有機半導體薄膜晶體管以及顯示裝置與背板的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種有機半導體薄膜晶體管以及具有該有機半導體薄膜晶體管的顯示裝置與背板。有機半導體薄膜晶體管包括源極、漏極和柵極，源極和漏極上設置有溝道層，溝道層中形成有使源極和漏極至少部分露出的溝道，溝道中填充有有機半導體層，有機半導體層與源極和漏極連接，有機半導體層上形成有圖案。由于溝道的深度和延伸方向在制程過程中容易控制為具有較好的一致性，因此采用該種結構的有機半導體薄膜晶體管的不同元件中，其有機半導體層的厚度會更加均勻，而且有機半導體材料也更容易順著溝道的方向排列，也即有機半導體材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有機半導體薄膜晶體管具有較為均一的特性。
【專利說明】
有機半導體薄膜晶體管以及顯示裝置與背板
技術領域
[0001]本實用新型涉及半導體領域，具體涉及一種有機半導體薄膜晶體管以及具有該有機半導體薄膜晶體管的顯示裝置及其背板。
【背景技術】
[0002]現有的有機半導體薄膜晶體管，其有機半導體層是直接涂布在源極和漏極上，再對有機半導體層進行圖案化制程。但是，這種方式所形成的有機半導體薄膜晶體管元件，存在不同元件的成膜厚度不一、半導體排列方向各異等問題，導致不同元件的特性差異較大，導致使用了多個元件的顯示裝置的顯示特性較差。
【實用新型內容】
[0003]有鑒于此，本實用新型旨在提供一種元件特性更均一的有機半導體薄膜晶體管以及具有該有機半導體薄膜晶體管的顯示裝置及其背板。
[0004]為了實現本實用新型的目的，本實用新型實施例一方面提供一種有機半導體薄膜晶體管，其包括源極、漏極和柵極，所述源極和漏極上設置有溝道層，所述溝道層中形成有使所述源極和漏極至少部分露出的溝道，所述溝道中填充有有機半導體層，所述有機半導體層與所述源極和漏極連接，所述有機半導體層上形成有圖案。
[0005]在上述實施例中，由于溝道的深度和延伸方向均是在制程過程中容易控制為具有較好的一致性，因此將有機半導體材料填充在溝道層的溝道中形成有機半導體層，相較于直接涂布有機半導體，采用該種結構的有機半導體薄膜晶體管的不同元件中，其有機半導體層的厚度會更加均勻，而且有機半導體材料也更容易順著溝道的方向排列，也即有機半導體材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有機半導體薄膜晶體管均具有較為均一的特性。此外，這種結構所形成的有機半導體層的膜厚也較厚，使得有機半導體薄膜晶體管的機械性能更好。
[0006]優選地，所述有機半導體薄膜晶體管具有頂柵結構，其進一步包括基底和柵極絕緣層，所述源極和漏極間隔開地設置在所述基底上，所述有機半導體層伸入所述源極與漏極之間并與所述基底相接，所述柵極絕緣層位于所述溝道層上并覆蓋所述有機半導體層，所述柵極形成于所述柵極絕緣層上方。
[0007]優選地，所述有機半導體薄膜晶體管具有底柵結構，其進一步包括基底和柵極絕緣層，所述柵極形成于所述基底上，所述柵極絕緣層設于所述基底上并覆蓋所述柵極，所述源極和漏極間隔開地設置于所述柵極絕緣層的上方，所述有機半導體層伸入所述源極與漏極之間并與所述柵極絕緣層相接。
[0008]優選地，所述有機半導體層的上表面相對于所述溝道層凸出。
[0009 ]優選地，在橫向方向上，所述柵極位于所述源極和所述漏極之間。
[0010]優選地，所述溝道層的橫截面呈傾斜角結構、垂直結構或底切結構。
[0011]優選地，所述柵極絕緣層是由可圖案化的有機介電材料制成的。
[0012]本實用新型實施例另一方面提供一種有機半導體薄膜晶體管的制造方法，其包括如下步驟:
[0013]形成間隔設置的源極和漏極；
[0014]在所述源極和漏極上形成溝道層；
[0015]在所述溝道層中形成溝道，所述溝道使所述源極和漏極至少部分露出；
