一種具有高機械強度性能的mocvd石墨盤的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種具有高機械強度性能的MOCVD石墨盤，包括有石墨盤本體，所述石墨盤本體的表面沉積有250?350nm厚的金紅石型二氧化鈦層。由于金紅石型二氧化鈦層和石墨不發生界面反應，有很好的化學相容性，且金紅石型二氧化鈦層具有優異的熱穩定性、高熔點，高溫力學性能好，因此將金紅石型二氧化鈦層與石墨盤相結合，可有效增強石墨盤的機械強度性能，防止石墨粉體進入反應腔，凈化反應腔生長環境，從而極大提高半導體芯片質量。
【專利說明】
_種具有局機械強度性能的MOGVD石墨盤
技術領域
[0001]本實用新型涉及半導體設備設計和制造技術領域，尤其是指一種具有高機械強度性能的MOCVD石墨盤。
【背景技術】
[0002]能源是人類社會發展的重要基礎資源。由于世界能源資源產地與能源消費中心相距較遠，特別是隨著世界經濟的發展、世界人口的劇增和人民生活水平的不斷提高，世界能源需求量持續增大。由此導致對能源資源的爭奪日趨激烈、環境污染加重和環保壓力加大，使得能源問題成為當今國際政治、經濟、軍事、外交關注的焦點。發展可再生能源已成為全球實現低碳能源轉型的戰略目標，也成為我國可持續生態化發展的重大需求。同時，化石能源對環境的污染和全球氣候的影響將日趨嚴重。面對以上挑戰，世界能源供應和消費將向多元化、清潔化、高效化、全球化和市場化趨勢發展。
[0003]鑒于國情，我國應特別注意依靠科技進步和政策引導，提高能源利用效率，尋求能源的清潔化利用，積極倡導能源、環境和經濟的可持續發展，并積極借鑒國際先進經驗，建立和完善我國能源安全體系。
[0004]半導體芯片行業的快速發展，MOCVD設備單爐產量的擴大，首先表現為石墨盤的尺寸擴大，從而導致石墨盤對生長環境影響越來越大，尤其是高端芯片，對生長環境要求嚴苛。目前MOCVD石墨盤在高溫真空條件下易產生石墨粉體，釋放吸附氣體，耐磨損性較差，從而在生長半導體芯片過程中，污染工藝生長環境，極大降低半導體芯片的質量，嚴重制約了MOCVD的使用。因此提出一種降低石墨盤對反應腔環境影響結構具有重大意義。
【發明內容】
[0005]本實用新型的目的在于克服現有技術的不足與缺點，提出一種具有高機械強度性能的MOCVD石墨盤，可極大提尚半導體芯片質量。
[0006]為實現上述目的，本實用新型所提供的技術方案為:一種具有高機械強度性能的MOCVD石墨盤，包括有石墨盤本體，所述石墨盤本體的表面沉積有250-350nm厚的金紅石型二氧化鈦層。
[0007]所述石墨盤本體上的襯底坑位的排布方式為58片X2英寸、24片X 3英寸、27片X 3英寸、15片X4英寸、6片X6英寸、5片X6英寸、13片X4英寸、14片X4英寸、31片X 3英寸、50片X 2英寸中的一種。
[0008]本實用新型與現有技術相比，具有如下優點與有益效果:
[0009]由于金紅石型二氧化鈦層和石墨不發生界面反應，有很好的化學相容性，且金紅石型二氧化鈦層具有優異的熱穩定性、高熔點，高溫力學性能好，因此將金紅石型二氧化鈦層與石墨盤相結合，可有效增強石墨盤的機械強度性能，防止石墨粉體進入反應腔，凈化反應腔生長環境，從而極大提高半導體芯片質量。
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型所述MOCVD石墨盤的剖視圖。
[0011 ]圖2為本實用新型所述MOCVD石墨盤的襯底坑位排布方式組合圖。
【具體實施方式】
[0012]下面結合具體實施例對本實用新型作進一步說明。
[0013]如圖1所示，本實施例所述的MOCVD石墨盤，包括有石墨盤本體I，所述石墨盤本體I的表面沉積有一層金紅石型二氧化鈦層2，該金紅石型二氧化鈦層2的厚度為250-350nm，而在本實施例中優選為300nm。此外，所述石墨盤本體上的襯底坑位排布方式有10種，分別有58片X 2英寸、24片X 3英寸、27片X 3英寸、15片X4英寸、6片X6英寸、5片X6英寸、13片X4英寸、14片X4英寸、31片X3英寸、50片X2英寸等，具體如圖2所示。
[0014]下面為本實施例上述MOCVD石墨盤的制作過程，如下:
[0015]1、將待處理石墨盤清洗干凈；
[0016]2、利用化學氣相沉積在石墨盤表面沉積一層金紅石型二氧化鈦，此金紅石型二氧化鈦層厚度為300nm，沉積溫度為800-1000度，沉積氣體為氬氣、氫氣，源氣體為金紅石型二氧化鈦固體顆粒，沉積時間為5-30分鐘，而后即可得到所需的具有高機械強度性能的MOCVD
石墨盤。
[0017]由于金紅石型二氧化鈦層和石墨不發生界面反應，有很好的化學相容性，且金紅石型二氧化鈦層具有優異的熱穩定性、高熔點，高溫力學性能好，因此將金紅石型二氧化鈦層與石墨盤相結合，可有效增強石墨盤的機械強度性能，防止石墨粉體進入反應腔，凈化反應腔生長環境，從而極大提高半導體芯片質量，值得推廣。
[0018]以上所述之實施例子只為本實用新型之較佳實施例，并非以此限制本實用新型的實施范圍，故凡依本實用新型之形狀、原理所作的變化，均應涵蓋在本實用新型的保護范圍內。
【主權項】
1.一種具有高機械強度性能的MOCVD石墨盤，包括有石墨盤本體，其特征在于:所述石墨盤本體的表面沉積有250-350nm厚的金紅石型二氧化鈦層。2.根據權利要求1所述的一種具有高機械強度性能的MOCVD石墨盤，其特征在于:所述石墨盤本體上的襯底坑位的排布方式為58片X 2英寸、24片X 3英寸、27片X 3英寸、15片X4英寸、6片X 6英寸、5片X 6英寸、13片X 4英寸、14片X4英寸、31片X 3英寸、50片X 2英寸中的一種。
【文檔編號】H01L21/673GK205488075SQ201620207598
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年3月17日
【發明人】楊鵬, 楊翠柏, 張小賓, 張楊, 方聰, 劉向平, 靳愷, 王雷, 高熙隆
【申請人】中山德華芯片技術有限公司