凹面電容器的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種電容器，具體而言，涉及一種凹面電容器。
【背景技術】
[0002]電容器是電子設備中被廣泛應用的一種電子元件，根據材料的不同，目前所使用的電容器又包括了瓷質電容器、云母電容器、有機電容器和電解電容器等等。這其中，特別對于瓷質電容器，為了抑制電磁的干擾，安規標準對于電容器的爬電距離(即引腳間的距離)作出了規定，需要至少為10.0mm。
[0003]目前的電容器受限于其結構，芯片部的體積占用較大，無法進一步地將爬電距離做大，從而使得電容器的耐壓性能受到影響。
【實用新型內容】
[0004]鑒于此，本實用新型提供了一種凹面電容器，旨在解決現有技術中因體積大而造成爬電距離小的問題，從而消除爬電距離偏小對電容器的耐壓性能所造成的影響。
[0005]本實用新型提供了一種凹面電容器，包括芯片部、第一引腳部和第二引腳部，該芯片部的頂面設置有第一凹槽部，芯片部的底面設置有第二凹槽部，第一引腳部的一端部固定連接于第一凹槽部內、相對的另一端部向第一凹槽部外延伸并在第一凹槽部的邊緣形成第一拱起部，第二引腳部的一端部固定連接于第二凹槽部內、相對的另一端部向第二凹槽部外延伸并在第二凹槽部的邊緣形成第二拱起部。
[0006]進一步地，上述第一凹槽部和第二凹槽部呈圓形凹槽。
[0007]進一步地，上述芯片部呈圓柱體。
[0008]進一步地，上述第一凹槽部和第二凹槽部的內壁呈斜坡。
[0009]進一步地，上述第一拱起部和第二拱起部呈三角形拱起。
[0010]進一步地，上述芯片部內設置有銅電極，第一引腳部和第二引腳部為銅材質。
[0011]本實用新型提供的凹面電容器，通過在芯片部的頂面和底面分別設置第一凹槽部和第二凹槽部，并將第一引腳部以具有第一拱起部的方式安裝連接第一凹槽部、將第二引腳部以具有第二拱起部的方式安裝連接第二凹槽部，第一凹槽部和第二凹槽部的設置使得芯片部的整體體積得以縮小，并且使得第一引腳部和第二引腳部分別形成第一拱起部和第二拱起部，使得兩個引腳部之間的間距得以擴大，從而使得電容器的爬電距離得以擴大，消除爬電距離偏小對電容器的耐壓性能所造成的影響。
【附圖說明】
[0012]通過閱讀下文優選實施方式的詳細描述，各種其他的優點和益處對于本領域普通技術人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優選實施方式的目的，而并不認為是對本實用新型的限制。而且在整個附圖中，用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中:
[0013]圖1為本實用新型實施例提供的凹面電容器的立體圖；
[0014]圖2為本實用新型實施例提供的凹面電容器的結構剖視圖。
【具體實施方式】
[0015]下面將參照附圖更詳細地描述本公開的示例性實施例。雖然附圖中顯示了本公開的示例性實施例，然而應當理解，可以以各種形式實現本公開而不應被這里闡述的實施例所限制。相反，提供這些實施例是為了能夠更透徹地理解本公開，并且能夠將本公開的范圍完整的傳達給本領域的技術人員。
[0016]參見圖1至圖2，圖中示出了本實用新型實施例提供的凹面電容器的優選結構。該凹面電容器包括芯片部1、第一引腳部2和第二引腳部3，芯片部I可以具體包括芯片13、電極14和包封皮15，第一引腳部2和第二引腳部3則可以具體通過錫料焊接于芯片部I的電極14上;作為改進之處，芯片部I的頂面設置有第一凹槽部U，芯片部I的底面設置有第二凹槽部12，第一引腳部2的一端部固定連接于第一凹槽部11內、相對的另一端部向第一凹槽部11外延伸并在第一凹槽部11的邊緣形成第一拱起部21，第二引腳部3的一端部固定連接于第二凹槽部12內、相對的另一端部向第二凹槽部12外延伸并在第二凹槽部12的邊緣形成第二拱起部31。