[0016]在所述溝道中填充有機半導體層，所述有機半導體層與所述源極和漏極連接；
[0017]在所述有機半導體層上形成圖案。
[0018]在上述實施例中，由于溝道的深度和延伸方向均是在制程過程中容易控制為具有較好的一致性，因此將有機半導體材料填充在溝道層的溝道中形成有機半導體層，相較于直接涂布有機半導體，采用該種方法制造的不同有機半導體薄膜晶體管，其有機半導體層的厚度會更加均勻，而且有機半導體材料也更容易順著溝道的方向排列，也即有機半導體材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有機半導體薄膜晶體管均具有較為均一的特性。此外，這種方法所形成的有機半導體層的膜厚也較厚，使得有機半導體薄膜晶體管的機械性能更好。
[0019]優選地，所述源極和漏極形成于基底上，在所述有機半導體層上形成圖案后，還包括如下步驟:
[0020]在所述溝道層上形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述有機半導體層；
[0021 ]在所述柵極絕緣層上方形成柵極。
[0022]優選地，在形成間隔設置的源極和漏極的步驟之前，還包括如下步驟:
[0023]在基底上形成柵極；
[0024]在基底上形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極，所述源極和漏極形成于所述柵極絕緣層的上方。
[0025]優選地，所述柵極是通過黃光或印制制程形成的。
[0026]優選地，在所述溝道中填充有機半導體層時，是在所述溝道中涂布流體形態的有機半導體，所述流體形態的有機半導體排列以形成所述有機半導體層。
[0027]優選地，所述溝道是通過黃光制程形成于所述溝道層中。
[0028]優選地，在所述溝道中填充有機半導體層之前，利用等離子體對所述溝道進行表面處理。
[0029]本實用新型實施例再一方面提供一種顯示裝置的背板，其上設置有薄膜晶體管陣列，所述薄膜晶體管陣列包括上述任一實施例所述的有機半導體薄膜晶體管。
[0030]優選地，所述薄膜晶體管陣列在沿所述有機半導體層的涂布方向上分布有多個所述有機半導體薄膜晶體管，相鄰有機半導體薄膜晶體管的溝道彼此相通。
[0031]優選地，所述薄膜晶體管陣列包括多個呈矩陣分布的所述有機半導體薄膜晶體管，相鄰有機半導體薄膜晶體管的溝道層彼此相接。
[0032]優選地，所述薄膜晶體管陣列在沿所述有機半導體層的涂布方向上分布有多個所述有機半導體薄膜晶體管，其中一端或兩端的有機半導體薄膜晶體管上連接有分流道，所述分流道與所述溝道層連接且間隔設置以露出所述溝道。
[0033]優選地，所述分流道呈三角形、橢圓形、半圓形或梯形，所述分流道與所述溝道層連接一端的寬度大于遠離所述溝道層一端的寬度。
[0034]優選地，所述薄膜晶體管陣列在沿所述有機半導體層的涂布方向上分布有多個所述有機半導體薄膜晶體管，其中涂布方向末端的有機半導體薄膜晶體管上連接有阻擋結構，所述阻擋結構與所述溝道相接并阻擋所述溝道。
[0035]優選地，涂布方向首端的有機半導體薄膜晶體管上連接有分流道，所述分流道與所述溝道層連接且間隔設置以露出所述溝道。
[0036]優選地，所述阻擋結構呈三角形、橢圓形、半圓形或梯形，所述阻擋結構與所述溝道連接一端的寬度大于遠離所述溝道一端的寬度。
[0037]本實用新型實施例又一方面提供一種顯示裝置，其包括上述任一實施例所述的顯示裝置的背板。上述有機半導體薄膜晶體管所帶來的有益效果顯然也可在該顯示裝置及其背板中體現，此處不再贅述。
【附圖說明】
[0038]圖1是本實用新型第一實施例的有機半導體薄膜晶體管的制造方法示意圖。
[0039]圖2是本實用新型第二實施例的有機半導體薄膜晶體管的制造方法示意圖。
[0040]圖3(a)_(c)是本實用新型第二實施例的有機半導體薄膜晶體管的不同形狀溝道層的結構示意圖。
