一個多mosfet管的高效安裝結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一個多MOSFET管的高效安裝結構，包括連接銅排，所述連接銅排通過螺柱與PCB板固定連接，所述PCB板的底部設置散熱器，所述散熱器的表面設置陶瓷基片，所述陶瓷基片的表面設置MOSFET管，所述MOSFET管的管腳直接焊接在PCB板的底部，所述PCB板的內部通過布線將MOSFET管的管腳與螺柱相連，所述MOSFET管和陶瓷基片均通過第一三組合螺釘與散熱器連接。所述一個多MOSFET管的高效安裝結構，通過設置陶瓷基片，陶瓷基片有很高的絕緣耐壓且有很高的導熱系數，通過這個方法可以實現MOSFET管高絕緣耐壓要求，將MOSFET管直接通過陶瓷基片與散熱器相連，能將MOSFET管損耗產生的熱量迅速傳遞到散熱器上，通過將散熱器設置為流蘇型結構，能夠加大散熱面積，增強散熱效果。
【專利說明】
一個多MOSFET管的高效安裝結構
技術領域
[0001 ]本實用新型涉及一種電源裝置，特別涉及一個多MOSFET管的高效安裝結構。
【背景技術】
[0002]在直流無刷多相電機的驅動和控制器設計中，大功率MOSFET管多使用T0-220封裝的MOSFET管并聯并排連接方式安裝在PCB線路板上，隨著開關電源大批量應用于各行各業中，作為開關電源主要開關管的MOSFE被大量使用，MOSFE管分為上、下橋臂管，電源線和電機線之間并聯的MOSFET稱做上橋臂管，電源地線和電機線之間并聯的MOSFET稱做下橋臂管，上下橋臂管串成一線焊接在PCB上，MOSFET管的散熱片成一平面壓緊貼在散熱器上，并聯的上橋臂管的源極連接并聯的下橋臂管的漏極，MOSFET管的柵極連接驅動控制器的控制輸出端，電源線連接上橋臂管的漏極，電源地線連接下橋臂管的源極，電機線連接上橋臂管的源極，在電源線和電源地線之間還并聯多個電容，由于上、下橋臂管一般各由多個T0-220封裝的MOSFET管并聯而成，現有技術中一般來說，MOSFET管安裝在PCB板一側，把MOSFET管的散熱片直接貼在PCB板側面的鋁散熱器上，MOSFET管并聯密植連接方式時，存在安全隱患和效果不佳燈問題，而且MOSFET管在散熱、絕緣耐壓、高效安裝等方面無法兼顧，嚴重影響產品優化設計。
【實用新型內容】
[0003]為了克服現有技術的不足，本實用新型提供一個多MOSFET管的高效安裝結構，可有效解決MOSFET在散熱、絕緣耐壓、高效安裝等方面的問題。
[0004]本實用新型提供一個多MOSFET管的高效安裝結構，包括連接銅排，所述連接銅排通過螺柱與PCB板固定連接，所述PCB板的底部設置散熱器，所述散熱器的表面設置陶瓷基片，所述陶瓷基片的表面設置MOSFET管，所述MOSFET管的管腳直接焊接在PCB板的底部，所述PCB板的內部通過布線將MOSFET管的管腳與螺柱相連，所述MOSFET管和陶瓷基片均通過第一三組合螺釘與散熱器連接。
[0005]優選的，所述散熱器為流蘇型結構。
[0006]優選的，所述MOSFET管成陣列形式均勻分布在散熱器的表面且通過陶瓷基片與散熱器隔開。
[0007]優選的，所述連接銅排通過第二三組合螺釘與PCB板固定連接。
[0008]優選的，所述PCB板通過支撐螺柱與散熱器固定連接。
[0009]基于上述技術方案的公開，本實用新型提供的所述一個多MOSFET管的高效安裝結構，通過設置陶瓷基片，陶瓷基片有很高的絕緣耐壓且有很高的導熱系數，通過這個方法可以實現MOSFET管高絕緣耐壓要求，將MOSFET管直接通過陶瓷基片與散熱器相連，能將MOSFET管損耗產生的熱量迅速傳遞到散熱器上，通過將散熱器設置為流蘇型結構，能夠加大散熱面積，增強散熱效果，通過將MOSFET管直接焊接在PCB板的表面，在PCB板的表面各個MOSFET管腳焊接螺柱，再設計銅排通過螺柱進行MOSFET管的串并聯，此方法不僅可以快速將多個MOSFET管進行連接，而且連接銅排同時保證多個MOSFET管很好的固定連接。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型提供的一種正視圖；
