一種太陽能多晶硅片的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型屬于光伏技術工程領域，具體涉及一種太陽能多晶硅片。
【背景技術】
[0002]單晶硅太陽電池單體可以有效吸收太陽能，并將其轉化成電能的半導體部件。用半導體硅、砸等材料將太陽的光能變成電能的器件。具有可靠性高，壽命長，轉換效率高等優點，可做人造衛星、航標燈、晶體管收音機等的電源。單晶硅太陽能電池在硅系列太陽能電池中，單晶硅大陽能電池轉換效率最高(16%?20% )，技術也最為成熟。現在單晶硅的電地工藝己近成熟，在電池制作中，一般都采用表面織構化、發射區鈍化、分區摻雜等技術，開發的電池主要有平面單晶硅電池和刻槽埋柵電極單晶硅電池。
[0003]多晶硅太陽能電池兼具單晶硅電池的高轉換效率和長壽命以及非晶硅薄膜電池的材料制備工藝相對簡化等優點的新一代電池，其轉換效率一般為12%左右，稍低于單晶硅太陽電池，沒有明顯效率衰退問題，并且有可能在廉價襯底材料上制備，其成本遠低于單晶硅電池，而效率高于非晶硅薄膜電池。
[0004]單晶硅太陽能電池的生產需要消耗大量的高純硅材料，而制造這些材料工藝復雜，電耗很大，在太陽能電池生產總成本中己超二分之一。加之拉制的單晶硅棒呈圓柱狀，切片制作太陽能電池也是圓片，組成太陽能組件平面利用率低。因此，80年代以來，歐美一些國家投入了多晶硅太陽能電池的研制。
[0005 ]現有的多晶硅太陽能電池存在轉換效率不高，易碎等缺點。
【實用新型內容】
[0006]實用新型目的:本實用新型針對上述現有技術存在的問題做出改進，即本實用新型公開了一種太陽能多晶硅片。
[0007]技術方案:一種太陽能多晶硅片，包括太陽能多晶硅片本體和順丁橡膠層，
[0008]所述太陽能多晶硅片本體的一外表面為腐蝕制絨成的絨面，所述絨面包括多個腐蝕坑體，所述多個腐蝕坑體的寬度為I.35?1.4μπι，所述多個腐蝕坑體的長度為4.6?4.8μm，所述多個腐蝕坑體的深度為2.7?2.9μπι，與該外表面相對的另一外表面涂布有氮化硅層，所述順丁橡膠層包裹于所述太陽能多晶硅片本體的四側壁。
[0009]進一步地，所述太陽能多晶硅片本體的厚度為165?175μπι。
[0010]進一步地，所述氮化娃層的厚度為70?90μηι。
[0011]有益效果:本實用新型公開的一種太陽能多晶硅片具有以下有益效果:
[0012]1、太陽能多晶硅片本體的兩個相對的外表面分別設有絨面和氮化硅層，提高了轉化效率；
[0013]2、在太陽能多晶硅片本體的四周包裹了順丁橡膠層，降低了太陽能多晶硅片在運輸等程序中破損率。
【附圖說明】
[0014]圖1為太陽能多晶硅片本體的結構示意圖；
[0015]圖2為本實用新型公開的一種太陽能多晶硅片的立體示意圖；
[0016]其中:
[0017]10-太陽能多晶硅片本體101-絨面
[0018]20-氮化硅層30-順丁橡膠層
【具體實施方式】
:
[0019]下面對本實用新型的【具體實施方式】詳細說明。
[0020]具體實施例1
[0021]—種太陽能多晶硅片，包括太陽能多晶硅片本體10和順丁橡膠層30，
[0022]太陽能多晶硅片本體10的一外表面為腐蝕制絨成的絨面101，絨面101包括多個腐蝕坑體，多個腐蝕坑體的寬度為I.35μπι，多個腐蝕坑體的長度為4.6μπι，多個腐蝕坑體的深度為2.7μπι，與該外表面相對的另一外表面涂布有氮化硅層20，順丁橡膠層30包裹于太陽能多晶硅片本體10的四側壁。
