一種石英舟結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及硅片擴散載具技術領域，公開了一種石英舟結構，包括左支撐板、右支撐板，左支撐板與右支撐板相互平行，左支撐板、右支撐板的底部設有支撐腳，左支撐板與右支撐板之間設有兩根上限位桿、兩根下限位桿，左支撐板與右支撐板的下端之間設有兩根支撐桿，上限位桿、下限位桿水平分布，上限位桿、下限位桿的截面呈正方形，上限位桿、下限位桿的底面與水平面呈45°夾角，上限位桿、下限位桿的內側棱邊處設有若干硅片限位槽。本實用新型具有在保證硅片定位穩定的條件下有效減小硅片與硅片限位槽的接觸面，從而提高硅片擴散品質的有益效果。
【專利說明】
_種石英舟結構
技術領域
[0001]本實用新型涉及硅片擴散載具技術領域，尤其涉及一種石英舟結構。
【背景技術】
[0002]近幾年，我國太陽能光伏產業以倍增速度快速發展，一舉成為全球最大的太陽能電池生產國。隨著市場競爭的越演越烈，不斷提高產品的競爭力已成為市場所趨，只有提高產品的質量，才能提高企業的競爭力。晶體硅太陽能電池制作工藝包括制絨、擴散、刻蝕、沉積減反射膜、印刷電極等步驟，擴散步驟一般采用石英舟作為承載工具。隨著光伏產能的不斷擴產，為了提高硅片的擴散處理效率，石英舟上的硅片排列密度越來越高，由于硅片之間的間距減短，必然導致片內的均勻性變差，且由于硅片是依靠石英舟上的卡槽固定在石英舟上的，而現有的卡槽一般呈矩形，因此硅片的部分會與支撐柱、限位柱形成面接觸。在擴散和氧化過程中，面接觸的部分周圍氣體氛圍與無接觸面的氣體氛圍不同，從而造成此區域硅片摻雜濃度、表面磷硅玻璃層厚度和氧化層出現不同，最終導致整個批次的硅片品質下降。
[0003]中國專利授權公告號:CN202712236U，授權公告日2013年I月30日，公開了一種擴散用石英舟，包括側面連接件和支架，支架包括一對上支架和一對下支架;上支架對稱固定于側面連接件上端內側壁，下支架對稱固定于側面連接件底部內側壁，且上支架所在平面與下支架所在平面相互平行，上支架之間的距離比下支架之間的距離寬;上支架內側表面、下支架上側表面設置有間隔大小不同的凹槽。其不足之處是凹槽與硅片接觸面較大，導致面接觸的部分周圍氣體氛圍與無接觸面的氣體氛圍不同，從而導致硅片品質下降。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型為了克服現有技術中硅片擴散時，石英舟上的凹槽與硅片的接觸面積大而導致硅片品質降低的不足，提供了一種在保證硅片定位穩定的條件下有效減小硅片與硅片限位槽的接觸面，從而提高硅片擴散品質的石英舟結構。
[0005]為了實現上述目的，本實用新型采用如下技術方案:
[0006]—種石英舟結構，包括左支撐板、右支撐板，所述左支撐板與右支撐板相互平行，所述左支撐板、右支撐板的底部設有支撐腳，所述左支撐板與右支撐板之間設有兩根上限位桿、兩根下限位桿，左支撐板與右支撐板的下端之間設有兩根支撐桿，上限位桿、下限位桿水平分布，上限位桿、下限位桿的截面呈正方形，所述上限位桿、下限位桿的底面與水平面呈45°夾角，所述上限位桿、下限位桿的內側棱邊處設有若干硅片限位槽。將硅片限位槽設置在上限位桿、下限位桿的棱邊處，硅片卡入硅片限位槽內，硅片限位槽在同等深度的情況下，設置在棱邊處的硅片限位槽與硅片的接觸面比設置在平面上或者弧面上的小，從而能減小娃片與娃片限位槽的接觸面，提尚娃片的品質。
[0007]作為優選，所述支撐桿的截面呈圓形，支撐桿的上側面設有水平支撐面。水平支撐面用于支撐硅片下端。
[0008]作為優選，所述上限位桿、下限位桿的每條棱邊處均設有圓倒角。圓倒角進一步減小了硅片與硅片限位槽的接觸面積，同時能防止上限位桿、下限位桿棱邊處應力集中，提高硅片限位槽的強度。
[0009]作為優選，所述硅片限位槽的截面呈倒梯形結構。倒梯形結構的硅片限位槽便于硅片卡入，硅片卡入后，硅片不會與硅片限位槽的側面接觸，從而實現硅片與硅片限位槽之間線接觸，進一步減小兩者之間的接觸面積。
