高頻信號傳輸線路及電子設備的制造方法

高頻信號傳輸線路及電子設備的制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種能降低插入損耗的高頻信號傳輸線路及電子設備。一種高頻信號傳輸線路，其特征在于，包括：本體；線狀的信號線路，該線狀的信號線路設置在所述本體上并且具有第1端部及第2端部；以及至少1個以上的接地導體，該至少1個以上的接地導體設置在所述本體上并且沿所述信號線路延伸，通過所述信號線路、所述接地導體及所述本體產生阻抗，所述信號線路包括：產生的阻抗在所述第1端部的第1阻抗以上并且包含該第1端部在內的連續的第1區間；及產生的阻抗比第1阻抗更低并與該第1區間相鄰的第2區間，所述第2區間比所述第1區間長。
【專利說明】
高頻信號傳輸線路及電子設備
技術領域
[0001]本實用新型涉及高頻信號傳輸線路及電子設備，更具體而言，涉及具備信號線路及接地導體的高頻信號傳輸線路及電子設備。
【背景技術】
[0002]作為現有的高頻信號傳輸線路，已知有例如在專利文獻I中記載的高頻信號線路。該高頻信號線路包括:電介質本體、信號線、第I接地導體及第2接地導體。信號線、第I接地導體及第2接地導體設置在電介質本體上。此外，第I接地導體及第2接地導體從上下方向將信號線夾在中間。即，信號線、第I接地導體及第2接地導體呈帶狀線結構。而且，在第2接地導體上設置與信號線重疊的多個開口。根據以上那樣的高頻信號線路，通過在第2接地導體上設置開口，由于能夠減小在第2導體與信號線之間產生的電容，所以能夠使第2接地導體和信號線靠近，從而實現電介質本體的薄型化。
[0003]然而，對于在專利文獻I中記載的高頻信號線路，期望進一步降低插入損耗。
[0004]現有技術文獻
[0005]專利文獻
[0006]專利文獻1:國際專利公開2012/074101號【實用新型內容】
[0007]實用新型所要解決的技術問題
[0008]為此，本實用新型的目的是提供一種能夠降低插入損耗的高頻信號傳輸線路及電子設備。
[0009]解決技術問題的技術方案
[0010]本實用新型的第一個實施方式所涉及的高頻信號傳輸線路的特征在于，包括:本體;線狀的信號線路，該線狀的信號線路設置在所述本體上并且具有第I端部及第2端部;及至少I個以上的接地導體，該至少I個以上的接地導體設置在所述本體上并且沿所述信號線路延伸，所述本體由絕緣體層層疊而成，所述接地導體隔著所述絕緣體層而與所述信號線路相對，所述接地導體是實心狀的導體，通過所述信號線路、所述接地導體及所述本體產生特性阻抗，所述信號線路包括:產生的特性阻抗在所述第I端部的第I特性阻抗以上并且包含該第I端部在內的連續的第I區間;及產生的特性阻抗比所述第I特性阻抗要低并與該第I區間相鄰的第2區間，所述第2區間比所述第I區間更長，所述第2區間中所述信號線路的寬度比所述第I區間中所述信號線路的寬度要大。
[0011]本實用新型的第二個實施方式所涉及的高頻信號傳輸線路的特征在于，包括:本體;線狀的信號線路，該線狀的信號線路設置在所述本體上并且具有第I端部及第2端部;及至少I個以上的接地導體，該至少I個以上的接地導體設置在所述本體上并且沿所述信號線路延伸，所述本體由絕緣體層層疊而成，所述接地導體隔著所述絕緣體層而與所述信號線路相對，在所述接地導體上設置有沿該信號線路排列的多個開口，通過所述信號線路、所述接地導體及所述本體產生特性阻抗，所述信號線路包括:產生的特性阻抗在所述第I端部的第I特性阻抗以上并且包含該第I端部在內的連續的第I區間；及產生的特性阻抗比所述第I特性阻抗更低并與所述第I區間相鄰的第2區間，所述第2區間比所述第I區間長，在所述第2區間中，所述多個開口與所述信號線路重疊的面積隨著遠離所述第I區間而變小。
[0012]本實用新型的第一個實施方式所涉及的電子設備包括高頻信號傳輸線路和收納所述高頻信號傳輸線路的殼體，其特征在于，所述高頻信號傳輸線路包括:本體;線狀的信號線路，該線狀的信號線路設置在所述本體上并且具有第I端部及第2端部;及至少I個以上的接地導體，該至少I個以上的接地導體設置在所述本體上并且沿所述信號線路延伸，所述本體由絕緣體層層疊而成，所述接地導體隔著所述絕緣體層而與所述信號線路相對，所述接地導體是實心狀的導體，通過所述信號線路、所述接地導體及所述本體產生特性阻抗，所述信號線路包括:產生的特性阻抗在所述第I端部的第I特性阻抗以上并且包含該第I端部在內的連續的第I區間;及產生的特性阻抗比第I特性阻抗更低并與該第I區間相鄰的第2區間，所述第2區間比所述第I區間更長，所述第2區間中所述信號線路的寬度比所述第I區間中所述信號線路的寬度要大。
[0013]本實用新型的第二個實施方式所涉及的電子設備包括高頻信號傳輸線路和收納所述高頻信號傳輸線路的殼體，其特征在于，所述高頻信號傳輸線路包括:本體;線狀的信號線路，該線狀的信號線路設置在所述本體上并且具有第I端部及第2端部;及至少I個以上的接地導體，該至少I個以上的接地導體設置在所述本體上并且沿所述信號線路延伸，所述本體由絕緣體層層疊而成，所述接地導體隔著所述絕緣體層而與所述信號線路相對，在所述接地導體上設置有沿該信號線路排列的多個開口，通過所述信號線路、所述接地導體及所述本體產生特性阻抗，所述信號線路包括:產生的特性阻抗在所述第I端部的第I特性阻抗以上并且包含該第I端部在內的連續的第I區間；及產生的特性阻抗比所述第I特性阻抗更低并與所述第I區間相鄰的第2區間，所述第2區間比所述第I區間長，在所述第2區間中，所述多個開口與所述信號線路重疊的面積隨著遠離所述第I區間而變小。
[0014]技術效果
[0015]采用本實用新型能夠降低插入損耗。
【附圖說明】
[0016]圖1是本實用新型的一個實施方式所涉及的高頻信號傳輸線路10的外觀立體圖。
[0017]圖2是圖1的高頻信號傳輸線路10的電介質本體12的分解圖。
[0018]圖3是圖1的高頻信號傳輸線路10的剖面結構圖。
[0019]圖4是高頻信號傳輸線路10的剖面結構圖。
[0020]圖5A是表示連接器10b及連接部12c的立體圖。
[0021]圖5B是連接器10b的剖面結構圖。
[0022]圖5C是表示高頻信號傳輸線路10的特性阻抗的曲線圖。
[0023]圖6A是從y軸方向俯視使用高頻信號傳輸線路10的電子設備200的圖。
[0024]圖6B是從z軸方向俯視使用高頻信號傳輸線路10的電子設備200的圖。
[0025]圖7A是高頻信號傳輸線路1a的電介質本體12的分解圖。
[0026]圖7B是表示模擬結果的曲線圖。
[0027]圖8A是高頻信號傳輸線路1b的電介質本體12的分解圖。
[0028]圖8B是高頻信號傳輸線路1b的A-A處的剖面結構圖。
[0029]圖SC是表示高頻信號傳輸線路1b的特性阻抗的曲線圖。
[0030]圖9A是高頻信號傳輸線路1c的電介質本體12的分解圖。
[0031 ]圖9B是表示高頻信號傳輸線路1c的特性阻抗的曲線圖。
