一種減少半導體監控片缺陷的退火裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及退火裝置，尤其是一種減少半導體監控片缺陷的退火裝置。
【背景技術】
[0002]現有半導體產品在生產過程中，為了控制產品質量需要進行監控。由于對產品的檢測是具有破壞性的，因此通常設置有監控片代替產品進行檢測。監控片的硅基板經過離子高劑量轟擊過后，表面呈現晶體非晶化;再經過高溫，使硅基板的晶體重結晶，高溫重結晶過程即為退火工序。為了使重結晶效率提高且晶體方向均勻，通常采用激光退火裝置。由于激光束能量高，硅基板被照射處迅速升溫，硅晶體高溫時性能活躍且裸露在環境中，硅基板易產生各種缺陷。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型的目的在于提出一種減少半導體監控片缺陷的退火裝置，能夠在硅基板退火的過程中，阻隔高溫下硅基板與雜質的反應，避免硅基板表面產生缺陷，且結構簡單。
[0004]為達此目的，本實用新型采用以下技術方案:
[0005]—種減少半導體監控片缺陷的退火裝置，包括提供激光束的激光光源和放置有待處理硅基板的支撐基板，其中，所述硅基板和支撐基板設置于退火室內，所述退火室開設有透明窗，所述激光束可穿過所述透明窗照射于所述硅基板，所述退火室內設置有氣體噴嘴，所述氣體噴嘴向所述硅基板的表面噴射惰性氣體并向所述退火室充入惰性氣體，所述氣體噴嘴可調節氣流方向。
[0006]其中，所述惰性氣體為氬氣。
[0007]其中，所述氣體噴嘴可調節氣流大小。
[0008]其中，還包括用于處理所述激光束使所述激光束均勻照射到所述硅基板上的光學單元。
[0009]其中，所述支撐基板下方設置有移動裝置，所述移動裝置帶動所述支撐基板反復移動。
[0010]其中，所述支撐基板反復移動的距離不小于所述支撐基板與移動方向平行側邊的邊長
[0011]本實用新型所述的一種減少半導體監控片缺陷的退火裝置，監控片的硅基板和支撐基板設置于退火室內，退火室內設置有氣體噴嘴，氣體噴嘴向硅基板的表面噴射惰性氣體并向退火室充入惰性氣體，對硅基板表面噴射惰性氣體進行雜質清洗，去除吸附于硅基板的顆粒污染物，恢復表面的清潔，避免退火過程中因顆粒污染物引起缺陷;對硅基板表面進行雜質清理的同時向退火室內充入惰性氣體作為工藝氣體，避免在退火過程中，硅基板高溫下性質活躍與環境中的其他物質發生反應產生缺陷，影響監控結果。
【附圖說明】
[0012]圖1是本實用新型的實施例所述的一種減少半導體監控片缺陷的退火裝置的結構示意圖。
[0013]附圖標記:
[0014]1、激光光源；11、激光束;2、支撐基板;3、硅基板;4、退火室;41、透明窗；5、氣體噴嘴;6、光學單元;7、移動裝置。
【具體實施方式】
[0015]下面結合附圖并通過【具體實施方式】來進一步說明本實用新型的技術方案。
[0016]如圖1所示，本實施例所述一種減少半導體監控片缺陷的退火裝置，包括提供激光束11的激光光源I和放置有待處理硅基板3的支撐基板2，其中，所述硅基板3和支撐基板2設置于退火室4內，所述退火室4開設有透明窗41，所述激光束11可穿過所述透明窗41照射于所述硅基板3，所述退火室4內設置有氣體噴嘴5，所述氣體噴嘴5向所述硅基板3的表面噴射氬氣并向所述退火室4充入氬氣，所述氣體噴嘴5可調節氣流方向和氣流大小。
[0017]還包括用于處理所述激光束11使所述激光束11均勻照射到所述硅基板3上的光學單元6;所述激光束11經過所述光學單元6后均勻的照射到所述硅基板3的表面，使所述硅基板3均勻升溫。
[0018]所述支撐基板2下方設置有移動裝置7，所述移動裝置7帶動所述支撐基板2反復移動;所述支撐基板2反復移動的距離不小于所述支撐基板2與移動方向平行側邊的邊長;所述激光束11均勻掃過放置于所述支撐基板2上的所述硅基板3，對所述硅基板3由一端向另一端依次進行熱處理，所述硅基板3重結晶后晶體方向均勻。
