晶片熔蠟裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種晶片生產裝置，具體涉及一種晶片熔蠟裝置，用于晶片安全尚效生廣。
【背景技術】
[0002]自從居里兄弟發現了石英晶體具有壓電效應，壓電石英晶體技術迄今有100年的歷史。在40?50年代，廣泛應用于軍事、通訊方面，早期都是用天然石英加工，較多用于低頻。50年代，開始用于人造晶體加工。70年代，出現了高頻單片晶體濾波器，廣泛應用于無線、微波、數字通訊、通訊導航及宇航技術。近年來，由于人工石英晶體合成技術，生產工藝的迅速發展，生產成本大幅度下降，使晶體的應用深入每個家庭。
[0003]水晶頻率片，具有很高的頻率穩定性，廣泛用于數字電路，計算機、通訊等領域。石英晶體諧振器可以產生穩定頻率。它的作用就是在電子線路中作為頻率源或頻率基準，是一個壓電元件，能量在電能和機械能狀態下每秒轉換數百萬次。現有的石英晶體頻率片的制造工藝制造的產品，其厚度研磨時不容易控制，研磨后的晶體就已經決定了晶體的頻率，有些厚度較薄的晶片，難以進行調節，甚至直接報廢，大大浪費了原材料，導致成本的上升。
[0004]晶片很薄，無法一片片倒角加工，通過蠟可以將每一片薄如蟬翼的晶片粘接，形成塊狀的晶片組塊，可以很方便的機械加工，而不損壞晶片。加工完成的晶片組塊需要經過處理重新分離出一片片的晶片，目前基本采用烘箱熱熔法、溶劑清洗法等工藝剝離晶片;但是存在剝離困難、易損壞晶片，特別是操作不安全、手法繁瑣等問題。因此，很有必要研發一臺新的設備，可以方便的將晶片從蠟接晶片組塊中分離出來。
【發明內容】
[0005]本實用新型的目的是提供一種晶片熔蠟裝置，可以均勻有效的熔化晶片組塊中的錯O
[0006]為達到上述發明目的，本實用新型采用的技術方案是:一種晶片熔蠟裝置，包括支架、加熱平臺、溫控設備、排風設備、晶片承載盒以及晶片鑷;所述加熱平臺安裝在支架上；所述加熱平臺與支架之間設置隔熱棉;所述加熱平臺四周設有擋板;所述擋板安裝在支架上;所述溫控設備與加熱平臺連接;所述排風設備安裝在加熱平臺上方;所述晶片承載盒為長方體形結構;所述晶片承載盒對稱設置兩個把手;所述晶片鑷的開口的端部內側設有聚四氟乙烯層。
[0007]本實用新型中，溫控設備控制加熱平臺的加熱溫度;可以將溫控設備安裝在加熱平臺下方，節省空間，而且不易被觸碰。
[0008]本實用新型中，根據實際操作狀態，排風裝置位于支架上方，安裝在加熱平臺上方，排風設備為吸風罩。在蠟熔化過程中會產生一些揮發物質，利用排風設備可以有效排除揮發物質，保證操作人員安全。
[0009]熔化蠟需要較高的溫度，設置擋板可以有效避免工人燙傷，而且還可以防止晶片承載盒滑落;擋板高度為I?1.5厘米，可以達到保護目的，并且不妨礙操作。
[0010]本實用新型中，晶片鑷用于夾持晶片，與常規鑷子結構類似，一端開口；開口用于夾持晶片，開口端部內側與晶片接觸;通過在開口端部內側設置聚四氟乙烯層可以防止晶片損傷，還有效避免夾持運輸過程中蠟的再次凝固；優選聚四氟乙烯層厚度為500?600微米。
[0011]擋板安裝在支架上，有隔熱棉存在，不與加熱平臺接觸，從而不會傳遞加熱平臺的熱量，起到避免燙傷的效果;優選擋板可拆卸的安裝在支架上。在加熱平臺與支架之間設置隔熱棉，可以有效阻止熱量在加熱平臺與支架之間的傳遞;加熱平臺可以選用常規加熱板或者內嵌加熱條的金屬塊。
[0012]由于上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點:
[0013]1.本實用新型首次提供了一種適合于晶片熔蠟的裝置，在晶片組塊完成倒角磨邊后即可使用，將晶片組塊中的蠟熔化，從而分離出一片片的晶片;是一種加熱均勻、安全的
目.ο