[0032]圖1OA是表示第3個模型的反射特性的曲線圖。
[0033]圖1OB是表示第3個模型的通過特性的曲線圖。
[0034]圖1lA是表示第4個模型的反射特性的曲線圖。
[0035]圖1lB是表示第4個模型的通過特性的曲線圖。
[0036]圖12A是表示第5個模型的反射特性的曲線圖。
[0037]圖12B是表示第5個模型的通過特性的曲線圖。
【具體實施方式】
[0038]以下對于本實用新型的一個實施方式所涉及的高頻信號傳輸線路及電子設備參照附圖進行說明。
[0039](高頻信號傳輸線路的結構)
[0040]以下對于本實用新型的第I個實施方式所涉及的高頻信號傳輸線路的結構參照附圖進行說明。圖1是本實用新型的一個實施方式所涉及的高頻信號傳輸線路10的外觀立體圖。圖2是圖1的高頻信號傳輸線路10的電介質本體12的分解圖。圖3是圖1的高頻信號傳輸線路10的剖面結構圖。圖4是高頻信號傳輸線路10的剖面結構圖。圖5A是表示連接器10b及連接部12c的立體圖。圖5B是連接器10b的剖面結構圖。圖5C是表示高頻信號傳輸線路10的特性阻抗的曲線圖。在圖5C中，縱軸表示特性阻抗，橫軸表示X坐標。在圖1至圖4中，將高頻信號傳輸線路10的層疊方向定義為z軸方向。此外，將高頻信號傳輸線路10的長邊方向定義為X軸方向，將與X軸方向及z軸方向正交的方向定義為y軸方向。
[0041]此外，以下長度是指信號線路20等的X軸方向的長度。寬度是指信號線路20等的y軸方向的寬度。厚度是指電介質片材18等的z軸方向的厚度。
[0042]高頻信號傳輸線路10用于例如在移動電話等的電子設備內連接2個高頻電路。高頻信號傳輸線路10如圖1至圖3所示那樣，包括:電介質本體12;外部端子16a、16b;信號線路20;接地導體22、24;過孔導體131士2、81?財及連接器10(^、10013。
[0043]電介質本體12在從z軸方向俯視時，呈沿X軸方向延伸的帶狀，包括線路部12a和連接部12b、12c。電介質本體12是圖2所示的保護層14及電介質片材18a?18(:從2軸方向的正方向側向負方向側按該順序層疊而構成的層疊體。以下，將電介質本體12及電介質片材18a?18c的z軸方向的正方向側的主面稱為表面，將電介質本體12及電介質片材18a?18c的z軸方向的負方向側的主面稱為背面。
[0044]線路部12a沿X軸方向延伸。連接部12b、12c分別與線路部12a的X軸方向的負方向側的端部及X軸方向的正方向側的端部連接。連接部12b、12c分別是用于安裝后述的連接器100a、10b的區域。連接部12b、12c的寬度與線路部12a的寬度相同。
[0045]電介質片材18a?18c在從z軸方向俯視時，呈沿X軸方向延伸并與電介質本體12相同的帶狀。電介質片材18a?18c由聚酰亞胺或液晶聚合物等具有可撓性的熱塑性樹脂構成。電介質片材18a的厚度Tl如圖4所示那樣，與電介質片材18b的厚度T2實質上相等。例如，在電介質片材18a?18c層疊后，厚度Tl、Τ2為50?300μπι。在本實施方式中，厚度Tl、Τ2為150
μ??ο
[0046]此外，電介質片材18a由線路部18a — a及連接部18a — b、18a — c構成。電介質片材18b由線路部18b — a及連接部18b — b、18b — c構成。電介質片材18c由線路部18c — a及連接部18c — b、18c — c構成。線路部18a — a、18b — a、18c — a構成線路部12a。連接部18a — b、18b—b、18c—b構成連接部12b。連接部18a — c、18b — c、18c — c構成連接部12c。
[0047]外部端子16a如圖1及圖2所示，是設置在連接部18a— b的表面中央附近的矩形導體。外部端子16b如圖1及圖2所示，是設置在連接部18a — c的表面中央附近的矩形導體。夕卜部端子16a、16b由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料制成。此外，在外部端子16a、16b的表面上實施鍍金。
[0048]信號線路20是如圖2所示那樣設置在電介質本體12內的線狀導體，在電介質片材18b的表面上沿X軸方向延伸。由此，信號線路20具有X軸方向的負方向側的端部(第I端部)及X軸方向的正方向側的端部(第2端部)。信號線路20的X軸方向的兩端在從z軸方向俯視時，分別與外部端子16a、16b重疊。信號線路20由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料制成。在如上述那樣構成的信號線路20中傳輸高頻信號。信號線路20的線寬在后文中闡述。
[0049]接地導體22如圖2所示那樣，在電介質本體12內設置在比信號線路20更靠z軸方向的正方向側，更詳細地說，設置在電介質片材18a的表面。接地導體22在電介質片材18a的表面上沿X軸方向延伸，隔著電介質片材18a而與信號線路20相對。接地導體22由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料制成。
[0050]此外，接地導體22由線路部22a和端子部22b、22c構成。線路部22a設置在線路部18a—a的表面，沿X軸方向延伸。在線路部22a上實際未設置開口。即，線路部22a是沿信號線路20在X軸方向上連續延伸的導體，即所謂實心狀導體。但是，線路部22a上也可以形成在高頻信號傳輸線路10制造時形成的非預期的細微孔。端子部22b設置在連接部18a — b的表面上，呈包圍外部端子16a周圍的矩形環。端子部22b與線路部22a的X軸方向的負方向側的端部連接。端子部22c設置在連接部18a — c的表面上，呈包圍外部端子16b周圍的矩形環。端子部22c與線路部22a的X軸方向的正方向側的端部連接。在如上述那樣構成的接地導體22上施加接地電位。
[0051]接地導體24如圖2所示那樣，在電介質本體12內設置在相對信號線路20更靠z軸方向的負方向側，更詳細地說，設置在電介質片材18c的表面。接地導體24在電介質片材18c的表面上沿X軸方向延伸，隔著電介質片材18b而與信號線路20相對。即，接地導體24與接地導體22相對，并將信號線路20夾在中間。接地導體24由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料制成。
[0052]此外，接地導體24由線路部24a和端子部24b、24c構成。線路部24a設置在線路部18c — a的表面，沿X軸方向延伸。在線路部24a上實際未設置開口。即，線路部24a是沿信號線路20在X軸方向上連續延伸的導體，即所謂實心狀導體。但是，線路部24a上也可以形成在高頻信號傳輸線路10制造時形成的非預期的細微孔。端子部24b設置在連接部18c — b的表面上，呈矩形環。端子部24b與線路部24a的X軸方向的負方向側的端部連接。端子部24c設置在連接部18c —c的表面上，呈矩形環。端子部24c與線路部24a的X軸方向的正方向側的端部連接。在如上述那樣構成的接地導體24上施加接地電位。