[0041 ]圖4是本實用新型第二實施例的有機半導體薄膜晶體管的俯視圖。
[0042]圖5是本實用新型實施例提供的顯示裝置的背板的結構示意圖。
[0043]圖6是圖5中的薄膜晶體管陣列的結構示意圖。
[0044]圖7是圖5中的薄膜晶體管陣列的另一實施例的結構示意圖。
[0045]圖8是圖5中的薄膜晶體管陣列的又一實施例的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0046]為了使本實用新型的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施例，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0047]請參考圖1，本實用新型第一實施例提供一種有機半導體薄膜晶體管，其包括第一源極12、第一漏極13和第一柵極17。第一源極12和第一漏極13—般由可導電的金屬材料制成。第一源極12和第一漏極13上設置有第一溝道層14，第一溝道層14中通過黃光制程形成有第一溝道19，第一溝道19使第一源極12和第一漏極13至少部分露出，在本實施例中，第一源極12和第一漏極13的部分上表面及兩者相對的側邊面均露出。第一溝道層14可以由光阻或其他可圖案化的介電材料制成。第一溝道19中填充有第一有機半導體層15，第一有機半導體層15與第一源極12和第一漏極13連接，第一有機半導體層15上形成有圖案，由此形成所需的電子器件。
[0048]在本實施例中，該有機半導體薄膜晶體管具有頂柵結構，也即第一柵極17位于該有機半導體薄膜晶體管的頂部。該有機半導體薄膜晶體管進一步包括第一基底11和第一柵極絕緣層16。第一基底11可由玻璃、塑料(如PET、PEN、PI…等)、金屬薄片或是復合材料制成，第一基底11上還可以設置平坦層或保護層等。第一源極12和第一漏極13間隔開地設置在第一基底11上，也即第一源極12和第一漏極13并列設置在第一基底11上，且彼此之間間隔預設距離。第一有機半導體層15伸入第一源極12與第一漏極13之間并與第一基底11相接。第一柵極絕緣層16位于第一溝道層14上并覆蓋第一有機半導體層15，第一柵極17形成于第一柵極絕緣層16上方。
[0049]請參考圖2至圖4，本實用新型第二實施例也提供一種有機半導體薄膜晶體管，其包括第二源極24、第二漏極25和第二柵極22。同樣地，第二源極24和第二漏極25—般由可導電的金屬材料制成，第二源極24和第二漏極25上設置有第二溝道層26，第二溝道層26中通過黃光制程形成有第二溝道29，第二溝道29使第二源極24和第二漏極25至少部分露出，在本實施例中，第二源極24和第二漏極25的部分上表面及兩者相對的側邊面均露出。第二溝道層26可以由光阻或其他可圖案化的介電材料制成。第二溝道29中填充有第二有機半導體層27，第二有機半導體層27與第二源極24和第二漏極25連接，第二有機半導體層27上形成有圖案，由此形成所需的電子器件。
[0050]與第一實施例不同的是，該第二實施例的有機半導體薄膜晶體管具有底柵結構，其進一步包括第二基底21和第二柵極絕緣層23。第二基底21可由玻璃、塑料(如PET、PEN、PI…等)、金屬薄片或是復合材料制成，第二基底21上還可以設置平坦層或保護層等。第二柵極22形成于第二基底23上，第二柵極絕緣層23設于第二基底21上并覆蓋第二柵極22。第二源極24和第二漏極25間隔開地設置于第二柵極絕緣層23的上方，也即第二源極12和第二漏極13并列設置在第二柵極絕緣層23上，且彼此之間間隔預設距離。第二有機半導體層27伸入第二源極24與第二漏極25之間并與第二柵極絕緣層23相接。
