一種單晶硅片的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種單晶硅產品，具體是一種單晶硅片。
【背景技術】
[0002]單晶硅是一種比較活潑的非金屬元素，是晶體材料的重要組成部分，處于新材料發展的前沿。其主要用途是用作半導體材料和利用太陽能光伏發電、供熱等。由于太陽能具有清潔、環保、方便等諸多優勢，近三十年來，太陽能利用技術在研究開發、商業化生產、市場開拓方面都獲得了長足發展，成為世界快速、穩定發展的新興產業之一。
[0003]隨著太陽能電池市場的快速成長，太陽能電池板主要由晶體硅片制作而成，目前全球95%以上的晶硅電池采用P型摻硼晶硅制作，光照10小時后會產生5—8%的不可恢復效率衰減，該難題長期困擾國內外光伏界。用鎵代替硼可以克服光衰。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型的目的在于提供一種單晶硅片，以解決上述【背景技術】中提出的問題。
[0005]為實現上述目的，本實用新型提供如下技術方案:
[0006]—種單晶硅片，包括單晶硅片主體，所述單晶硅片主體正面為凹凸不平的絨面結構，所述單晶硅片主體背面為平面結構，所述單晶硅片主體中均勻摻雜分布有鎵，所述單晶硅片主體的絨面結構為齒形結構。
[0007]作為本實用新型進一步的方案:所述鎵在單晶硅片主體內的位錯密度小于2000pcs/cm 2o
[0008]作為本實用新型進一步的方案:所述單晶硅片主體的生長方法為直拉單晶生長。
[0009]作為本實用新型進一步的方案:所述單晶硅片主體的晶向偏離度小于1°。
[0010]與現有技術相比，本實用新型的有益效果是:本實用新型結構簡單，通過摻鎵在單晶硅片主體中，使得單晶硅片電阻率在不增加成本的前提實現和摻硼一樣的水平，實現了晶體100%的利用并抑制了95%以上的光衰，平均消除6%的光衰，相當于效率提高一個百分點，成本下降6%，并已經產生巨大經濟效益。
【附圖說明】
[0011]圖1為單晶硅片的結構示意圖。
[0012]圖中:1_單晶硅片主體、2-單晶硅片主體正面、3-鎵、4-單晶硅片主體背面。
【具體實施方式】
[0013]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0014]請參閱圖1，本實用新型實施例中，一種單晶硅片，包括單晶硅片主體I，單晶硅片主體正面2為凹凸不平的絨面結構，單晶硅片主體背面4為平面結構，單晶硅片主體I中均勻摻雜分布有鎵3，單晶硅片主體I的絨面結構為齒形結構，鎵3在單晶硅片主體I內的位錯密度小于2000pcs/cm2，單晶硅片主體I的生長方法為直拉單晶生長，單晶硅片主體I的晶向偏離度小于1°。
[0015]本實用新型結構簡單，通過摻鎵在單晶硅片主體中，使得單晶硅片電阻率在不增加成本的前提下實現和摻硼一樣的水平，實現了晶體100%的利用并抑制了 95%以上的光衰，平均消除6%的光衰，相當于效率提高一個百分點，成本下降6%，并已經產生巨大經濟效益。
[0016]對于本領域技術人員而言，顯然本實用新型不限于上述示范性實施例的細節，而且在不背離本實用新型的精神或基本特征的情況下，能夠以其他的具體形式實現本實用新型。因此，無論從哪一點來看，均應將實施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本實用新型的范圍由所附權利要求而不是上述說明限定，因此旨在將落在權利要求的等同要件的含義和范圍內的所有變化囊括在本實用新型內。不應將權利要求中的任何附圖標記視為限制所涉及的權利要求。
[0017]此外，應當理解，雖然本說明書按照實施方式加以描述，但并非每個實施方式僅包含一個獨立的技術方案，說明書的這種敘述方式僅僅是為清楚起見，本領域技術人員應當將說明書作為一個整體，各實施例中的技術方案也可以經適當組合，形成本領域技術人員可以理解的其他實施方式。
【主權項】
1.一種單晶硅片，包括單晶硅片主體，其特征在于，所述單晶硅片主體正面為凹凸不平的絨面結構，所述單晶硅片主體背面為平面結構，所述單晶硅片主體中均勻摻雜分布有鎵，所述單晶硅片主體的絨面結構為齒形結構。2.根據權利要求1所述的單晶硅片，其特征在于，所述鎵在單晶硅片主體內的位錯密度小于 2000pcs/cm2。3.根據權利要求1所述的單晶硅片，其特征在于，所述單晶硅片主體的生長方法為直拉單晶生長。4.根據權利要求1所述的單晶硅片，其特征在于，所述單晶硅片主體的晶向偏離度小于I。。
【專利摘要】本實用新型公開了一種單晶硅片，包括單晶硅片主體，單晶硅片主體正面為凹凸不平的絨面結構，所述單晶硅片主體背面為平面結構，所述單晶硅片主體中均勻摻雜分布有鎵，所述單晶硅主體的絨面結構為齒形結構，本實用新型結構簡單，通過摻鎵在單晶硅片主體中，使得單晶硅片電阻率在不增加成本的前提實現和摻硼一樣的水平，實現了晶體100%的利用并抑制了95%以上的光衰，平均消除6%的光衰，相當于效率提高一個百分點，成本下降6%，并已經產生巨大經濟效益。
【IPC分類】H01L31/0288, H01L31/0236
【公開號】CN205335264
【申請號】CN201521116443
【發明人】張忠安
【申請人】江西豪安能源科技有限公司
【公開日】2016年6月22日
【申請日】2015年12月30日