[0053]如上述那樣，信號線路20經由電介質片材18a、18b被接地導體22、24從z軸方向的兩側夾在中間。即，信號線路20及接地導體22、24呈三板帶狀線結構。此外，信號線路20和接地導體22的間隔如圖4所示那樣與電介質片材18a的厚度Tl大致相等，例如為50μπι?300μπι。在本實施方式中，信號線路20和接地導體22的間隔為150μπι。此外，信號線路20和接地導體24的間隔如圖4所示那樣與電介質片材18b的厚度Τ2大致相等，例如為50μπι?300μπι。在本實施方式中，信號線路20和接地導體24的間隔為150μπι。
[0054]過孔導體bl在ζ軸方向上貫通電介質片材18a的連接部18a— b，連接外部端子16a與信號線路20的X軸方向的負方向側的端部。過孔導體b2在z軸方向上貫通電介質片材18a的連接部18a — c，連接外部端子16b與信號線路20的X軸方向的正方向側的端部。由此，信號線路20連接在外部端子16a、16b之間。過孔導體bl、b2由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料制成。
[0055]過孔導體B1、B2分別在ζ軸方向上貫通電介質片材18a、18b的線路部18a—a、18b —a，在從ζ軸方向俯視時，設置在相對信號線路20更靠近y軸方向的正方向側。在線路部18a —a、18b — a上分別設置多個過孔導體B1、B2，并沿x軸方向排成一列。而且，過孔導體B1、B2通過相互連接構成I個過孔導體，連接接地導體22和接地導體24。過孔導體B1、B2由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料制成。
[0056]過孔導體B3、B4分別在ζ軸方向上貫通電介質片材18a、18b的線路部18a—a、18b —a，在從ζ軸方向俯視時，設置在相對信號線路20更靠近y軸方向的負方向側。在線路部18a —a、18b — a上分別設置多個過孔導體B3、B4，并沿X軸方向排成一列。而且，過孔導體B3、B4通過相互連接構成I個過孔導體，連接接地導體22和接地導體24。過孔導體B3、B4由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料制成。
[0057]保護層14覆蓋電介質片材18a的大致整個表面。由此，保護層14覆蓋接地導體22。保護層14由例如抗蝕劑材料等可撓性樹脂形成。
[0058]此外，保護層14如圖2所示那樣由線路部14a及連接部14b、14c構成。線路部14a通過覆蓋線路部18a—a的整個表面，覆蓋線路部22a。
[0059]連接部14b與線路部14a的X軸方向的負方向側的端部連接，覆蓋連接部18a— b的表面。但是，在連接部14b上設置開口 Ha?Hd。開口 Ha是設置在連接部14b的中央的矩形開口。外部端子16a經由開口Ha露出至外部。此外，開口Hb是設置在開口Ha的y軸方向的正方向側的矩形開口。開口He是設置在開口Ha的X軸方向的負方向側的矩形開口。開口Hd是設置在開口Ha的y軸方向的負方向側的矩形開口。端子部22b通過經由開口Hb?Hd露出至外部，具有作為外部端子的功能。
[0060]連接部14c與線路部14a的X軸方向的正方向側的端部連接，覆蓋連接部18a— c的表面。但是，在連接部14c上設置開口He?Hh。開口He是設置在連接部14c的中央的矩形開口。外部端子16b經由開口 He露出至外部。此外，開口 Hf是設置在開口 He的y軸方向的正方向側的矩形開口。開口Hg是設置在開口He的X軸方向的正方向側的矩形開口。開口Hh是設置在開口 He的y軸方向的負方向側的矩形開口。端子部22c通過經由開口 Hf?Hh露出至外部，具有作為外部端子的功能。[0061 ] 連接器100a、10b分別安裝在連接部12b、12c的表面上。由于連接器100a、10b的結構相同，以下以連接器10b的結構為例進行說明。
[0062]連接器10b如圖1、圖5A及圖5B所示那樣，由連接器主體102、外部端子104、106及中心導體108及外部導體110構成。連接器主體102由矩形板狀部分和從該板狀部分向ζ軸方向的正方向側突出的圓筒部分構成，利用樹脂等絕緣材料來制作。
[0063]外部端子104設置在連接器主體102的板狀部分的ζ軸方向的負方向側的面上與外部端子16b相對的位置上。外部端子106設置在連接器主體102的板狀部分的ζ軸方向的負方向側的面上與經由開口 Hf?Hh露出的端子部22c相對應的位置上。
[0064]中心導體108設置在連接器主體102的圓筒部分的中心，與外部端子104連接。中心導體108是高頻信號輸入或輸出的信號端子。外部導體110設置在連接器主體102的圓筒部分的內周面上，與外部端子106連接。外部導體110是保持接地電位的接地端子。
[0065]如上述構成的連接器10b安裝在連接部12c的表面，使得外部端子104與外部端子16b連接，外部端子106與端子部22c連接。由此，信號線路20與中心導體108電連接。此外，接地導體22、24與外部導體110電連接。
[0066]另外，高頻信號傳輸線路10具有以下說明的結構用于降低插入損耗。更詳細地說，信號線路20如圖2所示那樣具有區間A1、A2。區間Al如圖5C所示那樣，產生信號線路20的X軸方向的負方向側的端部的特性阻抗Zl (例如50 Ω )以上的特性阻抗，是包含信號線路20的X軸方向的負方向側的端部在內的連續區間。即，區間Al是將信號線路20的X軸方向的負方向側的端部作為起點向X軸方向的正方向側延伸的區間。在本實施方式中，在區間AI產生的特性阻抗是均勻的特性阻抗Zl。
[0067]區間A2如圖5C所示那樣，產生比特性阻抗Zl低的特性阻抗，并且與區間Al相鄰。即，區間A2是將區間Al的X軸方向的正方向側的端部作為起點向X軸方向的正方向側延伸的區間，并包含信號線路20的X軸方向的正方向側的端部。此外，區間A2比區間Al更長。
[0068]而且，在區間A2中包含阻抗變換區間al及均勻區間a2。阻抗變換區間al是與區間Al相鄰并將區間Al的X軸方向的正方向側的端部作為起點向X軸方向的正方向側延伸的區間。阻抗變換區間al的特性阻抗如圖5C所示那樣，隨著遠離區間Al(即，隨著去往X軸方向的正方向側)向降低的方向變化。均勻區間a2是與阻抗變換區間a I相鄰并將阻抗變換區間al的X軸方向的正方向側的端部作為起點向X軸方向的正方向側延伸的區間。均勻區間a2如圖5C所示那樣，產生實質上均勻的特性阻抗ZlO(例如30 Ω)。均勻區間a2包含信號線路20的X軸方向的正方向側的端部。因而，信號線路20的X軸方向的正方向側的端部的特性阻抗與特性阻抗ZlO實質上相等。