[0051 ]在上述兩個實施例中，由于溝道的深度和延伸方向均是在制程過程中容易控制為具有較好的一致性，因此將有機半導體材料填充在溝道層的溝道中形成有機半導體層，相較于直接涂布有機半導體，采用該種結構的有機半導體薄膜晶體管的不同元件中，其有機半導體層的厚度會更加均勻，而且有機半導體材料也更容易順著溝道的方向排列，也即有機半導體材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有機半導體薄膜晶體管均具有較為均一的特性。此外，這種結構所形成的有機半導體層的膜厚也較厚，使得有機半導體薄膜晶體管的機械性能更好。此種結構的有機半導體薄膜晶體管特別適用于卷對卷工藝技術。
[0052]在上述第一實施例中，第一有機半導體層15的上表面可優選地相對于第一溝道層14凸出，也即第一有機半導體層15的上表面高于第一溝道層14的上表面。類似地，在上述第二實施例中，第二有機半導體層27的上表面可優選地相對于第二溝道層26凸出。當然，在其他實施例中，第一有機半導體層15的上表面也可以與第一溝道層14上表面齊平或者相對于第一溝道層14的上表面凹陷，第二有機半導體層27也可存在類似的實施例。
[0053]在進一步的優選實施例中，在橫向方向上(即圖1中的水平方向)，第一柵極17位于第一源極12和第一漏極13之間，也即在縱向方向上，第一柵極17與第一源極12和第一漏極13之間的間隔區域(即通道)的位置相對應。第一柵極17的寬度一般大于或等于該間隔區域的寬度(即通道長度)。在第二實施例中，在橫向方向上，第二柵極22也可位于第二源極24和第二漏極25之間。
[0054]請參考圖3(a)_(c)，在第二實施例的進一步優選實施例中，第二溝道層26的橫截面呈傾斜角結構、垂直結構或底切結構。所謂傾斜角結構，即如圖3(b)所示，以第二溝道層26的橫截面為例，第二溝道層26的頂邊、底邊及連接該頂邊和底邊的兩側邊構成一四邊形，第二溝道層26靠近第二溝道29的側邊為一斜邊，該斜邊與第二溝道層26的底邊所成夾角為銳角，由此使得第二溝道29的上方寬度大于下方寬度。所謂底切結構，則與傾斜角結構相反，即如圖3(c)所示，第二溝道層26靠近第二溝道29的側邊為一斜邊，該斜邊與第二溝道層26的底邊所成夾角為鈍角，由此使得第二溝道29的上方寬度小于下方寬度。所謂垂直結構，即如圖3(a)所示，第二溝道層26靠近第二溝道29的側邊與第二溝道層26的底邊所成夾角為直角。需要說明的是，此處僅以第二實施例為例來進行說明，但第一實施例中的第一溝道層14也可具有傾斜角結構、垂直結構或底切結構。
[0055]在一優選實施例中，第一溝道19位于柵極通道的上方。類似地，第二溝道29也可以位于柵極通道的上方。
[0056]在一優選實施例中，第一柵極絕緣層16和/或第二柵極絕緣層23是由可圖案化的有機介電材料制成的。
[0057]請參考圖1，本實用新型第三實施例還提供一種有機半導體薄膜晶體管的制造方法，其包括如下步驟:
[0058]形成間隔設置的第一源極12和第一漏極13;在本實施例中，第一源極12和第一漏極13可通過黃光制程形成；
[0059]在第一源極12和第一漏極13上形成第一溝道層14;具體地，第一溝道層14可以由可圖案化的材料(例如光阻或其他可圖案化的介電材料)制成，其可以通過涂布在第一源極12和第一漏極13上形成；
[0060]在第一溝道層14中形成第一溝道19，第一溝道19使第一源極12和第一漏極13至少部分露出，在本實施例中，第一源極12和第一漏極13的部分上表面及兩者相對的側邊面均露出；
[0061 ]在第一溝道19中填充第一有機半導體層15，第一有機半導體層15與第一源極12和第一漏極13連接;第一有機半導體層15可以是通過在第一溝道19中涂布有機半導體形成；
[0062]在第一有機半導體層15上形成圖案，由此形成所需的電子器件;具體來說，可以在第一有機半導體層15上涂布感光材料，經過曝光、顯影、蝕刻等工藝，將第一有機半導體層15圖案化。