[0011 ]圖2為本實用新型提供的一種側視圖；
[0012]圖3為本實用新型提供的一種俯視圖。
[0013]圖中:1PCB板、2第一三組合螺釘、3 MOSFET管、4陶瓷基片、5散熱器、6連接銅排、7第二三組合螺釘、8螺柱。
【具體實施方式】
[0014]下面結合附圖對本實用新型的實施例進行詳述。
[0015]請參照圖1-3，本實用新型提供一個多MOSFET管的高效安裝結構，包括連接銅排6，連接銅排6通過第二三組合螺釘7與PCB板I固定連接，PCB板I通過支撐螺柱與散熱器5固定連接，連接銅排6通過螺柱8與PCB板I固定連接，PCB板I的底部設置散熱器5，散熱器5為流蘇型結構，通過將散熱器5設置為流蘇型結構，能夠加大散熱面積，增強散熱效果，散熱器5的表面設置陶瓷基片4，通過設置陶瓷基片4，陶瓷基片4有很高的絕緣耐壓且有很高的導熱系數，通過這個方法可以實現MOSFET管3高絕緣耐壓要求，將MOSFET管3直接通過陶瓷基片4與散熱器5相連，能將MOSFET管3損耗產生的熱量迅速傳遞到散熱器5上，陶瓷基片4的表面設置MOSFET管3，M0SFET管3成陣列形式均勻分布在散熱器5的表面且通過陶瓷基片4與散熱器5隔開，MOSFET管3的管腳直接焊接在PCB板I的底部，PCB板I的內部通過布線將MOSFET管3的管腳與螺柱8相連，MOSFET管3和陶瓷基片4均通過第一三組合螺釘2與散熱器5連接，通過將MOSFET管3直接焊接在PCB板I的表面，在PCB板I的表面各個MOSFET管3的管腳焊接螺柱8，再設計銅排通過螺柱8進行MOSFET管3的串并聯，此方法不僅可以快速將多個MOSFET管3進行連接，而且連接銅排6同時保證多個MOSFET管3很好的固定連接。
[0016]以上所述，僅為本實用新型較佳的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內，根據本實用新型的技術方案及其實用新型構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一個多MOSFET管的高效安裝結構，包括連接銅排(6)，其特征在于:所述連接銅排(6)通過螺柱(8)與PCB板(I)固定連接，所述PCB板(I)的底部設置散熱器(5)，所述散熱器(5)的表面設置陶瓷基片(4)，所述陶瓷基片(4)的表面設置MOSFET管(3)，所述MOSFET管(3)的管腳直接焊接在PCB板(I)的底部，所述PCB板(I)的內部通過布線將MOSFET管(3)的管腳與螺柱(8)相連，所述MOSFET管(3)和陶瓷基片(4)均通過第一三組合螺釘(2)與散熱器(5)連接。2.根據權利要求1所述的一個多MOSFET管的高效安裝結構，其特征在于:所述散熱器(5)為流蘇型結構。3.根據權利要求1所述的一個多MOSFET管的高效安裝結構，其特征在于:所述MOSFET管(3)成陣列形式均勻分布在散熱器(5)的表面且通過陶瓷基片(4)與散熱器(5)隔開。4.根據權利要求1所述的一個多MOSFET管的高效安裝結構，其特征在于:所述連接銅排(6)通過第二三組合螺釘(7)與PCB板(I)固定連接。5.根據權利要求1所述的一個多MOSFET管的高效安裝結構，其特征在于:所述PCB板(I)通過支撐螺柱與散熱器(5)固定連接。
【文檔編號】H01L23/40GK205621721SQ201520868071
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年11月3日
【發明人】吳興川
【申請人】長沙丹芬瑞電氣技術有限公司