[0069]此外，阻抗變換區間al的長度優選為信號線路20傳輸的高頻信號的波長的1/5倍以上，更優選為信號線路20傳輸的高頻信號的波長的1/4倍以上。此外，阻抗變換區間al的長度優選為信號線路20傳輸的高頻信號的波長的2倍以下。
[0070]在高頻信號傳輸線路10中，使信號線路20的線寬在各區間都不同從而產生特性阻抗。更詳細地說，在區間Al中，信號線路20的線寬是寬度wl(例如ΙΟΟμπι)。在均勻區間a2中，信號線路20的線寬是比寬度wl更大的寬度w2(例如300μπι)。由此，在區間Al中，由于信號線路20的線寬相對較小，所以信號線路20和接地導體22、24的每單位長度的相對面積相對變小。由此，在區間Al中，在信號線路20與接地導體22、24之間產生的每單位長度的電容也相對變小，高頻信號傳輸線路的特性阻抗Zl也相對變大。另一方面，在均勻區間a2中，由于信號線路20的線寬相對較大，所以信號線路20和接地導體22、24的每單位長度的相對面積相對變大。由此，在均勻區間a2中，在信號線路20與接地導體22、24之間產生的每單位長度的電容也相對變大，高頻信號傳輸線路1的特性阻抗Zl O也相對變小。
[0071]此外，阻抗變換區間al的X軸方向的負方向側的端部的信號線路20的線寬為寬度Wl，阻抗變換區間al的X軸方向的正方向側的端部的信號線路20的線寬為寬度w2。即，阻抗變換區間al的信號線路20的線寬隨著從X軸方向的負方向側去向正方向側(S卩，隨著離開區間Al)變大。此外，阻抗變換區間al的信號線路20的線寬為連續變化。連續變化是指不進行像階梯狀變化那樣的不連續變化。由此，在阻抗變換區間al產生的特性阻抗隨著從X軸方向的負方向側向往正方向側地從特性阻抗Zl連續地變小至特性阻抗ZlO。
[0072]如上述那樣，高頻信號傳輸線路10的特性阻抗由信號線路20、接地導體22、24及電介質本體12產生。由此，高頻信號傳輸線路10并未使用沒有包含信號線路20、接地導體22、24及電介質本體12的平衡一不平衡變換器等電路，以使阻抗變換區間al產生的特性阻抗發生變化。
[0073]高頻信號傳輸線路10如以下說明的那樣使用。圖6A是從y軸方向俯視使用高頻信號傳輸線路10的電子設備200的圖。圖6B是從Z軸方向俯視使用高頻信號傳輸線路10的電子設備200的圖。
[0074]電子設備200包括高頻信號傳輸線路10;電路基板202a、202b;插頭204a、204b;電池組206及殼體210。
[0075]殼體210用于收納:高頻信號傳輸線路10;電路基板202a、202b;插頭204a、204b;及電池組206。在電路基板202a中，設置有例如包含天線的發送電路或接收電路。在電路基板202b中，設置有例如供電電路。電池組206是例如鋰離子充電電池，具有其表面被金屬蓋板覆蓋的結構。電路基板202a、電池組206及電路基板202b按照該順序從X軸方向的負方向側向正方向側排列。
[0076]插頭240a、204b分別設置在電路基板202a、202b的z軸方向的負方向側的主面上。連接器100a、100b分別與插頭204a、204b連接。由此，在連接器100a、100b的中心導體108上，經由插頭204a、204b施加高頻信號，該高頻信號在電路基板202a、202b間傳輸，具有例如600MHz?6GHz(在本實施方式中為2GHz)的頻率。此外，連接器100a、10b的外部導體110經由電路基板202a、202b及插頭204a、204b保持接地電位。由此，高頻信號傳輸線路10將電路基板202a、202b之間進行電連接、物理連接。
[0077]此處，電介質本體12的表面(更正確地說，保護層14的表面)如圖6A所示那樣與電池組206相接觸。而且，電介質本體12的表面和電池組206用粘結劑等固定。電介質本體12的表面是相對于信號線路20位于接地導體22側的主面。由此，實心狀的(沿X軸方向連續延伸的)接地導體22位于信號線路20與電池組206之間。
[0078](尚頻彳目號線路的制造方法)
[0079]以下，對于高頻信號傳輸線路10的制造方法參照圖2進行說明。以下，雖然舉例說明制作一個高頻信號傳輸線路10的情況，實際上，通過層疊及切割大型電介質片材，可同時制作多個高頻信號傳輸線路10。
[0080]首先，準備在整個表面上形成有銅箔且由熱塑性樹脂形成的電介質片材18a?18c。在電介質片材18a?18c上形成的銅箔表面通過實施例如用于防銹的鍍鋅，使其平滑。電介質片材18a?18c是具有50μπι?150μπι厚度的液晶聚合物。此外，銅箔的厚度為ΙΟμπι?20
μ??ο
[0081]接著，通過光刻工序在電介質片材18a的表面上形成如圖2所示的外部端子16a、16b及接地導體22。具體地說，在電介質片材18a的銅箔上印刷與圖2所示的外部端子16a、16b及接地導體22相同形狀的抗蝕劑。然后，通過對銅箔實施蝕刻處理，由此去除未被抗蝕劑覆蓋的那部分銅箔。之后，去除抗蝕劑。由此，在電介質片材18a的表面上形成如圖2所示的外部端子16a、16b及接地導體22。
[0082]接著，通過光刻工序在電介質片材18b的表面上形成如圖2所示的信號線路20。此夕卜，通過光刻工序在電介質片材18c的表面上形成如圖2所示的接地導體24。此外，這些光刻工序由于與形成外部端子16a、16b及接地導體22時的光刻工序相同，所以省略說明。
[0083]接著，對電介質片材18a、18b的要形成過孔導體bl、b2、Bl?B4的位置，從背面側照射激光束形成貫通孔。之后，對于在電介質片材18a、18b上形成的貫通孔填充導電性糊料。
[0084]接著，按照從z軸方向的正方向向負方向的順序依次層疊電介質片材18a?18c，使得接地導體22、信號線路20及接地導體24呈帶狀線結構。然后，從z軸方向的正方向側及負方向側對電介質片材18a?18c加熱及加壓，從而將電介質片材18a?18c軟化并進行壓接以實現一體化，并且將填充至貫穿孔中的導電性糊料進行固化，形成如圖2所示的過孔導體bl、b2、Bl?B4。此外，也可使用環氧類樹脂等粘接劑代替熱壓接來對電介質片材18a?18c進行一體化。此外，過孔導體bl、b2、Bl?B4也可以在使電介質片材18a?18c—體化之后形成貫通孔并將導電性糊料填充到貫通孔內或在貫通孔內形成鍍膜來形成。
[0085]接著，涂布樹脂(抗蝕劑)糊料，從而在電介質片材18a上形成保護層14。最后，在連接部12b、12c上用焊料安裝連接器100a、100b。由此，得到圖1所示的高頻信號傳輸線路10。
[0086](技術效果)
[0087]若采用高頻信號傳輸線路10及電子設備200，能夠實現插入損耗的降低。更詳細地說，在專利文獻I中記載的高頻信號線路中，信號線整體產生實質上均勻的特性阻抗(例如50Ω )0
