，從襯底12到這些臺階18和19所測量的樹脂材料13的高度)，由此防止樹脂材料污染/侵占活性表面14和該多個鍵合焊盤27a-27b。此外，IC器件10說明性地包括在襯底12的多條導電跡線與IC裸片11的多個鍵合焊盤27a-27b之間延伸的多條鍵合接線25a-25b。有益地，由于填角高度受到控制，這些鍵合接線25a-25b的形成不受樹脂材料13影響。
[0024]現在另外參照圖5和圖6以及這些圖中的流程圖30、50，用于制作IC器件10的方法開始于框31和框51處。該方法說明性地包括將晶片23安置在粘合劑載體層22上。(框33)。晶片23說明性地包括多個IC裸片lla-llc。每個IC裸片Ila-1lc具有活性表面14a-14c以及與該活性表面相反的后表面15a-15c。具體而言，將晶片23安置成使得該多個IC裸片Ila-1lc的活性表面14a-14c向下面向粘合劑載體層22。具體而言，粘合劑載體層22可以包括正面保護(FSP)膠帶。
[0025]該方法說明性地包括將晶片23劃切成多個IC裸片Ila-1lc(即，單片切割步驟)。(框35、55)。該方法說明性地包括使用與IC裸片Ila-1lc的后表面15a_l5c相鄰的圖像傳感器裝置24來對準第一和第二劃切刀片20-21，即，劃切是在IC裸片的后表面上執行的。如將被認識到的，晶片23包括在該多個IC裸片Ila-1lc的相鄰裸片之間的多條劃片線28(由虛線所示)，并且圖像傳感器裝置24可以感測這些劃片線。在一些實施例中，圖像傳感器裝置24可以包括紅外圖像傳感器裝置。在一些實施例中，圖像傳感器裝置24可以感測在晶片23中掩埋的金屬化層。
[0026]此外，劃切晶片23可以包括使用第一劃切刀片20的第一部分劃切以及使用第二劃切刀片的第二部分劃切21。第一劃切刀片20可以具有與第二劃切刀片21的厚度不同的厚度。每個IC裸片Ila-1lc具有多個側壁16-17，并且如在圖3中可能最佳所見的，多刀片劃切限定了每個側壁16-17具有限定了與后表面15a-15c相鄰的較小周邊以及與活性表面14a-14c相鄰的較大周邊的臺階18-19。在所展示的實施例中，第一劃切刀片20比第二劃切刀片21更厚，并且第二劃切刀片比第一劃切刀片劃切至晶片23中更深的深度。有利地，在劃切過程中，保護活性表面14a-l4c免受碎片。
[0027]該方法說明性地包括在劃切之后從粘合劑載體層22中去除該多個IC裸片Ila-11c、并且將該多個IC裸片安裝在對應的襯底12上。(框37)。該方法說明性地包括在每個IC裸片Ila-1lc的后表面15a-15c與對應的襯底12之間、并圍繞每個IC裸片安置樹脂材料13，從而使得樹脂材料緊靠著臺階18-19并由該臺階保持住。(框39、59和框41、61)。具體而言，安置樹脂材料13可以包括將樹脂材料安置成不延伸超過臺階18-19。
[0028]在典型的方法中，如在圖1和圖2中所示的，制造工藝由于缺乏對填角高度的控制已經降低了產量。具體而言，包封材料106可能侵占IC裸片105a-105c的活性表面107并且侵占該多條鍵合接線110a-110b。實際上，隨著IC裸片變得更薄(S卩，IC裸片高度約ΙΟΟμπι)，填角高度控制問題已經變得更加顯著。同樣，圖1和圖2中的方法可能用劃切過程產生的碎片污染活性表面107。有利地，該方法可以由于更少地侵占鍵合接線25a-25b以及活性表面14并且由于劃切過程中更少地污染活性表面從而提供生產IC器件10的改進的成品率。
[0029]得益于在前述說明和相關聯附圖中呈現的教導，本領域技術人員將想到本披露的許多修改和其他實施例。因此，應該理解的是，本披露并不限于所披露的特定實施例，并且修改和實施例旨在包括于所附權利要求書的范圍內。
【主權項】
1.一種集成電路器件，其特征在于，包括: 襯底； 與所述襯底相鄰的集成電路裸片，所述集成電路裸片具有 活性表面， 與所述活性表面相反的后表面，以及 在其中具有臺階的側壁，所述臺階限定了與所述后表面相鄰的較小周邊以及與所述活性表面相鄰的較大周邊;以及 在所述集成電路裸片的所述后表面與所述襯底之間、并圍繞所述集成電路裸片的樹脂材料，所述樹脂材料緊靠著所述臺階、由所述臺階保持住并且不延伸超過所述臺階。2.如權利要求1所述的集成電路器件，其特征在于，進一步包括在所述襯底與所述集成電路裸片之間延伸的多條鍵合接線。3.如權利要求1所述的集成電路器件，其特征在于，所述活性表面包括電路。4.如權利要求1所述的集成電路器件，其特征在于，所述較大周邊具有在所述較小周邊的寬度的105%-125%范圍內的寬度。
【文檔編號】H01L21/56GK205645791SQ201620256316
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年3月30日
【發明人】B·C·巴奎安, F·阿雷拉諾, A·M·阿谷唐
【申請人】意法半導體公司