一種銀面高壓平面式mos肖特基二極管的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，所述銀面高壓平面式MOS肖特基二極管包括主芯片、導線、肖特基陰極頭、肖特基陽極頭和外殼，所述主芯片固定于所述外殼內部，所述肖特基陰極頭和所述肖特基陽極頭分別通過所述導線連接所述主芯片，所述外殼內部設有第一滑槽和所述第二滑槽，所述肖特基陰極頭一部分可滑動地置于所述第一滑槽內，另一部分延伸至所述外殼外部，所述肖特基陽極頭一部分可滑動地置于所述第二滑槽內，另一部分延伸至所述外殼外部。解決了傳統的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，其陽極頭和陰極頭比較長，在運輸或存放過程中容易折彎或折斷，大大減少了其使用壽命的問題。
【專利說明】
一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管
技術領域
[0001]本實用新型涉及二極管，特別涉及一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管。
【背景技術】
[0002]肖特基二極管，又稱肖特基勢皇二極管，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短，正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見。傳統的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，其陽極頭和陰極頭比較長，在運輸或存放過程中容易折彎或折斷，大大減少了其使用壽命O
【實用新型內容】
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，解決了傳統的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，其陽極頭和陰極頭比較長，在運輸或存放過程中容易折彎或折斷，大大減少了其使用壽命的問題。
[0004]為實現上述目的，本實用新型提供以下的技術方案:一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，其中，包括主芯片、導線、第一滑槽、第二滑槽、肖特基陰極頭、肖特基陽極頭和外殼，所述主芯片固定于所述外殼內部，所述肖特基陰極頭和所述肖特基陽極頭分別通過所述導線連接所述主芯片，所述外殼內部設有第一滑槽和所述第二滑槽，所述肖特基陰極頭一部分可滑動地置于所述第一滑槽內，另一部分延伸至所述外殼外部，所述肖特基陽極頭一部分可滑動地置于所述第二滑槽內，另一部分延伸至所述外殼外部。
[0005]優選的，所述第一滑槽的內壁設有第一卡槽，所述肖特基陰極頭表面固接有第一彈性卡片，當滑動所述肖特基陰極頭時，所述第一彈性卡片可以卡合在所述第一卡槽內。
[0006]優選的，所述第二滑槽的內壁設有第二卡槽，所述肖特基陽極頭表面固接有第二彈性卡片，當滑動所述肖特基陽極頭時，所述第二彈性卡片可以卡合在所述第二卡槽內。
[0007]優選的，所述肖特基陰極頭和所述肖特基陽極頭平行設置。
[0008]優選的，所述肖特基陰極頭和所述肖特基陽極頭位于所述外殼外部的部分上都套接有橡膠套。
[0009]有益效果:本實用新型提供了一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，其中，所述銀面高壓平面式MOS肖特基二極管包括主芯片、導線、肖特基陰極頭、肖特基陽極頭和外殼，使用前，所述肖特基陽極頭和所述肖特基陰極頭是位于所述外殼內部的，可以有效的防止陰極頭和陽極頭在運輸或存放過程中折彎或折斷，使用時，將所述肖特基陽極頭和所述肖特基陰極頭從外殼內抽出，所述肖特基陽極頭和所述肖特基陰極頭表面設有彈性卡片結構，當其從外殼抽出時，彈性卡片可以卡合在滑槽內的卡槽上，可以增加陰極頭和陽極頭的穩定性，防止使用時陰極頭和陽極頭縮回外殼內部。本實用新型提供的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管可以有效解決統的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，其陽極頭和陰極頭比較長，在運輸或存放過程中容易折彎或折斷，大大減少了其使用壽命的問題。
【附圖說明】
[00?0]圖1是本實用新型的結構不意圖；
[0011 ]圖2是本實用新型的工作時的結構示意圖。