[0017]本實施例所提供的凹面電容器，通過在芯片部的頂面和底面分別設置第一凹槽部和第二凹槽部，并將第一引腳部以具有第一拱起部的方式安裝連接第一凹槽部、將第二引腳部以具有第二拱起部的方式安裝連接第二凹槽部，第一凹槽部和第二凹槽部的設置使得芯片部的整體體積得以縮小，并且使得第一引腳部和第二引腳部分別形成第一拱起部和第二拱起部，使得兩個引腳部之間的間距得以擴大，從而使得電容器的爬電距離得以擴大，消除爬電距離偏小對電容器的耐壓性能所造成的影響。
[0018]其中，為了保證第一引腳部2和第二引腳部3與第一凹槽部11、第二凹槽部12的穩固連接，還可以選擇性地在第一凹槽部11和第二凹槽部12的底部設置一層粘接層(未示出)。
[0019]參見圖1，第一凹槽部11和第二凹槽部12呈圓形凹槽，以便于適應圓形芯片和圓形電極的安裝要求，保證引腳與電極之間更為穩固的連接。而為了適應整體的圓形的結構，芯片部I也可以進一步地以圓柱體的形狀加工形成。
[0020]參見圖1至圖2，第一凹槽部11和第二凹槽部12的內壁呈斜坡，可以適應第一拱起部21和第二拱起部31的走向，便于第一拱起部21和第二拱起部31之間形成更佳的爬電距離。
[0021]繼續參見圖1至圖2，為了在上述的基礎上使得第一拱起部21和第二拱起部31之間獲得更佳的爬電距離，第一拱起部21和第二拱起部31還可以優選地設置為三角形的拱起。
[0022]為了解決傳統中采用銀材質作為電極使用所造成的成本高的問題，芯片部I內的電極14、以及第一引腳部2和第二引腳部3還可以采用銅材質，以降低整體的制造成本。
[0023]顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權利要求及其等同技術的范圍之內，則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內。
【主權項】
1.凹面電容器，包括芯片部(I)、第一引腳部(2)和第二引腳部(3)，其特征在于，所述芯片部(I)的頂面設置有第一凹槽部(11)，所述芯片部(I)的底面設置有第二凹槽部(12)，所述第一引腳部(2)的一端部固定連接于所述第一凹槽部(11)內、相對的另一端部向所述第一凹槽部(11)外延伸并在所述第一凹槽部(11)的邊緣形成第一拱起部(21)，所述第二引腳部(3)的一端部固定連接于所述第二凹槽部(12)內、相對的另一端部向所述第二凹槽部(12)外延伸并在所述第二凹槽部(12)的邊緣形成第二拱起部(31)。2.根據權利要求1所述的凹面電容器，其特征在于，所述第一凹槽部(11)和所述第二凹槽部(12)呈圓形凹槽。3.根據權利要求1或2所述的凹面電容器，其特征在于，所述芯片部(I)呈圓柱體。4.根據權利要求1或2所述的凹面電容器，其特征在于，所述第一凹槽部(11)和所述第二凹槽部(12)的內壁呈斜坡。5.根據權利要求1所述的凹面電容器，其特征在于，所述第一拱起部(21)和所述第二拱起部(31)呈三角形拱起。6.根據權利要求1所述的凹面電容器，其特征在于，所述芯片部(I)內設置有銅電極，所述第一引腳部(2)和所述第二引腳部(3)為銅材質。
【專利摘要】本實用新型提供了一種凹面電容器，包括芯片部、第一引腳部和第二引腳部，該芯片部的頂面設置有第一凹槽部，芯片部的底面設置有第二凹槽部，第一引腳部的一端部固定連接于第一凹槽部內、相對的另一端部向第一凹槽部外延伸并在第一凹槽部的邊緣形成第一拱起部，第二引腳部的一端部固定連接于第二凹槽部內、相對的另一端部向第二凹槽部外延伸并在第二凹槽部的邊緣形成第二拱起部。本實用新型解決了現有技術中因體積大而造成爬電距離小的問題，從而消除了爬電距離偏小對電容器的耐壓性能所造成的影響。
【IPC分類】H01G4/224, H01G4/228
【公開號】CN205354879
【申請號】CN201521069465
【發明人】石怡, 程傳波, 吳偉, 胡鵬, 楊必祥
【申請人】昆山萬盛電子有限公司
【公開日】2016年6月29日
【申請日】2015年12月21日