一種芯片級led基板的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種芯片級LED基板,它涉及LED技術領域。樹脂基座上設置有一對對稱設置的引線框架,引線框架底側面和外側面上均設置有凹陷狀溝槽,樹脂基座包括樹脂基座上半部和樹脂基座下半部,所述樹脂基座上半部覆蓋在引線框架的上側面上并和引線框架圍成一個反射碗杯,所述的反射碗杯的深度為0.05mm?0.10mm,且所述引線框架的上表面有0.15mm?0.20mm的寬度樹脂露于所述反射碗杯底部,并將反射碗杯底部區域對等分割,樹脂下半部填充于引線框架之間的間隙以及所述溝槽內,并從引線框架的外側面將引線框架包裹。采用環氧樹脂和硅樹脂的材料與鍍銀引線架進行模壓封裝。其封裝結構耐高溫、耐濕熱,降低封裝成本。
【專利說明】
一種芯片級LED基板
技術領域
[0001 ]本實用新型涉及一種芯片級LED基板,屬于LED技術領域。
【背景技術】
[0002]現今,陶瓷基板作為電子工業中常用的基材,因其機械、熱、電性能高,被廣泛應用于LED封裝行業,目前在芯片級LED封裝行業,利用陶瓷基板的優良的導熱性,高強度,低膨脹系數的特性可大大縮短了芯片與外界的散熱時間,來實現芯片級封裝器材的高信耐度工作。
[0003]目前芯片級封裝采用的基板大多為氮化鋁陶瓷基板,且多為平面基板,由于熒光膠與陶瓷基板模壓結合屬于平面結合,且力度咬合不夠,易造成熒光膠脫落或剝離,影響產品的氣密性。再者在價格方面氧化鋁陶瓷基板是傳統氧化鋁基板的兩倍,且氮化鋁陶瓷基板在生產工藝上也是相當復雜的:由于氮化鋁在常壓下無熔點,為難燒結性物質,故制作過程中需在氮化鋁粉末中添加氧化釔的有機粘合劑,用制作氧化鋁陶瓷相同的方法一刮膜流延法成型,迭片,脫粘合劑,在氮氣1800°C附近常壓燒結完成。由于氮化鋁陶瓷基板的生產制作需具備特殊技術要求,加上設備投資大,制作工藝復雜,成本居高不下,導致在CSP封裝行業還無法實現大規模產業化生產。
【發明內容】
[0004]針對上述問題,本實用新型要解決的技術問題是提供一種芯片級LED基板。
[0005]本實用新型芯片級LED基板,它包含包括樹脂基座1、引線框架2、凹陷狀溝槽3和反射碗杯4,樹脂基座I上設置有一對對稱設置的引線框架2,
[0006]所述的引線框架2底側面2-1和外側面2-2上均設置有凹陷狀溝槽3,所述樹脂基座I包括樹脂基座上半部1-1和樹脂基座下半部1-2,所述樹脂基座上半部1-1覆蓋在引線框架2的上側面2-3上并和引線框架2圍成一個反射碗杯4,所述的反射碗杯4的深度為0.05mm-
0.10mm,且所述引線框架2的上表面有0.15mm-0.20mm的寬度樹脂a露于所述反射碗杯4底部,并將反射碗杯4底部區域對等分割,所述樹脂下半部1-2填充于引線框架2之間的間隙以及所述溝槽3內,并從引線框架2的外側面2-2將引線框架2包裹。
[0007]作為優選,所述引線框架2的外側面2-2露于反射碗杯4底部除0.15mm
[0008]-0.20mm寬度樹脂a之外的部分以及底側面2-1中的露于樹脂基座I之外的部分設置有鍍銀層。
[0009]作為優選,所述的樹脂基座I選用的材質為耐熱型不飽和環氧樹脂或硅樹脂。
[0010]作為優選,所述的引線框架2為銅或者銅合金材料制成制成,且引線框架2的表面全鍍銀。
[0011 ]本實用新型的有益效果:它能克服現有技術的弊端,結構設計新穎合理,采用環氧樹脂和硅樹脂的材料與鍍銀引線架進行模壓封裝。其封裝結構耐高溫、耐濕熱,提高了氣密性,同時降低了封裝成本。
[0012]【附圖說明】:
[0013]為了易于說明,本實用新型由下述的具體實施及附圖作以詳細描述。
[0014]圖1為本實用新型的立體結構不意圖;
[0015]圖2為本實用新型側視圖;
[0016]圖3為本實用新型俯視圖;
[0017]圖4為本實用新型的背面結構示意圖;