[0063]需要說明的是，在第一源極12和第一漏極13上形成第一溝道層14和在第一溝道層14中形成第一溝道19可以是分步進行，也可以是同時進行。例如，在一優選實施例中，可以先在第一源極12和第一漏極13上涂布光阻形成第一溝道層14，然后再通過黃光制程在第一溝道層14中形成第一溝道19。在另一優選實施例中，第一溝道層14和第一溝道19可以通過網印、噴印等方法直接形成。
[0064]在一優選實施例中，該有機半導體薄膜晶體管具有頂柵結構，第一源極12和第一漏極13形成于第一基底11上，在第一有機半導體層15上形成圖案后，還包括如下步驟:
[0065]在第一溝道層14上形成第一柵極絕緣層16，第一柵極絕緣層16覆蓋第一有機半導體層15;該第一柵極絕緣層16可通過在第一溝道層14及第一有機半導體層15上涂布可圖案化的有機介電材料制成；
[0066]在第一柵極絕緣層16上方形成第一柵極17。
[0067]請參考圖2，本實用新型第四實施例也提供一種有機半導體薄膜晶體管的制造方法，其包括如下步驟:
[0068]形成間隔設置的第二源極24和第二漏極25;在本實施例中，第二源極24和第二漏極25可通過黃光制程形成；
[0069]在第二源極24和第二漏極25上形成第二溝道層26;具體地，第二溝道層26可以由可圖案化的材料(例如光阻或其他可圖案化的介電材料)制成，其可以通過涂布在第二源極24和第二漏極25上形成；
[0070]在第二溝道層26中形成第二溝道29，第二溝道29使第二源極24和第二漏極25至少部分露出，在本實施例中，第二源極24和第二漏極25的部分上表面及兩者相對的側邊面均露出；第二溝道層26和第二溝道29的形成方式與第一溝道層14和第一溝道19類似，可以分步形成，也可以同時形成；
[0071]在第二溝道29中填充第二有機半導體層27，第二有機半導體層27與第二源極24和第二漏極25連接;第二有機半導體層27可以是通過在第二溝道29中涂布有機半導體形成；
[0072]在第二有機半導體層27上形成圖案，由此形成所需的電子器件;具體來說，可以在第二有機半導體層27上涂布感光材料，經過曝光、顯影、蝕刻等工藝，將第二有機半導體層27圖案化。
[0073]在上述第三和第四實施例中，由于溝道的深度和延伸方向均是在制程過程中容易控制為具有較好的一致性，因此將有機半導體材料填充在溝道層的溝道中形成有機半導體層，相較于直接涂布有機半導體，采用該種方法制造的不同有機半導體薄膜晶體管，其有機半導體層的厚度會更加均勻，而且有機半導體材料也更容易順著溝道的方向排列，也即有機半導體材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有機半導體薄膜晶體管均具有較為均一的特性。此外，這種方法所形成的有機半導體層的膜厚也較厚，使得有機半導體薄膜晶體管的機械性能更好。
[0074]在進一步的優選實施例中，該有機半導體薄膜晶體管具有底柵結構，在形成間隔設置的第二源極24和第二漏極25的步驟之前，還包括如下步驟:
[0075]在第二基底21上形成第二柵極22;
[0076]在第二基底21上形成第二柵極絕緣層23，第二柵極絕緣層23覆蓋第二柵極22，第二源極24和第二漏極25形成于第二柵極絕緣層23的上方。
[0077]在上述實施例中，第一柵極17和第二柵極22均可通過黃光制程或印制制程形成，印制制程可以是網印、噴印等。
[0078]在一優選實施例中，在第一溝道19中填充第一有機半導體層15時，是在第一溝道19中涂布流體形態的有機半導體，流體形態的有機半導體排列以形成第一有機半導體層
15。由于流體形態的有機半導體可以在第一溝道19中流動，因此可以使第一有機半導體層15的厚度更均勻，而且有機半導體材料也更容易順著第一溝道19的延伸方向排列，烤干后第一有機半導體層15的排列特性更好，因此使得有機半導體薄膜晶體管的機械和電學性能更好。類似地，第二有機半導體層27也可通過上述方式形成。
[0079]在一優選實施例中，在第一溝道19中填充第一有機半導體層15之前，利用等離子體對第一溝道19進行表面處理，由此提高第一有機半導體層15的附著力。類似地，在第二溝道29中填充第二有機半導體層27之前，也可利用等離子體對第二溝道29進行表面處理。