[0012]其中，I主芯片、2外殼、3導線、4第一滑槽、5肖特基陰極頭、6第一彈性卡片、7肖特基陽極頭、8第二彈性卡片、9第二滑槽。
【具體實施方式】
[0013]下面結合附圖詳細說明本實用新型的優選實施方式。
[0014]圖1和圖2出示本實用新型的【具體實施方式】:一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，其中，包括主芯片1、導線3、肖特基陰極頭5、肖特基陽極頭7和外殼2，所述主芯片I固定于所述外殼2內部，所述肖特基陰極頭5和所述肖特基陽極頭7分別通過所述導線3連接所述主芯片I，所述外殼2內部設有第一滑槽4和所述第二滑槽9，所述肖特基陰極頭5—部分可滑動地置于所述第一滑槽4內，另一部分延伸至所述外殼2外部，所述肖特基陽極頭7—部分可滑動地置于所述第二滑槽9內，另一部分延伸至所述外殼2外部。
[0015]其中，所述第一滑槽4的內壁設有第一卡槽，所述肖特基陰極頭5表面固接有第一彈性卡片6，當滑動所述肖特基陰極頭5時，所述第一彈性卡片6可以卡合在所述第一卡槽內，所述第二滑槽9的內壁設有第二卡槽，所述肖特基陽極頭7表面固接有第二彈性卡片8，當滑動所述肖特基陽極頭7時，所述第二彈性卡片8可以卡合在所述第二卡槽內，所述肖特基陰極頭5和所述肖特基陽極頭7平行設置，所述肖特基陰極頭5和所述肖特基陽極頭7位于所述外殼2外部的部分上都套接有橡膠套。
[0016]本實用新型提供了一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，其中，所述銀面高壓平面式MOS肖特基二極管包括主芯片、導線、肖特基陰極頭、肖特基陽極頭和外殼，使用前，所述肖特基陽極頭和所述肖特基陰極頭是位于所述外殼內部的，可以有效的防止陰極頭和陽極頭在運輸或存放過程中折彎或折斷，使用時，將所述肖特基陽極頭和所述肖特基陰極頭從外殼內抽出，所述肖特基陽極頭和所述肖特基陰極頭表面設有彈性卡片結構，當其從外殼抽出時，彈性卡片可以卡合在滑槽內的卡槽上，可以增加陰極頭和陽極頭的穩定性，防止使用時陰極頭和陽極頭縮回外殼內部。本實用新型提供的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管可以有效解決統的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，其陽極頭和陰極頭比較長，在運輸或存放過程中容易折彎或折斷，大大減少了其使用壽命的問題。
[0017]以上所述的僅是本實用新型的優選實施方式，應當指出，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型創造構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，其特征在于，包括主芯片、導線、第一滑槽、第二滑槽、肖特基陰極頭、肖特基陽極頭和外殼，所述主芯片固定于所述外殼內部，所述肖特基陰極頭和所述肖特基陽極頭分別通過所述導線連接所述主芯片，所述外殼內部設有第一滑槽和所述第二滑槽，所述肖特基陰極頭一部分可滑動地置于所述第一滑槽內，另一部分延伸至所述外殼外部，所述肖特基陽極頭一部分可滑動地置于所述第二滑槽內，另一部分延伸至所述外殼外部。2.根據權利要求1所述的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，其特征在于，所述第一滑槽的內壁設有第一卡槽，所述肖特基陰極頭表面固接有第一彈性卡片，當滑動所述肖特基陰極頭時，所述第一彈性卡片可以卡合在所述第一卡槽內。3.根據權利要求2所述的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，其特征在于，所述第二滑槽的內壁設有第二卡槽，所述肖特基陽極頭表面固接有第二彈性卡片，當滑動所述肖特基陽極頭時，所述第二彈性卡片可以卡合在所述第二卡槽內。4.根據權利要求1所述的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基陰極頭和所述肖特基陽極頭平行設置。5.根據權利要求1所述的銀面高壓平面式MOS肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基陰極頭和所述肖特基陽極頭位于所述外殼外部的部分上都套接有橡膠套。
【文檔編號】H01L23/49GK205542759SQ201620108815
【公開日】2016年8月31日
【申請日】2016年2月3日
【發明人】黃仲濬, 蔣文甄
【申請人】泰州優賓晶圓科技有限公司