Rgbir圖像傳感器的制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種RGBIR圖像傳感器，其包括：N型襯底；位于N型襯底上的外延層；所述外延層中包含若干第一N型區域，做為圖像傳感器的光電二極管區域；RGBIR彩色濾光膜陣列；光通過RGBIR陣列于N型襯底中形成冗余電子，于N型襯底加正壓，抽取冗余電子以防止轉移至周圍像素單元，減小光電二極管之間的串擾。本實用新型的RGBIR圖像傳感器，采用N型襯底代替現有技術中的P型襯底，并于N型襯底加正壓，抽取N型襯底中的冗余電子以防止轉移至周圍像素單元，減小光電二極管之間的串擾，提高成像色彩鮮艷度，改善圖像質量。
【專利說明】
RGB IR圖像傳感器
技術領域
[0001]本實用新型涉及圖像處理領域，尤其涉及一種RGBIR圖像傳感器。
【背景技術】
[0002]現有的RGBIR圖像傳感器通常包括P型襯底，位于P型襯底上的外延層，所述外延層中包含若干N型區域，做為圖像傳感器的光電二極管區域。由于采用RGBIR彩色濾光膜陣列代替了Bayer模式的RGB彩色濾光膜陣列，該RGBIR彩色濾光膜陣列包括R、G、B、IR四種通道，其中，R通道允許紅光和紅外光通過，G通道允許綠光和紅外光通過，B通道允許藍光和紅外光通過，IR通道僅允許紅外光通過，因此R、G、B通道各自接收到的信號分別減去IR通道接收到的信號，即可得到紅光、綠光、藍光單獨產生的信號，從而有效去除紅外光影響而產生的噪聲。然而由于紅外光的波長較長，能夠進入P型襯底并產生大量冗余電子，這些冗余電子容易轉移至周圍像素單元，造成光電二極管之間的串擾，并且導致光線亮度過高，成像色彩偏白。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的目的在于提供一種RGBIR圖像傳感器，減小光電二極管之間的串擾，提高成像色彩鮮艷度，改善圖像質量。
[0004]基于以上考慮，本實用新型提供一種RGBIR圖像傳感器，其包括:N型襯底;位于N型襯底上的外延層;所述外延層中包含若干第一 N型區域，做為圖像傳感器的光電二極管區域;RGBIR彩色濾光膜陣列；光通過RGBIR陣列于N型襯底中形成冗余電子，于N型襯底加正壓，抽取冗余電子以防止轉移至周圍像素單元，減小光電二極管之間的串擾。
[0005]優選地，所述外延層為P型外延層。
[0006]優選地，所述外延層為N型外延層，N型襯底與N型外延層之間還設置有P型隔離層。
[0007]優選地，所述RGBIR圖像傳感器還包括:位于像素陣列周圍區域的第二N型區域，所述第二 N型區域與N型襯底連通，于第二 N型區域加正壓，適于抽取像素單元中的冗余電子。
[0008]優選地，所述第二N型區域包括:靠近表面的淺N型區域及位于其下部的深N型區域。
[0009]本實用新型的RGBIR圖像傳感器，采用N型襯底代替現有技術中的P型襯底，并于N型襯底加正壓，抽取N型襯底中的冗余電子以防止轉移至周圍像素單元，減小光電二極管之間的串擾，提高成像色彩鮮艷度，改善圖像質量。
【附圖說明】
[0010]通過參照附圖閱讀以下所作的對非限制性實施例的詳細描述，本實用新型的其它特征、目的和優點將會變得更明顯。
[0011]圖1為本實用新型的RGBIR圖像傳感器的一個實施例的結構示意圖；
[0012]圖2為本實用新型的RGBIR圖像傳感器的另一實施例的結構示意圖。
[0013]在圖中，貫穿不同的示圖，相同或類似的附圖標記表示相同或相似的裝置(模塊)或步驟。
【具體實施方式】
[0014]為解決上述現有技術中的問題，本實用新型提供一種RGBIR圖像傳感器，采用N型襯底代替現有技術中的P型襯底，并于N型襯底加正壓，抽取N型襯底中的冗余電子以防止轉移至周圍像素單元，減小光電二極管之間的串擾，提高成像色彩鮮艷度，改善圖像質量。
[0015]在以下優選的實施例的具體描述中，將參考構成本實用新型一部分的所附的附圖。所附的附圖通過示例的方式示出了能夠實現本實用新型的特定的實施例。示例的實施例并不旨在窮盡根據本實用新型的所有實施例。可以理解，在不偏離本實用新型的范圍的前提下，可以利用其他實施例，也可以進行結構性或者邏輯性的修改。因此，以下的具體描述并非限制性的，且本實用新型的范圍由所附的權利要求所限定。