[0023]進一步地，太陽能多晶硅片本體10的厚度為165μπι。
[0024]進一步地，氮化硅層20的厚度為70μπι。
[0025]具體實施例2
[0026]一種太陽能多晶硅片，包括太陽能多晶硅片本體10和順丁橡膠層30，
[0027]太陽能多晶硅片本體10的一外表面為腐蝕制絨成的絨面101，絨面101包括多個腐蝕坑體，多個腐蝕坑體的寬度為I.4μπι，多個腐蝕坑體的長度為4.8μπι，多個腐蝕坑體的深度為2.9μπι，與該外表面相對的另一外表面涂布有氮化硅層20，順丁橡膠層30包裹于太陽能多晶硅片本體10的四側壁。
[0028]進一步地，太陽能多晶硅片本體10的厚度為175μπι。
[0029]進一步地，氮化硅層20的厚度為90μπι。
[0030]具體實施例3
[0031]一種太陽能多晶硅片，包括太陽能多晶硅片本體10和順丁橡膠層30，
[0032]太陽能多晶硅片本體10的一外表面為腐蝕制絨成的絨面101，絨面101包括多個腐蝕坑體，多個腐蝕坑體的寬度為I.37μπι，多個腐蝕坑體的長度為4.7μπι，多個腐蝕坑體的深度為2.8μπι，與該外表面相對的另一外表面涂布有氮化硅層20，順丁橡膠層30包裹于太陽能多晶硅片本體10的四側壁。
[0033]進一步地，太陽能多晶硅片本體10的厚度為170μπι。
[0034]進一步地，氮化硅層20的厚度為80μπι。
[0035]上面對本實用新型的實施方式做了詳細說明。但是本實用新型并不限于上述實施方式，在所屬技術領域普通技術人員所具備的知識范圍內，還可以在不脫離本實用新型宗旨的前提下做出各種變化。
【主權項】
1.一種太陽能多晶硅片，其特征在于，包括太陽能多晶硅片本體和順丁橡膠層， 所述太陽能多晶硅片本體的一外表面為腐蝕制絨成的絨面，所述絨面包括多個腐蝕坑體，所述多個腐蝕坑體的寬度為1.35?1.4μ??，所述多個腐蝕坑體的長度為4.6?4.8μ??，所述多個腐蝕坑體的深度為2.7?2.9μπι，與該外表面相對的另一外表面涂布有氮化硅層，所述順丁橡膠層包裹于所述太陽能多晶硅片本體的四側壁。2.根據權利要求1所述的一種太陽能多晶硅片，其特征在于，所述太陽能多晶硅片本體的厚度為165?175μπι。3.根據權利要求1所述的一種太陽能多晶硅片，其特征在于，所述氮化硅層的厚度為70?90μπιο
【專利摘要】本實用新型涉及一種太陽能多晶硅片，其包括太陽能多晶硅片本體和順丁橡膠層，太陽能多晶硅片本體的一外表面為腐蝕制絨成的絨面，絨面包括多個腐蝕坑體，多個腐蝕坑體的寬度為1.35～1.4μm，多個腐蝕坑體的長度為4.6～4.8μm，多個腐蝕坑體的深度為2.7～2.9μm，與該外表面相對的另一外表面涂布有氮化硅層，順丁橡膠層包裹于太陽能多晶硅片本體的四側壁。本實用新型公開的一種太陽能多晶硅片具有以下有益效果：1、太陽能多晶硅片本體的兩個相對的外表面分別設有絨面和氮化硅層，提高了轉化效率；2、在太陽能多晶硅片本體的四周包裹了順丁橡膠層，降低了太陽能多晶硅片在運輸等程序中破損率。
【IPC分類】H01L31/0216, H01L31/0236
【公開號】CN205376543
【申請號】CN201620035878
【發明人】廖文豐
【申請人】浙江泰豐太陽能科技有限公司
【公開日】2016年7月6日
【申請日】2016年1月14日