[0088]另一方面，信號線路20包含區間Al、A2。區間Al產生信號線路20的X軸方向的負方向側的端部的特性阻抗Zl (例如50 Ω )以上的特性阻抗，并且包含信號線路20的X軸方向的正方向側的端部。此外，區間A2產生比特性阻抗Zl更低的特性阻抗，并且與區間Al相鄰。即，在高頻信號傳輸線路10的信號線路20的一部分(區間A2)上，產生比信號線路20的X軸方向的正方向側的負方向側的端部的特性阻抗Zl更低的特性阻抗。由此，在高頻信號傳輸線路10中，與在專利文獻I中記載的高頻信號傳輸線路相比，能降低區間A2的傳輸損耗。其結果，若采用高頻信號傳輸線路10，與專利文獻I中記載的高頻信號線路相比，能降低插入損耗。
[0089]此外，在高頻信號傳輸線路10中，為了降低區間A2的傳輸損耗，使區間A2產生的特性阻抗比信號線路20的X軸方向的正方向側的端部的特性阻抗Zl更小。因此，在高頻信號傳輸線路10中，使區間A2的信號線路20的線寬w2比區間Al的信號線路20的線寬wl更大。由此，能降低區間A2的信號線路20的電阻值。其結果，能降低區間A2傳輸高頻信號時產生的導體損耗，能降低高頻信號傳輸線路10的插入損耗。
[0090]此外，在高頻信號傳輸線路10中，在阻抗變換區間al中，由于信號線路20的線寬連續變化，所以阻抗變換區間al的特性阻抗也連續變化。因此，能抑制在阻抗變換區間al中產生的特性阻抗急劇地變動，能抑制阻抗變換區間al的高頻信號的反射。
[0091]此外，在高頻信號傳輸線路10中，即便出于以下理由，也能降低插入損耗。更詳細地說，在高頻信號傳輸線路中，例如可以在相當于阻抗變換區間al的部分上設置平衡-不平衡變換器，從而使信號線路中產生的特性阻抗發生變化。但是，由于在平衡-不平衡變換器中會產生傳輸損耗，高頻信號傳輸線路的插入損耗將變大。
[0092]因此，高頻信號傳輸線路10的特性阻抗由信號線路20、接地導體22、24及電介質本體12產生。由此，高頻信號傳輸線路10上并未使用沒有包含信號線路20、接地導體22、24及電介質本體12的平衡一不平衡變換器等電路，來使在阻抗變換區間al上產生的特性阻抗發生變化。其結果，能降低高頻信號傳輸線路10的插入損耗。
[0093]此外，通過使阻抗變換區間al的長度為信號線路20傳輸的高頻信號的波長的1/5倍以上或1/4倍以上，能抑制阻抗變換區間al具有作為不匹配元件的功能。即，在阻抗變換區間al中，能抑制高頻信號的反射。其結果，能降低高頻信號傳輸線路10的插入損耗。此外，阻抗變換區間al的長度無上限值。但是，在電子設備200中使用高頻信號傳輸線路10時，存在高頻信號傳輸線路10的合適長度。因此，從實際使用上的觀點而言，阻抗變換區間al的長度的上限值優選為信號線路20傳輸的高頻信號的波長的2倍。
[0094](第I變形例)
[0095]以下對于第I個變形例所涉及的高頻信號傳輸線路1a參照附圖進行說明。圖7A是高頻信號傳輸線路1a的電介質本體12的分解圖。
[0096]高頻信號傳輸線路1a與高頻信號傳輸線路10不同之處在于信號線路20包含區間Al?A3。更詳細地說，在高頻信號傳輸線路1a中，區間A2不包含信號線路20的X軸方向的正方向側的端部。取而代之的，區間A3包含信號線路20的X軸方向的正方向側的端部，并與區間A2相鄰。即，區間A3是將區間A2的X軸方向的正方向側的端部作為起點并向X軸方向的正方向側延伸的區間。此外，區間A3是產生信號線路20的X軸方向的正方向側的端部的特性阻抗Z4 (例如50 Ω )以上的特性阻抗的連續區間。在本實施方式中，在區間A3中產生的特性阻抗與特性阻抗Z4相等。
[0097]區間A2產生比特性阻抗Zl、Z4更低的特性阻抗，并且與區間Al、A3相鄰。即，區間A2是夾在區間Al和區間A3之間的區間。此外，區間A2比區間Al、A3更長。在本實施方式中，區間A2比區間Al和A3的長度總和更長。
[0098]而且，區間A2包含阻抗變換區間al、a3及均勻區間a2。阻抗變換區間al是與區間Al相鄰并將區間Al的X軸方向的正方向側的端部作為起點向X軸方向的正方向側延伸的區間。在阻抗變換區間al中產生的特性阻抗隨著遠離區間A1(S卩，隨著去往X軸方向的正方向側)向降低的方向變化。均勻區間a2是與阻抗變換區間a I相鄰并將阻抗變換區間a I的X軸方向的正方向側的端部作為起點向X軸方向的正方向側延伸的區間。均勻區間a2產生實質上均勻的特性阻抗ZlO(例如30 Ω)。阻抗變換區間a3是與均勻區間a2相鄰并將均勻區間&2的1軸方向的正方向側的端部作為起點向X軸方向的正方向側延伸的區間。在阻抗變換區間a I中產生的特性阻抗隨著遠離區間A2(S卩，隨著去往X軸方向的正方向側)增加。
[0099]此外，阻抗變換區間a3的長度與阻抗變換區間al的長度相同，優選為信號線路20傳輸的高頻信號的波長的1/5倍以上，更優選為信號線路20傳輸的高頻信號的波長的1/4倍以上。此外，阻抗變換區間a3的長度與阻抗變換區間al的長度相同，優選為信號線路20傳輸的高頻信號的波長的2倍以下。
[0100]在高頻信號傳輸線路1a中，使信號線路20的線寬在各區間都不同從而產生上述那樣的特性阻抗。更詳細地說，在區間A1、A3中，信號線路20的線寬是寬度wl。在均勻區間a2中，信號線路20的線寬是比寬度w2更大的寬度w2。由此，在區間Al、A3中，由于信號線路20的線寬相對較小，所以信號線路20和接地導體22、24的每單位長度的相對面積相對變小。由此，在區間A1、A3中，在信號線路20與接地導體22、24之間產生的每單位長度的電容也相對變小，高頻信號傳輸線路1a的特性阻抗Zl也相對變大。另一方面，在均勻區間a2中，由于信號線路20的線寬相對較大，所以信號線路20和接地導體22、24的每單位長度的相對面積相對變大。由此，在均勻區間a2中，在信號線路20與接地導體22、24之間產生的每單位長度的電容也相對變大，高頻信號傳輸線路1a的特性阻抗ZlO也相對變小。
[0101]此外，阻抗變換區間al的X軸方向的負方向側的端部的信號線路20的線寬為寬度Wl，阻抗變換區間al的X軸方向的正方向側的端部的信號線路20的線寬為寬度w2。即，阻抗變換區間al的信號線路20的線寬隨著從X軸方向的負方向側去向正方向側(S卩，隨著離開區間Al)變大。此外，阻抗變換區間al的信號線路20的線寬為連續變化。由此，在阻抗變換區間al產生的特性阻抗隨著從X軸方向的負方向側去向正方向側從特性阻抗Zl連續減小至特性阻抗ZlO。
[0102]此外，阻抗變換區間a3的X軸方向的負方向側的端部的信號線路20的線寬為寬度w2，阻抗變換區間a3的X軸方向的正方向側的端部的信號線路20的線寬為寬度wl。即，阻抗變換區間a3的信號線路20的線寬隨著從X軸方向的負方向側去向正方向側(S卩，隨著離開區間A2)變小。此外，阻抗變換區間a3的信號線路20的線寬為連續變化。由此，在阻抗變換區間a3產生的特性阻抗隨著從X軸方向的負方向側去向正方向側，從特性阻抗ZlO連續增加至特性阻抗Z4。
[0103]高頻信號傳輸線路1a的特性阻抗由信號線路20、接地導體22、24及電介質本體12產生。由此，高頻信號傳輸線路10上并未使用沒有包含信號線路20、接地導體22、24及電介質本體12的平衡一不平衡變換器等電路，以使阻抗變換區間al、a3的特性阻抗變化。