[0080]請參考圖5至圖8，本實用新型實施例還提供一種顯示裝置的背板4，其上設置有顯示區域41，顯示區域41下設置有薄膜晶體管陣列，薄膜晶體管陣列包括多個上述任一實施例所述的有機半導體薄膜晶體管。需要說明的是，圖5至圖8以第二實施例中具有底柵結構的有機半導體薄膜晶體管作為示例來展示該背板4，但第一實施例中具有頂柵結構的有機半導體薄膜晶體管同樣可以應用于該背板4中。
[0081]在一優選實施例中，請參考圖6，薄膜晶體管陣列在沿第二有機半導體層27的涂布方向上分布有多個有機半導體薄膜晶體管，相鄰有機半導體薄膜晶體管的溝道29彼此相通，從而使得涂布有機半導體材料時可以連續完成多個有機半導體薄膜晶體管的涂布。
[0082]在一優選實施例中，薄膜晶體管陣列包括多個呈矩陣分布的有機半導體薄膜晶體管，相鄰有機半導體薄膜晶體管的溝道層彼此相接，通過如此設置，有利于簡化該薄膜晶體管陣列的制程。
[0083]請參考圖7，薄膜晶體管陣列在沿第二有機半導體層27的涂布方向上分布有多個有機半導體薄膜晶體管，薄膜晶體管陣列其中一端或兩端(也即涂布方向的首端和末端)的有機半導體薄膜晶體管上設置有分流道42，分流道42與第二溝道層26連接且間隔設置以露出第二溝道29，S卩第二溝道29的端部位于兩分流道42之間，未被分流道42堵住。在本實施例中，薄膜晶體管陣列在第二有機半導體層27的涂布方向的兩端的有機半導體薄膜晶體管均設置有分流道42。該分流道42可起到導流作用，以便于涂布第二有機半導體層27。優選地，分流道42呈三角形、橢圓形、半圓形或梯形，分流道42與第二溝道層26連接一端的寬度大于遠離第二溝道層26—端的寬度。
[0084]請參考圖8，薄膜晶體管陣列在沿第二有機半導體層27的涂布方向上分布有多個有機半導體薄膜晶體管，薄膜晶體管陣列在涂布方向末端的有機半導體薄膜晶體管上設置有阻擋結構43，阻擋結構43與第二溝道29相接并阻擋第二溝道29，也即在第二有機半導體層27的涂布方向上，第二溝道29的末端被堵塞，有機半導體材料無法從第二溝道29末端流出薄膜晶體管陣列。當涂布有機半導體材料形成第二有機半導體層27后，第二有機半導體層27與阻擋結構43相接。在進一步的優選實施例中，第二有機半導體層27的涂布方向首端的有機半導體薄膜晶體管上連接有分流道42，分流道42與第二溝道層26連接且間隔設置以露出第二溝道29。通過如此設置，有利于涂布有機半導體材料以形成第二有機半導體層27。優選地，阻擋結構43呈三角形、橢圓形、半圓形或梯形，阻擋結構43與第二溝道29連接一端的寬度大于遠離第二溝道29—端的寬度。
[0085]需要說明的是，上述實施例中以應用了底柵結構有機半導體薄膜晶體管的背板4作為示例來說明分流道42和阻擋結構43，但應用了頂柵結構有機半導體薄膜晶體管的背板同樣可以設置分流道和阻擋結構，也即在沿第一有機半導體層15的涂布方向上，薄膜晶體管陣列兩端的有機半導體薄膜晶體管同樣可以連接上述實施例所述的分流道和阻擋結構，此處不再贅述。
[0086]本實用新型還提供一種顯示裝置，其包括上述任一實施例所述的顯示裝置的背板。上述有機半導體薄膜晶體管所帶來的有益效果顯然也可在該顯示裝置及其背板中體現，使得各顯示單元的顯示特性比較一致，此處不再贅述。
