一種功率半導體封裝的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種功率半導體封裝。
【背景技術】
[0002]半導體生產流程由晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試組成。塑封之后，還要進行一系列操作，如后固化(Post Mold Cure )、切筋和成型(Trim&Form)、電鍍(Plating)以及打印等工藝。典型的封裝工藝流程為:劃片裝片鍵合塑封去飛邊電鍍打印切筋和成型外觀檢查成品測試包裝出貨。
[0003]然而目前的功率型半導體封裝由于自身功率較大發熱量大，而散熱性能一般，導致壽命受到影響。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型要解決的技術問題是提供一種具有良好的散熱效果的功率半導體封裝。
[0005]為解決上述問題，本實用新型采用如下技術方案:
[0006]—種功率半導體封裝，包括上蓋、基座、半導體芯片和天線，所述上蓋上面設置有金屬散熱條，所述金屬散熱條為圓柱狀設置，所述金屬散熱條上設置有橫向通孔和縱向通孔，所述橫向通孔和縱向通孔相連通，所述橫向通孔和縱向通孔構成十字狀，所述橫向通孔和縱向通孔表面均涂有散熱涂料，所述上蓋和基座之間形成密封層，所述半導體芯片和天線均位于密封層內，所述半導體芯片和天線均安裝于基座上，所述半導體芯片和天線連接，所述半導體芯片和基座電性連接，所述天線與金屬散熱條連接。
[0007]作為優選，所述上蓋和基座固定連接，整體性好，結構穩定。
[0008]作為優選，所述金屬散熱條嵌入于上蓋設置，可以增加金屬散熱條與上蓋的接觸面積，加快熱傳遞速度。
[0009]作為優選，所述金屬散熱條設置有一個以上。
[0010]作為優選，所述金屬散熱條呈矩形陣列分布。
[0011 ]作為優選，所述散熱涂料涂抹厚度為0.lcm。
[0012]作為優選，所述金屬散熱條長度為lcm。
[0013]作為優選，所述天線與基座固定連接，結構穩定。
[0014]本實用新型的有益效果為:通過在上蓋上設置有金屬散熱條，可以將上蓋上的熱量迅速傳遞到金屬散熱條上，而金屬散熱條上設置有橫向通孔和縱向通孔，可以增加與冷空氣的接觸面積，而且橫向通孔和縱向通孔表面都涂有散熱涂料，從而起到良好的散熱效果O
【附圖說明】
[0015]圖1為本實用新型一種功率半導體封裝的整體結構示意圖。
[0016]圖2為本實用新型一種功率半導體封裝的內部結構示意圖。
【具體實施方式】
[0017]如圖1-2所示，一種功率半導體封裝，包括上蓋1、基座2、半導體芯片3和天線4，所述上蓋I上面設置有金屬散熱條5，所述金屬散熱條5為圓柱狀設置，所述金屬散熱條5上設置有橫向通孔6和縱向通孔7，所述橫向通孔6和縱向通孔7相連通，所述橫向通孔6和縱向通孔7構成十字狀，所述橫向通孔6和縱向通孔7表面均涂有散熱涂料(未圖示)，所述上蓋I和基座2之間形成密封層8，所述半導體芯片3和天線4均位于密封層8內，所述半導體芯片3和天線4均安裝于基座2上，所述半導體芯片3和天線4連接，所述半導體芯片3和基座2電性連接，所述天線4與金屬散熱條5連接。
[0018]所述上蓋I和基座2固定連接，整體性好，結構穩定。
[0019]所述金屬散熱條5嵌入于上蓋I設置，可以增加金屬散熱條5與上蓋I的接觸面積，加快熱傳遞速度。
[0020]所述金屬散熱條5設置有一個以上。
[0021]所述金屬散熱條5呈矩形陣列分布。
[0022]所述散熱涂料涂抹厚度為0.lcm。
[0023]所述金屬散熱條5長度為lcm。
[0024]所述天線4與基座2固定連接，結構穩定。
[0025]本實用新型的有益效果為:通過在上蓋上設置有金屬散熱條，可以將上蓋上的熱量迅速傳遞到金屬散熱條上，而金屬散熱條上設置有橫向通孔和縱向通孔，可以增加與冷空氣的接觸面積，而且橫向通孔和縱向通孔表面都涂有散熱涂料，從而起到良好的散熱效果O
[0026]以上所述，僅為本實用新型的【具體實施方式】，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何不經過創造性勞動想到的變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種功率半導體封裝，其特征在于:包括上蓋、基座、半導體芯片和天線，所述上蓋上面設置有金屬散熱條，所述金屬散熱條為圓柱狀設置，所述金屬散熱條上設置有橫向通孔和縱向通孔，所述橫向通孔和縱向通孔相連通，所述橫向通孔和縱向通孔構成十字狀，所述橫向通孔和縱向通孔表面均涂有散熱涂料，所述上蓋和基座之間形成密封層，所述半導體芯片和天線均位于密封層內，所述半導體芯片和天線均安裝于基座上，所述半導體芯片和天線連接，所述半導體芯片和基座電性連接，所述天線與金屬散熱條連接。2.根據權利要求1所述的功率半導體封裝，其特征在于:所述上蓋和基座固定連接。3.根據權利要求2所述的功率半導體封裝，其特征在于:所述金屬散熱條嵌入于上蓋設置。4.根據權利要求3所述的功率半導體封裝，其特征在于:所述金屬散熱條設置有一個以上。5.根據權利要求4所述的功率半導體封裝，其特征在于:所述金屬散熱條呈矩形陣列分布。6.根據權利要求5所述的功率半導體封裝，其特征在于:所述散熱涂料涂抹厚度為0.1cm07.根據權利要求6所述的功率半導體封裝，其特征在于:所述金屬散熱條長度為lcm。8.根據權利要求7所述的功率半導體封裝，其特征在于:所述天線與基座固定連接。
【專利摘要】本實用新型公開一種功率半導體封裝，包括上蓋、基座、半導體芯片和天線，所述上蓋上面設置有金屬散熱條，所述金屬散熱條為圓柱狀設置，所述金屬散熱條上設置有橫向通孔和縱向通孔，所述橫向通孔和縱向通孔相連通，所述橫向通孔和縱向通孔構成十字狀，所述橫向通孔和縱向通孔表面均涂有散熱涂料，所述上蓋和基座之間形成密封層，所述半導體芯片和天線均位于密封層內，所述半導體芯片和天線均安裝于基座上，所述半導體芯片和天線連接，所述半導體芯片和基座電性連接，所述天線與金屬散熱條連接；該功率半導體封裝具有良好的散熱效果。
【IPC分類】H01L23/367
【公開號】CN205282467
【申請號】CN201521144464
【發明人】王偉
【申請人】天津津泰锝科技有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2015年12月31日