[0104]如上述那樣構成的高頻信號傳輸線路1a也能起到與高頻信號傳輸線路10相同的作用效果。
[0105]此外，本申請的發明人為了明確高頻信號傳輸線路1a中降低了插入損耗，以及為了確定阻抗變換區間a3的合適長度，進行了以下說明的計算機模擬。更詳細地說，本申請的發明人制作了高頻信號傳輸線路1a的第I模型、及比較例所涉及的高頻信號傳輸線路的第2模型。比較例所涉及的高頻信號傳輸線路具備具有均勻線寬的信號線，從而產生均勻的特性阻抗。而且，對第I模型及第2模型的插入損耗(1.L.)及反射損耗(R.L.)與頻率的關系進行了分析。插入損耗是輸出信號的功率相對于輸入信號的功率的比值。反射損耗是反射信號的功率相對于輸入信號的功率的比值。圖7B是表示模擬結果的曲線圖。縱軸表示衰減量，橫軸表示頻率。
[0106]根據圖7B，可知在1.SGHz以上的頻帶中，第I模型的插入損耗比第2模型的插入損耗要好。由此可知，高頻信號傳輸線路1a降低了插入損耗。
[0107]此外，第I模型的插入損耗與第2模型的插入損耗的差如圖7B所示那樣，在3.3GHz附近變小。這是由于第I模型的反射損耗在3.3GHz附近變大。另一方面，第I模型的插入損耗與第2模型的插入損耗的差如圖7B所示那樣，在2.5GHz附近及4.7GHz附近變大。這是由于第I模型的反射損耗在2.5GHz附近及4.7GHz變小。因而，可以設計高頻信號傳輸線路1a使圖7B的第I模型的反射損耗的波谷位置與信號線路20傳輸的高頻信號的頻率一致。
[0108]此外，根據圖7B，在1.SGHz以下的頻帶中，第I模型的插入損耗比第2模型的插入損耗要差，而在高于1.SGHz的頻帶中，第I模型的插入損耗比第2模型的插入損耗要好。產生上述現象的原因是由阻抗變換區間al、a3的長度和信號線路20傳輸的高頻信號的關系引起的。具體地說，在阻抗變換區間al、a3的長度為信號線路20傳輸高頻信號的波長的1/4的整數倍時，能抑制阻抗變換區間al、a3的反射，第I模型的反射損耗變小。由此，阻抗變換區間al、a3的長度優選為信號線路20傳輸的高頻信號的波長的1/4以上，更優選為信號線路20傳輸的高頻信號的波長的1/4的整數倍。此外，在本實施方式中，阻抗變換區間al、a3的長度設定為2.5GHz的高頻信號的波長的1/4(即約1GHz的高頻信號的波長)。由此，第I模型的反射損耗在2.5GHz處變小。
[0109]此外，在高頻信號傳輸線路1a中，使區間A2中信號線路20的線寬變大，從而能降低插入損耗。通過在區間A2中增大信號線路20的線寬來降低插入損耗的優點與由于阻抗變換區間al、a3的長度比信號線路20傳輸的高頻信號的波長的1/4要短而造成的反射損耗增加的缺點相互抵消的頻率為1.8GHz。如上所述，阻抗變換區間al、a3的長度設定為約1GHz的高頻信號的波長。換言之，阻抗變換區間al、a3的長度設定為1.SGHz的高頻信號的波長的約1/5。由此，阻抗變換區間al、a3的長度可以是信號線路20傳輸的高頻信號的波長的1/5以上。
[0110](第2變形例)
[0111]以下對于第2變形例所涉及的高頻信號傳輸線路1b參照附圖進行說明。圖8A是高頻信號傳輸線路1b的電介質本體12的分解圖。圖SB是高頻信號傳輸線路1b的A-A處的剖面結構圖。圖SC是表示高頻信號傳輸線路1b的特性阻抗的曲線圖。在圖SC中，縱軸表示特性阻抗，橫軸表示X坐標。
[0112]高頻信號傳輸線路1b與高頻信號傳輸線路10的不同之處在于以下3點。
[0113]第I不同點:信號線路20的寬度均勻。
[0114]第2不同點:在接地導體24上設置開口 30a?30f。
[0115]第3不同點:信號線路20設置為相比于接地導體22更靠近接地導體24。
[0116]以下，以上述不同點為中心對高頻信號傳輸線路1b進行說明。
[0117]第I不同點
[0118]信號線路20如圖8A所示那樣，具有均勻的線寬《3。線寬w3比寬度wl、w2更大。
[0119]第2不同點
[0120]在接地導體24上如圖8A所示那樣，設置有沿信號線路20排列的多個開口30a?30f。開口 30a?30f在從ζ軸方向俯視時，與信號線路20重疊，按照該順序從X軸方向的負方向側向正方向側排列。開口 30a?30f呈圓形。開口 30a、30b的直徑相等，且在開口 30a?30f的直徑中最大。此外，開口 30c?30f的直徑依次變小。由此，開口 30a、30b與信號線路20重疊的面積在開口 30a?30f與信號線路20重疊的面積中最大。此外，開口 30c?30f與信號線路20重疊的面積依次變小。
[0121]第3不同點
[0122]信號線路20如圖SB所示那樣，設置為相比于接地導體22更靠近接地導體24。
[0123]在上述那樣高頻信號傳輸線路1b中，通過設置開口 30a?30f，設置了開口 30a?30f的區間的信號線路20與接地導體24相對的面積比剩余的區間的信號線路20與接地導體24相對的面積要小。由此，在設置開口 30a?30f的區間的信號線路與接地導體24之間產生的電容比在剩余的區間的信號線路20與接地導體24之間產生的電容要小。由此，在設置開口 30a?30f的區間產生的特性阻抗比在剩余的區間產生的特性阻抗要大。
[0124]而且，開口 30a、30b的直徑相等，在開口 30a?30f的直徑中最大。此外，開口 30c?30f的直徑依次變小。由此，開口 30a、30b與信號線路20重疊的面積在開口 30a?30f與信號線路20重疊的面積中最大。此外，開口 30c?30f與信號線路20重疊的面積依次變小。由此，高頻信號傳輸線路1b的特性阻抗如圖SC所示那樣變動。具體地說，高頻信號傳輸線路1b的特性阻抗在設置開口30a、30b的區間中，以特性阻抗Zl以上的值反復地增加和減小。高頻信號傳輸線路1b的特性阻抗在設置開口 30c?30f的區間中，反復地增加和減小，并從特性阻抗Zl向特性阻抗ZlO減小。而且，在未設置開口的區間中，高頻信號傳輸線路1b的特性阻抗為特性阻抗ZlO。
[0125]在上述那樣的高頻信號傳輸線路1b中，如圖8A所示那樣，從信號線路20的X軸方向的負方向側的端部到開口30c的X軸方向的負方向側的端部為止的區間與區間Al相當。此夕卜，從開口 30 c的X軸方向的負方向側的端部到開口 30f的X軸方向的正方向側的端部為止的區間與阻抗變換區間al相當。此外，從開口 30f的X軸方向的正方向側的端部到信號線路20的X軸方向的正方向側的端部為止的區間與均勻區間a2相當。
[0126]而且，在高頻信號傳輸線路1b中，通過設置開口 30a?30f，從而在信號線路20與接地導體24之間產生的電容變小。因此，在設置開口 30a?30f的區間，高頻信號傳輸線路1b的特性阻抗可能會變得過小。因此，在高頻信號傳輸線路1b中，與高頻信號傳輸線路10相比，減小信號線路20和接地導體24的距離，并且增大信號線路20的線寬。
