一種新型led芯片的互聯結構的制作方法
【技術領域】
[0001 ]本實用新型涉及LED領域，具體涉及一種新型LED芯片的互聯結構。
【背景技術】
[0002]LED發光芯片具有體積小、能耗低、壽命長以及環保等優點，廣泛應用于照明領域。LED芯片的主體是一個發光PN結，主要由N型半導體、發光層和P型半導體組成，所述N型半導體和P型半導體上分別設置有金屬電極。現有的LED芯片一般在發光PN結外覆蓋一層鈍化層(S12層)，起保護作用，光阻層(由光刻膠形成)設置在鈍化層外。由于現有的LED芯片在制作過程中需要分別添加鈍化層和光阻層，之后還需對金屬電極上方的光阻層和鈍化層分別進行蝕刻，使金屬電極外露，工序繁瑣，制作麻煩，增加成本，同時，當多個LED芯片通過金屬導線連接時，串聯用的金屬導線蒸鍍在鈍化層上，由于S12的附著力低，容易使金屬導線脫離并斷開，影響LED芯片之間的連接;此外，由于S12是硬性材料，抗沖擊、抗壓的能力較差，鈍化層不能很好起到保護作用。
【發明內容】
[0003]為克服現有技術的不足，本實用新型的目的在于提供一種新型LED芯片的互聯結構，利用軟性材料的光刻膠取代鈍化層對LED芯片的主體進行保護，同時承托蒸鍍的金屬導線層。
[0004]本實用新型為解決其技術問題采用的技術方案是:
[0005]—種新型LED芯片的互聯結構，包括襯底，所述襯底上設置有至少兩塊LED芯片，所述LED芯片包括依次設置在襯底上的N型半導體層、發光層和P型半導體層，其中N型半導體層部分暴露在發光層外，所述N型半導體層的暴露區上設置有N電極，P型半導體層表面設置有P電極，所述襯底上表面和LED芯片外涂抹有透明絕緣的光刻膠，并通過光刻工藝形成光阻層，所述光阻層上設置有使P電極和N電極外露的缺口，所述光阻層表面蒸鍍有金屬導線層，所述金屬導線層兩端分別連接不同的LED芯片上的電極。
[0006]作為上述技術方案的進一步改進，所述金屬導線層一端連接P電極，另一端連接N電極。
[0007]作為上述技術方案的進一步改進，所述襯底上方設置有用于分隔LED芯片的絕緣的芯片隔離帶，所述芯片隔離帶用絕緣光刻膠填充，起到分隔LED芯片的作用。
[0008]本實用新型的有益效果是:
[0009]本實用新型采用透明絕緣的光阻層直接覆蓋LED芯片，金屬導線層蒸鍍在光阻層上，由于光阻層是采用軟性的光刻膠制作而成，易填充在LED芯片之間的空間，形成良好的支撐面，能很好地降低金屬線的大幅度起伏引起的電壓升高，且具備一定的粘附力，能很好的粘附金屬導線層。此外，光刻膠的抗沖擊、抗壓的能力比硬性材料的S12更為優秀，光阻層取代鈍化層能更好的起到保護作用;光阻層取代鈍化層還減少了設置鈍化層和蝕刻鈍化層兩道工序，提高了 LED芯片的生產效率，并降低制造成本。
【附圖說明】
[0010]以下結合附圖和實例作進一步說明。
[0011]圖1是本實用新型的LED芯片的互聯結構的示意圖。
【具體實施方式】
[0012]參照圖1，本實用新型提供的一種新型LED芯片的互聯結構，包括襯底10，所述襯底10上設置有至少兩塊LED芯片，所述LED芯片包括依次設置在襯底10上的N型半導體層20、發光層30和P型半導體層40，其中N型半導體層20部分暴露在發光層30外，所述N型半導體層20的暴露區上設置有N電極52，P型半導體層40表面設置有P電極51，所述襯底10上表面和LED芯片外涂抹有透明絕緣的光刻膠，并通過光刻工藝形成光阻層60，所述光阻層60上設置有使P電極51和N電極52外露的缺口，所述光阻層60表面蒸鍍有金屬導線層70，所述金屬導線層70兩端分別連接不同的LED芯片上的電極，其中一端連接P電極51，另一端連接N電極52。
[0013]此外，本發明提供了一種制作上述LED芯片互聯結構的方法，包括以下步驟:S1、準備一襯底10，在襯底10上方依次設置N型半導體層20、發光層30、P型半導體層40，通過刻蝕工藝暴露部分N型半導體層20和形成絕緣的芯片隔離帶，芯片隔離帶通過干刻腐蝕到襯底10表面，得到多個由芯片隔離帶分隔的LED芯片;S2、在N型半導體層20暴露區設置N電極52，P型半導體層40上表面設置P電極51 ;S3、通過光刻工藝將透明絕緣的光刻膠直接覆蓋在襯底10、芯片隔離帶和LED芯片外，形成光阻層60，采用顯影液把P電極51和N電極52上方的光阻層60刻蝕，使P電極51和N電極52暴露出來;S4、在光阻層60上蒸鍍金屬導線層70，金屬導線層70的兩端分別連接不同的LED芯片上的電極。