[0087]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種有機半導體薄膜晶體管，其包括源極、漏極和柵極，其特征在于，所述源極和漏極上設置有溝道層，所述溝道層中形成有使所述源極和漏極至少部分露出的溝道，所述溝道中填充有有機半導體層，所述有機半導體層與所述源極和漏極連接，所述有機半導體層上形成有圖案。2.根據權利要求1所述的有機半導體薄膜晶體管，其特征在于，所述有機半導體薄膜晶體管具有頂柵結構，其進一步包括基底和柵極絕緣層，所述源極和漏極間隔開地設置在所述基底上，所述有機半導體層伸入所述源極與漏極之間并與所述基底相接，所述柵極絕緣層位于所述溝道層上并覆蓋所述有機半導體層，所述柵極形成于所述柵極絕緣層上方。3.根據權利要求1所述的有機半導體薄膜晶體管，其特征在于，所述有機半導體薄膜晶體管具有底柵結構，其進一步包括基底和柵極絕緣層，所述柵極形成于所述基底上，所述柵極絕緣層設于所述基底上并覆蓋所述柵極，所述源極和漏極間隔開地設置于所述柵極絕緣層的上方，所述有機半導體層伸入所述源極與漏極之間并與所述柵極絕緣層相接。4.根據權利要求2或3所述的有機半導體薄膜晶體管，其特征在于，所述有機半導體層的上表面相對于所述溝道層凸出。5.根據權利要求2或3所述的有機半導體薄膜晶體管，其特征在于，在橫向方向上，所述柵極位于所述源極和所述漏極之間。6.根據權利要求1所述的有機半導體薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道層的橫截面呈傾斜角結構、垂直結構或底切結構。7.根據權利要求2或3所述的有機半導體薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極絕緣層是由可圖案化的有機介電材料制成的。8.—種顯示裝置的背板，其上設置有薄膜晶體管陣列，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列包括多個如權利要求1至7任一項所述的有機半導體薄膜晶體管。9.根據權利要求8所述的顯示裝置的背板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列在沿所述有機半導體層的涂布方向上分布有多個所述有機半導體薄膜晶體管，相鄰有機半導體薄膜晶體管的溝道彼此相通。10.根據權利要求8所述的顯示裝置的背板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列包括多個呈矩陣分布的所述有機半導體薄膜晶體管，相鄰有機半導體薄膜晶體管的溝道層彼此相接。11.根據權利要求8所述的顯示裝置的背板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列在沿所述有機半導體層的涂布方向上分布有多個所述有機半導體薄膜晶體管，其中一端或兩端的有機半導體薄膜晶體管上連接有分流道，所述分流道與所述溝道層連接且間隔設置以露出所述溝道。12.根據權利要求11所述的顯示裝置的背板，其特征在于，所述分流道呈三角形、橢圓形、半圓形或梯形，所述分流道與所述溝道層連接一端的寬度大于遠離所述溝道層一端的寬度。13.根據權利要求8所述的顯示裝置的背板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列在沿所述有機半導體層的涂布方向上分布有多個所述有機半導體薄膜晶體管，其中涂布方向末端的有機半導體薄膜晶體管上連接有阻擋結構，所述阻擋結構與所述溝道相接并阻擋所述溝道。14.根據權利要求13所述的顯示裝置的背板，其特征在于，涂布方向首端的有機半導體薄膜晶體管上連接有分流道，所述分流道與所述溝道層連接且間隔設置以露出所述溝道。15.根據權利要求13所述的顯示裝置的背板，其特征在于，所述阻擋結構呈三角形、橢圓形、半圓形或梯形，所述阻擋結構與所述溝道連接一端的寬度大于遠離所述溝道一端的寬度。16.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求8至15任一項所述的顯示裝置的背板。
【文檔編號】H01L29/786GK205428943SQ201520498694
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2015年7月10日
【發明人】王怡凱, 高啟仁, 胡堂祥
【申請人】廣州奧翼電子科技有限公司