[0018]圖5為本實用新型中引線框架立體結構示意圖;
[0019]圖6為本實用新型中引線框架的底部結構示意圖。
[0020]【具體實施方式】:
[0021 ]如圖1-6所示,本【具體實施方式】采用以下技術方案:它包含包括樹脂基座1、引線框架2、凹陷狀溝槽3和反射碗杯4,樹脂基座I上設置有一對對稱設置的引線框架2,所述的引線框架2底側面2-1和外側面2-2上均設置有凹陷狀溝槽3,所述樹脂基座I包括樹脂基座上半部1-1和樹脂基座下半部1-2,所述樹脂基座上半部1-1覆蓋在引線框架2的上側面2-3上并和引線框架2圍成一個反射碗杯4,所述的反射碗杯4的深度為0.05mm-0.10mm,且所述引線框架2的上表面有0.15mm-0.20mm的寬度樹脂a露于所述反射碗杯4底部,并將反射碗杯4底部區域對等分割,所述樹脂下半部1-2填充于引線框架2之間的間隙以及所述溝槽3內,并從引線框架2的外側面2-2將引線框架2包裹。
[0022]作為優選,所述引線框架2的外側面2-2露于反射碗杯4底部除0.15mm
[0023]-0.20mm寬度樹脂a之外的部分以及底側面2-1中的露于樹脂基座I之外的部分設置有鍍銀層。
[0024]作為優選,所述的樹脂基座I選用的材質為耐熱型不飽和環氧樹脂或硅樹脂。
[0025]作為優選,所述的引線框架2為銅或者銅合金材料制成制成,且引線框架2的表面全鍍銀。
[0026]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理和主要特征和本實用新型的優點。本行業的技術人員應該了解,本實用新型不受上述實施例的限制,上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理,在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下,本實用新型還會有各種變化和改進,這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等效物界定。
【主權項】
1.一種芯片級LED基板,其特征在于:它包含包括樹脂基座(1)、引線框架(2)、凹陷狀溝槽(3)和反射碗杯(4),樹脂基座(I)上設置有一對對稱設置的引線框架(2),所述的引線框架(2)底側面(2-1)和外側面(2-2)上均設置有凹陷狀溝槽(3),所述樹脂基座(I)包括樹脂基座上半部(1-1)和樹脂基座下半部(1-2),所述樹脂基座上半部(1-1)覆蓋在引線框架(2)的上側面(2-3)上并和引線框架(2)圍成一個反射碗杯(4),所述的反射碗杯(4)的深度為0.05mm-0.1 Omm,且所述弓I線框架(2)的上表面有0.15mm-0.20mm的寬度樹脂(a)露于所述反射碗杯(4)的底部,并將反射碗杯(4)底部區域對等分割,所述樹脂下半部(1-2)填充于引線框架(2)之間的間隙以及所述溝槽(3)內,并從引線框架(2)的外側面(2-2)將引線框架(2)包裹。2.按照權利要求1所述的一種芯片級LED基板,其特征在于:所述引線框架(2)的外側面(2-2)露于反射碗杯(4)底部除0.15mm-0.20mm寬樹脂(a)外的部分以及底側面(2-1)中的露于樹脂基座(I)之外的部分設置有鍍銀層。3.按照權利要求1所述的一種芯片級LED基板,其特征在于:所述的樹脂基座(I)選用的材質為耐熱型不飽和環氧樹脂或硅樹脂。4.按照權利要求1所述的一種芯片級LED基板,其特征在于:所述的引線框架(2)為銅或者銅合金材料制成,且引線框架(2)的表面全鍍銀。
【文檔編號】H01L33/48GK205428997SQ201620006044
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年1月7日
【發明人】李俊東, 柳歡, 張仲元, 張建敏, 其他發明人請求不公開姓名
【申請人】深圳市斯邁得半導體有限公司