[0014]進一步，上述方法中的步驟S2和S3還可以進行互換，形成另一種制備方法，包括以下步驟:T1、準備一襯底10，在襯底10上方依次設置N型半導體層20、發光層30、P型半導體層40，通過刻蝕工藝暴露部分N型半導體層20和形成絕緣的芯片隔離帶，芯片隔離帶通過干刻腐蝕到襯底10表面，得到多個由芯片隔離帶分隔的LED芯片;T2、通過光刻工藝將透明絕緣的光刻膠直接覆蓋在襯底10、芯片隔離帶和LED芯片外，形成光阻層60，采用顯影液把N型半導體層20暴露區和P型半導體層40上表面的部分光阻層60刻蝕掉，使N型半導體層20和P型半導體層40暴露出來;T3、在暴露出來的N型半導體層20上設置N電極52，P型半導體層40上設置P電極51 ;T4、在光阻層60上蒸鍍金屬導線層70，金屬導線層70的兩端分別連接不同的LED芯片上的電極。
[0015]本實用新型采用透明絕緣的光阻層60直接覆蓋LED芯片，金屬導線層70蒸鍍在光阻層60上，由于光阻層60是采用軟性的光刻膠制作而成，易填充在LED芯片之間的空間，形成良好的支撐面，能很好地降低金屬線的大幅度起伏引起的電壓升高，且具備一定的粘附力，能很好的粘附金屬導線層70。此外，光刻膠的抗沖擊、抗壓的能力比硬性材料的S12更為優秀，光阻層60取代鈍化層能更好的起到保護作用；光阻層60取代鈍化層還減少了設置鈍化層和蝕刻鈍化層兩道工序，提高了 LED芯片的生產效率，并降低制造成本。
[0016]以上所述，只是本實用新型的較佳實施例而已，本實用新型并不局限于上述實施方式，只要其以相同的手段達到本實用新型的技術效果，都應屬于本實用新型的保護范圍。
【主權項】
1.一種新型LED芯片的互聯結構，其特征在于:包括襯底(10)，所述襯底(10)上設置有至少兩塊LED芯片，所述LED芯片包括依次設置在襯底(10)上的N型半導體層(20)、發光層(30)和P型半導體層(40)，其中N型半導體層(20)部分暴露在發光層(30)外，所述N型半導體層(20)的暴露區上設置有N電極(52)，P型半導體層(40)表面設置有P電極(51)，所述襯底(10)上表面和LED芯片外涂抹有透明絕緣的光刻膠，并通過光刻工藝形成光阻層(60)，所述光阻層(60)上設置有使P電極(51)和N電極(52)外露的缺口，所述光阻層(60)表面蒸鍍有金屬導線層(70)，所述金屬導線層(70)兩端分別連接不同的LED芯片上的電極。2.根據權利要求1所述的一種新型LED芯片的互聯結構，其特征在于:所述金屬導線層(70)一端連接P電極(51)，另一端連接N電極(52)。3.根據權利要求1所述的一種新型LED芯片的互聯結構，其特征在于:所述襯底(10)上方設置有用于分隔LED芯片的絕緣的芯片隔離帶。
【專利摘要】本實用新型公開了一種新型LED芯片的互聯結構，并具體公開了利用透明絕緣的光刻膠形成的光阻層對LED芯片進行保護，同時對連接LED芯片的金屬導線層進行支撐和粘附，使其不易斷裂。由于光阻層是采用軟性的光刻膠制作而成，易填充在LED芯片之間的空間，形成良好的支撐面，能很好地降低金屬線的大幅度起伏引起的電壓升高，且具備一定的粘附力，能很好的粘附金屬導線層，此外，光刻膠的抗沖擊、抗壓的能力比硬性材料的SiO2更為優秀，使光阻層能起到保護作用；本設計還減少了設置鈍化層和蝕刻鈍化層兩道工序，提高了LED芯片的生產效率，并降低制造成本。
【IPC分類】H01L33/62, H01L33/44, H01L27/15
【公開號】CN205231062
【申請號】CN201520984662
【發明人】易翰翔, 郝銳, 劉洋, 許徳裕
【申請人】廣東德力光電有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2015年11月30日