[0010]作為優選，所述硅片限位槽的底部寬度為1.1mm-1.3_，所述硅片限位槽的深度為1.8mm-2.2mm，所述娃片限位槽的兩側壁的夾角為30°-40°。
[0011 ] 作為優選，相鄰硅片限位槽的間距為2.3mm-2.4mm。
[0012]作為優選，所述左支撐板、右支撐板的底部之間還設有兩根承重桿。承重桿用于加強整體強度。
[0013]因此，本實用新型具有在保證硅片定位穩定的條件下有效減小硅片與硅片限位槽的接觸面，從而提高硅片擴散品質的有益效果。
【附圖說明】
[0014]圖1為本實用新型的一種示意圖。
[0015]圖2為圖1中A-A處剖視圖。
[0016]圖3為圖1中B處局部放大示意圖。
[0017]圖4為圖3的俯視圖。
[0018]圖5為圖1中C處局部放大示意圖。
[0019]圖中:左支撐板1、右支撐板2、支撐腳3、上限位桿4、下限位桿5、支撐桿6、承重桿7、硅片限位槽8、硅片9、水平支撐面60。
【具體實施方式】
[0020]下面結合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步描述:
[0021]如圖1和圖2所示的一種石英舟結構，包括左支撐板1、右支撐板2，左支撐板與右支撐板相互平行，左支撐板1、右支撐板2的底部設有支撐腳3，左支撐板I與右支撐板2之間設有兩根上限位桿4、兩根下限位桿5，上限位桿4、下限位桿5分別位于左支撐板I與右支撐板2的兩側，左支撐板與右支撐板的下端之間設有兩根支撐桿6、兩根承重桿7，上限位桿、下限位桿水平分布，上限位桿、下限位桿的截面呈正方形，上限位桿、下限位桿的底面與水平面呈45°夾角，上限位桿、下限位桿的內側棱邊處設有若干硅片限位槽8，上限位桿、下限位桿的每條棱邊處均設有圓倒角；
[0022]如圖3和圖4所示，硅片限位槽的截面呈倒梯形結構，相鄰硅片限位槽的間距為
2.3mm_2.4mm，娃片限位槽的底部寬度為I.lmm-1.3mm，娃片限位槽的深度為I.8mm-2.2mm,所述硅片限位槽的兩側壁的夾角為30°-40°;如圖5所示，支撐桿6的截面呈圓形，支撐桿的上側面設有水平支撐面60。
[0023]硅片9卡入硅片限位槽內，如圖2所述的虛線框為硅片，硅片兩側上端受到上限位桿上的硅片限位槽限位，硅片兩側下端受到下限位桿上的硅片限位槽限位，硅片底部受到支撐桿上水平支撐面的支撐;硅片限位槽在同等深度的情況下，設置在棱邊處的硅片限位槽與硅片的接觸面比設置在平面上或者弧面上的小，本實施例中，硅片僅是棱邊受到硅片限位槽底面兩側的限位，實現線接觸，極大的減小硅片與硅片限位槽的接觸面，提高硅片的品質。
【主權項】
1.一種石英舟結構，包括左支撐板、右支撐板，所述左支撐板與右支撐板相互平行，所述左支撐板、右支撐板的底部設有支撐腳，其特征是，所述左支撐板與右支撐板之間設有兩根上限位桿、兩根下限位桿，左支撐板與右支撐板的下端之間設有兩根支撐桿，上限位桿、下限位桿水平分布，上限位桿、下限位桿的截面呈正方形，所述上限位桿、下限位桿的底面與水平面呈45°夾角，所述上限位桿、下限位桿的內側棱邊處設有若干硅片限位槽。2.根據權利要求1所述的一種石英舟結構，其特征是，所述支撐桿的截面呈圓形，支撐桿的上側面設有水平支撐面。3.根據權利要求1所述的一種石英舟結構，其特征是，所述上限位桿、下限位桿的每條棱邊處均設有圓倒角。4.根據權利要求1或2或3所述的一種石英舟結構，其特征是，所述硅片限位槽的截面呈倒梯形結構。5.根據權利要求4所述的一種石英舟結構，其特征是，所述硅片限位槽的底部寬度為1.1mm-1.3mm，所述娃片限位槽的深度為I.8mm_2.2mm，所述娃片限位槽的兩側壁的夾角為30。-40。ο6.根據權利要求1所述的一種石英舟結構，其特征是，相鄰硅片限位槽的間距為2.3mm-2.4mm07.根據權利要求1所述的一種石英舟結構，其特征是，所述左支撐板、右支撐板的底部之間還設有兩根承重桿。
【文檔編號】H01L21/673GK205564795SQ201620315458
【公開日】2016年9月7日
【申請日】2016年4月15日
【發明人】胡玉婷, 董方
【申請人】橫店集團東磁股份有限公司