[0016]圖1示出本實用新型的RGBIR圖像傳感器的一個實施例。該RGBIR圖像傳感器包括:N型襯底101;位于N型襯底101上的P型外延層102;所述P型外延層102中包含若干第一 N型區域103，做為圖像傳感器的光電二極管區域;RGBIR彩色濾光膜陣列104。由于采用了 N型襯底101代替現有技術中的P型襯底，并于N型襯底101加正壓，抽取N型襯底101中的冗余電子以防止轉移至周圍像素單元，減小了光電二極管之間的串擾，提高了成像色彩鮮艷度，改善了圖像質量。
[0017]優選地，所述RGBIR圖像傳感器還包括:位于像素陣列周圍區域的第二N型區域107，在本實施例中，所述第二N型區域107包括:靠近表面的淺N型區域105及位于其下部的深N型區域106，所述第二 N型區域107與N型襯底101連通，于第二 N型區域107加正壓，例如于靠近表面的淺N型區域105加正壓，適于抽取像素單元中的冗余電子。
[0018]圖2示出本實用新型的RGBIR圖像傳感器的另一實施例。該RGBIR圖像傳感器包括:N型襯底201;位于N型襯底上的N型外延層202 ;N型襯底201與N型外延層202之間還設置有P型隔離層208;所述N型外延層中包含若干第一 N型區域203，做為圖像傳感器的光電二極管區域;RGBIR彩色濾光膜陣列204。由于采用了N型襯底201代替現有技術中的P型襯底，并于N型襯底201加正壓，抽取N型襯底201中的冗余電子以防止轉移至周圍像素單元，減小了光電二極管之間的串擾，提高了成像色彩鮮艷度，改善了圖像質量。
[0019]優選地，所述RGBIR圖像傳感器還包括:位于像素陣列周圍區域的第二N型區域207，在本實施例中，所述第二N型區域207包括:靠近表面的淺N型區域205及位于其下部的深N型區域206，所述第二 N型區域207與N型襯底201連通，于第二 N型區域207加正壓，例如于靠近表面的淺N型區域205加正壓，適于抽取像素單元中的冗余電子。
[0020]本實用新型的RGBIR圖像傳感器，采用N型襯底代替現有技術中的P型襯底，并于N型襯底加正壓，抽取N型襯底中的冗余電子以防止轉移至周圍像素單元，減小光電二極管之間的串擾，提高成像色彩鮮艷度，改善圖像質量。
[0021]對于本領域技術人員而言，顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節，而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現本實用新型。因此，無論如何來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的。此外，明顯的，“包括”一詞不排除其他元素和步驟，并且措辭“一個”不排除復數。裝置權利要求中陳述的多個元件也可以由一個元件來實現。第一，第二等詞語用來表示名稱，而并不表示任何特定的順序。
【主權項】
1.一種RGBIR圖像傳感器，其特征在于，其包括: N型襯底； 位于N型襯底上的外延層;所述外延層中包含若干第一 N型區域，做為圖像傳感器的光電二極管區域； RGBIR彩色濾光膜陣列； 光通過RGBIR陣列于N型襯底中形成冗余電子，于N型襯底加正壓，抽取冗余電子以防止轉移至周圍像素單元，減小光電二極管之間的串擾。2.根據權利要求1所述的RGBIR圖像傳感器，其特征在于，所述外延層為P型外延層。3.根據權利要求1所述的RGBIR圖像傳感器，其特征在于，所述外延層為N型外延層，N型襯底與N型外延層之間還設置有P型隔離層。4.根據權利要求1所述的RGBIR圖像傳感器，其特征在于，還包括:位于像素陣列周圍區域的第二 N型區域，所述第二 N型區域與N型襯底連通，于第二 N型區域加正壓，適于抽取像素單元中的冗余電子。5.根據權利要求4所述的RGBIR圖像傳感器，其特征在于，所述第二N型區域包括:靠近表面的淺N型區域及位于其下部的深N型區域。
【文檔編號】H01L27/146GK205621735SQ201620270509
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2016年4月5日
【發明人】李 杰, 趙立新, 李文強, 李強
【申請人】格科微電子（上海）有限公司