[0127]若采用如上述那樣構成的高頻信號傳輸線路10b，能起到與高頻信號傳輸線路10相同的效果。
[0128]此外，在高頻信號傳輸線路1b中，能實現薄型化及降低插入損耗。更詳細地說，通過在接地導體24上設置開口 30a?30f，從而能減小信號線路20與接地導體24的距離，能使高頻信號傳輸線路1b薄型化。但是，在接地導體24設置上開口 30a?30f會產生輻射損耗，從而導致高頻信號傳輸線路1b的插入損耗惡化。輻射損耗是指經由開口從信號線路20向高頻信號傳輸線路1b外輻射噪聲所產生的損耗。
[0129]因此，開口30c?30f的面積在阻抗變換區間al中，隨著遠離區間Al而依次變小。由此，在阻抗變換區間al中，隨著遠離區間Al，輻射損耗變小。而且，在均勻區間a2中，由于未設置開口，輻射損耗最小。即，在區間A2中，能抑制輻射損耗的產生。如上述那樣，在高頻信號傳輸線路1b中，通過設置開口 30a?30f，實現高頻信號傳輸線路1b的薄型化，并且通過改進開口 30a?30f的形狀，使區間A2的輻射損耗減小。由此，若采用高頻信號傳輸線路10b，能實現薄型化及降低插入損耗。
[0130]此外，若采用高頻信號傳輸線路10b，由于信號線路20的線寬變大，能降低在信號線路20傳輸高頻信號時產生的導體損耗。其結果，能降低高頻信號傳輸線路1b的插入損耗。
[0131]此外，若采用高頻信號傳輸線路10b，由于信號線路20接近接地導體24，能實現電介質本體12的薄型化。其結果，能容易地折彎高頻信號傳輸線路10b。
[0132](第3變形例)
[0133]以下對于第3變形例所涉及的高頻信號傳輸線路1c參照附圖進行說明。圖9A是高頻信號傳輸線路1c的電介質本體12的分解圖。圖9B是表示高頻信號傳輸線路1c的特性阻抗的曲線圖。高頻信號傳輸線路1c的剖面結構圖引用圖SB。
[0134]高頻信號傳輸線路1c與高頻信號傳輸線路10的不同之處在于以下3點。
[0135]第I不同點:信號線路20的寬度從X軸方向的負方向側去往正方向側變大。
[0136]第2不同點:在接地導體24上設置多個開口30。
[0137]第3不同點:信號線路20設置為比接地導體22更靠近接地導體24。
[0138]以下，以上述不同點為中心對高頻信號傳輸線路1c進行說明。
[0139]第I不同點
[0140]信號線路20如圖9A所示那樣，隨著從X軸方向的負方向側去往正方向側連續地變大。
[0141]第2不同點
[0142]在接地導體24上如圖9A所示那樣，設置有沿信號線路20排列的多個開口30。多個開口 30在從z軸方向俯視時，與信號線路20重疊，呈長方形。由此，接地導體24呈梯子狀。此夕卜，在接地導體24中，將被開口 30從X軸方向的兩側夾住的部分稱為橋接部60。
[0143]第3不同點
[0144]信號線路20如圖SB所示那樣，設置為相比于接地導體22更靠近接地導體24。
[0145]在上述那樣高頻信號傳輸線路1c中，開口30處的在信號線路20與接地導體24之間產生的電容比橋接部60處的在信號線路20與接地導體24之間產生的電容要小。因而，開口 30處的高頻信號線路1b的特性阻抗比橋接部60處的高頻信號傳輸線路1b的特性阻抗要大。信號線路20與開口 30及橋接部60交替地重合。由此，高頻信號傳輸線路1b的特性阻抗如圖9B所示那樣反復地增加和減小。
[0146]信號線路20的線寬隨著從X軸方向的負方向側去往正方向側變大。因而，信號線路20與接地導體24之間產生的電容隨著從X軸方向的負方向側去往正方向側變大。其結果，如圖9B所示那樣，高頻信號傳輸線路1b的特性阻抗隨著從X軸方向的負方向側去往正方向側重復地增加和減小并逐漸變小。
[0147]在上述那樣的高頻信號傳輸線路1b中，如圖9B所示那樣，高頻信號傳輸線路1b的特性阻抗在信號線路20的X軸方向的負方向側的端部為特性阻抗Zl，接著在X軸方向的正方向側有所增加。于是，從信號線路20的X軸方向的負方向側的端部起，到將信號線路20的X軸方向的負方向側的端部作為起點向X軸方向的正方向側前進且特性阻抗第一次達到特性阻抗Zl的位置為止的區間為區間Al。即，區間Al是產生特性阻抗Zl以上的特性阻抗的連續區間。在本實施方式中，區間Al是從信號線路20的X軸方向的負方向側的端部到多個橋接部60中設置在最靠X軸方向的負方向側的橋接部60為止的區間。
[0148]此外，區間A2是從區間Al的X軸方向的正方向側的端部到信號線路20的X軸方向的正方向側的端部為止的區間。此外，在區間A2產生的特性阻抗實質上逐漸減小。因此，在高頻信號傳輸線路1b中，不存在均勻區間a2。由此，在高頻信號傳輸線路1b中，區間A2與阻抗變換區間al相同。
[0149]若采用如上述那樣構成的高頻信號傳輸線路10c，能起到與高頻信號傳輸線路10相同的效果。
[0150]此外，若采用高頻信號傳輸線路10c，由于信號線路20接近接地導體24，能實現電介質本體12的薄型化。其結果，能容易地折彎高頻信號傳輸線路10b。
[0151]此外，本申請的發明人為了明確在高頻信號傳輸線路1c中能降低插入損耗，進行以下說明的計算機模擬。更詳細地說，制作了以下說明的第3模型至第5模型。
[0152]第3模型是具有高頻信號傳輸線路1c的結構的模型。此外，特性阻抗Zl為50Ω，特性阻抗Z4為30 Ω。
[0153]第4模型是具有在專利文獻I中記載的高頻信號線路的結構的模型。高頻信號傳輸線路的特性阻抗為50 Ω且均勻。
[0154]第5模型是在專利文獻I中記載的高頻信號線路上設置平衡-不平衡變換器的模型。信號線一端的特性阻抗為50 Ω，信號線另一端的特性阻抗為30 Ω。
[0155]本申請的發明人使用第3模型至第5模型，對反射特性及通過特性和頻率的關系進行了分析。圖1OA是表示第3模型的反射特性的曲線圖。圖1OB是表示第3模型的通過特性的曲線圖。圖1lA是表示第4模型的反射特性的曲線圖。圖1lB是表示第4模型的通過特性的曲線圖。圖12A是表示第5模型的反射特性的曲線圖。圖12B是表示第5模型的通過特性的曲線圖。通過特性是從外部端子16b輸出的輸出信號的強度相對于輸入到外部端子16a的輸入信號的強度的比值。反射特性是從外部端子16b輸出的反射信號的強度相對于輸入到外部端子16a的輸入信號的強度的比值。
[0156]在第3模型中，在2.4GHz處的反射特性最好。而且，在第3模型中，通過特性在2.4GHz#S — 0.477dB。
[0157]在第4模型中，在2.4GHz處的反射特性最好。而且，在第4模型中，通過特性在2.4GHz#S — 0.504dB。
[0158]在第5模型中，在2.4GHz處的反射特性最好。而且，在第5模型中，通過特性在2.4GHz 處為一 1.307dB。
[0159]如上可知，第3模型在2.4GHz的通過特性比第4模型及第5模型在2.4GHz的通過特性要好。因而，可知高頻信號傳輸線路1c比在專利文獻I中記載的高頻信號傳輸線路及適用平衡-不平衡變換器的高頻信號傳輸線路更能降低插入損耗。
