橫向半導體裝置的制造方法
【專利摘要】橫向半導體裝置。本實用新型以低成本提供能夠防止電流集中的產生的橫向半導體裝置。所述橫向半導體裝置設置于具有相互面對的第1主面和第2主面的半導體襯底上，該橫向半導體裝置具有：第1導電型的漂移區；所述第1導電型的漏區；第2導電型的基區；所述第1導電型的源區；漏電極，其與所述漏區電連接；源電極，其與所述源區電連接；以及柵電極，其隔著柵絕緣膜設置于被所述源區和所述漏區夾著的所述基區上方，在俯視時所述源電極的內緣長度比所述漏電極的外緣長度長的部位，在所述源區和所述源電極之間的至少一部分處具有絕緣區。
【專利說明】
橫向半導體裝置
技術領域
[0001 ]本實用新型涉及設置于半導體襯底的橫向半導體裝置。
【背景技術】
[0002]專利文獻I公開了一種橫向半導體裝置，其具有多個金屬層和接觸盤，所述多個金屬層設置于有源區域的正上方，該有源區域中設置有橫向晶體管，所述接觸盤為了連接線材而在多個金屬層的每個金屬層上分別設有一個。多個金屬層的面積從離外部的連接部件近的一側的金屬層到離外部的連接部件遠的金屬層，依次減小。以往的橫向半導體裝置通過調整金屬層的面積來使流過橫向晶體管的電流密度均勻，因此能夠防止在橫向半導體裝置內發生電流集中。
[0003]【專利文獻1】:CN101174626A
[0004]然而，以往的橫向半導體裝置需要在多個金屬層各自上設置接合盤并連接線材。因此，以往的橫向半導體裝置可能會由于線材的數量和芯片面積導致成本增大。
【實用新型內容】
[0005]本實用新型以低成本提供一種能夠防止電流集中的產生的橫向半導體裝置。
[0006]本實用新型提供一種橫向半導體裝置，其設置于具有相互面對的第I主面和第2主面的半導體襯底上，該橫向半導體裝置的特征在于，所述橫向半導體裝置具有:第I導電型的漂移區，其設置于所述半導體襯底內的所述第I主面側;所述第I導電型的漏區，其設置于所述漂移區內的所述第I主面側;第2導電型的基區，其設置于所述漂移區內的所述第I主面側;所述第I導電型的源區，其設置于所述基區內的所述第I主面側，并且以俯視時包圍所述漏區的方式設置;漏電極，其與所述漏區電連接;源電極，其與所述源區電連接；以及柵電極，其隔著柵絕緣膜設置于被所述漏區和所述源區夾著的所述基區上方，在俯視時所述源電極的內緣長度比所述漏電極的外緣長度長的部位，在所述源區和所述源電極之間的至少一部分處具有絕緣區。
[0007]根據本實用新型，能夠以低成本提供一種防止電流集中的產生的橫向半導體裝置。
【附圖說明】
[0008]圖1是表示本實用新型的實施例的半導體裝置的結構的俯視圖。
[0009]圖2是表示本實用新型的實施例的半導體裝置的結構的截面圖。
[0010]圖3是表示本實用新型的變形例的半導體裝置的結構的截面圖。
[0011 ]圖4是表示本實用新型的變形例的半導體裝置的結構的截面圖。
[0012]標號說明
[0013]1:半導體襯底;2:漂移區；3:半導體區；4:漏區；5:基區;6:源區；7:柵絕緣膜;8:絕緣膜;9:絕緣區；10:第I主面;11:第2主面;D:漏電極;S:源電極;G:柵電極。
【具體實施方式】
[0014]接著，參照附圖來說明本實用新型的實施方式。在以下的附圖的記載中，對相同或者類似的部分標注相同或者類似的標號。但是，應該注意到附圖只是示意性的。另外，以下所示的實施方式是對用于使該實用新型的技術思想具體化的裝置或方法進行例示，該實用新型的實施方式不使構成部件的結構、配置等限定為以下示例。該實用新型的實施方式能夠在請求保護的范圍內施加各種改變。
[0015]圖1?圖4是表示本實用新型的實施例的橫向半導體裝置的結構的俯視圖和截面圖。圖2是圖1的a_a截面圖，圖3是圖1的b_b截面圖，圖4是圖1的b_b截面圖。
[0016]本實施例的橫向半導體裝置是設置于半導體襯底I的橫向半導體裝置，該橫向半導體裝置具有漂移區2、漏區4、基區5、源區6、源電極S、漏電極D以及柵電極G。另外，本實施例的橫向半導體裝置在俯視時源電極的內緣長度比漏電極的外緣長度長的部位，在源區6和源電極S之間具有絕緣區9。