[0019]本實施例所述的減少半導體監控片缺陷的退火裝置在使用過程中，將硅基板3放置于退火室4中的支撐基板2上，打開氣體噴嘴5使氬氣向硅基板3的表面噴射，去除吸附于硅基板3的顆粒污染物，恢復表面的清潔，避免退火過程中因顆粒污染物引起缺陷；對硅基板3表面進行雜質清理的同時，氣體噴嘴5也在向退火室4內充入氬氣作為工藝氣體，避免在退火過程中，硅基板3高溫下性質活躍與環境中的其他物質發生反應產生缺陷；退火室4中充入足夠的氬氣后，打開激光光源1，激光束11通過光學單元6處理后，穿過透明窗41均勻照射到硅基板3的一端;此時，移動裝置7帶動硅基板3移動，使激光束11由硅基板3的一端依次照射至另一端，完成退火工序;待硅基板3冷卻后取出。本實施例所述的退火裝置結構簡單，在監控片的硅基板退火的過程中，清理顆粒污染物并阻隔高溫下硅基板與雜質的反應，避免娃基板表面產生缺陷。
[0020]以上結合具體實施例描述了本實用新型的技術原理。這些描述只是為了解釋本實用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對本實用新型保護范圍的限制。基于此處的解釋，本領域的技術人員不需要付出創造性的勞動即可聯想到本實用新型的其它【具體實施方式】，這些方式都將落入本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種減少半導體監控片缺陷的退火裝置，包括提供激光束(11)的激光光源(I)和放置有待處理硅基板(3)的支撐基板(2)，其特征在于:所述硅基板(3)和支撐基板(2)設置于退火室(4)內，所述退火室(4)開設有透明窗(41)，所述激光束(11)可穿過所述透明窗(41)照射于所述硅基板(3)，所述退火室(4)內設置有氣體噴嘴(5)，所述氣體噴嘴(5)向所述硅基板(3)的表面噴射惰性氣體并向所述退火室(4)充入惰性氣體，所述氣體噴嘴(5)可調節氣流方向。2.根據權利要求1所述的一種減少半導體監控片缺陷的退火裝置，其特征在于:所述惰性氣體為氬氣。3.根據權利要求1所述的一種減少半導體監控片缺陷的退火裝置，其特征在于:所述氣體噴嘴(5)可調節氣流大小。4.根據權利要求1所述的一種減少半導體監控片缺陷的退火裝置，其特征在于:還包括用于處理所述激光束(11)使所述激光束(11)均勻照射到所述硅基板(3)上的光學單元(6)。5.根據權利要求1所述的一種減少半導體監控片缺陷的退火裝置，其特征在于:所述支撐基板(2)下方設置有移動裝置(7)，所述移動裝置(7)帶動所述支撐基板(2)反復移動。6.根據權利要求5所述的一種減少半導體監控片缺陷的退火裝置，其特征在于:所述支撐基板(2)反復移動的距離不小于所述支撐基板(2)與移動方向平行側邊的邊長。
【專利摘要】本實用新型公開了一種減少半導體監控片缺陷的退火裝置，包括提供激光束的激光光源和放置有待處理硅基板的支撐基板，其中，所述硅基板和支撐基板設置于退火室內，所述退火室開設有透明窗，所述激光束可穿過所述透明窗照射于所述硅基板，所述退火室內設置有氣體噴嘴，所述氣體噴嘴向所述硅基板的表面噴射惰性氣體并向所述退火室充入惰性氣體，所述氣體噴嘴可調節氣流方向。上述減少半導體監控片缺陷的退火裝置，結構簡單，在監控片的硅基板退火的過程中，清理顆粒污染物并阻隔高溫下硅基板與雜質的反應，避免硅基板表面產生缺陷。
【IPC分類】H01L21/67
【公開號】CN205355016
【申請號】CN201521138397
【發明人】呂耀安, 翟繼鑫
【申請人】無錫宏納科技有限公司
【公開日】2016年6月29日
【申請日】2015年12月31日