[0014]2.本實用新型將晶片組塊置于晶片承載盒中，再利用加熱平臺熔化蠟；晶片承載盒便于晶片運輸，還可以盛放熔化的蠟液，并且使得晶片受熱均勻，防止加熱造成晶片內部應力不均；同時在晶片承載盒上設有對稱的兩個把手，方便操作。
【附圖說明】
[0015]圖1是實施例一晶片熔蠟裝置的結構示意圖；
[0016]其中:支架1、加熱平臺2、溫控設備3、排風設備4、晶片承載盒5、晶片鑷6、擋板7、把手8、聚四氟乙烯層9、隔熱棉10。
【具體實施方式】
[0017]下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:
[0018]實施例一:參見圖1所示，一種晶片熔蠟裝置，包括支架1、加熱平臺2、溫控設備3、排風設備4、晶片承載盒5以及晶片鑷6;加熱平臺安裝在支架上;溫控設備位于加熱平臺下方;排風設備為吸風罩，安裝在加熱平臺上方;加熱平臺四周設有高度為I.5厘米的擋板7 ；擋板可拆卸的安裝在支架上，并不與加熱平臺接觸;溫控設備與加熱平臺連接，加熱平臺與支架之間設置隔熱棉10。
[0019]晶片承載盒5為長方體形結構，對稱設置兩個把手8;晶片鑷6開口的端部內側設有厚度為500微米的聚四氟乙烯層9。加熱熔蠟時，晶片承載盒位于加熱平臺上，內部放置蠟粘的晶片，晶片鑷在操作人員手中或者工具放置處;不加熱時，晶片承載盒與晶片鑷放在工具放置處。附圖為了清楚表現本實用新型的總體結構，將晶片承載盒以及晶片鑷共同呈現在加熱平臺上。
[0020]實施例二:一種晶片熔蠟裝置，由支架、加熱平臺、溫控設備、排風設備、晶片承載盒以及晶片鑷組成;加熱平臺安裝在支架上;溫控設備位于加熱平臺下方;排風設備為吸風罩，安裝在加熱平臺上方;加熱平臺四周設有高度為I厘米的擋板;擋板焊接安裝在支架上，并不與加熱平臺接觸;溫控設備與加熱平臺連接。晶片承載盒為長方體形結構，對稱設置兩個把手;晶片鑷開口的端部內側設有厚度為600微米的聚四氟乙烯層。
[0021]實際生產時，將由蠟粘合的晶片組塊放入晶片承載盒中；然后將晶片承載盒放在加熱平臺上;開啟溫控，隨著溫度的上升，蠟開始融化;當蠟全部熔化后，將晶片承載盒移離加熱平臺；利用晶片鑷夾出一片片晶片。
【主權項】
1.一種晶片熔蠟裝置，其特征在于:所述晶片熔蠟裝置包括支架、加熱平臺、溫控設備、排風設備、晶片承載盒以及晶片鑷;所述加熱平臺安裝在支架上;所述加熱平臺與支架之間設置隔熱棉;所述加熱平臺四周設有擋板;所述擋板安裝在支架上;所述溫控設備與加熱平臺連接;所述排風設備安裝在加熱平臺上方;所述晶片承載盒為長方體形結構;所述晶片承載盒對稱設置兩個把手;所述晶片鑷開口的端部內側設有聚四氟乙烯層。2.根據權利要求1所述晶片熔蠟裝置，其特征在于:所述溫控設備位于加熱平臺下方。3.根據權利要求1所述晶片熔蠟裝置，其特征在于:所述排風設備為吸風罩。4.根據權利要求1所述晶片熔蠟裝置，其特征在于:所述擋板高度為I?1.5厘米;所述聚四氟乙稀層厚度為500?600微米。5.根據權利要求1所述晶片熔蠟裝置，其特征在于:所述擋板可拆卸的安裝在支架上。
【專利摘要】本實用新型公開了一種晶片熔蠟裝置，包括支架、加熱平臺、溫控設備、排風設備、晶片承載盒以及晶片鑷；加熱平臺安裝在支架上，其四周設有擋板；擋板安裝在支架上，并不與加熱平臺接觸；溫控設備與加熱平臺連接；排風設備安裝在加熱平臺上方；晶片承載盒為長方體形結構；晶片承載盒對稱設置兩個把手；晶片鑷的開口的端部內側設有聚四氟乙烯層。在晶片組塊完成倒角磨邊后即可使用，將晶片組塊中的蠟熔化，從而分離出一片片的晶片；是一種加熱均勻、安全的裝置。
【IPC分類】H01L21/67
【公開號】CN205248244
【申請號】CN201521111743
【發明人】徐亮
【申請人】蘇州普銳晶科技有限公司
【公開日】2016年5月18日
【申請日】2015年12月25日