[0017]在俯視時源電極S的內緣和漏電極D的外緣為直線狀即二者長度相等的部位處，橫向半導體裝置如圖2所示那樣構成。半導體襯底I具有相互面對的第I主面10和第2主面11。半導體襯底I具有漂移區2、半導體區3、漏區4、基區5以及源區6。漂移區2是以露出于半導體襯底I的第I主面10側的方式設置的η型的半導體區。半導體區3是以露出于半導體襯底I的第2主面11側的方式設置的P型的半導體區。漏區4是以露出于漂移區2內的第I主面10側的方式設置的η型的半導體區。基區5是以露出于漂移區2內的第I主面10側的方式設置的P型的半導體區。另外，基區5介于漏區4和源區6之間。源區6是以露出于基區5內的第I主面10側，并且俯視時包圍漏區4的方式設置的η型的半導體區。
[0018]漏電極D是橫向半導體裝置的與漏區4電連接的主電極。源電極S是橫向半導體裝置的與基區5和源區6電連接的主電極。柵電極G是橫向半導體裝置的控制電極，其隔著柵絕緣膜7至少設置于被漏區4和源區6夾著的基區5上方。柵絕緣膜7至少設置于基區5的第I主面10上。漏電極D、源電極S以及柵電極G隔著絕緣膜8而相互絕緣。通過這樣的結構，在對柵電極G施加規定的電壓后，橫向半導體裝置成為導通狀態，能夠從漏電極D向源電極S流過電流。
[0019]俯視時，在源電極S的內緣和漏電極D的外緣為圓弧狀，即源電極S的內緣長度比漏電極D的外緣長度長的部位，橫向半導體裝置如圖3所示那樣構成。即，橫向半導體裝置具有由ρη結形成的絕緣區9，所述ρη結由基區5和源區6構成。在該部位，源電極S不與源區6電連接，而是與基區5電連接。
[0020]通過這樣的結構，在對柵電極G施加規定的電壓后，欲從漏電極D流向源電極S的電流被作為絕緣區9的ρη結阻止。另外，在橫向半導體裝置的制造工藝中，可通過調整絕緣膜8和源電極S的圖案容易地形成絕緣區9。因此，本實施例的橫向半導體裝置能夠以低成本在容易發生電流集中的圓弧部分處，通過限制電流路徑來防止電流集中。
[0021]源電極S也可以如圖4那樣構成為:與源區6和基區5的任意一個都不電連接。通過這樣的結構，欲從漏電極D流向源電極S的電流被作為絕緣區9的絕緣膜8阻止。因此，能夠獲得與上述相同的作用效果。
[0022]如上，通過實施方式對本實用新型進行了說明，但應理解到，構成上述公開的一部分的論述和附圖并不對本實用新型進行限制。對于本領域技術人員而言，從該公開能夠得到各種替代的實施方式、實施例以及運用技術，這是顯而易見的。即，本實用新型當然包括未在此記載的各種實施方式等。因此，本實用新型的技術范圍僅由基于上述說明而得到的適當的請求保護的范圍所涉及的實用新型特定事項來確定。
[0023]例如，也可以在半導體襯底I上設置橫向晶體管以外的元件(二極管、CMOS)。或者，俯視時，在源電極S的內緣長度比漏電極D的外緣長度長的部位，可以整面地設置絕緣區9，也可以沿著源電極S的內緣局部地設置絕緣區9。
【主權項】
1.一種橫向半導體裝置，其設置于具有相互面對的第I主面和第2主面的半導體襯底上，該橫向半導體裝置的特征在于， 所述橫向半導體裝置具有: 第I導電型的漂移區，其設置于所述半導體襯底內的所述第I主面側； 所述第I導電型的漏區，其設置于所述漂移區內的所述第I主面側； 第2導電型的基區，其設置于所述漂移區內的所述第I主面側； 所述第I導電型的源區，其設置于所述基區內的所述第I主面側，以俯視時包圍所述漏區的方式設置； 漏電極，其與所述漏區電連接； 源電極，其與所述源區電連接；以及 柵電極，其隔著柵絕緣膜設置于被所述源區和所述漏區夾著的所述基區上方， 在俯視時所述源電極的內緣長度比所述漏電極的外緣長度長的部位，在所述源區和所述源電極之間的至少一部分處具有絕緣區。2.根據權利要求1所述的橫向半導體裝置，其特征在于， 所述絕緣區由pn結構成。3.根據權利要求2所述的橫向半導體裝置，其特征在于， 所述pn結由所述基區和所述源區構成。4.根據權利要求1所述的橫向半導體裝置，其特征在于， 所述絕緣區由絕緣膜的一部分構成。
【文檔編號】H01L29/78GK205452290SQ201620214759
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年3月21日
【發明人】金井謙, 鹽津興, 鹽津興一
【申請人】三墾電氣株式會社