[0160](其他實施方式)
[0161]本實用新型所涉及的高頻信號傳輸線路不限于上述高頻信號傳輸線路10、10a?10c，能在其實用新型思想的范圍內進行變更。
[0162]此外，接地導體22、24只要設置至少任意一方即可。即，高頻信號傳輸線路10、10a?1c可以是微帶線結構
[0163]此外，電介質本體12也可以不是層疊體。電介質本體12也可以是例如具有同軸電纜那樣圓形的截面形狀的電纜。這種情況下，設置具有圓環狀的截面形狀的外部導體來包圍信號線的周圍。
[0164]此外，在高頻信號傳輸線路1c中，也可以不設置開口30。在這種情況下，高頻信號傳輸線路1c的特性阻抗線性地從特性阻抗Zl減小至特性阻抗Z4。因此，區間Al僅為信號線路20的X軸方向的負方向側的端部。此外，區間A2為除信號線路20的X軸方向的負方向側的端部以外的部分。而且，不存在均勻區間a2。
[0165]此外，可以任意組合高頻信號傳輸線路10、1a?1c的結構。
[0166]工業上的實用性
[0167]如上述那樣，本實用新型涉及高頻信號傳輸線路及電子設備，在能夠減低插入損耗方面較為優異。
[0168]符號說明
[0169]10，1a?1c:高頻信號傳輸線路
[0170]12:電介質本體
[0171]18a?18c:電介質片材
[0172]20:信號線路
[0173]22，24:接地導體
[0174]30，30&?306開口
[0175]60:橋接部
[0176]200:電子設備
[0177]210:殼體
[0178]Al?A3:區間
[0179]al，a3:阻抗變換區間
[0180]a2:均勻區間
【主權項】
1.一種高頻信號傳輸線路，其特征在于，包括: 本體； 線狀的信號線路，該線狀的信號線路設置在所述本體上，并且具有第I端部及第2端部；以及 至少I個以上的接地導體，該至少I個以上的接地導體設置在所述本體上，并且沿所述信號線路延伸， 所述本體由絕緣體層層疊而成， 所述接地導體隔著所述絕緣體層而與所述信號線路相對， 所述接地導體是實心狀的導體， 通過所述信號線路、所述接地導體及所述本體產生特性阻抗， 所述信號線路包括:產生的特性阻抗在所述第I端部的第I特性阻抗以上并且包含該第I端部在內的連續的第I區間;及產生的特性阻抗比所述第I特性阻抗更低并與所述第I區間相鄰的第2區間， 所述第2區間比所述第I區間長， 所述第2區間中所述信號線路的寬度比所述第I區間中所述信號線路的寬度要大。2.如權利要求1所述的高頻信號傳輸線路，其特征在于， 所述第2區間中包含特性阻抗變換區間，該特性阻抗變換區間與所述第I區間相鄰，并且其特性阻抗隨著離開該第I區間而向下降的方向變化。3.如權利要求2所述的高頻信號傳輸線路，其特征在于， 在所述第2區間中包含均勻區間，該均勻區間與所述特性阻抗變換區間相鄰，并且產生實質上均勻的第2特性阻抗。4.如權利要求3所述的高頻信號傳輸線路，其特征在于， 所述特性阻抗變換區間的長度為所述信號線路傳輸的高頻信號的波長的1/5倍以上。5.如權利要求2至4中任意一項所述的高頻信號傳輸線路，其特征在于， 在所述特性阻抗變換區間中，所述信號線路的寬度隨著遠離所述第I區間而變大。6.如權利要求5所述的高頻信號傳輸線路，其特征在于， 所述信號線路的寬度為連續地變化。7.如權利要求1至4的任一項所述的高頻信號傳輸線路，其特征在于， 所述信號線路還包括產生的特性阻抗在所述第2端部的第3特性阻抗以上且包含該第2端部在內的連續的第3區間， 所述第3區間與所述第2區間相鄰， 所述第2區間比所述第3區間長。8.一種高頻信號傳輸線路，其特征在于，包括: 本體； 線狀的信號線路，該線狀的信號線路設置在所述本體上，并且具有第I端部及第2端部；以及 至少I個以上的接地導體，該至少I個以上的接地導體設置在所述本體上，并且沿所述信號線路延伸， 所述本體由絕緣體層層疊而成， 所述接地導體隔著所述絕緣體層而與所述信號線路相對， 在所述接地導體上設置有沿該信號線路排列的多個開口， 通過所述信號線路、所述接地導體及所述本體產生特性阻抗， 所述信號線路包括:產生的特性阻抗在所述第I端部的第I特性阻抗以上并且包含該第I端部在內的連續的第I區間;及產生的特性阻抗比所述第I特性阻抗更低并與所述第I區間相鄰的第2區間， 所述第2區間比所述第I區間長， 在所述第2區間中，所述多個開口與所述信號線路重疊的面積隨著遠離所述第I區間而變小。9.如權利要求8所述的高頻信號傳輸線路，其特征在于， 所述第2區間中包含特性阻抗變換區間，該特性阻抗變換區間與所述第I區間相鄰，并且其特性阻抗隨著離開該第I區間而向下降的方向變化。10.—種電子設備，包括高頻信號傳輸線路和收納所述高頻信號傳輸線路的殼體，其特征在于， 所述高頻信號傳輸線路包括: 本體； 線狀的信號線路，該線狀的信號線路設置在所述本體上并且具有第I端部及第2端部；及 至少I個以上的接地導體，該至少I個以上的接地導體設置在所述本體上并且沿所述信號線路延伸， 所述本體由絕緣體層層疊而成， 所述接地導體隔著所述絕緣體層而與所述信號線路相對， 所述接地導體是實心狀的導體， 通過所述信號線路、所述接地導體及所述本體產生特性阻抗， 所述信號線路包括:產生的特性阻抗在所述第I端部的第I特性阻抗以上并且包含該第I端部在內的連續的第I區間;及產生的特性阻抗比所述第I特性阻抗更低并與該第I區間相鄰的第2區間， 所述第2區間比所述第I區間長，所述第2區間中所述信號線路的寬度比所述第I區間中所述信號線路的寬度要大。11.一種電子設備，包括高頻信號傳輸線路和收納所述高頻信號傳輸線路的殼體，其特征在于， 所述高頻信號傳輸線路包括: 本體； 線狀的信號線路，該線狀的信號線路設置在所述本體上并且具有第I端部及第2端部；及 至少I個以上的接地導體，該至少I個以上的接地導體設置在所述本體上并且沿所述信號線路延伸， 所述本體由絕緣體層層疊而成， 所述接地導體隔著所述絕緣體層而與所述信號線路相對， 在所述接地導體上設置有沿該信號線路排列的多個開口， 通過所述信號線路、所述接地導體及所述本體產生特性阻抗， 所述信號線路包括:產生的特性阻抗在所述第I端部的第I特性阻抗以上并且包含該第I端部在內的連續的第I區間;及產生的特性阻抗比所述第I特性阻抗更低并與所述第I區間相鄰的第2區間， 所述第2區間比所述第I區間長， 在所述第2區間中，所述多個開口與所述信號線路重疊的面積隨著遠離所述第I區間而變小。12.如權利要求10或11所述的電子設備，其特征在于， 所述第2區間中包含特性阻抗變換區間，該特性阻抗變換區間與所述第I區間相鄰，并且其特性阻抗隨著離開該第I區間而向下降的方向變化。
【文檔編號】H01P5/02GK205564941SQ201490000988
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2014年12月26日
【發明人】馬場貴博, 用水邦明
【申請人】株式會社村田制作所